专利名称：：供半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合及其制程的制作方法供半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合及其制程駄綱本发明涉及一种半导体结构组合(semiconductorstructurecombination),特别涉及一种用于半导体光电组件(semiconductoroptoelectronicdevice)的半导体结构组合。疼豕伎不现今半导体发光组件(例如，发光二极管)的应用领域已甚为广泛，例如照明以及遥控领域等，都可以见到半导体发光组件被广泛地应用。为了让半导体发光组件尽可能地确保较高的功能可靠性以及较低的能源消耗，因此对于半导体发光组件都须要求其本身的外部量子效率(externalquantumefficiency)o理论上，一半导体发光组件的外部量子效率与其本身的内部量子效率(internalquantumefficiency)有关。所谓的内部量子效率由材料特性及质量所决定。若半导体发光组件的内部缺陷(例如，差排)密度变大，将会降低半导体发光组件的内部量子效率及光取出效率。为提升半导体发光组件的外部量子效率，具有图案化表面的蓝宝石基板已被揭露并用于制造半导体发光组件。图案化表面可用以散射由半导体发光组件射出的光线以降低全反射，进一步提升半导体发光组件的外部量子效率。虽然半导体材料层(例如，氮化镓)可通过不错的横向磊晶方式形成于图案化表面的蓝宝石基板上，但是半导体材料层在图案化表面的蓝宝石基板上磊晶后仍会产生不少内部的缺陷(例如，贯穿式差排)，并且直接影响到半导体发光组件的光电特性。因此，在图案化表面的蓝宝石基板上磊晶的半导体材料层，其质量仍有改善的空间。
发明内容本发明的目的是提供一种用于半导体光电组件的半导体结构组合及其制造方法，以解决上述问题。本发明提供的半导体结构组合包含一基板(substrate)、一半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体、该半导体材料中的一第二磊晶晶体以及该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷(recess)。该凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。该第一磊晶晶体在该第一成核点成核并且在一第一制程条件下往该第一从优取向成长。该第二磊晶晶体在该第二成核点成核并且在该第一制程条件下往该第一从优取向成长。该第三磊晶晶体在该第三成核点成核并且在该第一制程条件下往该第一从优取向成长。在该第一制程条件下，该第二磊晶晶体及该至少一个第三磊晶晶体的成长抑制该至少一个第一磊晶晶体的成长。本发明还提供一种制造一半导体结构组合的方法。首先，该方法制备一基板。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。接着，在一第一制程条件下，该方法在该第一成核点成核该半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体并且往该第一从优取向成长该第一磊晶晶体。然后，在该第一制程条件下，该方法在该第二成核点成核该半导体材料中的一第二磊晶晶体并且往该第一从优取向成长该第二磊晶晶体。最后，在该第一制程条件下，该方法在该第三成核点成核该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体并且往该第一从优取向成长该第三磊晶晶体。特别地，在该第一制程条件下，该第二磊晶晶体及该至少一个第三磊晶晶体的成长抑制该至少一个第一磊晶晶体的成长。本发明还提供一种半导体结构组合。该半导体结构组合包含一基板、一半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体、该半导体材料中的一第二磊晶晶体以及该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。该第一磊晶晶体在该第一成核点成核并且在一制程条件下往该第一从优取向成长。该第二磊晶晶体在该第二成核点成核并且在该制程条件下往该第一从优取向成长。该第三磊晶晶体在该第三成核点成核并且在该制程条件下往该第一从优取向成长。在该制程条件下，该至少一个第一磊晶晶体的成长抑制该第二磊晶晶体的成长。该至少一个第一磊晶晶体及该至少一个第三磊晶晶体在该制程条件下往该第一从优取向持续成长以形成一层该半导体材料覆盖该基板，并且一封闭的孔洞形成于该凹陷的一顶部。本发明还提供一种制造一半导体结构组合的方法。首先，该方法制备一基板。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。接着，在一制程条件下，该方法在该第一成核点成核该半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体并且往该第一从优取向成长该第一磊晶晶体。然后，在该制程条件下，该方法在该第二成核点成核该半导体材料中的一第二磊晶晶体并且往该第一从优取向成长该第二磊晶晶体。最后，在该制程条件下，该方法在该第三成核点成核该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体并且往该第一从优取向成长该第三磊晶晶体。