专利名称：等离子体清洗气体和等离子体清洁方法
技术领域：
本发明涉及用于CVD室的等离子体清洗气体，这种气体被用来除去CVD室内壁表面或其它表面上在等离子体CVD(化学气相淀积)设备中进行成膜处理时产生的沉积物，在该设备中用二氧化硅、氮化硅等进行的成膜处理是在半导体等的基材表面进行的，本发明还涉及等离子体清洁CVD室的方法。
更具体的，本发明涉及对于清洁内壁等上的沉积物有高均一性和优秀腐蚀速度的用于CVD室的等离子体清洗气体，并涉及等离子体清洁CVD室的方法。这里使用的术语“清洁的均一性”是指所产生等离子体的稳定性，它用以下的方法评定，同时也在实施例中加以描述。通过CVD已经被SiO2膜沉积的硅基片被用作样品并被置于下边的电极上，然后测量腐蚀速度。将对硅基片内表面中腐蚀速度均一性的评定作为清洁均一性的典型评价。以后同样用这种方法评定该性质。
这里使用的术语“腐蚀速度”是指对清洁速度的评定，如实施例中所述，它是通过测量腐蚀干硅基片上SiO2薄膜的速度评定的。腐蚀速度被作为清洁的典型评价。以后同样用这种方法评定性质。
背景技术：
按照惯例，在用于半导体(如LSI等)制造的等离子体CVD设备中，大量的全氟代化合物，如CF4、C2F6、SF6、NF3等被用作CVD室的清洗气体以除去成膜处理时在CVD室内壁表面或其它表面形成的沉积物。这些化合物是稳定的，在大气中有很长的寿命和较高的红外吸收。考虑到上述全氟代化合物使全球变暖的潜力(GWP100)，以二氧化碳为1，CF4为6500，C2F6为9200，SF6为23900NF3为8000，这些值是相当高的。因此，这些化合物有较高的温室效应并会极大的使全球变暖。
此外，当将CF4、C2F6、SF6、NF3等之类的全氟代化合物用作CVD室清洗气体时，即便产生了等离子体，也会产生包括未分解的全氟代化合物自身在内的废气。此外，当使用各种含有碳和氟的化合物，如全氟化碳、氢化全氟化碳(HFC)等时，废气中会含有作为副产物产生的CF4。因此它们会导致排出使全球变暖气体这样的环境问题。
上述废气中所含的导致温室效应和全球变暖气体的气体很难被常规使用的废气装置(水涤气器)吸收或分解，因此需要利用化学反应(包括高温高能量燃烧在内)进行处理的分解装置。
此外，如果将这些清洗气体用于CVD室清洁，人们已经尝试了用等离子体产生清洗气体以获得有效清洁效果的方法。
通常，在等离子体清洁中，在清洗气体中混有适当量的别的气体，如氧气、氩气等。
根据本发明者的了解，在清洗气体和其它气体的混合气系统中，如果总的气体流量恒定，当增加清洗气体的浓度时，腐蚀速度就可能增加。然而，当清洗气体的浓度超过固定浓度时，就会产生诸如等离子体产生不稳定、腐蚀速度降低或减慢、清洁均一性恶化之类的问题。特别地，以100％的浓度使用清洗气体会在清洁过程中导致更加明显的等离子体的产生不稳定、腐蚀速度降低或减慢以及清洁均一性恶化，以至于这一问题限制了它在实践中的应用。
这这种情况下，在使用前，有必要将清洗气体稀释以使其在腐蚀速度-清洗气体浓度曲线中具有峰浓度或低于峰浓度的浓度。为抑制稀释造成的腐蚀速度的降低，应增加室压或增加清洁时气体的流量以使清洁条件最优化。然而，当提高室压或增加清洁时的气体流量时，等离子体的产生变得不稳定，因此清洁的均一性就会被破坏且不利于有效清洁。
对于上述清洗气体，例如，当使用NF3时，需要一个遥控的等离子体装置，在该装置中等离子不是在CVD设备的加工室中产生的，以保证高分解速度(这是目标之一)，从而可以提高清洁效率、避免未分解的NF3进入废气造成污染。然而，装有遥控等离子体装置的CVD设备会产生设备复杂的问题，因此造价较高。
此外，在通常使用的清洗气体中，当提高室压或增加气体流量时，等离子体中清洗气体的分解速度和等离子体的稳定性(清洁的均一性)会显著降低，因此，废气中所含的清洗气体会导致全球变暖物质的排放量增加。因此，有必要采取措施以减少这些气体。
由此，需要有在LSI等半导体制造的CVD处理后用于室清洁的等离子体清洗气体，这些气体有低的温室效应和低的全球变暖潜力，无论稀释与否都有出色的清洁均一性，并有有效的腐蚀速度，同时需要等离子体清洁的方法。
鉴于上述内容，本发明者认真研究了解决上述问题的方法，并发现，与使用(例如)NF3相比，当使用氟气和基本上不与等离子体中的氟发生反应的气体的混合气体时，可以在较宽条件下稳定产生等离子体而无需使用遥控等离子体设备，此外，它可以提供极好的腐蚀速度而不必降低腐蚀速度。本发明者还发现，例如，如将在本说明书实施例34和37以及对比例30和31中描述的那样，当总的气体流量为1000sccm时，当室压条件从250Pa变为较高的400Pa时，在使用含有占体积20％的NF3的混合气体时，清洁的均一性降低，但使用同样含有占体积20％的氟气的混合气体时，可以保证合适的清洁均一性。
此外，本发明者发现，当等离子体产生占体积100％的氟气并将其用作清洗气体时，可以得到特别突出的腐蚀速度而无需使用遥控等离子体设备，即便总气体流速为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以稳定产生等离子体并保证合适的清洁均一性。
因此，本发明可以实现。
本发明试图解决上述现有技术的问题，本发明的一个目的是提供CVD室的等离子体清洗气体，在总气体流量约为1000sccm同时室压约为400Pa的条件下，在稀释或不稀释时，这种气体在清洁时都有极好的清洁均一性和有效的腐蚀速度。本发明的另一个目的是提供等离子体清洁CVD室的方法。
