光电子器件和其制造方法与流程

本发明涉及一种具有至少一个光学功能层结构的光电子器件和一种用于制造这样的光电子器件的方法。

背景技术：

发射光的光电子器件例如可以是发光二极管（LED）或有机发光二极管（OLED）。OLED可以具有阳极和阴极与它们之间的有机功能层系统。有机功能层系统可以有一个或多个发射体层（其中产生电磁辐射），分别由两个或更多个用于载流子对生成的载流子对生成层（“电荷产生层”，CGL）构成的载流子对生成层结构，以及一个或多个电子阻挡层、也被称为空穴传输层（“空穴传输层”-HTL），和一种或多种空穴阻挡层，也被称为电子传输层（“电子传输层” -ETL），以便调整通过电流。

有机功能层系统由于其湿气敏感性而需要保护层、例如整个表面沉积的电绝缘的薄膜封装。该保护层大多使得以下困难，即提供光电子器件与系统的机械稳定的和良好导电的连接，在该系统中运行光电子器件。具有有机层的直的光电子器件、诸如有机发光二极管、有机太阳能电池或有机传感器需要尽可能机械稳定的和良好导电的外部连接。

由于基于有机层的光电子器件所具有的高灵敏度，为了尽可能成本适宜的生产所需要的是，在制造光电子器件之后、特别是在沉积薄膜封装之后立即光电地测量光电子器件。由此可以避免特别是附加成本，所述附加成本在可能有损的或甚至有缺陷的光电子器件的进一步处理中形成。

多个光电子器件、例如LED和/或OLED经常共同组合成一个光电子组件并且共同运行。在此有利的是，能够实现多个光电子器件的尽可能无边框的布置。各个光电子器件的无源边缘区域在此应保持得尽可能小。由此有利地能够实现光电子组件利用光电子器件的高填充系数。

传统上已知的是，通过金属化的接触面从外部电气并且机械地连接光电子器件。这样的金属化的接触面大多占据光电子器件的边缘区域中的面积。为了已知的光电子器件的外部的电连接，大多整个表面淀积的薄膜封装例如借助激光剥离被除去。然后，例如通过ACF接合、（US）焊接、（US）熔焊或粘贴例如柔性电路板、金属条带或电缆构造可焊接的接触。然而，在此不利地形成附加界面，其增加光电子器件的接触电阻并且因此能够不利地降低光电子器件的效率。还存在以下风险，由于附加界面降低光电子器件的机械稳定性。

常规光电子器件还具有的缺点是，所述光电子器件由于其整面沉积的电绝缘的薄膜封装在其制造之后不能直接被电接触。在制造方法中尽快的关于光电子器件功能的光电检查因此不利地是不可以的。光电子器件的光电失效由此在其制造之后未知地被进一步处理，这不利地造成附加的生产成本。

另外，通常用于外部电连接的接触面成比例地降低了光电子器件的有源区，并不利地防止多个光电子器件横向并排地无边框地布置成一个光电子组件。特别是可以将以下区域视为光电子器件的有源区，所述区域适合和/或被设置用于辐射发射和/或辐射探测。

技术实现要素：

本发明的任务是说明一种光电子器件,其具有尽可能高的效率和/或高的机械稳定性和/或其特征特别是在于有源区在光电子器件的总面积中的尽可能高的份额,和/或其特别是能够实现多个光电子器件并排的尽可能无边框的布置。

本发明的另一任务是说明一种用于制造光电子器件的方法，该方法能够简单和/或成本适宜地被执行，和/或该方法特别是能够实现在生产过程中及早地识别有损的和/或有缺陷的光电子器件。

该任务根据本发明的一个方面由一种光电子器件解决，该光电子器件具有：第一导电接触层，第一导电接触层上的电绝缘层，电绝缘层上的第二导电接触层，第二导电接触层上的第一导电电极层，第一导电电极层上的至少一个光学功能层结构和光学功能层结构上的第二导电电极层。第二导电接触层具有第一凹部。所述电绝缘层具有第二凹部，其与第一凹部重叠。在第一凹部中并且在第二凹部中布置有导电的通孔接触，该通孔接触被引导至第一导电接触层。导电的通孔接触与第二导电接触层电绝缘。

