专利名称：电致发光板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电致发光板及其制造方法。
背景技术：
有机电致发光板(以下称为有机EL板)是一种显示板，其特点为由于其能自发光而其可见度比液晶板高，又由于其没有背景光而厚度小重量轻。这是其在不久的将来取代液晶板作为显示板而受到关注的焦点。通常，当从电子注射电极注射到电子传输层的电子与从空穴注射电极注射到空穴传输层的空穴重新结合时，用在有机EL板中的有机电致发光元件(以下称为有机EL元件)就会在发光层与空穴传输层之间的界面处或在靠近该界面的发光层内发出光来。通过用能够发出红、绿和蓝光的有机材料进行蒸汽沉积而形成有机发光层，可以制造出能显示彩色的有机EL元件。近来，设置有若干作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)的活化矩阵型有机EL板作为最有希望的下一代平板显示器正在引起极大的关注，并因此而得到飞速发展。
然而，湿气(或水分)的渗入会损伤有机EL元件的可靠性，因此，在制造有机EL板的过程中，将有机EL元件的外表面覆盖金属壳或进行类似的封装，作为能够阻挡外界湿气进入的密封结构。作为另一种提议的结构，日本专利申请特开平ll-260562揭示，在有机层与有机EL层之间形成一SiOX层作为保护有机EL层避免有机层组份或湿气进入的结构。
但在实际上，由湿气导致的有机EL元件的退化是用金属壳或金属盖作为密封结构的有机EL板的一个常见的现象。本发明的发明人通过分析认定问题的根源是TFT基体中含有的湿气，它渗入到有机EL元件中而损害了有机EL元件的可靠性。
上述申请公开文本中揭示的用于保护有机EL层免遭湿气侵害的SiOX层没能提供极好的隔绝湿气的作用。还有，在有机层上形成SiOX层时，薄膜必须在低温下形成，以保护有机层，这样就不能形成能够阻止湿气渗入有机EL层的完美致密的薄膜。
发明内容
鉴于上述情况，作出了本发明，其一个目的是提供一种EL板及其制造方法，它们能够解决上述问题。
根据本发明的一较佳实施例，为了解决上述问题和实现本发明目的，提供一种制造电致发光板的方法，该方法包括在一基体上形成一第一电极；在该第一电极的周边形成一绝缘层；对该绝缘层进行热处理，使得该绝缘层中的湿气含量有实质性下降；在该绝缘层上形成电致发光层；以及在电致发光层上形成一第二电极。对设置在电致发光层下面的绝缘层进行热处理能够减小绝缘层中的残留湿气含量对电致发光元件的可靠性的影响。较好的是，在进行热处理时，应以这样一种方式对绝缘层进行热处理，即要使绝缘层的湿气含量基本上为154ng/cm3(纳克每立方厘米)或以下。为了进一步提高电致发光元件的可靠性，更好的是，以能够使绝缘层的湿气含量基本上为77ng/cm3或以下的方式对绝缘层进行热处理。在此要指出的是，用pg/cm2(微微克每平方厘米)表示的单位可用于表示一薄片样品的含水量，例如在绝缘层的厚度是1,300nm的情况下，7.7ng/cm3等于1pg/cm2。这样，绝缘层的含水量较好的是小于或等于20pg/cm2，更好的是小于或等于10pg/cm2。
进行热处理可以是将基体在电炉中加热，或用电磁波照射绝缘层对绝缘层进行加热。此外，可用快速热退火对绝缘层进行加热。根据该实施例的制造电致发光板的方法进一步包括在绝缘膜上形成一隔离膜，该隔离膜由含SiNX的一层、含类似金刚石的碳的一层和Si薄膜层中的任何一个构成，而且该方法进一步包括在绝缘层上形成一由疏水材料制成的涂覆层。
根据本发明的另一较佳实施例，制造电致发光板的方法包括在一基体上形成一第一电极；在该第一电极的周边形成一绝缘层；对该绝缘层进行热处理，热处理温度基本上为200℃至270℃，持续时间基本上为1至3小时；在该绝缘层上形成一电致发光层；以及在该电致发光层上形成一第二电极。对绝缘层进行热处理能够减小绝缘层中的残留湿气含量对电致发光元件的可靠性的影响。
