存储轨道中两个磁畴的数据。
[0121]需要说明的是，所述确定模块20通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了至少2bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度过大导致所述磁畴移动了至少2bit位置，从而会导致所述磁性存储设备发生读写错误。若确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述发送模块10发送的驱动脉冲的驱动强度未驱动所述磁畴移动了至少2bit位置。其中，所述确定模块确定读取装置获得所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据的表现形式之一是获得的数据在预定时间内发生变化(即所述磁畴的阻态在预设时间发生改变)。
[0122]所述发送模块还用于在确定所述读取装置未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+ι个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值。
[0123]其中，在本实施方式中，所述第二预设强度值为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第j个驱动脉冲的驱动强度为H,，则所述第j+Ι个驱动脉冲的驱动强度为Hj+1 = _2。其中，D2为第二预设强度值。所述D2 = H/10。当然，在D2 = H/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第二预设强度值也可以为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。所述第二预设强度值也可以与第一预设强度值相等。
[0124]所述确定模块20还用于在确定所述读取装置在所述第j+Ι个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中所述两个磁畴的数据时，确定第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
[0125]其中，若所述确定模块20确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度还未达到可以驱动所述磁畴移动Ibit位置的极限，需要增加再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述确定模块20确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了 2bit位置为止。
[0126]需要说明的是，当所述确定模块20确定第j+Ι个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了 2bit位置，而第j个驱动脉冲的驱动强度未使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则第j个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动Ibit位置的最大驱动强度。
[0127]因此，所述发送模块21只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动Ibit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
[0128]请参阅图六，本发明实施例第四方案的实施方式提供一种控制器200。所述控制器200应用于磁性存储设备中，以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲。其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述控制器包括发送模块210及确定模块220。
[0129]所述发送模块210用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲，其中，所述k是不为O的自然数。
[0130]所述确定模块用于确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
[0131]需要说明的是，在本实施方式中，k可以为自然数1，且使所述发送模块210第一次发送的驱动脉冲的驱动强度足够大，以驱动所述磁畴移动至少2bit位置，从而使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中至少两个磁畴的数据。所述驱动脉冲可以为电流脉冲或电场脉冲。
[0132]所述发送模块210还用于在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+Ι个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值。
[0133]其中，在本实施方式中，所述第一预设强度值为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第k个驱动脉冲的驱动强度为Hk，则所述第k+Ι个驱动脉冲的驱动强度为Hk+1 = Hk-Nl0其中，NI为第一预设强度值。所述NI = Hk/10。当然，在NI = Hk/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高时，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第一预设强度值也可以为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的百分之
O
[0134]所述确定模块220还用于在确定所述读取装置在第k+Ι个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，确定第k+Ι个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
[0135]需要说明的是，所述确定模块220通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了至少2bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度过大导致所述磁畴移动了至少2bit位置，从而会导致所述磁性存储设备发生读写错误。则所述发送模块210需要减小再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述确定模块220确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴仅移动了Ibit位置为止。其中，所述确定模块220确定读取装置获得所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据的表现形式之一是获得的数据在预定时间内发生变化(即所述磁畴的阻态在预设时间发生改变)。当获取的数据在预定时间内未发生变化，则表明所述读取装置获得了所述磁性存储轨道的一个磁畴的数据。
[0136]需要说明的是，当所述确定模块确定第k个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了 2bit位置，而第k+1个驱动脉冲的驱动强度未使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则可以确定第k+Ι个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动Ibit位置的最大驱动强度。
[0137]因此，所述发送模块210只要发送驱动强度等于或略小于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动Ibit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
[0138]在本实施方式中，所述发送模块210向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲，其中，所述k是不为O的自然数。所述确定模块220确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；所述发送模块210在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+Ι个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值。所述确定模块220确定所述读取装置在第k+Ι个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；确定第k+Ι个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。因此，本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最大驱动强度的目的。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最大驱动强度，因此可以使所述控制器发送驱动强度等于或略小于所述最大驱动强度的驱动脉冲便可精确地驱动磁畴移动ibit位置，确保了磁性存储设备不发生读写错误。
[0139]进一步地，所述发送模块210还用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m个驱动脉冲，其中，所述m为大于k+Ι的自然数。
[0140]所述确定模块220还用于确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
[0141]需要说明的是，所述确定模块220通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了 Ibit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则表明所述发送模块210发送的驱动脉冲的驱动强度未达到驱动所述磁畴移动了 Ibit位置的极限。所述发送模块210需要减小再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述确定模块220确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴未被移动为止。
[0142]所述发送模块210还用于在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m+1个驱动脉冲，其中，第m+1个驱动脉冲的驱动强度比第m个驱动脉冲的驱动强度减小第二预设强度值。
[0143]其中，在本实施方式中，所述第二预设强度值为所述第m个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第m个驱动脉冲的驱动强度为Hni,则所述第m+1个驱动脉冲的驱动强度为Η?+1 = Ηη-Ν20其中，Ν2为第二预设强度值。所述Ν2 = H?/10。当然，在N2 = Hn/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第二预设强度值也可以为所述第m个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。所述第二预设强度值也可以与第一预设强度值相等。
[0144]所述确定模块220还用于在确定所述读取装置在第m+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道一个磁畴的数据时，确定所述第m个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
[0145]其中，若所述确定模块220确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则表明所述发送模块210发送的驱动脉冲的驱动强度已太小，已无法驱动所述磁畴移动Ibit位置。
[0146]需要说明的是，当所述确定模块220确定第m+1个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴未被移动，而第m个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则第m个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动Ibit位置的最小驱动强度。
[0147]因此，所述发送模块210只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动Ibit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
[0148]请参阅图7，本发明实施例第五方案实施方式提供一种磁性存储设备400。所述磁性存储设备400包括由磁畴组成的磁性存储轨道410、读取装置420及上述第三或第四方案提供的控制器。所述控制器连接至所述磁性存储轨道410及所述读取装置420，以向所述磁性存储轨道410和所述读取装置420发送驱动脉冲。由于所述控制器已在上述第三或第四方案中进行了详细的描述，故在此不再赘述。
[0149]在本发