光电子器件因此在其结构中具有拥有重叠布置的层的层堆。第一导电接触层、电绝缘层和第二导电接触层特别是用作载体层结构。第一导电电极层、光学功能层结构和第二导电电极层优选用作光电子结构。

特别是，第一导电接触层在横向方向上在电绝缘层的背向光电子结构的侧上延伸。同样，第二导电接触层在横向方向上在电绝缘层的背向光电子结构的侧上延伸。载体层结构因此由多层结构构成，其中所述层在垂直方向上至少部分地利用第一凹部、第二凹部和通孔接触穿过。

载体层结构的各个层，特别是第一导电接触层、电绝缘层和第二导电接触层优选地近似经过光电子器件的整个横向范围延伸。例如，各个层在整个光电子器件的横向范围的大于90％、大于95％、例如除了凹部和/或绝缘在该横向范围的100％上延伸。

导电的通孔接触此外用于电接触光电子结构，该通孔接触被引入在载体层结构的第一凹部和第二凹部中。到光电子结构的电连接因此不如传统常规那样通过光电子器件的边缘区域中的接触面来提供。特别是，在此电连接基于导电的通孔接触至少部分地集成在载体层结构中。穿过载体层结构的相应层的电连接也可以借助两个或更多个通孔接触构造。特别是，光电子器件可以在相应的凹部中具有两个或更多个通孔接触，借助所述通孔接触，导电电极层与相应的导电接触层电耦合。

光电子结构的所述集成的导电连接有利地基于电连接中的尽可能少数量的电界面实现光电子器件的效率提高。特别是集成的导电连接具有低接触电阻。集成到载体结构层中的导电连接此外有利地具有高的机械抗拉强度，并且因此有利地提高光电子器件的机械稳定性。此外，由于集成的导电连接、特别是由于光电子结构的边缘区域中的缺乏的接触面，本光电子器件的特征在于有源区的尽可能大的面积。由此，此外能够实现多个光电子器件并排的近似无边框的布置，例如用于提供具有多个横向彼此相邻布置的光电子器件的光电子组件。

光电子结构被设置用于实现电产生的数据或能量转换成光辐射或者相反地转换。例如，光电子结构是OLED、有机太阳能电池或有机传感器。

导电的通孔接触优选在垂直方向上完全填充第一凹部和第二凹部。第二导电接触层因此具有平坦的并且平面的主面，其中在一个主面的侧上布置有光电子结构，并且在另一主面的侧上布置有电绝缘层。同样，电接触层优选地具有平坦的并且平面的主面，其中在一个主面的侧上布置有第一导电接触层，并且在另一主面的侧上布置有第二导电接触层。换句话说，通孔接触一体地集成在载体层结构的层中。特别是将材料决定的过渡和/或两个部件的齐平布置和/或缺失的联接元件、连接元件、插头或两个部件之间的被焊接的接触视为“一体地集成”。

根据一种改进方案，第一导电电极层与第二导电接触层导电连接。第二导电电极层通过导电的通孔接触与第一导电接触层导电连接。

因此，通过第一导电电极层和第二导电接触层形成光学功能层结构的第一电连接，所述第一导电电极层和第二导电接触层例如直接相叠地布置并且因此直接电气和机械接触。光学功能层结构的第二电连接通过经过载体层结构的层的通孔接触形成。因此有利地提供简单的却机械稳定的具有低的接触电阻的电连接。

根据一种改进方案，一体地构造导电的通孔接触和第二导电电极层。优选地，导电的通孔接触和第二导电电极层彼此直接接触。一体的构造特别是应理解成，导电的通孔接触和第二导电电极层由相同材料构成和/或在共同的方法步骤中被施加和/或提供两个部件的无过渡的连接。通过一体的构造可以有利地进一步改进机械稳定性和低的接触电阻。