根据本发明的又一较佳实施例，制造电致发光板的方法包括在一基体上形成一第一电极；在该第一电极的周边形成一绝缘层；对该绝缘层进行改造(或改质)处理，以降低该绝缘层的吸湿度；在该绝缘层上形成一电致发光层；以及在该电致发光层上形成一第二电极。对绝缘层进行改造处理不仅能够降低绝缘层的吸湿度，而且还能减少残留湿气含量。
进行改造处理可以是对绝缘层进行等离子体处理。进行改造处理可以是对绝缘层进行离子注入处理。进行改造处理可以是对绝缘层进行紫外光照射。此外，根据该实施例的制造电致发光板的方法还包括在绝缘层上形成一隔离膜，该隔离膜由含SiNX的一层、含类似金刚石的碳的一层和Si薄膜层中的任何一个构成，该方法还进一步包括在绝缘层上形成由疏水材料制成的涂覆层。
根据本发明的又一较佳实施例，一种制造电致发光板的方法包括在一基体上形成一第一电极；在该第一电极的周边形成一绝缘层；在绝缘膜上形成一隔离膜，该隔离膜由含SiNX的一层、含类似金刚石的碳的层一和Si薄膜层中的任何一个制成；在隔离膜上形成一电致发光层；以及，在电致发光层上形成一第二电极。通过这样在绝缘层上形成隔离膜，可使电致发光层避免受湿气的侵害。
根据本发明的又一较佳实施例，一种制造电致发光板的方法包括在一基体上形成一第一电极；在该第一电极的周边形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一由疏水材料制成的涂覆层；在该涂覆层上形成一电致发光层；以及，在该电致发光层上形成一第二电极。通过这样在绝缘层上涂覆疏水材料，可阻挡水进入绝缘层，以减少绝缘层的湿气含量，使电致发光层可免受湿气的侵害。
根据本发明的又一较佳实施例，一电致发光板包括一在基体上形成的第一电极；一形成在该第一电极的周边的绝缘层，该绝缘层的湿气含量基本上是154ng/cm3或以下；一形成在该绝缘层上的电致发光层；以及，一形成在电致发光层上的第二电极。通过降低绝缘层中的残留湿气含量，可使残留湿气对电致发光元件的可靠性的影响降至最小。
要指出的是，上述结构元件的任何任意组合，以及在方法、设备、系统等等之间的改变的表达作为本发明之各实施例都是有效的，并包含在本发明之各实施例之内。
此外，本发明的这一概要未必描述了所有必需的特征，因此本发明也可以是这些所述特征的不完全组合。
图1A示出了本发明之第一实施例中形成活化层时的状态。
图1B示出了形成一门电极的状态。
图1C示出了形成一第一平面化绝缘层的状态。
图2A示出了形成一空穴注射电极的状态，该空穴注射电极是显示电极。
图2B示出了在空穴注射电极的周边形成第二平面化绝缘层40的状态。
图2C示出了形成有机EL层和电子注射电极的状态。
图3示出了在根据第一实施例进行热处理时对有机EL元件的发光特性所作的实验的结果。
图4示出了在根据第二实施例进行离子注入过程时对有机EL元件的发光特性所作的实验的结果。
图5示出了形成涂覆层的状态。
图6示出了在根据第三实施例涂覆SiOX或类似金刚石的碳膜时对有机EL元件的发光特性所作的实验的结果。
具体实施例方式
下面将根据不是用于限制本发明的范围而是例证本发明的各较佳实施例来描述本发明。各实施例中所描述的所有特征及其组合对于本发明来讲不是必需的。
第一实施例图1A至1C和2A至2C示出了根据本发明的第一实施例制造有机EL板的过程。图1A是形成活化层14时的状态的示意图。在该过程中，先用一等离子体CVD(化学汽相沉积)方法，在由非碱性玻璃或类似材料制成的玻璃基体10上形成乃是SiO2膜的绝缘保护膜12。再用等离子体CVD或类似方法在保护膜12上形成一a-Si膜，然后用经过诸如激发物激光器的激光束在其表面上扫描而重复产生的光点照射对a-Si膜进行退火处理，从而将a-Si膜熔化并再结晶成p-Si膜。最后将p-Si膜蚀刻成一些岛状体，以形成活化层14。