发明详述如本发明所述的第一种用于CVD室的等离子体清洗气体含有100％体积的能够通过放电产生等离子体的氟气，它被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
如本发明所述的等离子体清洁CVD室的第一种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由100％体积的氟气通过放电产生的等离子体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
这种含硅沉积物优选含有至少一种下列物质(1)硅，(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。
清洁时，等离子体CVD设备的室压优选在50Pa-1000Pa，进入等离子体发生部分的氟气的流量优选为50sccm-1000sccm。
上述氟气产生等离子体的过程优选在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行。
如本发明所述的第二种用于CVD室的等离子体清洗气体含有能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟发生反应的气体，它被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度优选应大于20％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
此外，更加优选的是，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度应大于30％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于70％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
基本上不能与等离子体中的氟反应的气体最好是氮气、氧气、二氧化碳、N2O、干燥空气、氩气、氦气和氖气中的至少一种。
如本发明所述的用于CVD室的等离子体清洁的第二种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用含有能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的用于等离子体CVD室的清洗气体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度优选应大于20％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
室压优选在50Pa-1000Pa，清洁时氟气的流量优选从50sccm-1000sccm。
氟气产生等离子体的过程最好是在已经引入氟气的等离子体CVD室的加工室中通过放电进行。
附图简述
图1显示了与实施例1-17和对比例1-13有关的气体浓度和腐蚀速度之间的关系。
本发明优选的实施方案下面将详细描述本发明。
(如第一个发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体和等离子体清洁方法)如第一个发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。清洗气体由100％体积的氟气组成，它通过放电由氟气产生等离子体来去除如上所述的含硅沉积物。
如本发明所述的第一种等离子体清洁CVD室的方法是，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由100％体积的氟气通过放电产生的等离子体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
本说明书中使用的术语“用于CVD室的等离子体清洁”是指，在半导体(如LSI等)制造过程中进行CVD处理后，除去室内壁表面和部件(如夹具、导管)或其它置于半导体生产设备中的部件如CVD设备等表面的沉积物。
此外，本说明书中使用的术语“等离子体产生”是指通过引入氟气或氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的混合气体并在等离子体产生部分(CVD室或遥控等离子体装置)中放电以产生等离子体。
用这种100％体积的氟气清洁CVD室的目标化合物可包括上述CVD室内壁和CVD法中CVD设备的夹具等表面的含硅沉积物。含硅沉积物包括，例如，至少下列物质中的一种(1)硅，(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。其特定的例子有Si、SiO2、Si3N4以及含有金属硅化物的高熔点化合物如WSi。
在如本发明所述的用于CVD室的等离子体清洁方法中，由氟气通过放电产生等离子体可以在遥控室中进行，或在已经引入氟气的等离子体CVD室的加工室中进行而不用遥控室。
在这些方法中，希望在等离子体CVD室的加工室中由氟气产生等离子体。
