1.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：
向被执行编程操作的选中的字线施加读取电压；
向与选中的字线相邻的至少一个未选中的字线施加第一通电压；
在经过第一参考时间时向所述至少一个未选中的字线施加第二通电压；以及
在经过第二参考时间时根据所述读取电压对连接到选中的字线的存储单元执行读取操作。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一通电压等于或高于所述读取电压。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二通电压比所述第一通电压高出参考电压。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一参考时间的长度足以使连接到选中的字线的存储单元和连接到所述至少一个未选中的字线的存储单元分别以所述读取电压和所述第一通电压来被充电。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二参考时间的长度足以使选中的字线在连接到选中的字线的存储单元不具有任何渐进性故障时返回到所述读取电压。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：当所述读取操作失败时，将连接到选中的字线的存储单元确定为具有渐进性故障。
7.一种半导体存储器件，包括：
存储单元阵列，其连接到多个字线；以及
外围电路，其适用于对连接到所述多个字线中的选中的字线的存储单元执行渐进性故障检测操作；
其中，所述外围电路：向被执行编程操作的选中的字线施加读取电压，向与选中的字线相邻的至少一个未选中的字线施加第一通电压，在经过第一参考时间时向所述至少一个未选中的字线施加第二通电压，并且在经过第二参考时间时根据所述读取电压对连接到选中的字线的存储单元执行读取操作。
8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第一通电压等于或高于所述读取电压。
9.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第二通电压比所述第一通电压高出参考电压。
10.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第一参考时间的长度足以使连接到选中的字线的存储单元和连接到所述至少一个未选中的字线的存储单元分别以所述读取电压和所述第一通电压来被充电。
11.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述第二参考时间的长度足以使选中的字线在连接到选中的字线的存储单元不具有任何渐进性故障时返回到所述读取电压。
12.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，当所述读取操作失败时，所述外围电路进一步将连接到选中的字线的存储单元确定为具有渐进性故障。
13.一种操作存储系统的方法，所述方法包括：
对连接到选中的字线的存储单元执行编程操作；以及
对连接到选中的字线的存储单元执行渐进性故障检测操作；
其中，执行所述渐进性故障检测操作包括：
向选中的字线施加读取电压；
向与选中的字线相邻的至少一个未选中的字线施加第一通电压；
在经过第一参考时间时向所述至少一个未选中的字线施加第二通电压；以及
在经过第二参考时间时根据所述读取电压对连接到选中的字线的存储单元执行读取操作。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一通电压等于或高于所述读取电压。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述第二通电压比所述第一通电压高出参考电压。
16.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一参考时间的长度足以使连接到选中的字线的存储单元和连接到所述至少一个未选中的字线的存储单元分别以所述读取电压和所述第一通电压来被充电。
17.如权利要求13所述的方法，其中，所述第二参考时间的长度足以使选中的字线在连接到选中的字线的存储单元不具有任何渐进性故障时返回到所述读取电压。
18.如权利要求13所述的方法，进一步包括：当所述读取操作失败时，将连接到选中的字线的存储单元确定为具有渐进性故障。
19.如权利要求13所述的方法，进一步包括：执行将连接到选中的字线的存储单元的数据移动到另一存储区域的重新编程操作。
20.如权利要求18所述的方法，进一步包括：对包括连接到选中的字线的存储单元的存储块执行坏项处理。