图1B示出了形成门电极20的状态。在该过程中，先用CVD方法在乃是p-Si膜的活化层14上形成乃是SiO2膜的第一门绝缘膜16和乃是SiN膜的第二门绝缘膜18。然后通过在第二门绝缘膜18上进行溅镀，形成包括诸如铬(Cr)或钼(Mo)的耐熔金属的导体材料的膜，以及用光刻术和干蚀刻技术在活化层14上面的一个位置形成门电极20。
图1C示出了形成一第一平面化绝缘层30的状态。在该过程中，用门电极20作为一掩膜，首先将P型或N型杂质离子通过第二门绝缘膜18和第一门绝缘膜16注入活化层14。在活化层14处，在门电极20的下面形成一通道区域，并在该通道区域的两侧分别形成一源(source)区域和一放泄(drain)区域。然后在门电极20和第二门绝缘膜18上形成一乃是SiN膜的第一中间层绝缘膜22和一乃是SiO2膜的第二中间层绝缘膜24。再后，在对应于源区域和放泄区域的各位置形成通达活化层14的接触空穴，以及用诸如铝(Al)的金属填充这些接触空穴以形成源电极26和放泄电极28。形成源电极和放泄电极的位置可彼此调换。此后，在其上形成用光敏树脂制成的第一平面化绝缘层30。该第一平面化绝缘层30通过包容源电极26、放泄电极28和类似体的朝上凸起部使表面平面化，从而在随后的过程中使显示电极形成平面的。通过这一过程，设置有若干薄膜晶体管的TFT基体32就形成了。
图2A示出了形成一乃是显示电极的空穴注射电极34的状态。在该过程中，首先在第一平面化绝缘层30的一个对应于放泄电极28的位置形成一接触空穴，然后在如此而形成的接触空穴中沉积乃是一种透明电极材料的氧化铟锡(indium tinoxide)(ITO)，以形成乃是一显示电极的空穴注射电极34。
图2B示出了在空穴注射电极34周围形成第二平面化绝缘层40的状态。在该过程中，首先沉积光敏树脂，然后在对应于空穴注射电极34的一个位置形成接触空穴，以及在空穴注射电极34的周围和上面形成第二平面化绝缘层40。设置该第二平面化绝缘层40是为了避免与电子注射电极短路，这种短路可能因空穴注射电极34的厚度产生的高度差而导致的。
在该第一实施例中，在形成第二平面化绝缘层40之后立即进行热处理，以使包含在第二平面化绝缘层40中的湿气为最少。对于典型的平面化绝缘层40，热处理之前其中的湿气含量大于或等于385ng/cm3(纳克每立方厘米)。当该平面化绝缘层40的厚度为1,300nm(纳米)时，其湿气含量可用50pg/cm2(微微克每平方厘米)或以上来表示。本发明的发明人特别注意了湿气含量对有机EL元件的不利作用，并通过实验验证了尽可能多地去除湿气可以提高有机EL元件的可靠性。
使用第二平面化绝缘层40是由耐热透明的光敏丙烯酸树脂制成的一个样品，本发明的发明人已证实了有机EL元件的将持续100,000小时或更长的可靠性可通过将第二平面化绝缘层40在热处理后的湿气含量保持在77ng/cm3或以下来达到。还证实如果有机EL元件在使用了100,000小时之后其容许的亮度下降规定为20％，该绝缘层的湿气含量可以为154ng/cm3或以下。使用100,000小时之后的亮度下降20％对于实际应用是允许的。因此，在热处理过程中，对第二平面化绝缘层40可以以这样一种方式进行热处理，即，使其湿气含量为不超过154ng/cm3或更好是不超过77ng/cm3。图3示出了热处理完成、使第二平面化绝缘层的湿气含量为不超过77ng/cm3时的有机EL元件的发光特性的实验结果。竖轴表示亮度(相对强度)，而横轴表示使用时间(小时)。其热处理是在氮气氛中大气压力下进行的。作为比较，还示出了没有经过热处理的有机EL元件的亮度特性。未经热处理的第二平面化绝缘层40的湿气含量为385ng/cm3或以上。该实验的结果表明，不进行热处理，使用约100小时其发光特性就开始退化，这就证明，未经热处理的有机EL元件将不能保持长期使用。此外明显的是，当热处理在300℃持续30分钟时，在经过约1000小时之后，发光特性开始逐渐恶化。此外，另一个实验揭示，在270℃以上的温度下加热对在第二平面化绝缘层40下面的诸层中的薄膜晶体管(TFT)的特性有不利作用。因此，在300℃进行热处理时，TFT的响应特性的退化被认为是有机EL元件的发光特性恶化的一个原因。
