技术特征：
技术总结
本发明公开了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括用于执行积项和操作的一立体存储单元阵列，立体存储单元阵列中的多个存储单元设置在多条垂直线与多条水平线的交叉点上，这些存储单元具有多个可写入电导。一栅极驱动器，耦接至多条栅极线，用来施加控制栅极电压，以结合存储单元的可写入电导来对应积项和操作中的多个乘积项的权重Wxyz。一输入驱动器，用来施加多个电压至立体存储单元阵列中的存储单元，以对应多个输入变量Xy。一感测电路感测来自立体存储单元阵列中的存储单元的电流总和，以对应积项和。
技术研发人员：吕函庭
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2018.10.08
技术公布日：2019.05.17