Abs远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙的制作方法
【专利摘要】本申请公开了ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙。数据写元件可至少配置有写入极，所述写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件。使所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。
【专利说明】ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙
[0001]发明概述
[0002]各个实施方案总体涉及能够在各种数据存储环境中对数据位编程的磁元件。
[0003]匹配的实施方案调谐数据写入元件，至少一个写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件。第二屏蔽件可以在气浮表面(ABS)上与写入极隔开第一间隙距离且在ABS远侧与写入极隔开第二间隙距离，第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。
【专利附图】
【附图说明】
[0004]图1是依照各个实施方案构造和操作的实施例的数据存储系统的框图表示。
[0005]图2示出了能够在图1的数据存储设备中使用的数据存储设备的部分的框图表
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[0006]图3示出了能够在图2的数据存储设备中使用的实施例的磁元件的部分的框图表
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[0007]图4显示了依照各个实施方案构造的实施例的磁元件的剖视框图表示。
[0008]图5示出了依照一些实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。
[0009]图6是依照匹配的实施方案构造的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。
[0010]图7显示了依照各个实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。
[0011]图8显示了依照一些实施方案构造的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。
[0012]图9提供了依照配平的实施方案执行的实施例的写元件制造工序的流程图。
[0013]发明详述
[0014]数据存储部件的物理尺寸的减小已经为数据存储设备形状因数减小以及数据容量增加铺平了道路。在数据存储设备的数据写方面，磁屏蔽件关于发射磁通的写入极定位，并且下磁道后屏蔽件能够经调谐以提高写磁场、场梯度、场角和曲率锐度。然而，数据存储介质上数据磁道的物理尺寸的最小化会导致磁通沿着交叉磁道轴线横向地发射而不利地影响特征在于相邻磁道干扰(ATI)和写后擦除(EAW)状态的相邻数据位。因此，行业持续性的目标是增强写入极的侧屏蔽，特别是在形状因数减小的、高面积数据位密度的数据存储环境中。
[0015]在考虑到这些问题的情况下，数据存储设备能够配置有沿第一轴线邻近第一屏蔽件定位且沿第二轴线邻近第二屏蔽件定位的写入极，第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与写入极隔开第一间隙距离且在ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。关于ABS的非正形的侧屏蔽间隙距离允许在保持写入极的磁性程度的情况下有更大的磁场和场梯度。可以在材料和构造方面进一步调谐侧屏蔽件，如匹配的实施方案将侧屏蔽件形成为屏蔽子层的水平层叠件，每个子层接触ABS。
[0016]可设想的是，经调谐的写入极和侧屏蔽件能够用于不受限制的各种数据存储环境。图1提供了依照各个实施方案构造的实施例的数据存储环境100的框图表示。环境100具有至少一个处理器102或控制器，其分别地或者同时地与一个或多个数据存储设备104通信且控制一个或多个数据存储设备104。