另一方面，通过将在150℃温度下持续10小时的热处理和在220℃温度下持续2小时的热处理这两种情况进行比较注意到有机EL元件在使用100,000小时之后，其发光特性几乎不恶化。但是，150℃温度下的热处理所需的处理时间太长，以致不适合批量生产。从上述实验可清楚地看到，对平面化绝缘层40的热处理，较好的是在200℃至270℃的温度下持续1至3个小时，更好的是在220℃的温度下持续2小时。
图2C示出了形成有机EL层50和电子注射电极48的状态。在该过程中，按次序首先沉积一空穴传输层42，然后沉积一发光层44和一电子传输层46，使得有机EL层50形成在平面化绝缘层40和空穴注射电极34上。例如，4，4’，4″-三(3-甲基苯基苯氨基) 三苯胺(MTDATA)[4，4’，4″-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine]、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)[N，N’-Di(naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl-benzidine]、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，1’-联苯-4，4’-双胺(TPD)[N，N’-diphenyl-N，N’-di(3-methylphenyl)-1，1’-biphenyl-4，4’-diamine]等等可用作空穴传输层。此外，例如，包括喹吖啶酮衍生物(quinacridone derivative)的双(10-羟基苯并[h]喹啉根)铍络合物(Bebq2)[bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium complex]等等可用作发光层44。此外，例如，铝-喹啉络合物(aluminum-quinolene complex)(Alq3)、Bebq2等等可用作电子传输层46。此后，在有机EL层50上形成电子注射电极48的膜。用于有机EL层的材料的例子包括例如其中含有微小剂量的锂的铝合金、镁铟合金和镁银合金。实现上述过程就能形成根据第一实施例的有机EL板。
以上描述了对第二平面化绝缘层40进行热处理以减少其中湿气含量的实施例。例如，可在一电炉、一清洁的烘箱中或一热板上加热TFT基体32和形成在其上的第二平面化绝缘层40以实施热处理。为了去除湿气，可在真空中有效地进行热处理，但也可在氩或类似惰性气体、氢、氧、氮或干燥空气的气氛中进行。
作为另一方法，可对第二平面化绝缘层40进行直接加热。即，用电磁波照射第二平面化绝缘层40，电磁波被其吸收，以对其进行加热。让微波直接被第二平面化绝缘层40中的湿气吸收对于这一用途是较可取的。例如，用2.4GHz的微波以5kW照射10分钟。用电磁波直接照射第二平面化绝缘层40，可做到以极好的能量效率在短时间内完成其热处理。可用的气氛与上述相同。
还可通过快速热退火来降低第二平面化绝缘层40中的湿气。该方法可缩短热处理时间。快速热退火方法包括一个是用诸如闪光灯的光或微波的电磁波快速加热第二平面化绝缘层40的整个表面，一个是使一个用加热器或类似热源加热到高温的部件相对于TFT基体32作扫描运动。既可令高温部件相对于TFT基体32运动，也可令TFT基体32相对于高温部件运动。可用的气氛与上述相同。该热处理可在300至450℃的温度下持续1至10分钟。如上所述，在300℃持续约30分钟的热处理对TFT的特性可能有不利作用，但也证实了用快速热退火进行的时间相当短的热处理能够避免TFT特性的恶化。缩短热处理时间可提高有机EL板的生产率。
