技术总结
本发明公开了一种读写分离的14T抗辐照SRAM存储单元电路结构，包括十个NMOS晶体管和四个PMOS晶体管，依次记为N1～N10，和P1～P4，PMOS晶体管P1和P2作为上拉管，外围存储节点由S1和S0控制，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合；NMOS晶体管N3与N4作为下拉管，外围节点由NMOS晶体管N5和N6交叉耦合；NMOS晶体管N1与N2作为上拉管，外围存储节点S0和S1通过控制NMOS晶体管N3与N4对内部节点Q与QB进行加固，外围节点全部由NMOS晶体管包围，这种结构称为极性加固结构。该电路结构能有效优化单元稳定性，改善单元的读写能力，并提高存储单元的抗单粒子和多粒子翻转的能力。粒子翻转的能力。粒子翻转的能力。
技术研发人员：彭春雨 朱亚男 卢文娟 赵强 吴秀龙 蔺智挺 陈军宁
受保护的技术使用者：安徽大学
技术研发日：2020.10.30
技术公布日：2021/1/24