在该制程条件下，该至少一个第一磊晶晶体的成长抑制该第二磊晶晶体的成长。该至少一个第一磊晶晶体及该至少一个第三磊晶晶体在该制程条件下往该第一从优取向持续成长以形成一层该半导体材料覆盖该基板，并且一封闭的孔洞形成于该凹陷的一顶部。本发明还提供一种半导体结构组合。该半导体结构组合包含一基板、一半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体、该半导体材料中的一第二磊晶晶体以及该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供该半导体材料成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料成长的至少一个第三成核点。该第一磊晶晶体形成于该第一成核点。该第二磊晶晶体形成于该第二成核点。该第三磊晶晶体形成于该第三成核点。该至少一个第三磊晶晶体形成一层该半导体材料以覆盖该基板，并且该至少一个第一磊晶晶体位于该第二磊晶晶体及该至少一个第三磊晶晶体之间。相较于现有技术，本发明提供半导体结构组合能够降低其内部的缺陷密度，并且该半导体结构组合可以应用于制造半导体光电组件，借以提升半导体光电组件的光电特性。为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下面将结合附图对本发明的较佳实施例详细说明图1是本发明一较佳实施例的供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合的SEM剖面视图2是本发明另一较佳实施例的供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合的SEM剖面视图3A及图3B是本发明一较佳实施例的半导体结构组合的TEM剖面视图3C是本发明另一较佳实施例的半导体结构组合的TEM剖面视图；图3D是在上表面非凹陷的基板上成长的半导体结构组合的TEM剖面视图4A是以本发明一较佳实施例的半导体结构组合所制成的半导体发光组件；图4B是以本发明另一较佳实施例的半导体结构组合所制成的半导体发光组件；以及图4C是在上表面非凹陷的基板上成长的半导体发光组件。具体实施例方式请参阅图1，图1是本发明一较佳实施例的供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合1的SEM剖面视图。该半导体结构组合1包含一基板10、一半导体材料12中的至少一个第一磊晶晶体A、该半导体材料12中的一第二磊晶晶体B以及该半导体材料12中的至少一个第三磊晶晶体C。该基板10具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。在实际应用中，该基板10可以是硅(Si)、玻璃(Si02)、氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)、蓝宝石(sapphire)、尖晶石(spi皿el)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、三氧化二铝(Al203)、二氧化锂镓(LiGa02)、二氧化锂铝(LiA102)或四氧化镁二铝(MgAl2。4)。该凹陷的侧壁100提供该半导体材料12往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部102提供该半导体材料12往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域104提供该半导体材料12往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。在实际应用中，该半导体材料12可以是一m-v族化合物半导体材料12。其中该III-V族化合物半导体材料12内的一III族化学元素可以是硼(B)、铝(A1)、镓(Ga)或铟(In)等元素。该III-V族化合物半导体材料12内的一V族化学元素可以是氮(N)、磷(P)、砷(As)或锑(Sb)等元素。在此实施例中，该基板10可以是一蓝宝石基板10，并且该蓝宝石基板10的该上表面具有取向为L」的一结晶面。此外，该半导体材料12可以是氮化镓，并且该第一从优取向可以是^GGOGaN。在实际应用中，该半导体结构组合1进一步包含一氮化镓薄膜。该氮化镓薄膜在该至少一个第一磊晶晶体A、该第二磊晶晶体B及该至少一个第三磊晶晶体C形成的前覆盖在该蓝宝石基板10的该上表面上。在一较佳实施例中，该氮化镓薄膜可以具有厚度至少为200A的一厚度。该第一磊晶晶体A在该第一成核点成核并且在一第一制程条件下往该第一从优取向成长。在一较佳实施例中，该第一制程条件可以包含一第一制程温度900°C以及一第一制程压力200torrs。该第二磊晶晶体B在该第二成核点成核并且在该第一制程条件下往该第一从优取向成长。该第三磊晶晶体C在该第三成核点成核并且在该第一制程条件下往该第一从优取向成长。特别地，在该第一制程条件下，该第二磊晶晶体B及该至少一个第三磊晶晶体C的成长抑制该至少一个第一磊晶晶体A的成长。在此实施例中，该第二磊晶晶体B可以具有高于该凹陷的深度的一高度。