第二实施例在本发明的第二实施例中，通过改造第二平面化绝缘层40以降低其湿气吸收量。通过进行改造处理，也可以减少第二平面化绝缘层40的湿气含量。下降以后的湿气含量较好地在第一实施例所述的范围之内。根据第二实施例，用改造过程代替第一实施例的热处理，其它步骤与第一实施例中描述的相同。应注意到的是，制造有机EL板的方法可通过第一实施例的热处理与第二实施例的改造过程的组合来实现。下面描述改造方法的具体例子。
等离子体方法将TFT基体32以及形成在其上的第二平面化绝缘层40暴露于等离子体中，可去除第二平面化绝缘层40中的湿气，同时可将第二平面化绝缘层40改造成具有降低的湿气吸收性。可用的等离子体较好的是诸如CF4的氟化碳、诸如CHF3的氢化氟化碳(carbon fluoride hydride)、氮、N2O或含有这些的混合气体。能使第二平面化绝缘层40的表面变成具有疏水特性的含氟气体的等离子体尤其理想。例如，可将第二平面化绝缘层40暴露于含有在20Pa气体压力和1W/cm2的RF(射频)功率下生成的CF4的气体等离子体5至30秒，来对其进行改造。
离子注入技术通过在TFT基体32和形成在其上的第二平面化绝缘层40中注入离子，可去除第二平面化绝缘层40中的湿气，同时可将第二平面化绝缘层40改造成具有降低的湿气吸收性。可用的离子有惰性气体离子、氟、硼、氮、氧、铝、硫、氯、镓、锗、砷、硒、溴、锑、碘、铟、锡、碲、铅、铋、钛、铌、铪和钽的单个元素或其化合物的离子。高能量的离子注入不仅能改造第二平面化绝缘层40的表面，而且还能改造其内部。例如，可用加速能量为40至140keV、剂量在1×1014至1×1016cm-2的离子注入来改造第二平面化绝缘层40。
紫外光照射技术对形成有第二平面化绝缘层40的TFT基体32进行紫外光照射，可将第二平面化绝缘层40改造成具有降低的湿气吸收性。不需要真空状态的紫外光照射能够容易地改造第二平面化绝缘层40。例如，可用10mW/cm2的紫外光照射1至5分钟可以改造第二平面化绝缘层40。
再参阅图2B，在第二平面化绝缘层40的一个对应于空穴注射电极34的位置形成一接触空穴。对第二平面化绝缘层40实施改造处理可以在接触空穴之前或之后进行。如果改造处理是在接触空穴形成之前进行，就不必考虑会对接触空穴底部的空穴注射电极34造成损害。可以在接触空穴形成之前进行离子注入步骤，该离子注入步骤甚至能够通过使用高加速能量改造第二平面化绝缘层40的内部。另一方面，如果改造处理是在接触空穴形成之后进行，不仅第二平面化绝缘层40的表面，而且接触空穴的侧壁都能得到改造。都能改造第二平面化绝缘层40的表面的等离子体处理和紫外光照射可在接触空穴形成之后进行，以便也能改造接触空穴的侧壁。此外，在接触空穴形成之前进行提高照射强度的紫外光照射，可改造第二平面化绝缘层40的内部。
图4示出了当完成了对第二平面化绝缘层40的Ar(氩)离子注入处理时有机EL元件的发光特性的实验结果。竖轴表示亮度(相对强度)，而横轴表示使用时间(小时)。Ar离子是以140keV的加速能量和1×1014cm-2和1×1015cm-2的剂量注入的。作为比较，也示出了没有注入Ar离子的有机EL元件的发光特性。该实验的结果表明如果对第二平面化绝缘层40不进行离子注入改造，则有机EL元件的发光特性在短时间内就退化，使得没有经过改造处理的有机EL元件不可能长期使用。另一方面，可清楚地看出，对第二平面化绝缘层40进行离子注入改造，可使有机EL元件的发光特性在长时间内几乎不恶化。
第三实施例在本发明的第三实施例中，对第二平面化绝缘层40进行涂覆，以减少其中所含的湿气对设置在第二平面化绝缘层40上面的有机EL层的不希望有的作用。根据第三实施例，用涂覆处理代替第一实施例的热处理，以形成涂覆层，随后的步骤与第一实施例中所述的相同。在此应注意的是，可将第一实施例的热处理和第二实施例的改造处理组合起来实现制造有机EL板的方法。下面描述涂覆方法的一些特定的例子。