当在加工室中由氟气产生等离子体时，对CVD室中沉积物的清洁处理用短的时间就可有效进行，且可以稳定产生等离子体。此外，设备可以变得紧凑，因此，与遥控室中的等离子体发生相比它更有实际意义。
本发明的第一种清洗气体含有100％体积的氟气，它被用于CVD室的等离子体清洁。通常，当将C2F6或NF3作为清洗气体时，则不使用100％体积的气体，在使用时有必要将气体与氧气、氩气、氮气等稀释气体混合。根据条件，如果用C2F6或NF3时，当清洗气体中C2F6或NF3的浓度大于约20-40％体积，在总气体流量恒定时，基于清洗气体浓度的腐蚀速度的升高会减慢，且最终腐蚀速度会降低。如上所述，如果总的气体流速为1000sccm且室压约为400Pa，则这些气体不会稳定产生等离子体。当气体浓度或室压升高时，清洁的均一性会更加糟糕。
然而，在如第一个或第二个发明所述的等离子体清洗气体和用于CVD室的等离子体清洗方法中，使用了氟气，且清洗气体有特殊的特性，即当总的气体流量恒定时腐蚀速度几乎随氟气浓度的增加线性升高。即便清洗气体由100％体积的氟气组成，仍可以得到极其优秀的腐蚀速度，且清洗的均一性亦非常优秀。
当使用100％体积的氟气时，不仅当室压为150Pa(流速为150sccm)时，而且在室压为250Pa(流速为300sccm)时等离子体都可以稳定地产生。在本发明者进行研究之前，有上述特殊性质的清洗气体还未被发现。
当用如第一个发明所述的等离子体清洗气体进行清洁时，较好的室压在50Pa-1000Pa之间，更好的是在150Pa-1000Pa之间。较好的氟气流量为0sccm-1000sccm，更好的是150-1000sccm。
当室压和氟气流量在上述范围时，可以得到出色的腐蚀速度，并可以保持优秀的等离子体产生的稳定性和清洁的均一性。
室压是CVD设备中加工室的内压，它通常是通过设定值来调节的。
(如第二发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体和等离子体清洁方法)如第二个发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。等离子体清洗气体含有能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体。
如本发明所述的第二种等离子体清洁CVD室的方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体组成的用于等离子体CVD室的等离子体清洗气体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
在本说明书中，基本上不能与氟反应的气体中的“氟”包括氟分子、氟原子、氟根、氟离子等。
能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度较好的是大于20％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不小于80％体积，能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的浓度的总和为100％体积。
此外，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度较好的是大于30％体积至小于100％体积，更好的是不小于40％体积至小于100％体积，尤其是不小于70％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于70％体积，更好的是大于0％体积至小于60％体积，尤其是大于0％体积至小于30％体积。
当氟气浓度在上述范围时，即便总的气体流量约为1000sccm且室压约为400Pa，仍可以得到出色的腐蚀速度。此外，当氟气存在时可以稳定地产生等离子体。
如上所述，腐蚀速度有特定的性能，即腐蚀速度和氟气浓度几乎呈线性增加，因此由氟气浓度可以容易的预测腐蚀速度，这在实际使用中是有效的。
在输送等过程中，氟气浓度被限制在不超过50％体积时，用于等离子体处理的氟气浓度较好的是大于20％体积，更好的是大于30％体积。特别地，它最好不要超过50％体积，这样，清洗气体有可维持的实用的腐蚀速度，同时，作为清洗气体，有突出的输送特性和储存稳定性以及便于操作。此外，如上所述，尽管这一浓度范围是相对较低的浓度范围，但在这一浓度范围内，即便将室压升高以增加腐蚀速度，清洁的均一性仍不会被破坏。
此外，即便用于等离子体处理的氟气的浓度在5-20％体积的低范围内，当提高室压以增加腐蚀速度时清洁的均一性仍没有被破坏。
基本上不能与等离子体中的氟反应的气体最好至少是氮、氧、二氧化碳、N2O、干燥空气、氩、氦和氖中的一种。其中，更好的是至少是氧、二氧化碳和干燥空气中的一种。
引入等离子体的氟气产生氟根。使用基本上不能与氟根、氟分子、氟离子等反应的气体可以抑制副产物的生成并且可以有效地进行清洁。
此外，使用氧、二氧化碳和干燥空气，可以低成本稳定地产生氟根。
当用如第二个发明所述的等离子体清洗气体进行清洁时，室压较好为50Pa-1000Pa，更好是的150Pa-1000Pa。氟气的流量较好为50sccm-1000sccm，更好的是150sccm-1000sccm。
当室压和氟气流量在上述范围时，可以得到出色的腐蚀速度，并可以保持优秀的等离子体产生的稳定性和清洁的均一性。