[0017]数据存储设备104能够由存储数据位形式的数据的至少一个数据存储介质106来构造和操作。匹配的实施方案可以将处理器102封装在数据存储设备104内，而其它实施方案使用位于数据存储设备104内部和外部的多个处理器102。
[0018]一个或多个本地处理器102的使用能够允许多个数据存储设备104用作本地数据存储方案的部分。处理器102与其它设备108、存储器110和控制器112经由适当的协议在网络114上通信的能力允许在提供增强的处理能力的同时实现其它的数据存储方案，类似于冗余独立磁盘阵列(RAID)和数据高速缓存。值得注意的是，网络114可以是有线或无线的以将本地处理器102连接到不受限制的多种计算部件，无限制。因此，数据存储环境100能够经调谐以使用多种多样的计算部件来提供几乎任何类型的数据存储能力，诸如云计算、虚拟机和冗余存储阵列。
[0019]图2显示了依照匹配的实施方案构造和操作的实施例的数据存储设备120的部分的框图表示。数据存储系统120使用邻近数据存储介质124定位且与数据存储介质124隔开气浮面126的数据位编程换能器122。主轴电动机128能够通过一个或多个本地或远程的控制器来控制以旋转数据存储介质124并且产生预定的气浮面126尺寸。通过数据换能器122的致动运动结合数据存储介质124的旋转，作为不同数据磁道132的部分的选定数据位130能够被访问以读和写与逻辑主体和数字存储器对应的预定磁极。
[0020]一个或多个数据位130的编程能够通过不受限制的各种换能构造来实现。如图2的剖面部分所示，数据换能器122具有主极134，其通过磁屏蔽件138和气浮表面(ABS)上的写间隙与复位极136隔开。相应的极134和136可以具有有利于从主极134通过数据存储介质134到达复位极136完成磁路的形状和尺寸。由于磁轭140朝向主极134传导磁通，磁路能够发射由磁线圈产生且从主极134发射的磁通。
[0021]换能部122可以单独地或者与诸如数据传感电阻传感器的其他换能装置结合地位于致动组件144的头部平衡圈环组件142部分上。行业在增强数据存储容量上的重点具有减小宽度的数据磁道132，从而适应数据存储介质124上的更多数据磁道132。这种数据磁道130宽度的减小能够与写入极134的更精确的磁范围对应，由于与具有固定枢转点的致动组件144相关联的斜角，写入极134的更精确的磁范围难以在与各数据磁道132对准的同时而产生。能够通过磁屏蔽来补偿数据磁道132的最小化和更宽范围的斜角，而不会随着主极134与屏蔽件之间的磁分路增加而导致性能下降。
[0022]图3是能够在图2的数据存储设备120中使用的实施例的数据写入元件150的部分的框图表示。写入极152具有大致梯形形状，其能够有助于将磁通定位在前边缘154处，这样能够有助于对配置有高面密度的数据位进行编程。能够对前屏蔽件156、后屏蔽件158和侧屏蔽件160进一步调谐尺寸和形状以使磁屏蔽与磁分路的风险平衡。
[0023]虽然能够调节后屏蔽件158以增强写入极152的磁性能，但是调谐侧屏蔽件160使得平衡屏蔽与分路更难。由于这些困难，磁通会从写入极152横向地泄漏并且在写后擦除(EAW)和相邻磁道干扰(ATI)状态下会不利地影响相邻数据磁道上的数据位。因此，无效的侧屏蔽件60会妨碍通过调谐写入极152和后屏蔽件158所带来的任何益处。
[0024]图4提供了依照一些实施方案构造成具有大致T形截面写入极172的实施例的数据写入器170的部分的剖面框图表示，大致T形截面写入极172能够增强到ABS的磁通输送。写入极172具有收敛于ABS近侧的喉部区域174的连续曲线侧壁。能够对喉部区域174进行沿X轴线的宽度176的调谐以及自ABS起沿Z轴线的长度的调谐以控制磁通如何流向ABS，注入以增加的磁通强度和减小的饱和时间。
