专利名称：光刻设备和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备及器件制造方法。
背景技术：
光刻设备是一种把预期图形应用到衬底目标部分上的机器。光刻设备可以用于制造，例如集成电路(IC)、平板显示器、以及涉及精细结构的其它器件。在传统的光刻设备中，可以使用图形化工具，或者称为掩模或光刻版，以产生与IC(或其它器件)的单个层相应的电路图形，这个图形可以被成像到具有辐射敏感材料层(例如抗蚀剂)的衬底(例如硅晶片、玻璃板等)上的目标部分(例如包含一个芯片或几个管芯的部分)。代替掩模，图形化工具可包括用于产生电路图形的、单独可控元件的阵列。
通常，单个衬底会包括连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括分步投影光刻机(stepper)，其中通过一次将整个图形曝光到目标部分上来辐射每个目标部分，以及扫描器(scanner)，其中通过沿特定方向的射束(“扫描”方向)扫描图形，同时平行或反平行于这个方向同步扫描衬底，来辐射每个目标部分。
光刻设备的产量尤其受该设备每次曝光所曝光的衬底面积控制。在传统光刻设备中，产量由单位时间内衬底上分步-扫描的曝光场的数目决定。曝光场尺寸由光刻版场尺寸除以投影系统的放大倍数决定，投影系统的放大倍数典型地为4倍，但也可以为例如5倍或6倍。
包含单独可控制元件阵列而非掩模的设备(例如无掩模光刻设备)的产量由该场内的像素数目乘以每像素的曝光面积再除以印刷各个图形使用的通过数目(典型为2，但也使用3次或4次通过)决定。更大数目的通过增强剂量控制并平滑由像素光栅引起的不均匀。为了有效曝光衬底，该像素尺寸必须约为最小特征尺寸的一半。因此，对于最小特征尺寸大于总体的最小特征尺寸的衬底区域(即分辨率较低)，该设备未以最大效率工作。产量低于可能值，导致收益降低。
因此，需要能增大无掩模光刻系统的效率以提高生产量的系统和方法。
发明内容
根据本发明实施例，提供了一种光刻设备，该设备包含照明系统、单独可控元件阵列、以及投影系统。该照明系统调节辐射束。单独可控元件阵列图形化射束。投影系统将图形化的射束投影到衬底的目标部分上。
在一个实例中，该投影系统以多个显著不同的放大倍数投影该辐射束。
在一个实例中，光刻设备将图形从图形化工具传递到衬底上。该光刻设备可以以多个显著不同的放大倍数投影辐射束。
在一个实例中，该照明系统工作于多个放大倍数。在一个实例中，当投影系统的放大倍数改变时，相应地改变该照明系统的角度放大倍数，以确保获得所需的数值孔径。
根据本发明的一个实施例，提供了一种光刻设备，该设备包含照明系统、单独可控元件阵列、以及投影系统。该照明系统调节辐射束。该单独可控元件阵列图形化该射束。该投影系统以第一放大倍数将图形化的辐射束投影到衬底的目标部分上。在一个实例中，该投影系统以第二放大倍数将图形化的辐射束投影到衬底的目标部分上。该第二放大倍数基本上为1/n，其中n为任意正整数。
根据本发明的一个实施例，提供了包含下述步骤的器件制造方法。使用单独可控元件阵列向辐射束界面传递图形。以第一放大倍数将该图形化辐射束投影到衬底的目标部分上。以第二放大倍数将该图形化辐射束投影到衬底的目标部分上。该第二放大倍数和该第一放大倍数差别很大。
下面将参考附图详细地描述本发明的另外实施例、特征、和优点以及本发明的各个实施例的结构和操作。
在此结合并形成了本说明书的一部分的附图阐述了本发明，并和相关描述一起进一步用于解释本发明的原理并使本领域的技术人员能够制作和使用本发明。
图1描述了根据本发明一个实施例的光刻设备。
图2a和2b描述了根据本发明一个实施例的投影系统。
图3a至3c描述了根据本发明一个实施例的投影系统。