根据一种改进方案，第一导电接触层、电绝缘层和第二导电接触层被构造为薄膜层压件。特别是，如当前包括多个平面相叠层状的薄膜的载体层结构的特征在于其特别小的厚度和/或其柔韧的机械特性。优选地，薄膜层压件具有2μm（含）和1000μm之间、优选10μm（含）和500μm之间、特别优选50μm（含）和200μm之间的范围内的厚度。薄膜层压件优选地具有不能弯曲直至例如500mm、例如20mm、例如1mm的弯曲半径的弯曲强度。

替代地可以的是，载体层结构由两侧被金属化的薄膜、例如塑料薄膜构成。此外，替代地可以的是，载体层结构由金属薄膜构成，在该金属薄膜上施加有绝缘层和/或漆层，在所述绝缘层和/或漆层上又施加有金属化部。

根据一种改进方案，用于电绝缘的漆层被布置在导电的通孔接触和第二导电接触层之间。这样的漆层能够实现在第二导电接触层的第一凹部的区域中的简单并且节省空间的电绝缘。特别是第一凹部的内壁具有漆层。换句话说，第一区别的内壁利用漆层涂覆，使得导电的通孔接触和第二导电接触层之间的直接地电接触被禁止。

根据一种改进方案，在第二导电接触层和第一导电电极层之间布置有缓冲层，该缓冲层有利地具有平坦化和/或封装的功能。为了第二导电接触层和第一导电电极层之间的电连接，缓冲层优选地具有通孔，在该通孔中引入导电材料。

根据一种改进方案，在第二导电电极层上布置有薄膜封装。这样的薄膜封装有利地保护器件的湿气敏感的、特别是有机层。薄膜封装优选地整面地沉积并且电绝缘。此外，薄膜封装例如可以以ALD涂层的形式布置在第一和/或第二凹部的内壁上。由此有利地形成特别是相对于电绝缘层、例如塑料薄膜的湿气屏障。

根据一种改进方案，第一导电接触层具有第三凹部。电绝缘层具有第四凹部，其与第三凹部重叠。在第三凹部中并且在第四凹部中，外部的导电连接被引至第二导电接触层，该第二导电接触层与第一导电接触层电绝缘。

换句话说，载体层结构的被嵌入的第二导电接触层借助第三和第四凹部通过载体层结构的下部层露出，使得第二导电接触层能够从下侧被电接触。

从载体层结构的下侧的电接触有利地能够在制造光电子器件之后立即实现外部的电接触。为了外部接触，有利地省去薄膜封装的去除。在制造之后立即特别是意味着，在将光电子器件从复合体分离成单个器件之前和/或在至少局部地去除薄膜封装之前。有利地能够实现相较于常规的光电子器件及早的外部的电接触。光电子器件中的失效因此可以在生产过程中被及早识别，由此在失效的情况下取消进一步的工艺步骤、诸如用于制造至总系统的合适的接触接口的工艺步骤和由此决定的附加成本。

根据一种改进方案，光电子器件具有在第二导电电极层上的至少一个第三导电电极层，在第二导电接触层上的至少一个第三导电接触层，在第二导电接触层和第三导电接触层之间的至少一个第二电绝缘层，至少一个另外的凹部和至少一个另外的导电的通孔接触。

换句话说，光电子层结构具有多个相叠堆叠的电极层并且优选地具有多个相叠堆叠的光学功能层结构。载体层结构具有多个相叠堆叠的导电接触层，所述导电接触层分别通过电绝缘层彼此电绝缘。为了将导电电极层与相应的所分配的导电接触层电连接，在载体层结构的各个层中构造有相应的凹部并且优选地分别构造一个引入所述凹部中的通孔接触。