[0025]通过调节侧屏蔽件178的尺寸和形状能够进一步调节写入极172的性能，以平衡磁屏蔽和自写入极172的磁通分路的风险。在图4的非限制性的实施方案中，在写入极172的相对的横向侧的侧屏蔽件178成形有侧壁，该侧壁基本上匹配写入极侧壁并且将距ABS的非磁绝缘间隙距离180保持为距ABS的预定距离182。均匀的绝缘间隙距离180能够有助于控制写入极172在ABS处的磁范围，但是随着整个侧屏蔽件侧壁接近写入极172且绝缘间隙距离180减小易受非期望磁分路影响。因此，绝缘间隙距离180保持为减小分路风险的长度，但是不提供在不出现EAW和ATI状态的情况下精确地对高面密度数据位进行编程的足够精确的屏蔽。
[0026]针对在平衡磁分路与减小形状因数的屏蔽的困难，高面密度数据存储环境已经实现了具有变化的绝缘间隙距离的水平层叠的侧屏蔽件。图5总体示出了依照匹配的实施方案构造为采用经调谐的侧屏蔽件192的实施例的数据写入器的部分的剖面框图表示，侧屏蔽件192与写入极194隔开间隙距离196，该间隙距离196关于距ABS的距离变化至距ABS的预定距离的较大间隙距离198。值得注意的是，虽然在图5中示出了单个侧屏蔽件192，能够类似地或者不类似地构造在写入极194的相对横向侧上的侧屏蔽件。
[0027]侧屏蔽件192调谐有第一屏蔽子层200，其布置在绝缘材料202与第二屏蔽子层204之间。各种实施方案将第一屏蔽子层200和第二屏蔽子层204配置有相同的材料和磁通密度，而其他的实施方案将子层200和204配置有不同的磁通密度，诸如1.6T和1.0T,其小于写入极194的磁通密度。不同的磁道密度能够补充变化的间隙距离196以提供ABS上的优化的磁屏蔽，同时通过将写入极194的后部与侧屏蔽件192隔开比ABS处的间隙距离196大的第二距离198来减小ABS远侧的磁分路。
[0028]虽然失配的写入极和侧屏蔽件侧壁构造会产生变化的间隙距离196，但是间隙距离196的逐渐增加不能充分地减少写入极194与侧屏蔽件192之间的分路。因此，第一屏蔽子层200配置有过渡表面206，其大致平行于ABS取向且突然地增加写入极196与侧屏蔽件192之间的间隔。过渡表面206可被调谐成任意不同的角取向、长度以及距ABS的距离208，但是一些实施方案用间隙距离196调谐距离208以在ABS处提供优化的屏蔽，而不将第一屏蔽子层200的尺寸减小至屏蔽的磁通易于饱和的程度，这样能够产生促进EAW和ATI状态的磁域。
[0029]可设想的是，第一屏蔽子层200是唯一具有过渡表面206的子层。然而，侧屏蔽件192可进一步调谐以具有多个过渡表面，诸如在第二屏蔽子层204中构造的第二过渡表面210。第二过渡表面210可进行尺寸和形状的调谐以进一步控制ABS近侧的磁屏蔽和磁分路。在图5中调谐第二过渡表面210以具有比从ABS到第一过渡表面206的距离208小的喉部距离212。这种磁通密度、过渡表面206和208以及喉部距离208和212的分层构造能够在降低EAW和ATI状态的风险的同时通过优化磁化强度和下磁道磁化梯度来提高写入极194的性能。
[0030]图6显示了依照各个实施方案构造以提供通过非磁性绝缘层226与写入极224隔开的经调谐侧屏蔽件222的另一实施例的数据写入器220的部分的剖面框图表示。虽然不限制或做要求，第一屏蔽子层228可以连续地从ABS延伸到大致平行于ABS和X轴线取向的共用过渡表面230。第一屏蔽子层228与ABS近侧的区域的隔离能够允许使用高磁通密度材料，诸如2.4T材料，从而在ABS处提供增强的磁屏蔽，而不会不当地提高ABS远侧的分路风险。在一些实施方案中，第一屏蔽子层228是由与写入极224相同的材料构造而成的，并且沿Z轴线延伸得不比共用过渡表面230的喉部高度232远。
[0031]能够相对于第二屏蔽子层234和第三屏蔽子层236来调谐第一屏蔽子层228的朝向写入极的侧壁的尺寸和形状，以提供适应减小的数据磁道宽度而不提高EAW和ATI状态风险的综合的侧屏蔽件222。如图所示，第二屏蔽子层234能够配置有朝向写入极的侧壁238，其具有与写入极224匹配的形状，但是与写入极224隔开比在ABS处的ABS隔开距离242大的远侧隔开距离240。将第二屏蔽子层234定位在ABS的远侧允许第三屏蔽子层236沿着ABS从第一屏蔽子层228横向地延伸出以通过不同的磁通密度材料来平衡屏蔽和分路。也即，第一屏蔽子层228、第二屏蔽子层234和第三屏蔽子层236可具有不同的磁通密度，其与各子层形状协同地起作用以在ABS处提供优化的屏蔽，同时降低了 ABS远侧的分路风险。