图4a和4b描述了根据本发明一个实施例的投影系统。
图5a和5b描述了根据本发明一个实施例的投影系统。
图6a和6b描述了根据本发明一个实施例的投影系统。
图7示出了根据本发明一个实施例，和描述投影系统的可变放大倍数的投影系统一起使用的照明的布置。
现在将结合附图描述本发明。在附图中，相同的数字表示相同的元件或功能相近的元件。
具体实施例方式
概述和术语尽管在本说明书中会具体地参考在集成电路(IC)制作中光刻设备的使用，但应该理解，这里描述的光刻设备可以具有其它用途，例如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图形、平板显示器、薄膜磁头、微观/宏观射流元件等的制作。技术人员将理解，在这些可选应用的范围内，这里使用术语“晶片”或“管芯”可以分别看作与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底在曝光之前或曝光之后可以在例如涂胶显影机(track)(例如，通常把抗蚀剂层涂敷到衬底上并对曝光后的抗蚀剂进行显影的一种工具)或测量或检查工具内进行处理。在本发明可应用的场合中，这里所公开的内容可应用于这些以及其它衬底处理工具。此外，例如，为了制造多层IC，可以不止一次地处理衬底，因此这里使用的衬底这个术语也可指已经包括多个已处理过的层的衬底。
这里所使用的术语“单独可控元件阵列”应广义地理解为是指，可以用来向入射的辐射束赋予图形化的截面，使得可以在衬底的目标部分创建所需图形的任何装置。在这里的上下文中也可以使用术语“光阀”及“空间光调制器(SLM)”。下面讨论了这些图形化工具的例子。
可编程反射镜阵列可包括具有粘弹性控制层的矩阵可寻址表面以及反射表面。该设备的基本原理为，例如，反射表面的已寻址区域把入射光反射为衍射光，而未寻址区域把入射光反射为非衍射光。使用适当的空间滤波器，可以把非衍射光从反射束中过滤出来，只留下衍射光到达衬底。按照这个方式，射束依照矩阵可寻址表面的寻址图形被图形化。
应当理解，作为备选，滤波器可以过滤出衍射光，留下非衍射光到达衬底。也可以按照相应的方式使用衍射光学微机电系统(MEMS)器件的阵列。每个衍射光学MEMS器件包括多个反射带，这些反射带可相对于彼此发生变形并形成把入射光反射为衍射光的光栅。
另一个备选实施例可包括采用微小反射镜矩阵排列的可编程反射镜阵列，通过施加合适的局部电场或采用压电致动装置可使每个反射镜独立地绕一个轴倾斜。再一次地，反射镜为矩阵可寻址的，使得被寻址的反射镜把入射光反射到与未被寻址反射镜不同的方向；按照这个方式，反射束依照矩阵可寻址反射镜的寻址图形被图形化。使用适当的电子装置可以执行所需的矩阵寻址。
在上述两个情况中，单独可控元件阵列可包括一个或多个可编程反射镜阵列。例如，在美国专利US5,296,891与US5,523,193以及PCT专利申请WO98/38597与WO98/33096中可以找到关于这里提到的反射镜阵列的更多信息，这些专利在此引用作为参考。
也可以使用可编程的LCD阵列。美国专利US 5,229,872给出了采用这种结构的实例，该专利在此引用作为参考。
应该理解，在预偏置特征、光学邻近校正特征时，使用相位变化技术以及多次曝光技术。单独可控元件阵列上“显示”的图形可能远不同于最终转移到衬底层或衬底上一层的图形。类似地，最终形成在衬底上的图形可能不对应于任一时刻在单独可控元件阵列上形成的图形。在如下配置中情况可能如此形成在衬底各个部分上的最终图形是经过特定的时间段或由特定次数的曝光而逐步形成，而期间单独可控元件阵列上的图形和/或衬底的相对位置发生变化。