通过载体层结构的所述多个堆叠的层，多个光学功能层结构可以彼此无关地简单地并且机械稳定地被电接触。

根据一种改进方案，导电电极层中的至少一个和/或光学功能层结构被横向分块并且载体层结构垂直相叠地具有多个彼此电分离的、用于电接触各个横向并排布置的分块的导电接触层。为了电绝缘，在各个导电接触层之间构造有电绝缘层。

例如光电子器件具有分块、特别是多个OLED元件。OLED元件例如可以电并联和/或分享至少一个共同电极。例如两个OLED元件具有相同的第一导电电极层，但是具有彼此分离的光学功能层结构和第二导电电极层的相应彼此分离的分块，所述分块分别与彼此分离的相叠布置的接触层导电连接。

根据一种改进方案，为每个电极层分配用于电接触的导电接触层中的至少一个并且与其电连接。换句话说，优选地为每个OLED分块和/或每个导电电极层分配载体层结构的导电接触层中的至少一个。在此，至少一个通孔接触将每个通过电绝缘层分离的导电接触层与相应OLED分块的所分配的电极层连接。也可以为一个OLED分块分配多个通孔接触。换句话说，一个或多个分块可以分别具有两个或更多个通孔接触。

通过光电子器件的这样构造的电连接，有利地可以如此大地最小化光电子器件的无源边缘区域，使得多个光电子器件并排的几乎无边框的布置是可以的。如果例如多个光电子器件横向并排地布置成一个光电子组件，则可以实现具有尽可能小的横向范围的光电子器件。借助合适设计的可以可选地具有被磁化的区域的基板，可以特别简单地制造各个光电子器件与光电子组件的电和机械连接。对此，基板优选地在载体层结构的下侧的裸露部位处具有合适的导电相对接触部，在所述裸露部位处构造有相应的凹部和通孔接触。

如果基板具有被磁化的区域，则载体层结构的导电接触层优选地能够磁化。由此有利地能够实现光电子器件在基板上的简单的电和机械固定。

根据一种改进方案，在载体层结构中集成用于电和/或机械连接的侧面的端子。优选地，侧面的端子借助激光切割来构造。侧面的端子可以根据其极性或至相应光电子器件或OLED分块的分配被机械编码和/或具有锁定功能和/或是弯曲的，优选地向下或向上。编码和/或锁定功能有利地防止极性混淆和/或能够实现简单的插塞连接。弯曲的侧面端子有利地能够实现多个光电子器件并排的几乎无边框的布置。

该任务此外通过一种用于制造光电子器件的方法来解决，其中构造第一导电接触层，在第一导电接触层上构造电绝缘层，在电绝缘层上构造第二导电接触层，在第二导电接触层中构造第一凹部，在电绝缘层中构造与第一凹部重叠的第二凹部，在第一凹部和第二凹部中构造导电的通孔接触。导电的通孔接触与第一导电接触层导电连接并且相对于第二导电接触层电绝缘。此外，在第二导电接触层上构造第一导电电极层，在第一导电电极层上构造至少一个光学功能层结构，和在光学功能层结构上构造第二导电电极层。

换句话说，当前构造具有相叠布置的层的层堆。在此，在施加各个层之间，至少部分地在所设置的各个层中构造凹部和通孔接触。由此有利地能够实现至少一个在层中集成的导电连接。有利地能够实现机械稳定的并且简单制造的导电连接。此外，因此提供一种尽可能节省空间的导电连接，由此特别是能够实现多个这样制造的光电子器件的尽可能近的布置。

此外，通过集成的导电连接，能够直接在制造光电子器件之后实现外部的电连接。为了外部的电连接，有利地省去薄膜封装的至少区域的去除。因此可以在生产过程中及早地确定所制造的光电子器件的失效，由此可以防止所述失效的进一步处理和由此决定的不必要的其他成本。因此该制造方法能够简单和/或成本适宜地被执行，和/或能够实现有损的和/或有缺陷的光电子器件的及早识别。