之后，该第二磊晶晶体B及该至少一个第三磊晶晶体C在一第二制程条件下往一第二从优取向持续成长以形成一层该半导体材料12覆盖该基板10。在此实施例中，该第二从优取向可以是L」GaN。在一较佳实施例中，该第二制程条件可以包含一第二制程温度1050。C以及一第二制程压力200torrs。本发明的另一较佳实施例为一种制造供一半导体光电组件磊晶用的一半导体结构组合1的方法。请再参阅图1。首先，该方法制备一基板10。该基板10具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁100提供一半导体材料12往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部102提供该半导体材料12往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域104提供该半导体材料12往该第一从优取向成长的至少一个第三成核占。八、、o在此较佳实施例中，该基板10可以是一蓝宝石基板10，并且该蓝宝石基板10的该上表面具有取向为LJ的一结晶面。该半导体材料12可以是氮化镓，并且该第一从优取向可以是一叫GaN。接着，在一第一制程条件下，该方法在该第一成核点成核该半导体材料12中的至少一个第一磊晶晶体A并且往该第一从优取向成长该第一磊晶晶体A。在一较佳实施例中，该第一制程条件可以包含一第一制程温度900°C以及一第一制程压力200torrs。然后，在该第一制程条件下，该方法在该第二成核点成核该半导体材料12中的一第二磊晶晶体B并且往该第一从优取向成长该第二磊晶晶体B。之后，在该第一制程条件下，该方法在该第三成核点成核该半导体材料12中的至少一个第三磊晶晶体C并且往该第一从优取向成长该第三磊晶晶体C。特别地，在该第一制程条件下，该第二磊晶晶体B及该至少一个第三磊晶晶体C的成长抑制该至少一个第一磊晶晶体A的成长。最后，在一第二制程条件下，该方法往一第二从优取向持续成长该第二磊晶晶体B及该至少一个第三磊晶晶体C以形成一层该半导体材料12覆盖该基板10。在此较佳实施例中，该第二从优取向可以是L」GaN。在一较佳实施例中，该第二制程条件可以包含一第二制程温度1050°C以及一第二制程压力200torrs。请参阅图2，图2是本发明另一较佳实施例的供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合2的SEM剖面视图。如图2所示，该半导体结构组合2包含一基板20、一半导体材料22中的至少一个第一磊晶晶体D、该半导体材料22中的一第二磊晶晶体E以及该半导体材料22中的至少一个第三磊晶晶体F。该基板20具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁200提供一半导体材料22往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部202提供该半导体材料22往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域204提供该半导体材料22往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。在此较佳实施例中，该基板20可以是一蓝宝石基板20，并且该蓝宝石基板20的该上表面具有取向为LJ的一结晶面。该半导体材料22可以是氮化镓，并且该第一从优取向可以是L」GaN。-该第一磊晶晶体D在该第一成核点成核并且在一制程条件下往该第一从优取向成长。在一较佳实施例中，该制程条件可以包含一制程温度105(TC以及一制程压力200torrs。该第二磊晶晶体E在该第二成核点成核并且在该制程条件下往该第一从优取向成长。该第三磊晶晶体F在该第三成核点成核并且在该制程条件下往该第一从优取向成长。该至少一个第一磊晶晶体D及该至少一个第三磊晶晶体F在该制程条件下往该第一从优取向持续成长以形成一层该半导体材料22覆盖该基板20，并且一封闭的孔洞220形成于该凹陷的一顶部。本发明的另一较佳实施例为一种制造供一半导体光电组件磊晶用的一半导体结构组合2的方法。请再参阅图2。首先，该方法制备一基板20。该基板20具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁200提供一半导体材料22往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部202提供该半导体材料22往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域204提供该半导体材料22往该第一从优取向成长的至少一个第三成核在此较佳实施例中，该基板20可以是一蓝宝石基板20，并且该蓝宝石基板20的该上表面具有取向为LJ的一结晶面。该半导体材料22可以是氮化镓，并且该第一从优取向可以是L」GaN。接着，在一制程条件下，该方法在该第一成核点成核该半导体材料22中的至少一个第一磊晶晶体D并且往该第一从优取向成长该第一磊晶晶体D。在一较佳实施例中，该制程条件可以包含一制程温度105(TC以及一制程压力200torrs。然后，在该制程条件下，该方法在该第二成核点成核该半导体材料22中的一第二磊晶晶体E并且往该第一从优取向成长该第二磊晶晶体E。