技术总结
本发明公开了一种磁性随机存取存储器及基于STT MARM的可重构PUF方法，磁性随机存取存储器包括多行存储单元，每一行包括多个存储单元，每一行的所有存储单元的源选择线相互连接后接地；每一行所有存储单元的字选择线相互连接并接入WL编码器；相邻两行存储单元之间通过交叉结构连接；最后一行存储单元通过最后一个交叉结构接解码器。本发明在传统STT‑MRAM中插入DEMUX，构成可重构PUF结构，利用设计的位线上的并联电流产生响应位，根据所提出的邻近位线可重构算法和N选1可重构算法，增大对比并联电流的差异，从而获得稳定的响应输出。在保证可靠性的情况下，将资源开销限制在可接受范围内。
技术研发人员：胡玉鹏;伍麟珺;张吉良;黄芸;黄靖
受保护的技术使用者：湖南大学
技术研发日：2019.09.30
技术公布日：2020.01.17