根据一种改进方案，第一凹部和第二凹部同时地特别是在共同的方法步骤中构造。因此有利地保证第一凹部和第二凹部的重叠。

根据一种改进方案，特别是电绝缘层中的凹部借助机械钻孔、激光钻孔或光化学方法来构造。这样的方法对专业人员已知并且因此在此不详细讨论。此外，所述方法能够实现凹部的简单的、精确的和/或成本适宜的制造。

根据一种改进方案，第二导电电极层和导电的通孔接触同时地特别是在共同的方法步骤中构造。特别是，因此第二导电电极层和导电的通孔接触由相同材料形成并且具有一体的设计方案。由此有利地减少电界面的数量，由此有利地减小接触电阻。

根据一种改进方案，通过以下方式构造第一导电接触层、电绝缘层和第二导电接触层，即提供电绝缘层并且在电绝缘层上两侧地构造、优选地涂覆第一导电接触层和第二导电接触层。载体层结构当前例如由两侧涂覆的电绝缘层构成，例如由两侧金属化的塑料薄膜构成。因此能够实现载体层结构的简单和/或不复杂的制造。

根据一种替代的改进方案，通过以下方式构造第一导电接触层、电绝缘层和第二导电接触层，即提供导电接触层之一并且在所述一个所提供的导电接触层上构造电绝缘层。随后在电绝缘层上构造导电接触层中的另一个。例如载体层结构借助薄膜层压来制造，例如利用PSA（压敏胶）或液体粘合剂来制造。因此能够实现载体层结构的简单和/或不复杂的制造。

根据一种改进方案，在第二导电接触层上构造至少一个第二电绝缘层。此外，在第二电绝缘层上构造至少一个第三导电接触层。构造至少一个另外的凹部和至少一个另外的导电的通孔接触。在第二导电电极层上构造至少一个第三导电电极层。

根据一种改进方案，导电电极层中的至少一个和/或光学功能层结构被横向分块。例如第二导电电极层整面地构造并且随后被分块。替代地，第二导电电极层可以已经分块地构造。

优选地，载体层结构具有多个优选未被分块的、彼此电绝缘的导电接触层，使得多个光电子器件和/或光电子器件的各个分块能够有利地与载体层结构导电并且彼此无关地连接。为了各个导电接触层之间的电绝缘可以分别使用电绝缘层。因此例如能够有利地实现光电子组件的制造，该光电子组件具有多个布置在载体层结构上的光电子器件。

有关载体层结构、光学功能层结构、光电子器件、光电子组件和/或其各部件的替代实施方案和/或优点已经在本申请中在更上面结合相应产品阐述并且自然在制造方法中使用，无需在此再次详尽地阐述。

附图说明

本发明的实施例在附图中示出并且在下面详细地解释。

其中：

图1A示出常规光电子器件的侧面截面图；

图1B示出常规光电子器件的侧面截面图；

图1C示出常规光电子器件的侧面截面图；

图2A示出光电子器件的一个实施例的侧面截面图；

图2B示出图2A的光电子器件的实施例的载体层结构的俯视图；

图3示出光电子器件的一个实施例的侧面截面图；

图4A示出具有外部接触的光电子器件的一个实施例的侧面截面图；

图4B示出图4A的光电子器件的实施例的基板的俯视图；

图5分别示出在制造方法中的光电子器件的一个实施例的侧面截面图；

图6示出光电子器件的一个实施例的层结构的细节截面图。

具体实施方式

在随后详细的描述中参考所附的附图，所述附图构成说明书的一部分并且在所述附图中为了阐明示出特定的实施例，在所述实施例中可以实施本发明。在此方面，方向术语，诸如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面的”、“后面的”等参考所描述的图的定向使用。因为实施例的部件可以以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于阐明并且不以任何方式进行限制。易于理解的是，可以使用不同实施例并且进行结构或逻辑的变化，而不偏离本发明的保护范围。易于理解的是，在此描述的不同实施例的特征可以相互组合，只要没有特别其他说明。因此不应该限制性地理解以下详细的描述，并且本发明的保护范围通过所附的权利要求来限定。

