1.一种固态存储装置的读取控制方法，其中，该固态存储装置具有非易失性存储器，包括多个区块，其中这些区块包括第一区块及第二区块，该读取控制方法包括下列步骤：
在该固态存储装置的待机模式时，进行背景监测动作，以取得该第一区块对应的第一最佳读取电压组及该第二区块对应的第二最佳读取电压组；
提供预定读取电压组至该非易失性存储器，以读取该第一区块的数据，并判断是否成功解码该第一区块的数据；以及
在无法成功解码该第一区块的数据时，对该第一区块进行读取重试流程，并且将该第一区块所对应的该第一最佳读取电压组提供至该非易失性存储器，以读取该第一区块的数据。
2.如权利要求1所述的读取控制方法，其中该背景监测动作包括下列步骤：
在该第一区块中选取特定页；
将重试表中存储的X个读取电压组提供至该非易失性存储器，用以读取该特定页的数据，并对应地产生X个解码结果；以及
根据该X个解码结果，由该X个读取电压组中决定该第一区块所对应的该第一最佳读取电压组。
3.如权利要求2所述的读取控制方法，其中在该X个解码结果中，选择无法被成功解码的码字最少，且错误位最少所对应的读取电压组为该第一最佳读取电压组。
4.如权利要求2所述的读取控制方法，其中该重试表中存储的这些读取电压组是通过在该非易失性存储器遭受读取失败模式下进行分析，以获得多个读取电压组并存储在该重试表。
5.如权利要求4所述的读取控制方法，其中该读取失败模式为编程干扰模式、数据维持模式或者读取干扰模式。
6.如权利要求4所述的读取控制方法，其中在该读取失败模式下，进行统计结果并利用分群算法来进行分群，并获得这些读取电压组。
7.如权利要求1所述的读取控制方法，其中还包括：在提供该第一最佳读取电压后，仍无法成功解码该第一区块的数据时，对该第一区块进行扩充 读取重试流程，其中该扩充读取重试流程还包括下列步骤：
将该第一最佳读取电压组所对应的N个扩充读取电压组提供至该非易失性存储器，以读取该第一区块的数据。
8.一种固态存储装置，包括：
非易失性存储器，包括多个区块，其中这些区块包括第一区块及第二区块；
控制电路，连接至该非易失性存储器，该控制电路中包括错误校正单元与重试表，且该重试表中存储多个读取电压组；
其中，在待机模式时，该控制电路进行背景监测动作，以取得该第一区块对应的第一最佳读取电压组及该第二区块对应的第二最佳读取电压组，并且在读取重试流程时，将该第一最佳读取电压组提供至该非易失性存储器，以读取该第一区块的数据。
9.如权利要求8所述的固态存储装置，其中该背景监测动作包括：将该重试表中存储的这些读取电压组提供至该非易失性存储器，用以读取该第一区块中特定页的数据，并通过该错误校正单元对应地产生多个解码结果；以及，根据这些解码结果，由这些读取电压组中决定该第一区块所对应的该第一最佳读取电压组。
10.如权利要求9所述的固态存储装置，其中该背景监测动作还包括：在这些解码结果中，选择无法被成功解码的码字最少，且错误位最少所对应的读取电压组为该第一最佳读取电压组。
11.一种固态存储装置的读取控制方法，其中，该固态存储装置具有非易失性存储器，包括多个区块，其中这些区块包括第一区块，该读取控制方法包括下列步骤：
在该固态存储装置的待机模式时，进行背景监测动作，其中该背景监测动作包括：
将重试表中存储的X个读取电压组提供至该非易失性存储器，用以读取该第一区块的数据，并对应地产生X个解码结果；以及
根据该X个解码结果，由该X个读取电压组中决定该第一区块所对应的该第一最佳读取电压组；以及
在读取重试流程时，将该第一最佳读取电压组提供至该非易失性存储器，以读取该第一区块的数据。
12.如权利要求11所述的读取控制方法，其中该重试表中存储的这些读取电压组是通过在该非易失性存储器分别遭受不同的多个读取失败模式下进行分析，以分别获得对应这些读取失败模式的这些读取电压组并存储在该重试表。
13.如权利要求12所述的读取控制方法，还包括：
根据该第一最佳读取电压组，由这些读取失败模式中判断该第一区块所对应的该读取失败模式及其程度大小；以及
根据该对应的该读取失败模式及其程度大小决定是否启动一因应流程。
14.如权利要求11所述的读取控制方法，还包括：
提供预定读取电压组至该非易失性存储器，以读取该第一区块的数据，并判断是否成功解码该第一区块的数据；以及
在无法成功解码该第一区块的数据时，对该第一区块进行该读取重试流程。