[0032]可设想的是，第一屏蔽子层228具有比第二屏蔽子层234和第三屏蔽子层236大的磁矩以提高交叉磁道磁场梯度，这样能够有益于叠瓦式磁记录(SMR)，同时减轻侧屏蔽件222的磁饱和问题。图7示出了依照匹配的实施方案通过多个过渡表面256和258调谐侧屏蔽件254而优化的写入极252性能的另一实施例的数据写入器250的部分的剖面框图表示。如图所示，侧屏蔽件254具有布置在第二屏蔽子层262与非磁性绝缘材料264之间的第一屏蔽子层260。
[0033]在一些实施方案中，第一屏蔽子层260具有比第二屏蔽子层262高的磁通密度和磁矩，这与多个过渡表面256和258协同操作以增强写入极252的磁场梯度，同时降低ABS远侧分路的风险。第一屏蔽子层260经调谐而在ABS处具有反映写入极252的形状的连续曲线侧壁部分以及按关于ABS和X轴线的预定起跳角(takeoff angle)如60°和45°来连接过渡表面256和258的至少一个连续线性侧壁266。这种线性侧壁266的构造能够允许调谐侧屏蔽件254的磁饱和，这由相比于ABS上的间隙隔开距离270增加的ABS远侧的隔开距尚268来补充。
[0034]多个过渡表面256和258的实现进一步允许将沿X轴线的相应表面的长度272和274调谐成相似或不相似而改变在各水平平面上写入极252与侧屏蔽件254之间的非磁性材料的量。侧屏蔽件254可进一步包括经调谐的第二屏蔽子层262，其具有第三过渡表面276，第三过渡表面276定位成距ABS的喉结高度278与第一屏蔽子层260的过渡表面256和258距ABS的喉结高度不同。通过调谐相应的屏蔽子层260和262的材料、形状和尺寸，能够在ABS处实现稳健的磁屏蔽，以优化写入极252的磁范围，同时增加ABS远侧的隔开距离268使得磁场梯度和磁通传导优化。
[0035]随着数据写入元件的物理尺寸减小，与在沿Z轴线的侧屏蔽件254整个长度具有均匀隔开距离270的侧屏蔽件相比，精确的子屏蔽件254特征的构造和不同材料的子层会增加制造复杂度。这些问题和其他方面问题已经促使出现了图8的实施例的数据写入极280，其中一部分显示为是依照各个实施方案构造的。数据写入器280具有通过非磁性绝缘材料288隔开的大致正形的写入极284和侧屏蔽件286侧壁来提供的均匀隔开距离282。
[0036]朝向写入极184的侧屏蔽件侧壁经调谐而具有位于ABS上的高磁矩部分290和从高磁矩部分290的过渡表面294连续地延伸到ABS远侧的预定平面的低磁矩部分292。在各个实施方案中，高磁矩部分290由具有与写入极284相同的磁通密度如2.4T的材料构成，而低磁矩部分292具有小于IT的磁通密度以降低在ABS远侧磁侧屏蔽件286饱和的风险，这使得侧磁道擦除(STE)状态和写入极284的不利磁分路的几率最小化。
[0037]将高磁部分290和低磁部分292调谐成与沿垂直于ABS的Z轴线的写入极284轮廓基本匹配，与部分292的低磁矩材料相结合，允许紧靠近写入极284构造侧屏蔽件286以增强对写入极284的磁范围的控制，而不增加分路和侧屏蔽件286饱和的风险。还可以通过调节过渡表面294距ABS的距离296来调谐侧屏蔽件286。通过确定在ABS上写入极284的极末端298部分近侧存在多少高磁矩材料，这种调谐能够精确低控制ABS处的磁屏蔽。
[0038]经调谐的过渡表面294的构造能够进一步确定第一屏蔽子层300和第二屏蔽子层302的形状和尺寸。也即，过渡表面294沿着平行于ABS的X轴线横向低延伸设定了第一屏蔽子层300的形状，第一屏蔽子层300可以由与低磁矩部分290和高磁矩部分292不同的磁通密度构成。第一屏蔽子层300能够构造为具有任何形状和尺寸，但是长度可以从写入极284远侧的ABS横向低逐渐增加，如图所示。线性过渡表面294和曲线隔开表面304的结合起到了限定第二屏蔽子层302的形状和尺寸的作用，能够调谐第二屏蔽子层302的形状和尺寸以将具有预定磁通密度的材料定位成与低磁矩部分292相接触并且提供ABS远侧的磁屏蔽。
