所述闪存存储设备中的备份块转换为用于存储数据的逻辑块的存储模式，其中，所述备份块为闪存存储设备的管理算法中，为了保证数据的稳定性，所预留的部分逻辑块，旨在当出现坏块时，将坏块替换掉的逻辑块，从而延长闪存存储设备的使用寿命;所述稳定模式与所述大容量模式正好相反，为可以将所述闪存存储设备中的用于存储数据的逻辑块转换为备份块的存储模式;所述速度模式为可以将所述闪存存储设备中的多层单元闪存中的部分逻辑块的TLC(Triple Level Cell，三层单元)或MLC(Multi Level Cell，多层单元)等模式转换为SLC(Single Level Cell，单层单元)模式的存储模式;所述超稳定高速模式为将所述闪存存储设备中的多层单元闪存中的所有逻辑块的TLC(Triple Level Cell，三层单元)或MLC(Multi Level Cell，多层单元)等模式转换为SLC(Single Level Cell，单层单元)模式的存储模式。
[0050]步骤S20，根据确定的所述存储模式对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调整。
[0051 ]在确定所述闪存存储设备的存储模式后，对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调整，具体地，通过对导致所述闪存存储设备的存储容量发生改变的数据块进行相应的设置，从而改变所述闪存存储设备的存储容量，具体的设置过程如下:若所述存储模式为大容量模式，则将所述闪存存储设备中的备份块转换为用于存储数据的逻辑块，具体转换为逻辑块的备份块的数量可以预先设定，也可以根据提升的容量计算出需要转换的备份块数量;若所述存储模式为稳定模式，则将所述闪存存储设备中的用于存储数据的逻辑块转换为备份快，具体转换为备份块的逻辑块的数量可以预先设定，也可以根据调整的容量计算出需要转换的逻辑块数量;若所述存储模式为速度模式，则将所述闪存存储设备中的多层单元闪存中的逻辑块的工作模式从非SLC模式(TLC或MLC等模式)转换为SLC模式，具体转换为SLC模式的逻辑块的数量可以预先设定，也可以根据调整的容量计算出需要转换的逻辑块数量;若所述存储模式为超稳定高速模式，则将所述闪存存储设备中的多层单元闪存中的所有逻辑块的工作模式从非SLC模式(TLC或MLC等模式)转换为SLC模式。
[0052]本实施例通过接收存储模式切换指令，并根据所述存储模式切换确定所述闪存存储设备的存储模式，然后根据确定的所述存储模式对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调整，即将闪存存储设备设置为对应的模式，而闪存存储设备在不同的存储模式下的存储容量及读写数据的速度不同，因此，通过将闪存存储设备设置为相应的存储模式，从而解决了现有的闪存存储设备的读写数据的速度及容量固定，导致用户不能自行调整闪存存储设备的容量以及读写速度等性能的问题，提供了更多样化的存储模式选择，设计更加人性化。
[0053]进一步地，基于上述第一实施例提出本发明闪存存储设备的管理方法的第二实施例，在本实施例中，参照图2，在确定的所述存储模式为大容量模式时，所述步骤S20包括:
[0054]步骤S21，确定所述闪存存储设备的备份块所具有的容量；
[0055]步骤S21，根据用户对所述备份块所具有的容量的调整，将调整的容量所对应的备份块设置为逻辑块。
[0056]在本实施例中，所述闪存存储设备通常都会预留部分逻辑块作为备份块，一旦所述闪存存储设备出现坏块，则用所述备份块替换该坏块，从而延长所述闪存存储设备的使用寿命，即所述备份块为所述闪存存储设备预留的逻辑块。在确定所述闪存存储设备的备份块所具有的容量后，用户可以对所述备份块所具有的容量进行调整，将所述备份块设置为逻辑块，即将所述备份块转换为用于存储数据的逻辑块，从而调整所述备份块所具有的容量，进而达到增加所述闪存存储设备的容量的目的。具体地，在对所述备份块所具有的容量进行调整的过程中，可以将所述备份块所具有的容量分为预设个档供用户选择需要调整的容量，即提升的闪存存储设备的容量，例如，假设所述备份块所具有的容量为200M，将所述备份块所具有的容量分为4个档，分别为I档为50M、2档为100M、3档为150M、4档为200M，若用户选择I档作为所述闪存存储设备提升的容量，则根据每个备份块的容量确定需要将备份块设置为逻辑块的数量，然后根据确定的备份块数量，即所述调整的容量所对应的备份块，将所述闪存存储设备的备份块中确定数量的备份块设置为逻辑块，同理，若用户选择2、3或4档作为所述闪存存储设备提升的容量，也是根据每个备份块的容量确定需要将备份块设置为逻辑块的数量，然后根据确定的备份块数量，将所述闪存存储设备的备份块中确定数量的备份块设置为逻辑块。需要说明的是，在对所述备份块的容量进行调整的过程中，对所述备份块所具有的容量具体划分档位个数在本实施例中不做限定。