当对CVD室采用如第二个发明所述的等离子体清洗气体时，通过由氟气放电产生等离子体的过程可以在遥控室中进行，或者无需使用遥控室，将氟气导入等离子体CVD设备并在CVD设备的加工室中用氟气产生等离子体。
在这些方法中，希望在CVD设备的加工室中用氟气产生等离子体。
当在加工室中用氟气产生等离子体时，对CVD室中沉积物的清洁处理用短的时间就可有效进行，且可以类似于第一个发明稳定地产生等离子体。此外，与遥控室中的等离子体发生相比设备比较紧凑，因此它更有实际意义。
实施例将参考以下非限制性的实施例更详细地描述本发明。
在这些实施例中，作为清洗气体的一个特征，对应除去的沉积物的清洗速度是明确的用硅基片上SiO2薄膜的腐蚀速度评价的。
下面列出了测量氟气和稀释的氟气腐蚀速度的方法。用等离子体CVD设备制得的厚度约为11000其上沉积有SiO2膜的硅基片被用作样品，并使用了平行板等离子体增强的CVD设备。在如实施例所描述的条件下，作为样品的硅基片被置于平行板电极的下边的电极上并进行腐蚀。用分光光度反射计膜厚度仪精确测量腐蚀前后样品上九个定点的膜厚度并测量膜厚度的减少，从而确定腐蚀速度。
通过以下公式，利用九个定点腐蚀速度的最大值和最小值确定清洁的均一性。×100(％)实施例1-17和对比例1-16以F2、C2F6和NF3作为清洗气体并以表中所示气体作为稀释气，在以下条件下测量了腐蚀速度与气体种类和气体浓度的依赖性。结果显示在表1-7中。此外，结果还显示在图1中。
总的气体流量300sccm室压250Pa电极温度300℃射频电功率 750W电极间距50mm放电时间30秒表1
表2
表3
表4
表5
表6
表7
由结果显见，氟气为任何浓度直至100％对腐蚀的均一性几乎没有影响，与加入的气体种类无关。
相反，对于C2F6，在高C2F6浓度下，清洁的均一性没有受到损害，但腐蚀速度大幅度降低。
对于NF3，如果加入的气体是氩气，当NF3的浓度不小于50％时，清洁的均一性大幅度受损，而当NF3浓度为60％时，观察到了腐蚀速度的降低。如果加入的气体是氮气，当NF3的浓度为40％时，清洁的均一性大幅度受损。这说明，等离子体的产生是不均匀的，因此不能稳定产生等离子体。
实施例18-37以F2作为清洗气体并以Ar作为稀释气，用5-20％体积的低F2浓度，在如表8-11显示的条件下测量了腐蚀速度与气体流量和室压的依赖性。结果显示在表8-11中。
电极温度300℃射频电功率 750W电极间距50mm放电时间30秒表8
表9
表10
表11
由结果显见，当使用F2含量为5-20％的清洗气体时，即便在实验范围内提高流速或升高压力，清洁的均一性仍很优秀。
实施例38-55以F2浓度为100％体积气体作为清洗气体，在如表12-16显示的条件下测量了腐蚀速量与气体流速和室压的依赖性。结果显示在表12-1中。
电极温度 300℃射频电功率750W电极间距 50mm放电时间 30秒表12
表13
表14
表15
表16
由结果显见，当F2含量为100％时，即便在实验范围内提高流量或升高压力，清洁的均一性仍很优秀。
对比例17-29和对比例8-13(再次列举)考虑到腐蚀速度和清洁的均一性，以NF3作为清洗气体并以Ar作为稀释气，在如表17-20所示的条件下测量了NF3与浓度和室压的依赖性。结果显示在表17-20中。
总的气体流量300sccm电极温度300℃射频电功率750W电极间距50mm放电时间30秒表17
表18
表19
表20
由结果显见，当将NF3用作清洗气体时，随着NF3浓度的升高清洁的均一性被严重破坏。此外，随着室压的升高，清洁的均一性也被严重破坏。
实施例34和37(再次列举)以及对比例30和31以F2或NF3作为清洗气体并以Ar作为稀释气，当F2或NF3浓度为20％体积时，在如表21和20所示的条件下测量了腐蚀速度和清洁均一性与室压的依赖性。结果显示在表21和20中。
总的气体流量1000sccm电极温度300℃射频电功率 750W电极间距50mm放电时间30秒表21
表22
由上述结果显见，如果总的气体流量为1000sccm，在使用20％体积的NF3时，当室压由250Pa变为400Pa时清洁的均一性会变坏，但在使用20％体积的氟气时可以保证良好的清洁均一性。
工业应用在本发明中，由于氟气被用作清洗气体，在CVD处理后无需使用CF4、C2F6、SF6、NF3等(它们很可能造成全球变暖)就可高速清洁含硅沉积物，并可以用常规的水涤气器处理废气。因此，进行清洁使可以只排出很少量有温室效应和使全球变暖作用的废气。
此外，即便在总气体流量约为1000sccm和室压约为400Pa时，用氟气和特定量的不能与等离子体中的氟反应的气体的混合气体也可以稳定地产生等离子体。此外腐蚀速度没有降低并可以提供出色的腐蚀速度。另外，例如，即便混合气体含有5-20％体积低浓度的氟气，即便在上述总气体流量和室压条件下仍可以保证清洁的均一性。此外，含有低浓度氟气的混合气体在操作上是比较简单的。
此外，当由100％体积的氟气通过放电产生等离子体并将其用作清洗气体时，即便在高压条件下仍可以得到特别优秀的腐蚀速度，且等离子体可以稳定产生，同时在高压条件下仍可以保证清洁均一性。另外，清洗气体是氟气浓度为100％，则设备不会很复杂且这种清洗气体有优秀的实用性。
权利要求