[0039]将多个不同的侧屏蔽件286的层定位在ABS上限定了水平层叠件，其可以或者可以不具有与ABS接触的第二屏蔽子层302。换言之，水平层叠侧屏蔽件286具有至少两个不同的屏蔽层并且在第二屏蔽子层302构造成从ABS连续低延伸出的情况下还可以具有三层。可以理解的是，具有不同材料和形状的层的经调谐构造的侧屏蔽件286允许精确平衡在ABS处的磁屏蔽以及减小在ABS远侧的侧屏蔽件286的饱和，由于EAW、ATI和STE状态的风险减小，能够优化写入极性能。
[0040]值得注意的是，虽然图5-8的各数据写入器具有多个不同材料的子层，但是不要求具有这种构造或限制这种构造，因为一些或全部的侧屏蔽件能够由单一材料构成。在单一材料用于形成侧屏蔽件的情形下，子层可顺序低构造而使得在子层之间存在缝隙或边界以调谐侧屏蔽件的选定部分的磁屏蔽特性。
[0041]通过侧屏蔽件286的各种调谐能力，数据写入器280的制造会涉及到不受限制的各种步骤和工序，不对这些步骤和工序进行要求或限制。然而，匹配的实施方案执行写入元件制造例程310以构造经调谐的侧屏蔽件，如图9所示。初始低，步骤312能够形成具有从ABS连续低延伸出的形状的侧壁的写入极。可设想的是，写入极侧壁可具有T形截面，其具有线性和曲线的侧壁表面。进一步设想，执行步骤312，诸如通过掩模和蚀刻操作来沉积材料以及随后去除材料的部分。
[0042]在步骤312中形成写入极能够使例程310推进到步骤314，在该步骤中，第一侧屏蔽子层沉积在ABS上。在步骤316将第一侧屏蔽子层定形成具有大致平行于ABS取向的过渡表面之前，第一侧屏蔽子层可位于ABS的远侧或近侧并且从ABS连续地延伸出任意距离。一些实施方案的特征在于，图5的子层204为第一侧屏蔽子层，因为其在ABS上的基础位置且远离写入极。
[0043]接着，步骤318将第二侧屏蔽子层沉积到第一侧屏蔽子层之上。值得注意的是，第一和第二侧屏蔽子层在过渡表面的材料、形状、尺寸和数量方面不同以使得屏蔽与分路和侧屏蔽磁饱和的风险平衡。在步骤322或324分别将单个过渡表面或多个独立的过渡表面定形在距ABS预定距离之前，能够在决策320中特别地确定过渡表面的数量。对于步骤324，可以独立低形成多个过渡表面，或者可以与一个或多个材料去除工序同时形成多个过渡表面。值得注意的是，在步骤316中形成的过渡表面可以不同或者距ABS相同的距离，如图5的距离208和212所图示的。
[0044]在步骤322或324中的至少一个过渡表面的形成进行到决策326，其中对诸如图8的层292的低磁矩包覆层的安装进行评估。如果选择包覆层，则步骤328将包覆层形成在过渡表面之上并且在至少一个侧屏蔽子层之上连续地延伸。在不形成包覆层的情形下，或者在步骤328中形成包覆层结束时，在构造诸如下磁道后屏蔽件的其他屏蔽件之前，步骤330将非磁性绝缘层沉积在侧屏蔽件和写入极之间。
[0045]通过例程310的各步骤和决策，通过将侧屏蔽件调谐为提供不同结构和操作特性的子层的水平层叠件，能够将磁写元件构造成具有优化的磁屏蔽和分路。然而，值得注意的是，不对图9所示的例程310的各个步骤和决策进行要求或限制，因为可以省略、改变和添加各个决策和步骤。作为非限制性的实施例，额外的步骤或步骤系列可特别地将朝向侧屏蔽件的侧壁的写入极定形为与写入极侧壁匹配或不同，这会涉及到使用线性的和曲线的表面来限定跨过多个侧屏蔽子层的侧屏蔽件侧壁。
[0046]通过对侧屏蔽件的各种调谐能力，能够通过ABS处的更精确的磁屏蔽以及在ABS远侧的分路和侧屏蔽饱和的风险降低，来优化写入极的磁性能。构造在水平层叠件中具有不同材料和形状的子层的侧屏蔽件的能力允许提高磁场梯度下磁道以及在交叉磁道方向的有效磁场。而且，在ABS远侧距写入极的变化的侧屏蔽件隔开距离能够降低尤其在高数据位面密度环境下会危及旋转的数据存储设备的数据完整性的EAW、ATI和STE状态的风险。
[0047]另外，虽然实施方案涉及磁编程，应理解的是在诸如数据读取传感器的任意数量的其他应用中能够轻易低使用所主张的技术。应理解的是，即使与各个实施方案的结构和功能的细节一起在前面的说明中阐述了本公开的各个实施方案的多个特性和构造，但是该详细说明仅是示例性的，并且能够对细节进行各种改变，特别是本公开的原理内对零件的结构和布置方面改变到通过表达了随附权利要求的术语的广义的一般性含义所表明的整个范围内。例如，特定的要素可根据特定应用而变化，而不偏离本技术的精神和范围。
【权利要求】