隔离膜的涂覆在第二平面化绝缘层40上涂覆不渗透湿气的隔离膜，从而保护有机EL层50免遭湿气。在隔离膜上形成有机EL层50。该隔离膜是用例如SiNX、类似金刚石的碳或Si的薄膜形成。通过用这些材料中的任何一种形成隔离膜，与隔离膜是用SiNX形成的情况相比，隔阻湿气的性能有了提高。SiNX膜可用例如等离子体CVD方法、在NH3/SiH4气体流量比为1至3、基体温度为200℃、压力为5至50Pa、RF功率密度为1至3W/cm2的条件下形成。类似金刚石的碳膜可用例如等离子体CVD方法、在H2/C2H4气体流量比为0.1至0.5、基体温度为100℃、压力为5至50Pa、RF功率密度为2至4W/cm2的条件下形成。
疏水材料的涂覆在第二平面化绝缘层40上涂覆疏水材料，借以防止湿气渗透入第二平面化绝缘层40内，从而降低第二平面化绝缘层40的湿气含量。在涂覆层上形成有机EL层50。这种涂覆可用诸如旋涂或喷涂的涂覆技术或用蒸汽沉积方法来完成。可用的疏水材料较好的是诸如六甲基二硅氮烷的碳氢化合物、具有诸如碳氟化合物或氟树脂的疏水基的有机硅化合物。
再参阅图2B，在第二平面化绝缘层40上的一个对应于空穴注射电极34的位置形成一接触空穴。可在形成接触空穴之前或之后对第二平面化绝缘层40进行涂覆。如果涂覆处理是在接触空穴形成之前进行，通达空穴注射电极34的接触空穴的形成可在一单个处理过程中完成。另一方面，如果涂覆处理是在接触空穴形成之后进行，那么在接触空穴底部的空穴注射电极34上也形成涂覆膜。因此，形成在接触空穴底部的涂覆膜需要被去除。尽管这种去除步过程会增加制造工艺过程的数量，但在接触空穴的侧壁上也形成涂覆膜60，这会提高湿气抑制作用。图5示出了在接触空穴的侧壁上也形成涂覆膜60的状态。由于涂覆过程是在接触空穴形成之后进行，涂覆膜60在接触空穴形成处不会受到任何损伤。
图6示出了在用SiNX或类似金刚石的碳膜涂覆第二平面化绝缘层时有机EL元件的发光特性的实验结果。涂覆是在接触空穴形成之后在第二平面化绝缘层40上进行的。竖轴表示亮度(相对强度)，而横轴表示使用时间(小时)。作为比较，也示出了没有进行涂覆的有机EL元件的发光特性。该实验的结果表明如果不进行涂覆，则有机EL元件的发光特性在短时间内就退化，使得有机EL元件不可能长期使用。另一方面，可清楚地看出，当用SiNX或类似金刚石的碳进行涂覆时，有机EL元件的发光特性在长时间内几乎不退化。
以上根据仅仅作为示例的一些实施例描述了本发明，但本发明的技术范围不受这些实施例所述范围的限制。本领域的技术人员应该理解，对上述每一构件和处理过程的步骤的组合可进行其它各种改变，本发明的范围包括这些改变。
尽管在各较佳实施例中提到了蒸汽沉积的有机层的若干材料，但本领域的技术人员应该理解，这些材料仅仅是示例性的。在上述各实施例中，作为EL元件的一个例子，描述了用有机EL元件制造，但无机EL元件也可用作EL元件。
在上述各实施例中，作为降低湿气对有机EL层50的作用的方法描述了对第二平面化绝缘层40进行的热处理、改造处理和涂覆处理。但要指出的是，这些方法不仅可独立采用，也可组合采用。这些方法的组合采用能够更有效地降低湿气对有机EL层50的作用。例如，在热处理之后再进行涂覆处理是相当有效的，因为它将降低第二平面化绝缘层40的湿气含量，而且还能减小湿气含量对有机EL层50的不利作用。在改造处理之后进行涂覆处理也能产生类似的有利作用。
尽管通过示例性的实施例描述了本发明，但应理解的是，在不脱离由所附权利要求书所限定的本发明的范围的情况下，本领域的技术人员可进一步进行多种改变和替换。
权利要求
