晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种整合电路的晶体管，晶体管包括多个适合作为一高电压通道晶体管(high voltage pass transistor)，其可应用于一些高密度记忆体的解译结构(decoding structure)。
【背景技术】
[0002]在一高密度记忆体中，多个记忆胞的多个阵列常分割成多个记忆胞区块。各记忆胞区块可包括区域字线，所需的对应区域字线驱动器。在此些结构中，一整体字线驱动器可驱动阵列中一行区块的一组区域字线。该组区域字线的各字线是根据作用于所选择的区块的操作而配置，此处的操作例如是对高密度快闪装置的读取、编程及抹除。对应一些记忆体装置的类型而言，一些操作可要求高电压且一些可要求负电压。如此，字线驱动器被要求符合不同高电压及负电压操作参数。
[0003]在这些环境下的字线驱动器可包括通道晶体管(pass transistor)，其用以传输电压从整体字线到区域字线。此些通道晶体管会遭遇到高电场，其中高电场足以导致非预期电荷被捕捉于源极/漏极端之上的绝缘材料。被捕捉于此些位置的电荷可产生电场，此电场将使得晶体管通道中的电荷载子传输能力下降，致使晶体管的电压传输能力不足。此不足的电压降会妨碍解译器的特定操作，而导致其它问题。
[0004]应用于其它相对高的电压环境的晶体管会遭遇到相似的问题。
[0005]由于非预期电荷被捕捉于高电压晶体管，因此提供一解决此问题的技术与高密度记忆体装置的晶体管是有需要的。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于，提供一种新型结构的晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法，所要解决的技术问题是使其可产生补偿一被捕捉于邻近晶体管的栅极与源极/漏极端的绝缘材料内的一非预期电荷所产生的问题，非常适于实用。
[0007]本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种晶体管装置，其包括:一晶体管，具有一栅极、一通道及一第一源极/漏极端；一跨置导体(fly-over conductor)，设于该第一源极/漏极端上方，且与该第一源极/漏极端隔离，且通过一绝缘材料与该栅极隔离；以及一电路，连接于该跨置导体，以施加一偏压，而倾向产生该晶体管的电荷被捕捉于该绝缘材料的补偿效果。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0008]前述的晶体管装置，包括:一输出导体，连接于该第一源极/漏极端；其中，该跨置导体电性连接于该输出导体。
[0009]前述的晶体管装置，其中当该晶体管开启时，连接于该跨置导体的该电路选择性地施加该偏压。
[0010]前述的晶体管装置，其中该晶体管包括:一第二源极/漏极端；其中，当该晶体管开启时，连接于该第二源极/漏极端的一电路施加一电压，以通过该晶体管耦接于该第一源极/漏极端。
[0011]前述的晶体管装置，包括:多个晶体管的一阵列，该阵列包括该晶体管，其中该跨置导体设于一图案，使该跨置导体跨置该阵列中多个该晶体管的该些第一源极/漏极端。
[0012]前述的晶体管装置，其中该晶体管包括一第二源极/漏极端，且还包括:一记忆体阵列，具有多条整体字线及多条区域字线；以及一电路，当该晶体管开启时，连接于该第二源极/漏极端的该电路施加一电压，以耦接该第一源极/漏极端，该第一源极/漏极端电性连接于该阵列的该些区域字线的一者，且该第二源极/漏极端电性连接于该阵列的该些整体字线的一者。
[0013]前述的晶体管装置，包括一第一图案导体层及一第二图案导体层，该第一图案导体层包括该栅极，该第二图案导体层包括一连接于该第一源极/漏极端的一第一线；其中，该跨置导体是该第二图案导体层的一第二线，该第二图案导体层包括一设于该第一线与该晶体管的该栅极之间的区段。
[0014]前述的晶体管装置，包括位于该第一源极/漏极端上方多个跨置导体，且该跨置导体通过该绝缘材料与该第一源极/漏极端电性隔离，该电路施加偏压于多个该跨置导体。
[0015]前述的晶体管装置，包括:一输出导体，连接于该第一源极/漏极端；其中，该跨置导体被动地电性连接于该跨置导体，且施加一偏压于该跨置导体的该电路是连接于该跨置导体。
[0016]前述的晶体管装置，其中该栅极包括一侧壁结构，且包括一连接于该第一源极/漏极端的输出导体，其中该跨置导体是该输出导体的一侧向延伸，该侧向延伸至少部分重叠于该侧壁结构。