最后，在该制程条件下，该方法在该第三成核点成核该半导体材料22中的至少一个第三磊晶晶体F并且往该第一从优取向成长该第三磊晶晶体F。该至少一个第一磊晶晶体D及该至少一个第三磊晶晶体F在该制程条件下往该第一从优取向持续成长以形成一层该半导体材料22覆盖该基板20，并且一封闭的孔洞220形成于该凹陷的一顶部。本发明的另一较佳实施例为一种供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合(未图示)。该半导体结构组合包含一基板、一半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体、该半导体材料中的一第二磊晶晶体以及该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供该半导体材料成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料成长的至少一个第三成核点。该第一磊晶晶体形成于该第一成核点。该第二磊晶晶体形成于该第二成核点。该第三磊晶晶体形成于该第三成核点。该至少一个第三磊晶晶体形成一层该半导体材料以覆盖该基板，并且该至少一个第一磊晶晶体位于该第二磊晶晶体及该至少一个第三磊晶晶体之间。请参阅图3A。图3A是本发明一较佳实施例的半导体结构组合1的TEM剖面视图。如图3A所示，该基板IO的凹陷的周围上方发生差排弯曲，并且差排弯曲终止在具有与由凹陷的侧壁100成长的晶体不同取向的晶体与由侧壁100成长的晶体的交接处，但其凹陷的中心部分仍有部分差排向上延伸至表面。请参阅图3B。图3B是本发明一较佳实施例的半导体结构组合1的TEM剖面视图。如图3B所示，由于半导体结构组合1采用两种制程条件的成长方式，在第一制程条件下在90(TC成长，由于成长温度较低，因此有许多的差排产生。但在第二制程条件下，由于在高温低压的条件下(1050°C、200torr)，氮化镓倾向优先在该第二从优取向LJGaN成长，因此很明显看出有很大部分的差排因横向成长而被导入该第二从优取向L」GaN，使得继续向上延伸至表面的差排数目明显降低。请参阅图3C。图3C是本发明另一较佳实施例的半导体结构组合2的TEM剖面视图。如图3C所示，由于半导体结构组合2—开始即使用倾向于该第二从优取向L」GaN成长的高温低压条件(即1050°C，200torr)，故在基板20的凹陷的上方几乎没有向上延伸的差排产生。详细地说，几乎位于基板20的凹陷的上方的全部的差排都因横向成长而被导入该第二从优取向L」GaN，而使得差排密度明显降低。请参阅图3D。图3D是在上表面非凹陷(平面)的基板上成长的半导体结构组合的TEM剖面视图。比较图3A、图C及图3D可得知，在表面具有凹陷的基板10、20上成长的半导体结构组合1、2，其贯穿式差排密度明显较于上表面非凹陷的基板上成长的半导体结构组合降低许多，尤其是一开始就采取横向成长方式使封闭的孔洞220面积较大的半导体结构组合2，因为其凹陷的上方几乎没有贯穿式差排产生。特别地，具有封闭的孔洞220的半导体结构组合2，其贯穿式差排密度较采用两种制程条件的成长方式的半导体结构组合1更低。在实际应用中，本发明的半导体结构组合1、2能够用于制造半导体光电组件，例如半导体发光组件及光检测器等。在一较佳实施例中，半导体结构组合1可用于制造半导体发光组件(例如，发光二极管)，在此以LEDA表示。请参阅图4A。图4A是以本发明一较佳实施例的半导体结构组合1所制成的半导体发光组件。半导体发光组件并且包含一多层结构14，并且该多层结构14中各层的材料可以如图4A中所示c半导体结构组合2及在上表面非凹陷的基板上成长的半导体结构组合则依此类推，分别以LEDB及LEDC表示。请参阅图4B。图4B是以本发明另一较佳实施例的半导体结构组合2所制成的半导体发光组件。半导体发光组件并且包含一多层结构24，并且该多层结构24中各层的材料可以如图4B中所示。请参阅图4C。图4C是在上表面非凹陷的基板30上成长的半导体发光组件。半导体发光组件并且包含一半导体材料层32及一多层结构34，并且该多层结构34中各层的材料可以如图4C中所示。请参阅表1，表1列出对LEDA、LEDB及LEDC进行光电特性的测试所得的结果。由于LEDA及LEDB中的贯穿式差排密都较LEDC为低，因此LEDA及LEDB在各项光电特性的测试结果都较LEDC为佳。举例而言，以半导体结构组合1制成的LEDA较LEDC的光输出功率提升了33%，以具有封闭的孔洞220的半导体结构组合2制成的LEDB较LEDC的光输出功率提升了25%。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>相较于现有技术，本发明的半导体结构组合能够降低其内部的缺陷密度，并且该半导体结构组合可以应用于制造半导体光电组件，借以提升半导体光电组件的光电特性。以上已对本发明的较佳实施例进行了具体说明，但本发明并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。