1.一种装置，包括沿第一轴线与第一屏蔽件相邻且沿第二轴线与第二屏蔽件相邻的写入极，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一屏蔽件包括后屏蔽件，所述后屏蔽件定位在所述写入极的下磁道。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括侧屏蔽件，所述侧屏蔽件定位成横向地邻近所述写入极且在所述第一屏蔽的上磁道。
4.如权利要求3所述的装置，其中所述写入极布置在匹配的侧屏蔽件之间。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述写入极包括以第一形状从所述ABS延伸出的第一侧壁，所述第二屏蔽件包括以第二形状从所述ABS延伸出的第二侧壁，所述第一形状和第二形状不同。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括平行于所述ABS取向的第二过渡表面，所述第一和第二过渡表面与所述ABS隔开不同的距离。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述第一和第二过渡表面具有不同的长度，所述长度是平行于所述ABS测量到的。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述第一过渡表面将所述第一间隙距离增加到所述第二间隙距离。
9.磁元件，包括沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件的写入极，所述第二屏蔽件构造为具有第一和第二屏蔽子层的水平层叠件，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。
10.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一和第二子层从所述ABS连续地延伸。
11.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一子层包括所述第一过渡表面，所述第二子层包括平行于所述ABS取向的第二过渡表面。
12.如权利要求11所述的磁元件，其中所述第一和第二过渡表面定位在距所述ABS的不同距离处。
13.如权利要求11所述的磁元件，其中所述第一和第二过渡表面定位在距所述ABS的共同距离处。
14.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一和第二子层具有不同的磁体密度。
15.如权利要求9所述的磁元件，其中在垂直于所述ABS的方向上，所述第一子层延伸不远于所述第一过渡表面。
16.如权利要求11所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第三子层，所述第三子层从所述第二过渡表面连续地延伸，而不接触所述ABS。
17.如权利要求16所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第四子层，所述第四子层从所述第一过渡表面连续地延伸，而不接触所述ABS。
18.如权利要求16所述的磁元件，其中所述第二屏蔽件包括第四子层，所述第四子层具有与所述第一子层不同的磁元件。
19.如权利要求9所述的磁元件，其中所述第一子层包括朝向写入极的侧壁，所述侧壁构造有与所述写入极的朝向侧屏蔽件的侧壁匹配的形状。
20.—种方法，包括: 将写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件；以及使所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。
【文档编号】G11B5/60GK104464759SQ201410459021
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月10日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】M·A·巴谢尔, M·格宾斯, S·巴苏, M·B·穆尼 申请人:希捷科技有限公司