尽管在本说明书中会具体地参考在IC制作中光刻设备的使用，但应该理解，这里描述的光刻设备可以具有其它应用，例如，诸如DNA芯片、MEMS、MOEMS、集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图形、平板显示器、薄膜磁头等的制作。技术人员应理解，在这些备选应用的情况中，使用术语“晶片”或“芯片”可以分别看作与更普通的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底在曝光之前或曝光之后可以在例如涂胶显影机(通常把抗蚀剂层涂敷到衬底上并对曝光后抗蚀剂进行显影的一种工具)或测量或检查工具内进行处理。在本发明可应用的场合中，本说明书内容可应用于这些以及其它衬底处理工具。此外，例如，为了创建多层IC，可以不止一次地处理衬底，因此这里使用的衬底这个术语也可指已经包括多个已处理过的层的衬底。
这里使用的术语“辐射”及“射束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，波长为365、248、193、157、或126nm)与极紫外(EUV)辐射(例如，波长范围为5至20nm)，以及例如离子束或电子束的粒子束。
这里使用的术语“投影系统”应广泛地理解成包括各种类型的投影系统，例如由于所使用的曝光辐射或者诸如使用浸没液或使用真空的其它因素，包括折射光学系统、反射光学系统、以及反射折射光学系统。可以认为，这里使用的术语“透镜”与更为普通的术语“投影系统”同义。
照明系统也可包括各种类型的光学元件，包括用于引导、整形、或控制辐射束的折射、反射、及反射折射光学元件，下文中也统一地或个别地将该元件称为“透镜”。
光刻设备可以具有两个衬底平台(双工作台)或更多衬底平台(和/或两个或更多个掩模平台)。在这些具有“多个工作台”的机器中，可以并行地使用附加的平台，当一个或多个平台用于曝光时，可以在一个或多个其它平台上进行准备步骤。
光刻设备也可以是这样的类型其中衬底浸没在具有相对较高折射率的液体(例如水)中，从而填充投影系统最终元件与衬底之间的间隙。浸没液体也可用于光刻设备中的其它间隙，例如掩模与投影系统第一元件之间的间隙。在本技术领域中，用于提高投影系统数值孔径的浸没技术是众所周知的。
另外，可以为该设备提供流体处理单元以允许流体和衬底的被辐照部分之间的相互作用(例如选择性地在衬底上附着化学制剂或选择性地修改衬底表面的结构)。
光刻投影设备图1示意性描述了根据本发明一个实施例的光刻投影设备100。设备100至少包括辐射系统102、单独可控元件阵列104、载物台106(例如衬底平台)、以及投影系统(“透镜”)108。
辐射系统102可以用于提供辐射(例如UV辐射)束110，在该特殊情形中其还包括辐射源112。
单独可控元件阵列104(例如可编程反射镜阵列)可以用于把图形应用到射束110。通常，单独可控元件阵列104相对于投影系统108的位置可以是固定的。然而，在可供选择的配置中，单独可控元件阵列104可以连接到定位装置(未示出)以精确确定其相对于投影系统108的位置。正如这里所描述的，单独可控元件104属于反射类型(例如，具有单独可控元件的反射阵列)。
载物台106可设有用于支撑衬底114(例如涂敷了抗蚀剂的硅晶片或玻璃衬底)的衬底支架(未明确示出)，载物台106可以连接到定位装置116以精确定位衬底114相对于投影系统108的位置。
投影系统108(例如石英和/或CaF2透镜系统或包括由这些材料制成的透镜元件的反射折射系统或者反射镜系统)可以用于把从分束器118接收的图形化射束投影到衬底114的目标部分120(例如一个或多个管芯)上。投影系统108可以把单独可控元件阵列104的图像投影到衬底114上。或者，投影系统108可以投影二次源的图像，对于该二次源单独可控元件阵列104的元件作为光阀。投影系统108还可包括形成二次光源并把微斑点投影到衬底114上的微透镜阵列(MLA)。