权利要求1、一种供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合，其特征在于，所述半导体结构组合包含一基板，所述基板具有一上表面以及形成于所述上表面上的一凹陷，其中所述凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点，所述凹陷的一底部提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的一第二成核点，邻接所述凹陷的平坦区域提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的至少一个第三成核点；所述半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体，所述第一磊晶晶体在所述第一成核点成核并且在一第一制程条件下往所述第一从优取向成长；所述半导体材料中的一第二磊晶晶体，所述第二磊晶晶体在所述第二成核点成核并且在所述第一制程条件下往所述第一从优取向成长；以及所述半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体，所述第三磊晶晶体在所述第三成核点成核并且在所述第一制程条件下往所述第一从优取向成长；其中在所述第一制程条件下，所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体的成长抑制所述至少一个第一磊晶晶体的成长。2、如权利要求1所述的半导体结构组合，其特征在于所述第二磊晶晶体具有高于所述凹陷的深度的一高度。3、如权利要求1所述的半导体结构组合，其特征在于所述基板由选自由硅、玻璃、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝以及四氧化镁二铝所组成的一群组中的其一所形成。4、如权利要求1所述的半导体结构组合，其特征在于所述半导体材料一III-V族化合物半导体材料，其中在所述III-V族化合物半导体材料内的一III族化学元素选自由硼、铝、镓以及铟所组成的一群组中的一元素，在所述ni-v族化合物半导体材料内的一v族化学元素选自由氮、磷、砷以及锑所组成的一群组中的一元素。5、如权利要求1所述的半导体结构组合，其特征在于所述基板一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的所述上表面具有取向为(oooi)的一结晶面，所述半导体材料氮化镓，并且所述第一从优取向^W^GaN。6、如权利要求5所述的半导体结构组合，其特征在于进一步包含一氮化镓薄膜，所述氮化镓薄膜在所述至少一个第一磊晶晶体、所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体形成的前覆盖在所述蓝宝石基板的所述上表面上。7、如权利要求6所述的半导体结构组合，其特征在于所述氮化镓薄膜具有厚度至少为200A的一厚度。8、如权利要求5所述的半导体结构组合，其特征在于所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体在一第二制程条件下往一第二从优取向L」GaN持续成长以形成一层所述半导体材料覆盖所述基板。9、如权利要求8所述的半导体结构组合，其特征在于所述第一制程条件包含一第一制程温度900°C以及一第一制程压力200torrs，并且所述第二制程条件包含一第二制程温度105(TC以及一第二制程压力200torrs。10、一种制造供一半导体光电组件磊晶用的一半导体结构组合的方法，其特征在于，所述方法包含下列步骤制备一基板，所述基板具有一上表面以及形成于所述上表面上的一凹陷，其中所述凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点，所述凹陷的一底部提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的一第二成核点，邻接所述凹陷的平坦区域提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的至少一个第三成核点；在一第一制程条件下，在所述第一成核点成核所述半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体并且往所述第一从优取向成长所述第一磊晶晶体；在所述第一制程条件下，在所述第二成核点成核所述半导体材料中的一第二磊晶晶体并且往所述第一从优取向成长所述第二磊晶晶体；以及在所述第一制程条件下，在所述第三成核点成核所述半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体并且往所述第一从优取向成长所述第三磊晶晶体；其中在所述第一制程条件下，所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体的成长抑制所述至少一个第一磊晶晶体的成长。11、如权利要求8所述的方法，其特征在于所述第二磊晶晶体具有高于所述凹陷的深度的一高度。12、如权利要求8所述的方法，其特征在于所述基板由选自由硅、玻璃、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝以及四氧化镁二铝所组成的一群组中的其一所形成。13、如权利要求10所述的方法，其特征在于所述半导体材料一III-V族化合物半导体材料，其中在所述III-V族化合物半导体材料内的一III族化学元素选自由硼、铝、镓以及铟所组成的一群组中的一元素，在所述m-v族化合物半导体材料内的一v族化学元素选自由氮、磷、砷以及锑所组成的一群组中的一元素。