1.一种电阻式存储装置的升压电压发生器，所述升压电压发生器包括：
差分电压发生器，被构造为基于参考电压和电源电压向第一节点产生差分电压；
第一充电电路，连接在第一节点和地电压之间，被构造为响应于第一脉冲信号而在第一阶段期间将差分电压充入第一充电电路；
第二充电电路，连接在第一节点和地电压之间，被构造为响应于具有与第一脉冲信号相反相位的第二脉冲信号而在第二阶段期间将差分电压充入第二充电电路；以及
开关电路，与第一充电电路中的第二节点、第二充电电路中的第三节点以及输出节点连接，被构造为在第一阶段和第二阶段中的每个阶段期间将追赶目标电平的升压电压提供到输出节点。
2.根据权利要求1的升压电压发生器，其中，差分电压发生器包括：
运算放大器，包括第一输入端、第二输入端和连接到第一节点的输出端；
第一电阻器，连接到第一输入端；以及
第二电阻器，连接到第一输入端和输出端，其中，电源电压通过第一电阻器被施加到第一输入端，参考电压被施加到第二输入端。
3.根据权利要求2所述的升压电压发生器，其中，第一电阻器的第一电阻与第二电阻器的第二电阻相同，差分电压对应于2×VREF-VDDC，其中，VREF表示参考电压，VDDC表示电源电压。
4.根据权利要求1所述的升压电压发生器，其中，第一充电电路包括：
第一n沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到第一节点的漏极、接收第一脉冲信号的栅极和连接到第二节点的源极；
金属氧化物半导体电容器，具有连接到第二节点的栅极以及彼此连接的源极和漏极；
P沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到电源电压的源极、接收第一脉冲信号的栅极和连接到第四节点的漏极，第四节点与金属氧化物半导体电容器连接；以及
第二n沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到第四节点的漏极、接收第一脉冲信号的栅极和连接到地电压的源极。
5.根据权利要求4所述的升压电压发生器，其中，在当第一脉冲信号具有第一逻辑电平时的第一阶段期间，第一充电电路被构造为通过提供从第一节点到地电压的电流路径来将差分电压充入金属氧化物半导体电容器中，
在当第一脉冲信号具有与第一逻辑电平相反的第二逻辑电平时的第二阶段期间，第一充电电路被构造为充有与2×VREF对应的电压，其中，VREF表示参考电压。
6.根据权利要求5所述的升压电压发生器，其中，开关电路在第二阶段期间将第二节点的电压作为升压电压提供到输出节点。
7.根据权利要求1所述的升压电压发生器，其中，第二充电电路包括：
第一n沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到第一节点的漏极、接收第二脉冲信号的栅极和连接到第三节点的源极；
金属氧化物半导体电容器，具有连接到第三节点的栅极以及彼此连接的源极和漏极；
P沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到电源电压的源极、接收第二脉冲信号的栅极和连接到第五节点的漏极，第五节点与金属氧化物半导体电容器连接；以及
第二n沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到第五节点的漏极、接收第二脉冲信号的栅极和连接到地电压的源极。
8.根据权利要求7所述的升压电压发生器，其中，在当第二脉冲信号具有第一逻辑电平时的第二阶段期间，第二充电电路被构造为通过提供从第一节点到地电压的电流路径来将差分电压充入金属氧化物半导体电容器中，
在当第二脉冲信号具有与第一逻辑电平相反的第二逻辑电平时的第一阶段期间，第二充电电路被构造为充入与2×VREF对应的电压，其中，VREF表示参考电压。
9.根据权利要求8所述的升压电压发生器，其中，开关电路在第一阶段期间将第三节点的电压作为升压电压提供到输出节点。
10.根据权利要求1所述的升压电压发生器，其中，开关电路包括：
第一p沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到第二节点的源极、连接到输出节点的漏极和连接到第三节点的栅极；以及