辐射源112(例如准分子激光器)可以产生辐射束122。辐射束122直接地或者穿过例如诸如扩束器的调节装置126馈入照明系统(照明器)124。照明器124可包括用于设定射束122强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部及σ-内部)的调整装置128。此外，照明器124通常包括各种其它元件，例如积分器130与聚光器132。按照这种方式，照射到单独可控元件阵列104上的射束110的截面具有所需的均匀性和强度分布。
应该注意，对于图1，源112可以在光刻投影设备100的外壳内(例如，当辐射源112是汞灯时经常如此)。在可供选择的实施例中，辐射源112也可能与光刻投影设备100距离甚远。在这种情况下，辐射束122将被引导至设备100中(例如借助合适的导向反射镜)。当辐射源112为准分子激光器时，实际情况通常为后一种情形。应当理解，这两种情况都落在本发明的范围内。
使用分束器118引导射束110之后，射束110随后与单独可控元件阵列104相交。被单独可控元件阵列104反射后，射束110穿过投影系统108，投影系统108把射束110聚焦到衬底114的目标部分120上。
借助定位装置116(与可选择的干涉测量装置134，该测量装置位于底座136上并通过分束器140接收干涉束138)，可以精确移动衬底平台106，从而在射束110的路径内定位不同的目标部分120。使用时，例如在扫描期间，可以使用单独可控元件阵列104的定位装置，精确地校准单独可控元件阵列104相对于射束110的路径的位置。通常，可以借助未在图1中明确示出的长冲程模块(粗略定位)及短冲程模块(精细定位)，实现载物台106的移动。可以使用类似系统定位单独可控元件阵列104。应当理解，或者射束110可移动/另外射束110可移动，而载物台106和/或单独可控元件阵列104位置可固定，以提供所需要的相对移动。
在本实施例的一个可供选择的配置中，衬底平台106可固定，而衬底114可以在衬底平台106上移动。采用这种配置时，在平坦的最上表面上为衬底平台106提供许多开孔，通过这些开孔注入气体以提供可支持衬底114的气垫。该配置传统上称为气浮配置。通过使用一个或多个致动器(未示出)，可以在衬底平台106上移动衬底114，其中该致动器可以精确定位衬底114相对于射束110路径的位置。或者，可以通过选择性地开启或停止通过开孔的气路，在衬底平台106上移动衬底114。
尽管这里把根据本发明的光刻设备100描述为用于曝光衬底上的抗蚀剂，应当理解，本发明不限于这个用途，设备100可以用于投影无抗蚀剂光刻中使用的图形化射束110。
所描述的设备100可以用于四种优选模式1.步进模式单独可控元件阵列104上的完整图形在一次扫描(即单次“闪光”)内被投影到目标部分120上。随后沿x与/或y方向把衬底平台106移动到不同位置，使图形化射束110辐照不同的目标部分120。
2。扫描模式基本上与步进模式相同，其不同之处在于，不是在单次“闪光”内曝光指定的目标部分120。相反地，单独可控元件阵列104可以以速度v沿特定方向(所谓“扫描方向”，例如y方向)移动，使图形化射束110扫描过单独可控元件阵列104。同时，沿相同或相反的方向以速度V＝Mv同时移动衬底平台106，其中M为投影系统108的放大倍率。按照这种方式，可以曝光相对大的目标部分120而无需降低分辨率。
3.脉冲模式单独可控元件阵列104基本上保持静止，使用脉冲辐射系统102把整个图形投影到衬底114的目标部分120上。衬底平台106以基本上恒定的速度移动，使得图形化射束110扫过衬底106的一行。在辐射系统102的脉冲之间，根据需要更新单独可控元件阵列104上的图形，并对脉冲定时，使得在衬底114的要求位置上曝光连续的目标部分120。因此，图形化射束110可扫过衬底114以把完整图像曝光在衬底114的一个条上。重复该过程直到整个衬底114被逐行曝光。