[0017]前述的晶体管装置，其中该第一源极/漏极端包括一轻度掺杂区及一重度掺杂区，且包括一连接于该第一源极/漏极端的输出导体，其中该跨置导体是该输出导体的一侧向延伸，该侧向延伸至少部分重叠于该轻度掺杂区。本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种记忆装置，其包括:一基板；多个记忆胞的一阵列，设于该基板且包括一列/行线(row/column line);一晶体管，具有一栅极、一第一源极/漏极端、一通道及一第二源极/漏极端，该列/行线电性连接于该第一源极/漏极端；一跨置导体，设于该第一源极/漏极端上方，且与该第一源极/漏极端隔离，且通过一绝缘材料与该栅极隔离；一选择线，包括或连接于该栅极；一偏压产生器，施加一偏压于该跨置导体，以抵销一由电荷所感应的电场，其中该电荷被捕捉于该绝缘材料；以及一列/行线选择信号产生器，产生一连接于该选择线的选择信号。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0018]前述的记忆装置，包括包含该晶体管的多个晶体管，该阵列包括多个记忆胞的的多个区块，该列/行线是多个区域字线的一者，其中该些区域字线设于该些区块的一者，且该些区域字线的一些该区域字线电性连接于该些晶体管的对应的一些该晶体管。
[0019]前述的记忆装置，其中该跨置导体电性连接于该列/行线。
[0020]前述的记忆装置，包括:一列/行线电压产生器，连接于该些晶体管的多个该晶体管的多个第二源极/漏极区，且产生该些区域字线中对应的一些的字线电压。
[0021]前述的记忆装置，其中该列/行线电压产生器包括:一整体字线驱动器，耦接于该些区块的一个以上的该些晶体管。
[0022]前述的记忆装置，包括一第一图案导体层及一第二图案导体层，该第一图案导体层包括该栅极，该第二图案导体层包括一连接于该第一源极/漏极端及该列/行线的一第一线；其中该跨置导体是该第二图案导体层的一第二线，该第二图案导体层包括一设于该第一线与该晶体管的该栅极之间的区段。
[0023]前述的记忆装置，包括位于该第一源极/漏极端上方的包含该跨置导体的多个跨置导体，该跨置导体通过该绝缘材料与该第一源极/漏极端电性隔离，该偏压产生器施加偏压于多个该跨置导体。
[0024]前述的记忆装置，其中该列/行线选择信号产生器包括一位准偏移器(levelshifter)，且产生该选择信号处于一足够的电压位准，以比较该列/行线的一电压，进而当该列/行线被选择时开启该晶体管。
[0025]前述的记忆装置，其中该阵列包括一三维阵列。
[0026]前述的记忆装置，包括一连接线，该连接线具有一延伸至该列/行线的主轴，且具有一数字布局特征(digitated layout feature)，该数字布局特征侧向地从该主轴及一中介层触点(inter layer contact)延伸且连接该中介层触点与该第一源极/漏极端。
[0027]前述的记忆装置，其中该跨置导体被动地电性连接于该列/行线，且该偏压产生器连接于该第二源极/漏极端。
[0028]前述的记忆装置，其中该栅极包括一侧壁结构，该跨置导体是该输出导体的一侧向延伸，该侧向延伸至少部分重叠于该侧壁结构。
[0029]前述的记忆装置，其中该第一源极/漏极端包括一轻度掺杂区及一重度掺杂区，其中该跨置导体是该列/行线的一侧向延伸，该侧向延伸至少部分重叠于该轻度掺杂区。本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种晶体管装置的制造方法，其包括以下步骤:形成一晶体管，其中该晶体管具有一栅极、一通道及一源极/漏极端；形成一跨置导体于该源极/漏极端上方，其中该跨置导体通过一绝缘材料与该源极/漏极端电性隔离；以及形成一电路连接该跨置导体，以施加一偏压，而倾向抵销一由电荷所感应出的电场，其中该电荷被捕捉于该绝缘材料。
[0030]本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种晶体管的操作方法，其包括以下步骤:施加一栅极电压，以选择性地控制从一晶体管的一输入侧源极/漏极端至一输出侧源极/漏极端的电压传输；以及感应一电场于该输出侧源极/漏极端上方，以倾向抵销一由电荷所感应的电场，其中该电荷被捕捉于位于该输出侧源极/漏极端上方的该绝缘材料。
[0031]本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法至少具有下列优点及有益效果:
[0032]本发明提出的一种晶体管装置适用于一被捕捉于邻近晶体管的栅极与源极/漏极端的绝缘材料内的一非预期电荷所产生的问题的环境。该晶体管装置包括一位于源极/漏极端上方的跨置导体，其与一邻近栅极的绝缘结构重叠，即跨置导体跨置于非预期电荷区域之上。电路施加一偏压于此跨置导体，其可产生补偿非预期电荷的效果。
[0033]本发明还提出的一种具有上述晶体管装置的记忆装置，包括一列/行线，此跨置导体例如是一区域字线的跨置导体。
[0034]同时，本发明还提出的一