第二p沟道金属氧化物半导体晶体管，具有连接到第三节点的源极、连接到输出节点的漏极和连接到第二节点的栅极。
11.根据权利要求10所述的升压电压发生器，其中，开关电路在第一阶段期间通过第二p沟道金属氧化物半导体晶体管将第三节点的电压作为升压电压提供到输出节点，开关电路在第二阶段期间通过第一p沟道金属氧化物半导体晶体管将第二节点的电压作为升压电压提供到输出节点。
12.一种电阻式存储装置的电压发生器，所述电压发生器包括：
脉冲发生器，被构造为基于时钟信号产生第一脉冲信号和第二脉冲信号，第一脉冲信号和第二脉冲信号具有相对于彼此180度的相位差；
参考电压发生器，被构造为基于调整信号产生具有电平的参考电压；以及
升压电压发生器，被构造为基于第一脉冲信号、第二脉冲信号、参考电压和电源电压来产生追赶目标电平的升压电压，
其中，升压电压发生器包括：
差分电压发生器，被构造为基于参考电压和电源电压来产生差分电压到第一节点；
第一充电电路，连接在第一节点和地电压之间，被构造为响应于第一脉冲信号在第一阶段期间将差分电压充入第一充电电路；
第二充电电路，连接在第一节点和地电压之间，被构造为响应于第二脉冲信号在第二阶段期间将差分电压充入第二充电电路；以及
开关电路，与第一充电电路中的第二节点、第二充电电路中的第三节点以及输出节点连接，开关电路被构造为在第一阶段和第二阶段中的每个阶段期间将升压电压提供到输出节点。
13.根据权利要求12所述的电压发生器，其中，差分电压发生器输出对应于2×VREF-VDDC的电压，其中，VREF表示参考电压并且VDDC表示电源电压，
其中，目标电压对应于2×VREF，
其中，调整信号包括多个位，以及
其中，参考电压发生器被构造为根据调整信号的位值产生具有多个电压电平的参考电压。
14.根据权利要求12所述的电压发生器，其中，在当第一脉冲信号具有第一逻辑电平时的第一阶段期间，第一充电电路被构造为通过提供从第一节点到地电压的电流路径来将差分电压充入第一充电电路中的第一金属氧化物半导体电容器，
在当第一脉冲信号具有与第一逻辑电平相反的第二逻辑电平时的第二阶段期间，第一充电电路被构造为充入与2×VREF对应的电压，其中，VREF表示参考电压。
15.根据权利要求14所述的电压发生器，其中，在当第二脉冲信号具有第一逻辑电平时的第二阶段期间，第二充电电路被构造为通过提供从第一节点到地电压的第二电流路径来将差分电压充入第二充电电路中的第二金属氧化物半导体电容器，
在当第二脉冲信号具有第二逻辑电平时的第一阶段期间，第二充电电路被构造为充入与2×VREF对应的电压。
16.一种存储装置的升压电压发生器，所述升压电压发生器包括：
差分电压发生器，被构造为基于参考电压在第一节点处产生第一电压；
第一电路，包括具有连接到第二节点的第一端的第一电容器，第一电路被构造为响应于第一脉冲信号对第二节点充电至第一电压并且将第二节点的第一电压升高；
第二电路，包括具有连接到第三节点的第一端的第二电容器，第二电路被构造为响应于具有与第一脉冲信号相反的相位的第二脉冲信号对第三节点充电至第一电压并且将第三节点的第一电压升高；以及
开关电路，与第一电路的第二节点以及第二电路的第三节点连接，开关电路被构造为将升压电压提供到输出节点。
17.根据权利要求16所述的升压电压发生器，其中，当第三节点的电压被升高时，第一电路被构造为将第二节点充电至第一电压，
当第二节点的电压升高时，第二电路被构造为将第三节点充电至第一电压。
18.根据权利要求16所述的升压电压发生器，其中，差分电压发生器包括用于接收参考电压的第一输入端、用于接收电源电压的第二输入端和连接到第一节点的输出端。
19.根据权利要求16所述的升压电压发生器，
其中，第一电路还包括：
第一晶体管，具有连接到第一节点的漏极、连接到第二节点的源极和接收第一脉冲信号的栅极；以及
第一反相器，具有连接到第一脉冲信号的输入端和连接到第一电容器的第二端的输出端，
其中，第二电路还包括：
第二晶体管，具有连接到第一节点的漏极、连接到第三节点的源极和接收第二脉冲信号的栅极；以及
第二反相器，具有连接到第二脉冲信号的输入端和连接到第二电容器的第二端的输出端。
20.根据权利要求16所述的升压电压发生器，其中，升压电压发生器被构造为基于参考电压产生包括可变的电压电平的升压电压。