[0057]本实施例通过在确定所述闪存存储设备的存储模式为大容量模式时，将所述闪存存储设备中的预留的备份块设置为用于存储数据的逻辑块，从而提升了所述闪存存储设备的容量，同时用户可以选择需要提升的存储容量，从而使得所述存储存储设备的容量提升更加灵活。
[0058]进一步地，基于上述第一实施例提出本发明闪存存储设备的管理方法的第三实施例，在本实施例中，参照图3，在确定的所述存储模式为稳定模式时，所述步骤S20包括:
[0059]步骤S23，确定所述闪存存储设备的逻辑块所具有的容量；
[0060]步骤S24，根据用户对所述逻辑块所具有的容量的调整，将调整的容量所对应的逻辑块设置为备份块。
[0061]所述逻辑块为所述闪存存储设备中用于存储数据的块，每个存储块由多个页构成。在确定所述闪存存储设备的逻辑块所具有的容量后，用户可以对所述逻辑块所具有的容量进行调整，将逻辑块设置为备份块，从而延长所述闪存存储设备的使用寿命，当然，相应的降低了所述闪存存储设备的存储容量，具体延长寿命的长短与将所述逻辑块设置为备份块的个数有关，将所述逻辑块设置为所述备份块的个数越多，所述存储存储设备的寿命越长，相应的，所述存储存储设备的存储容量越小。在本实施例中，在对所述逻辑块所具有的容量进行调整的过程中，也可以将所述逻辑块所具有的容量分为预设个档供用户选择需要提高的闪存存储设备的寿命，例如，假设所述逻辑块所具有的容量为4G，将所述逻辑块分为3个档，分别为I档3.5G、2档3.0G、3档2.5G，对应增加的寿命分别为I年、2年、3年，若用户选择I档作为所述闪存存储设备提升的寿命，则根据每个逻辑块的容量确定需要将逻辑块设置为备份块的数量，然后根据确定的逻辑块数量，将所述闪存存储设备的逻辑块中确定数量的逻辑块设置为备份块，相应的，降低的存储容量即为所述转换为备份块的逻辑块所具有的存储容量，同理，若用户选择2或3档作为所述闪存存储设备提升的寿命，则根据每个逻辑块的容量确定需要将逻辑块设置为备份块的数量，然后根据确定的逻辑块数量，将所述闪存存储设备的逻辑块中确定数量的逻辑块设置为备份块，相应的，降低的存储容量即为转换为备份块的逻辑块所具有的存储容量。
[0062]本实施例通过在确定所述存储模式为稳定模式时，通过将所述存储存储设备中的逻辑块设置为备份块，从而提升了闪存存储设备的使用寿命。
[0063]进一步地，基于上述第一实施例提出本发明闪存存储设备的管理方法的第四实施例，在本实施例中，参照图4，在确定的所述存储模式为速度模式时，所述步骤S20包括:
[0064]步骤S25，获取所述闪存存储设备中构架为多层单元的逻辑块的工作模式及其具有的容量，其中，所述工作模式包括SLC模式和非SLC模式；
[0065]步骤S26，根据用户对所述多层单元的逻辑块所具有的容量的调整，将调整的容量所对应的多层单元的逻辑块的工作模式转换为SLC模式。
[0066]所述构架为多层单元的逻辑块为所述逻辑块中的每个存储单元(cell)可以存储多位(bit)信息的逻辑块，包括二层单元的逻辑块、三层单元的逻辑块、四层单元的逻辑块等，即213；11:/0611、313；[1:/0611、413；[1:/0611等的逻辑块。所述多层单元的逻辑块的工作模式包括SLC模式和非SLC模式，所述SLC模式为逻辑块中的每个存储单元(cell)存储一位数据的模式，该模式具有容量小、速度快、使用寿命长、稳定性高的特点，所述非SLC模式包括MLC模式、TLC模式等，MLC模式具有容量适中、速度慢、使用寿命中等及数据较稳定的特点；TLC模式具有容量大、速度慢、使用寿命短以及数据不稳定的特点。在获取到所述存储设备中的多层单元的逻辑块的工作模式后，可以对所述构架为多层单元的逻辑块的工作模式进行调整，将所述多层单元的逻辑块中工作模式为非SLC模式的逻辑块的工作模式转换为SLC模式，即将多层单元的逻辑块中的存储单元存储多位数据的存储模式改为存储一位数据的存储模式，从而提高所述闪存存储设备的寿命、读写数据的速度及稳定性。具体的，若确定的所述存储模式为速度模式，则在将所述多层单元的逻辑块中工作模式为非SLC模式的逻辑块的工作模式转换为SLC模式时，只需将非SLC模式的部分逻