4.连续扫描模式基本上与脉冲模式相同，不同之处在于，其使用基本上不变的辐射系统102，以及在图形化射束110扫过并曝光衬底114时更新单独可控元件阵列104上的图形。
可以采用上述使用模式的组合与/或变形，或者可以采用与上述使用模式完全不同的模式。
示例性投影系统图2a、2b、3a、3b、3c、4a、4b、5a、5b、6a、及6b示出了根据本发明各种实施例的投影系统。
从图2a和2b可以看出，投影系统PS包含多个光学元件11、21、12。特别地，投影系统PS包含可移动透镜，该透镜可以置于辐射束B的路径之内或之外。在本实例中，这些光学元件为透镜，特别是凸透镜，但也可以为凹透镜、反射镜、或任何其它光学元件。
在图2a中，辐射束B投影穿过所有光学元件11、21、12。投影系统PS例如可将辐射束B缩小成1/8。
图2b示出了衬底的另一部分何时被曝光，该部分具有较大的最小特征尺寸。例如，其可以是原始曝光的最小特征尺寸的两倍。这种情况下，图像中所需的分辨率略低，从投影束的路径中除去光学元件21。投影系统PS将辐射束B缩小成1/4。在本实例中，光学元件21使放大倍数改变2倍。然而，应当理解，可以使用将放大倍数改变不同倍数的光学元件。
在一个实例中，投影系统中透镜排列的变化导致辐射束B的放大倍数的显著改变。例如，可2倍、3倍、4倍、5倍或更大倍数地变化放大倍数。
在一个实例中，在从辐射束B的路径中除去光学元件21的情况下，每个像素曝光的面积高达4倍。因此，单次曝光中曝光的总面积。该光刻设备的产量因此更大。由于对于衬底的该部分使用最小特征的最大像素尺寸，该光刻设备工作于该最小特征尺寸的最大效率。因此根据所需要的分辨率改变投影系统PS的放大倍数。
当要求更高的分辨率时，例如对于DRAM应用，光学元件21可重新插入到辐射束B的路径中。分辨率越高，需要越多的曝光步骤。在各种实例中，可以在衬底之间、管芯之间或者在任何需要的时刻改变放大倍数。
此外，随着单独可控元件的技术的继续发展，单独可控元件的像素尺寸可减小，因为使用具有不同放大倍数的投影系统的能力将改善光刻设备的多功能性。
在一个实例中，当需要曝光具有更小的最小特征尺寸的衬底另一个区域时，再次将光学元件21移动到辐射束PB的路径内。可以将光学元件21移动到该投影束使其靠着硬的机械终点挡板，从而确保其被正确地置于该辐射束中，或者可以对X、Y、Z、rotX、rotY、与/或rotZ方向中的至少一个进行闭环伺服控制。
在一个实例中，可以使用干涉仪校验透镜的位置以优化调整，也用其校验小的像差。在一个实例中，可以使用控制环路精细调整透镜的位置。
图3a、3b、和3c示出了另一个实施例，其中存在多个可移动的透镜，每个均可置于该辐射束的路径之内或之外。如图3a、3b、及3c所示，可存在多个可移动透镜21、22、23。每个可移动透镜21、22、23具有不同的放大倍数，因此当将各个透镜置于辐射束B的路径内时，该投影系统具有不同的缩小倍数。图3a示出了位于辐射束B的路径内的透镜22，图3b示出了位于辐射束B的路径内的透镜23。此外，可将可移动透镜的组合置于辐射束B的路径内，如图3c所示，其中透镜21和23同时置于辐射束B的路径内。在这些情形的每一个中，投影系统PS具有不同的放大倍数。
这么多个不同放大倍数的透镜意味着投影系统PS具有大量不同放大倍数。
图4a和4b所示的实施例，投影系统包括多个透镜组，每组都能移入辐射束B的路径内。