14、如权利要求10所述的方法，其特征在于所述基板一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的所述上表面具有取向为(0001)的一结晶面，所述半导体材料氮化镓，并且所述第一从优取向^GG^GaN。15、如权利要求10所述的方法，其特征在于进一步包含一氮化镓薄膜，所述氮化镓薄膜在所述至少一个第一磊晶晶体、所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体形成的前覆盖在所述蓝宝石基板的所述上表面上。16、如权利要求15所述的方法，其特征在于所述氮化镓薄膜具有厚度至少为200A的一厚度。17、如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包含下列步骤在一第二制程条件下，往一第二从优取向LJGaN持续成长所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体以形成一层所述半导体材料覆盖所述基板。18、如权利要求17所述的方法，其特征在于所述第一制程条件包含一第一制程温度900°C以及一第一制程压力200torrs，并且所述第二制程条件包含一第二制程温度1050°C以及一第二制程压力200torrs。19、一种供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合，其特征在于，所述半导体结构组合包含一基板，所述基板具有一上表面以及形成于所述上表面上的一凹陷，其中所述凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点，所述凹陷的一底部提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的一第二成核点，邻接所述凹陷的平坦区域提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的至少一个第三成核点；所述半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体，所述第一磊晶晶体在所述第一成核点成核并且在一制程条件下往所述第一从优取向成长；所述半导体材料中的一第二磊晶晶体，所述第二磊晶晶体在所述第二成核点成核并且在所述制程条件下往所述第一从优取向成长；以及所述半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体，所述第三磊晶晶体在所述第三成核点成核并且在所述制程条件下往所述第一从优取向成长；其中所述至少一个第一磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体在所述制程条件下往所述第一从优取向持续成长以形成一层所述半导体材料覆盖所述基板，并且一封闭的孔洞形成于所述凹陷的一顶部。20、如权利要求19所述的半导体结构组合，其特征在于所述基板由选自由硅、玻璃、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝以及四氧化镁二铝所组成的一群组中的其一所形成。21、如权利要求19所述的半导体结构组合，其特征在于所述半导体材料一III-V族化合物半导体材料，其中在所述III-V族化合物半导体材料内的一m族化学元素选自由硼、铝、镓以及铟所组成的一群组中的一元素，在所述ni-v族化合物半导体材料内的一v族化学元素选自由氮、磷、砷以及锑所组成的一群组中的一元素。22、如权利要求19所述的半导体结构组合，其特征在于所述基板一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的所述上表面具有取向为(0001)的一结晶面，所述半导体材料氮化镓，并且所述第一从优取向L」GaN。23、如权利要求22所述的半导体结构组合，其特征在于进一步包含一氮化镓薄膜，所述氮化镓薄膜在所述至少一个第一磊晶晶体、所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体形成的前覆盖在所述蓝宝石基板的所述上表面上o24、如权利要求23所述的半导体结构组合，其特征在于所述氮化镓薄膜具有厚度至少为200A的一厚度。25、如权利要求22所述的半导体结构组合，其特征在于所述制程条件包含一制程温度105(TC以及一制程压力200torrs。