述第一组错误更正组态参数包括所述第一低密度奇偶校验特征矩阵中的每一行子矩阵的非零子矩阵的数量，并且所述第二组错误更正组态参数包括所述第二低密度奇偶校验特征矩阵中的每一行子矩阵的非零子矩阵的数量。11.一种记忆装置，其特征在于包括: 至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块； 以及 一控制器，用来控制所述至少一非挥发性存储器组件，所述控制器包括一处理单元，以依据内嵌于所述处理单元或接收自所述处理单元之外的一程序代码来管理所述记忆装置，其中所述控制器从所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件的一系统区块读取一第二组错误更正组态参数的编码数据，并利用所述控制器中的一低密度奇偶校验引擎译码所述编码数据以取得所述第二组错误更正组态参数，其中所述低密度奇偶校验引擎储存一第一组错误更正组态参数，以及于译码所述编码数据时，所述低密度奇偶校验引擎基于所述第一组错误更正组态参数进行对应于一第一低密度奇偶校验特征矩阵的译码，其中所述控制器将通过译码所述编码数据而取得的所述第二组错误更正组态参数储存于所述低密度奇偶校验引擎中的一随机存取存储器，并控制所述低密度奇偶校验引擎基于所述随机存取存储器中的所述第二组错误更正组态参数进行对应于一第二低密度奇偶校验特征矩阵的运作，使得所述低密度奇偶校验引擎具备对应于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的编码与译码能力，以供所述控制器于所述至少一非挥发性存储器组件存取数据之用； 其中所述第一低密度奇偶校验特征矩阵包括多个子矩阵，而所述第一低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的每一子矩阵是选自一预定集合的一方块矩阵； 所述第二低密度奇偶校验特征矩阵包括多个子矩阵，而所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的每一子矩阵是选自所述预定集合的一方块矩阵； 所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的任一子矩阵的大小等于所述第一低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的任一子矩阵的大小；以及 所述预定集合包括一零矩阵、一单位矩阵、以及所述单位矩阵的至少一循环位移矩阵，其中所述至少一循环位移矩阵中的任一循环位移矩阵是取自循环地位移所述单位矩阵中的全部的行向量或循环地位移所述单位矩阵中的全部的列向量。12.如权利要求11所述的记忆装置，其特征在于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着行方向的子矩阵的数量小于所述第一低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着行方向的子矩阵的数量；以及于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着列方向的子矩阵的数量小于所述第一低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着列方向的子矩阵的数量。13.如权利要求11所述的记忆装置，其特征在于所述编码数据是通过对所述第二组错误更正组态参数进行基于所述第一组错误更正组态参数的编码而预先产生；以及所述编码数据是预先写入所述系统区块。14.如权利要求11所述的记忆装置，其特征在于当所述记忆装置开机时，所述控制器从所述系统区块读取所述编码数据并利用所述低密度奇偶校验引擎译码所述编码数据以取得所述第二组错误更正组态参数，以容许所述低密度奇偶校验引擎基于所述随机存取存储器中的所述第二组错误更正组态参数进行对应于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的运作。15.如权利要求14所述的记忆装置，其特征在于当所述记忆装置关机时，所述随机存取存储器中的所述第二组错误更正组态参数消失，造成所述低密度奇偶校验引擎暂时地丧失对应于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的编码与译码能力，直到所述记忆装置再度开机。16.一种记忆装置的控制器，所述记忆装置包括至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块，所述控制器的特征在于包括: 一低密度奇偶校验引擎，用来为所述控制器进行错误更正，其中所述低密度奇偶校验引擎包括硬件电路；以及 一处理单元，耦接至所述低密度奇偶校验引擎，用来依据内嵌于所述处理单元或接收自所述处理单元之外的一程序代码来管理所述记忆装置，其中所述控制器从所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件的一系统区块读取一第二组错误更正组态参数的编码数据，并利用所述低密度奇偶校验引擎译码所述编码数据以取得所述第二组错误更正组态参数，其中所述低密度奇偶校验引擎储存一第一组错误更正组态参数，以及于译码所述编码数据时，所述低密度奇偶校验引擎基于所述第一组错误更正组态参数进行对应于一第一低密度奇偶校验特征矩阵的译码，其中所述控制器将通过译码所述编码数据而取得的所述第二组错误更正组态参数储存于所述低密度奇偶校验引擎中的一随机存取存储器，并控制所述低密度奇偶校验引擎基于所述随机存取存储器中的所述第二组错误更正组态参数进行对应于一第二低密度奇偶校验特征矩阵的运作，使得所述低密度奇偶校验引擎具备对应于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的编码与译码能力，以供所述控制器于所述至少一非挥发性存储器组件存取数据之用； 