1.一种制造电致发光板的方法，该方法包括在一基体上形成一第一电极；在所述第一电极的周边形成一绝缘层；对所述绝缘层进行热处理，使包含在所述绝缘层中的湿气含量实质性地降低；在所述绝缘层上形成一电致发光层；以及在所述电致发光层上形成一第二电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行热处理是用一种能使绝缘层的湿气含量基本上为154ng/cm3或以下的方式对绝缘层进行热处理。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行热处理是通过对绝缘层照射电磁波来加热该绝缘层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在绝缘层上形成一隔离膜，该隔离膜由含SiNX的一层、含类似金刚石的碳的一层和Si薄膜层中的任何一个构成，
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述绝缘层上形成一由疏水材料制成的涂覆层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述绝缘层通过快速热退火进行加热。
7.一种制造电致发光板的方法，该方法包括在一基体上形成一第一电极；在所述第一电极的周边形成一绝缘层；在所述绝缘层进行热处理，热处理温度基本上为200℃至270℃，持续时间基本上为1至3小时；在所述绝缘层上形成一电致发光层；以及在所述电致发光层上形成一第二电极。
8.一种制造电致发光板的方法，该方法包括在一基体上形成一第一电极；在所述第一电极的周边形成一绝缘层；对所述绝缘层进行改造处理，以降低绝缘层的吸湿度；在所述绝缘层上形成一电致发光层；以及在所述电致发光层上形成一第二电极。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述进行改造处理是对所述绝缘层进行等离子体处理。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述进行改造处理是对所述绝缘层进行离子注入处理。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述进行改造处理是用紫外光照射所述绝缘层。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括在所述绝缘层上形成一隔离膜，该隔离膜由含SiNX的一层、含类似金刚石的碳的一层和Si薄膜层中的任何一个构成。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括在所述绝缘层上形成一由疏水材料制成的涂覆层。
14.一种制造电致发光板的方法，该方法包括在一基体上形成一第一电极；在所述第一电极的周边形成一绝缘层；在所述绝缘层上形成一隔离膜，该隔离膜由含SiNX的一层、含类似金刚石的碳的一层和Si薄膜层中的任何一个制成；在所述隔离膜上形成一电致发光层；以及在所述电致发光层上形成一第二电极。
15.一种制造电致发光板的方法，该方法包括在一基体上形成一第一电极；在所述第一电极的周边形成一绝缘层；在所述绝缘层上形成由疏水材料制成的涂覆层；在所述涂覆层上形成一电致发光层；以及在所述电致发光层上形成一第二电极。
16.一种电致发光板，包括一在一基体上形成的第一电极；一形成在所述第一电极的周边的绝缘层，其湿气含量基本上是154ng/cm3或以下；一形成在所述绝缘层上的电致发光层；以及一形成在所述电致发光层上的第二电极。
全文摘要
对一设置在有机EL层下面的第二平面化绝缘层进行热处理，从而使其中的湿气含量降到一极低的程度。通过将这种湿气含量降低到77ng/cm
文档编号H01L51/52GK1443025SQ03107100
公开日2003年9月17日 申请日期2003年3月5日 优先权日2002年3月5日
发明者阿部寿, 铃木浩司, 长谷川勋 申请人:三洋电机株式会社