技术特征：
技术总结
在非易失性存储器器件中编程，包括：在第一编程循环期间向非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；在所述第一编程循后的第二编程循环期间向所述非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；以及根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的阈值电压与所述非易失性存储器单元的目标数据状态的低验证电平和/或高验证电平进行比较的结果，以及将所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的结果，提供所述非易失性存储器单元的位线偏置电压。
技术研发人员：李海波;张超
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.06.06
技术公布日：2019.11.08