其中所述第一低密度奇偶校验特征矩阵包括多个子矩阵，而所述第一低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的每一子矩阵是选自一预定集合的一方块矩阵； 所述第二低密度奇偶校验特征矩阵包括多个子矩阵，而所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的每一子矩阵是选自所述预定集合的一方块矩阵； 所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的任一子矩阵的大小等于所述第一低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的任一子矩阵的大小；以及 所述预定集合包括一零矩阵、一单位矩阵、以及所述单位矩阵的至少一循环位移矩阵，其中所述至少一循环位移矩阵中的任一循环位移矩阵是取自循环地位移所述单位矩阵中的全部的行向量或循环地位移所述单位矩阵中的全部的列向量。17.如权利要求16所述的控制器，其特征在于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着行方向的子矩阵的数量小于所述第一低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着行方向的子矩阵的数量；以及于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着列方向的子矩阵的数量小于所述第一低密度奇偶校验特征矩阵当中沿着列方向的子矩阵的数量。18.如权利要求16所述的控制器，其特征在于所述编码数据是通过对所述第二组错误更正组态参数进行基于所述第一组错误更正组态参数的编码而预先产生；以及所述编码数据是预先写入所述系统区块。19.如权利要求16所述的控制器，其特征在于当所述记忆装置开机时，所述控制器从所述系统区块读取所述编码数据并利用所述低密度奇偶校验引擎译码所述编码数据以取得所述第二组错误更正组态参数，以容许所述低密度奇偶校验引擎基于所述随机存取存储器中的所述第二组错误更正组态参数进行对应于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的运作。20.一种用来控制一记忆装置的方法，所述记忆装置包括至少一非挥发性存储器组件，每一非挥发性存储器组件包括多个区块，所述方法是应用于一初始化装置以通过利用所述记忆装置中的一控制器来对所述记忆装置进行初始化，所述控制器是用来控制所述至少一非挥发性存储器组件，所述方法的特征在于包括下列步骤: 将一第二组错误更正组态参数的编码数据写入所述至少一非挥发性存储器组件中的一特定非挥发性存储器组件的一系统区块，其中所述编码数据是通过对所述第二组错误更正组态参数进行基于一第一组错误更正组态参数的编码而预先产生； 利用所述控制器从所述特定非挥发性存储器组件的所述系统区块读取所述第二组错误更正组态参数的所述编码数据，并利用所述控制器中的一低密度奇偶校验引擎译码所述编码数据以取得所述第二组错误更正组态参数，其中所述低密度奇偶校验引擎储存所述第一组错误更正组态参数，以及于译码所述编码数据时，所述低密度奇偶校验引擎基于所述第一组错误更正组态参数进行对应于一第一低密度奇偶校验特征矩阵的译码；以及 利用所述控制器将通过译码所述编码数据而取得的所述第二组错误更正组态参数储存于所述低密度奇偶校验引擎中的一随机存取存储器，并控制所述低密度奇偶校验引擎基于所述随机存取存储器中的所述第二组错误更正组态参数进行对应于一第二低密度奇偶校验特征矩阵的运作，使得所述低密度奇偶校验引擎具备对应于所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的编码与译码能力，以供所述控制器在初始化期间于所述至少一非挥发性存储器组件存取数据之用； 其中所述第一低密度奇偶校验特征矩阵包括多个子矩阵，而所述第一低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的每一子矩阵是选自一预定集合的一方块矩阵； 所述第二低密度奇偶校验特征矩阵包括多个子矩阵，而所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的每一子矩阵是选自所述预定集合的一方块矩阵； 所述第二低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的任一子矩阵的大小等于所述第一低密度奇偶校验特征矩阵的所述多个子矩阵中的任一子矩阵的大小；以及 所述预定集合包括一零矩阵、一单位矩阵、以及所述单位矩阵的至少一循环位移矩阵，其中所述至少一循环位移矩阵中的任一循环位移矩阵是取自循环地位移所述单位矩阵中的全部的行向量或循环地位移所述单位矩阵中的全部的列向量。
【专利摘要】本发明公开了一种用来控制一记忆装置的方法及其相关的记忆装置与控制器，包括：从一系统区块读取一第二组错误更正组态参数的编码数据，并利用一低密度奇偶校验引擎译码所述编码数据以取得所述第二组错误更正组态参数，而所述低密度奇偶校验引擎储存一第一组错误更正组态参数，且于译码所述编码数据时，所述低密度奇偶校验引擎基于所述第一组错误更正组态参数进行对应于一第一低密度奇偶校验特征矩阵的译码；以及控制所述低密度奇偶校验引擎基于所述第二组错误更正组态参数进行对应于一第二低密度奇偶校验特征矩阵的运作。本发明的方法、记忆装置、与控制器可于不同的产品共享相同的控制器芯片，故可省下设计多个版本的控制器芯片所需的成本。
【IPC分类】G11C29/42
【公开号】CN105280238
【申请号】CN201410580094
【发明人】刘振宇
【申请人】慧荣科技股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年10月23日
【公告号】US20150363265