技术总结
本发明涉及一种基于电容机构的一次性可编程器件及编程实现方法，包括一个开关MOS管，一个MTJ(磁性隧道结)和一个电容，本发明通过一个可充电的电容，在电压较小的情况下，通过对电容充电产生高于MTJ正常编程电压的方式对OTP器件进行一次性写入，打穿MTJ中的势垒层，从而达到一次编程的效果。该方法利用内部电容充电增压的方式，降低了外部所需的编程电压，相比传统OTP结构，占用面积小，易于实现，操作简单，不仅可以降低一次编程的功耗也能节省制造成本。
技术研发人员：陆羽;毛欣
受保护的技术使用者：中电海康集团有限公司
文档号码：201610429749
技术研发日：2016.06.16
技术公布日：2016.11.16