图4a示出了包含透镜31及32的第一组可移动透镜30和包含透镜36、37及38的第二组可移动透镜35。每组透镜可包含任意数目的透镜，甚至可以只包含一个透镜。透镜组内的透镜相对于彼此可位于任意位置，但相对于透镜组中其它透镜固定在该位置。
图4b示出了投影束路径内的第二透镜组35。在一个实例中，当曝光需要不同放大倍数的衬底的不同部分时，将第二透镜组35移出投影束路径，将第一透镜组30移入该投影束路径。通过例如滑动机制、转动机制、滚珠-凹槽(ball and groove)机制的机械终点挡板机制，或者在对X、Y、Z、rotX、rotY、与/或rotZ方向中的至少一个进行伺服控制下，可以实现这一点。在一个实例中，可以使用干涉仪校验透镜组的位置。尤其重要的是要确保正确地将透镜组放置在投影束的路径内。
尽管本实例的描述中只有两个透镜组30、35，但可以有任意数目的透镜组。
在图5a和5b所示的实施例中，该投影系统可包含辐射束B的多个可能路线，每个路线具有不同的放大倍数。在一个实例中，该投影系统进一步包含用于改变该辐射束将采用不同线路中的哪一个的多个反射镜。
图5a示出了投影穿过透镜11、41、42、及12的辐射束B。在图5b中，反射镜46和48置于该投影束的路径内，以将辐射束B投影穿过投影系统PS内的第二透镜组。该第二路线包含投影44和45，这两个透镜的放大倍数不同于透镜41和42的放大倍数。透镜41、42、44及45的位置和强度使得该投影系统的焦点保持不变。反射镜47和49将辐射束B投影回到透镜12，使其投影穿过该投影系统的其余部分。根据投影系统PS内辐射束B所采用的路线，投影系统PS具有不同的放大倍数。
尽管本实例中使用了反射镜46、47、48及49，还可以使用诸如棱镜的其它偏转元件。可将这些反射镜移动到该投影系统的路径之内或之外，可使用机械终点挡板或使用伺服控制精确地控制它们的位置。
尽管在本实例中两个光学路线都保包含两个透镜41和42以及44和45，但每个路线可包含任意数目的光学元件。实际上，在特定的路线中可以没有附加的光学元件。
在图6a和6b所示的实施例中，投影系统PS包含可移动的透镜。这些透镜的位置在辐射束路径内是可变化的。
在图6a中，将透镜11、12、13、14示成位于第一位置。在图6b中，将透镜11、12、13、14示成位于第二位置。透镜11和12朝单独可控元件移动，透镜13和14朝衬底W移动。然而，这些透镜只是与辐射束路径平行地移动。透镜11、12、12和14可位于轨道上以确保它们仅平行于辐射束B的路径移动。在本实例中，对X、Y、Z、rotX、rotY、与/或rotZ方向中的至少一个进行伺服控制。在一个实例中，还对其它轴进行伺服控制。
透镜11、12、13、14的位置不同导致该投影系统具有不同的缩小倍数。
该配置会导致较高的像差，故更适用于分辨率较低的用途。
在一个实例中，投影系统可以排列成两个部分一个部分具有固定的放大倍数并靠近衬底布置，另一个部分具有可变的放大倍数并离衬底较远布置。总放大倍数为50至1000倍。
图7示出了根据本发明一个实施例的投影系统。改变投影系统PS的放大倍数会改变数值孔径(NA)。然而，理想的是保持该NA近似不变，因此也必须改变照明辐射束的放大倍数。通过图7所示的设备可以实现这一点，其中该投影系统分成两个部分PS1和PS2。PS1具有固定的放大倍数，PS2具有可变的放大倍数(如前所述)。该投影系统的可变部分PS2也用作照明系统的一部分。辐射束从照明器投影，被分束装置反射，并穿过该投影系统的可变放大倍数部分PS2。被单独可控元件反射之后，该辐射束被投射返回穿过该投影系统的可变部分PS2。因此，当投影光学系统的放大倍数改变时，照明光学系统的放大倍数相应地改变。该辐射束随后被投影返回穿过分束装置、该投影系统的固定放大倍数部分PS1、并辐射到衬底上。当投影光学系统的放大倍数改变时，照明光学系统的放大倍数由此相应地改变。