26、一种制造供一半导体光电组件磊晶用的一半导体结构组合的方法，其特征在于，所述方法包含下列步骤制备一基板，所述基板具有一上表面以及形成于所述上表面上的一凹陷，其中所述凹陷的侧壁提供一半导体材料往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点，所述凹陷的一底部提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的一第二成核点，邻接所述凹陷的平坦区域提供所述半导体材料往所述第一从优取向成长的至少一个第三成核点；在一制程条件下，在所述第一成核点成核所述半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体并且往所述第一从优取向成长所述第一磊晶晶体；在所述制程条件下，在所述第二成核点成核所述半导体材料中的一第二磊晶晶体并且往所述第一从优取向成长所述第二磊晶晶体；以及在所述制程条件下，在所述第三成核点成核所述半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体并且往所述第一从优取向成长所述第三磊晶晶体；其中所述至少一个第一磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体在所述制程条件下往所述第一从优取向持续成长以形成一层所述半导体材料覆盖所述基板，并且一封闭的孔洞形成于所述凹陷的一顶部。27、如权利要求26所述的方法，其特征在于所述基板由选自由硅、玻璃、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝以及四氧化镁二铝所组成的一群组中的其一所形成。28、如权利要求26所述的方法，其特征在于所述半导体材料一III-V族化合物半导体材料，其中在所述III-V族化合物半导体材料内的一III族化学元素选自由硼、铝、镓以及铟所组成的一群组中的一元素，在所述III-V族化合物半导体材料内的一V族化学元素选自由氮、磷、砷以及锑所组成的一群组中的一元素。29、如权利要求26所述的方法，其特征在于所述基板一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的所述上表面具有取向为(0001)的一结晶面，所述半导体材料氮化镓，并且所述第一从优取向L」GaN。30、如权利要求29所述的方法，其特征在于进一步包含一氮化镓薄膜，所述氮化镓薄膜在所述至少一个第一磊晶晶体、所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体形成的前覆盖在所述蓝宝石基板的所述上表面上。31、如权利要求30所述的方法，其特征在于所述氮化镓薄膜具有厚度至少为200A的一厚度。32、如权利要求29所述的方法，其特征在于所述制程条件包含一制程温度105(TC以及一制程压力200torrs。33、一种供一半导体光龟组件磊晶用的半导体结构组合，其特征在于，所述半导体结构组合包含一基板，所述基板具有一上表面以及形成于所述上表面上的一凹陷，其中所述凹陷的侧壁提供一半导体材料成长的至少一个第一成核点，所述凹陷的一底部提供所述半导体材料成长的一第二成核点，邻接所述凹陷的平坦区域提供所述半导体材料成长的至少一个第三成核点；所述半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体，所述第一磊晶晶体形成于所述第一成核点；所述半导体材料中的一第二磊晶晶体，所述第二磊晶晶体形成于所述第二成核点；以及所述半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体，所述第三磊晶晶体形成于所述第三成核点；其中所述至少一个第三磊晶晶体形成一层所述半导体材料以覆盖所述基板，所述至少一个第一磊晶晶体位于所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体之间。34、如权利要求33所述的半导体结构组合，其特征在于所述基板由选自由硅、玻璃、氮化镓、氮化铝、蓝宝石、尖晶石、碳化硅、砷化镓、三氧化二铝、二氧化锂镓、二氧化锂铝以及四氧化镁二铝所组成的一群组中的其一所形成。35、如权利要求33所述的半导体结构组合，其特征在于所述半导体材料一III-V族化合物半导体材料，其中在所述III-V族化合物半导体材料内的一ni族化学元素选自由硼、铝、镓以及铟所组成的一群组中的一元素，在所述III-V族化合物半导体材料内的一V族化学元素选自由氮、磷、砷以及锑所组成的一群组中的一元素。36、如权利要求33所述的半导体结构组合，其特征在于所述基板一蓝宝石基板，所述蓝宝石基板的所述上表面具有取向为(0001)的一结晶面，所述半导体材料氮化镓。37、如权利要求36所述的半导体结构组合，其特征在于进一步包含一氮化镓薄膜，所述氮化镓薄膜在所述至少一个第一磊晶晶体、所述第二磊晶晶体及所述至少一个第三磊晶晶体形成的前覆盖在所述蓝宝石基板的所述上表面上。38、如权利要求37所述的半导体结构组合，其特征在于所述氮化镓薄膜具有厚度至少为200A的一厚度。全文摘要本发明公开了一种供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合及其制程。本发明的半导体结构组合包含一基板及一半导体材料。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供该半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料中的一第二磊晶晶体往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。文档编号H01L33/00GK101350388SQ200710139180公开日2009年1月21日申请日期2007年7月20日优先权日2007年7月20日发明者程志青,蔡宗良申请人:广镓光电股份有限公司