1.用于CVD室的等离子体清洗气体，它含有100％体积的能够通过放电产生等离子体的氟气，并被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
2.如权利要求1所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，含硅沉积物含有至少一种下列物质(1)硅，(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。
3.用于CVD室的等离子体清洁方法，这种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由100％体积的氟气通过放电产生的等离子体来清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。
4.如权利要求3所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，含硅沉积物含有至少一种下列物质(1)硅，(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。
5.如权利要求3或4所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，清洁时，等离子体CVD设备的室压为50Pa-1000Pa，在阐述等离子体的部分引入氟气的流量为50sccm-1000sccm。
6.如权利要求3-5中任一所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
7.用于CVD室的等离子体清洗气体，它含有能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体，并被在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。
8.如权利要求7所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度为大于20％体积至小于100％体积，且基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度为大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
9.如权利要求7所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度为大于30％体积至小于100％体积，且基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度为大于0％体积至不大于70％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
10.如权利要求7-9任一所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体是至少一种选自氮气、氧气、二氧化碳、N2O、干燥空气、氩气、氦气和氖气的气体。
11.用于CVD室的等离子体清洁方法，这种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由能够通过放电产生等离子体的氟气基本上不能与等离子体中的氟反应的气体组成的用于等离子体CVD室的等离子体清洗气体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。
12.如权利要求11所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度为大于20％体积至小于100％体积，且基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度为大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
13.如权利要求11或12所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，清洁时，等离子体CVD设备的室压为50Pa-1000Pa，氟气的流量为50sccm-1000sccm。
14.如权利要求11-13任一所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
全文摘要
如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100％的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100％的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100％，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。
文档编号H01L21/3065GK1526159SQ0280284
公开日2004年9月1日 申请日期2002年8月26日 优先权日2001年8月30日
发明者关屋章, 三井有规, 规, 大平丰, 辅, 米村泰辅 申请人:财团法人地球环境产业技术研究机构, 独立行政法人产业技术总合研究所