技术总结
在实施例中，一种半导体存储设备，包括存储单元，所述存储单元包括具有第一输入端和第一输出端的第一反相器，以及具有连接到所述第一输出端的第二输入端和连接到第一输入端部分的第二输出端的第二反相器。第一位线经由第一传输晶体管连接到所述第一反相器的所述第一输出端。第二位线经由第二传输晶体管连接到所述第二反相器的所述第二输出端。第一p沟道MOS晶体管具有连接到所述第一位线的漏极和连接到所述第二位线的栅极。第二p沟道MOS晶体管具有连接到所述第二位线的漏极和连接到所述第一位线的栅极。
技术研发人员：绿川刚
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201510236076
技术研发日：2015.05.11
技术公布日：2016.12.07