1.一种擦失效存储单元的替换方法，其特征在于包括以下步骤：
接收外部测试机发送的擦操作指令；
执行预编程操作，进行预编程校验，若当前block的预编程校验失败次数不超过预编程阈值，则再次执行预编程操作，否则，执行替换操作，对成功执行替换操作的当前block再次执行预编程操作；
进行擦除校验，若当前block的擦除校验失败次数不超过擦除最小阈值，则执行擦除操作和进行过擦除校验，否则，获取擦除校验失败的存储单元的数量；
若擦除校验失败的存储单元的数量不超过设定值，则执行替换操作，成功执行替换操作后进行过擦除校验，若擦除校验失败的存储单元的数量超过设定值，则判断当前block的擦除校验失败次数是否超过擦除最大阈值；
若当前block的擦除校验失败次数超过擦除最大阈值，则将当前block的无法替换标志位设置为有效，否则，执行擦除操作和进行过擦除校验；
进行软编程校验，若当前block的软编程校验失败次数不超过软编程阈值，则执行软编程操作并重新进行软编程校验，若当前block的软编程校验失败次数超过软编程阈值，则对当前block执行替换操作；
向外部测试机输出测试结果。
2.根据权利要求1所述的一种擦失效存储单元的替换方法，其特征在于：替换操作包括以下步骤：
获取校验失败的存储单元的数量和位置；
判断校验失败的存储单元是否能够被替换；
若能被替换，则保存替换信息，否则将存储芯片的无法替换标志位设置为有效。
3.根据权利要求2所述的一种擦失效存储单元的替换方法，其特征在于：判断校验失败的存储单元是否能够被替换包括以下步骤：
获取存储芯片内可用于替换的存储单元的数量；
若可用于替换的存储单元的数量是否小于校验失败的存储单元的数量，返回错误信息并结束对应的存储芯片的测试。
4.根据权利要求1所述的一种擦失效存储单元的替换方法，其特征在于：过擦除校验包括以下步骤：
判断当前block是否通过过擦除校验，若通过，进行擦除校验，否则获取过擦除校验失败的次数；
若过擦除校验失败次数超过过擦除阈值，则执行替换操作，否则，执行过擦除修复操作，然后重新进行过擦除校验。
5.一种擦失效存储单元的替换装置，其特征在于：包括
接收单元，用于接收外部测试机发送的擦操作指令；
预编程校验单元，用于执行预编程操作，进行预编程校验，若当前block的预编程校验失败次数不超过预编程阈值，则再次执行预编程操作，否则，执行替换操作，对成功执行替换操作的当前block再次执行预编程操作；
擦除校验单元，用于进行擦除校验，若当前block的擦除校验失败次数不超过擦除最小阈值，则执行擦除操作和进行过擦除校验，否则，获取擦除校验失败的存储单元的数量；
第一擦除校验判断单元，用于若擦除校验失败的存储单元的数量不超过设定值，则执行替换操作，成功执行替换操作后进行过擦除校验，若擦除校验失败的存储单元的数量超过设定值，则判断当前block的擦除校验失败次数是否超过擦除最大阈值；
第二擦除校验判断单元，用于若当前block的擦除校验失败次数超过擦除最大阈值，则将当前block的无法替换标志位设置为有效，否则，执行擦除操作和进行过擦除校验；
软编程校验单元，用于进行软编程校验，若当前block的软编程校验失败次数不超过软编程阈值，则执行软编程操作并重新进行软编程校验，若当前block的软编程校验失败次数超过软编程阈值，则对当前block执行替换操作；
输出单元，用于向外部测试机输出测试结果。
6.一种擦失效存储单元的替换设备，其特征在于：包括至少一个控制处理器和用于与所述至少一个控制处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有可被所述至少一个控制处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个控制处理器执行，以使所述至少一个控制处理器能够执行如权利要求1-4任一项所述的擦失效存储单元的替换方法。
7.一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1-4任一项所述的擦失效存储单元的替换方法。