或者，改变该照明器自身内的放大倍数。然而，这可能更为复杂，因为射束的聚焦远心(telecentricity)必须保持不变。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，应当理解，可以不按照所描述地实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序或数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘、或光盘)形式，其中所述程序包含描述如前所述方法的一个或多个机器可读指令序列，其中所述存储介质中存储了这样的计算机程序。
结论上面已经描述了本发明的各种实施例，应该理解，仅仅是以例子的方式示出这些实施例，这些实施例并非用于限制本发明。对本领域技术人员而言，在不离开本发明的精神和范围下可以进行各种形式或细节上的变化。因此，本发明的广度和范围不受任何前述示例性实施例限制，而应该只由所附权利要求书及其等效表述所定义。
应当理解，只由详细描述部分，而不是由总结和摘要部分，解释所附权利要求。该总结和摘要部分列举了申请人员所想出一个或多个示例性实施例，但并非全部实施例，因此该总结和摘要部分不应以任何方式限制本发明及所附权利要求。
权利要求
1.一种光刻设备，包括调节辐射束的照明系统；图形化该射束的单独可控元件阵列；以及将该图形化射束投影到衬底的目标部分上的投影系统，其中该投影系统可以以多种不同的放大倍数投影该辐射束。
2.权利要求1的设备，其中该投影系统包含可置于该辐射束的路径之内或之外的可移动透镜。
3.权利要求2的设备，其中该投影系统进一步包含被移动到该图形化射束的路径之内或之外的多个可移动透镜。
4.权利要求1的设备，其中该投影系统包含被移动到该辐射束的路径之内或之外的多个透镜组。
5.权利要求1的设备，其中该投影系统包含该图形束的多个可选择的光路，该多个可选择光路中的每一个具有不同的放大倍数。
6.权利要求5的设备，其中该投影系统包含多个反射镜，用于改变该图形化射束被导向穿过该多个可选择的光路中的哪一个。
7.权利要求1的设备，其中该投影系统包含可移动透镜，其中该可移动透镜在图形化射束路径内的相对位置是可以变化的。
8.权利要求1的设备，其中该照明系统工作于多个不同的放大倍数。
9.一种系统，包含图形发生器，图形化由照明系统产生的辐射束；以及传递装置，将图形化的射束传递到衬底上并以多个显著不同的放大倍数投影该图形化的射束。
10.权利要求9的系统，其中该照明系统工作于多个不同的放大倍数。
11.一种光刻设备，包含调节辐射束的照明系统；图形化该射束的单独可控元件阵列；以及以第一放大倍数将该图形化射束投影到衬底的目标部分上的投影系统，其中该投影系统以第二放大倍数将该图形化射束投影到衬底的另一个目标部分，该第二放大倍数基本上为1/n，其中n为任意正整数。
12.一种器件制造方法，包含使用单独可控元件阵列图形化辐射束；以第一放大倍数将该图形化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及以第二放大倍数将该图形化的辐射束投影到衬底的另一个目标部分上，其中该第一放大倍数和该第一放大倍数显著不同。
全文摘要
提供了一种系统和方法，在投影系统内包含不同的可移动透镜，这些透镜可置于辐射束路径内以改变该投影系统的放大倍数。通过改变该投影系统的放大倍数，可以调整每像素曝光的衬底面积，并优化该系统的产量。
文档编号H01L21/027GK1790169SQ200510131768
公开日2006年6月21日 申请日期2005年12月16日 优先权日2004年12月17日
发明者K·D·范德马斯特, K·Z·特鲁斯特 申请人:Asml荷兰有限公司