1.一种基于FinFET器件的读写分离存储单元，其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管，所述的第一FinFET管和所述的第二FinFET管均为P型FinFET管，所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管均为N型FinFET管，所述的第一FinFET管和所述的第二FinFET管的鳍的数量均为2，所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管的鳍的数量均为1；
所述的第一FinFET管的源极和所述的第二FinFET管的源极均接入电源，所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的漏极、所述的第四FinFET管的前栅和所述的第五FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的读写分离存储单元的输出端，所述的第一FinFET管的前栅、所述的第一FinFET管的背栅、所述的第二FinFET管的漏极、所述的第三FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的漏极、所述的第六FinFET管的漏极和所述的第七FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的读写分离存储单元的反相输出端；所述的第三FinFET管的源极、所述的第三FinFET管的背栅、所述的第四FinFET管的背栅、所述的第四FinFET管的源极和所述的第七FinFET管的源极均接地；所述的第五FinFET管的前栅、所述的第五FinFET管的背栅、所述的第六FinFET管的背栅和所述的第六FinFET管的前栅连接且其连接线为所述的读写分离存储单元的写字线；所述的第五FinFET管的源极为所述的读写分离存储单元的写位线；所述的第六FinFET管的源极为所述的读写分离存储单元的写位线反向控制端；所述的第七FinFET管的漏极为所述的读写分离存储单元的读位线；所述的第七FinFET管的背栅为所述的读写分离存储单元的读字线。
2.根据权利要求1所述的一种基于FinFET器件的读写分离存储单元，其特征在于所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管和所述的第六FinFET管均为低阈值FinFET管，所述的第七FinFET管为高阈值FinFET管。
3.根据权利要求1所述的一种基于FinFET器件的读写分离存储单元，其特征在于所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管和所述的第六FinFET管均的阈值电压均为0.1v，所述的第七FinFET管的阈值电压为0.6v。