在该说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦合”被用于描述直接以及间接的连接、直接或间接的联接以及直接或间接的耦合。在附图中，相同或相似的元件配备相同的附图标记，只要这是适宜的。光电子组件可以具有一个、两个或更多个光电子器件。可选地，光电子组件也可以具有一个、两个或更多个光电子器件。光电子器件例如可以具有有源和/或无源器件。有源电子器件例如可以具有计算单元、控制单元和/或调节单元和/或晶体管。无源电子器件例如可以具有电容器、电阻、二极管或线圈。

光电子器件可以是发射电磁辐射的器件或吸收电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件例如可以是太阳能电池或光探测器。发射电磁辐射的器件可以在不同的实施例中是发射电磁辐射的半导体器件和/或被构造为发射电磁辐射的二极管、发射电磁辐射的有机二极管、发射电磁辐射的晶体管或发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如可以是可见范围内的光、UV光和/或红外光。在该上下文中，发射电磁辐射的器件例如可以被构造为发光二极管（LED）、有机发光二极管（OLED）、发光晶体管或有机发光晶体管。发光器件可以在不同的实施例中是集成电路的一部分。此外，可以设置多个发光器件，例如将其安置在共同的壳体中。

图1A示出常规光电子器件1。常规光电子器件1具有载体12、例如衬底。在载体12上构造光电子层结构。

光电子层结构具有第一导电层14，第一导电层具有第一接触部段16、第二接触部段18和第一导电电极层20。第二接触部段18与光电子层结构的第一导电电极层20电耦合。第一导电电极层20借助电绝缘屏障21与第一接触部段16电绝缘。在第一导电电极层20上构造有光电子层结构的光学功能层结构、例如光学功能层结构22。光学功能层结构22例如可以具有一个、两个或更多个子层，如更下面参考图6详细解释的那样。在光学功能层结构22上构造有光电子层结构的第二导电电极层23，该第二导电电极层与第一接触部段16电耦合。第一导电电极层20例如用作光电子层结构的阳极或阴极。第二导电电极层23与第一导电电极层20相对应地用作光电子层结构的阴极或阳极。

在第二导电层结构23上并且部分地在第一接触部段16上并且部分地在第二接触部段18上构造有光电子层结构的封装层、特别是薄膜封装24，该封装层将光电子层结构封装。在薄膜封装24中，在第一接触部段16上构造有薄膜封装24的第一凹部并且在第二接触部段18上构造有薄膜封装24的第二凹部。在薄膜封装24的第一凹部中，第一接触区域32裸露，并且在薄膜封装24的第二凹部中，第二接触区域34裸露。第一接触区域32用于电接触第一接触部段16并且第二接触区域34用于电接触第二接触部段18。

在薄膜封装24上构造有粘附剂层36。粘附剂层36例如具有粘附剂、例如粘合剂、例如层压粘合剂、漆和/或树脂。在粘附剂层36上构造有覆盖体38。粘附剂层36用于将覆盖体38固定在薄膜封装24上。覆盖体38例如具有玻璃和/或金属。例如覆盖体38可以基本上由玻璃构成并且在玻璃体上具有薄的金属层、例如金属薄膜和/或石墨层、例如石墨层压件。覆盖体38用于保护常规光电子器件1，例如以免从外部的机械力作用。此外，覆盖体38可以用于分布和/或散发在常规光电子器件1中产生的热。例如覆盖体38的玻璃可以用作保护以免外部作用，并且覆盖体38的金属层可以用于分布和/或散发在运行常规光电子器件1中形成的热量。

常规光电子器件1例如可以由器件复合体通过以下方式分割成，即沿着载体的在图1A中侧面示出的外边缘划刻并且然后折断载体12并且一样沿着覆盖体的在图1A中示出的侧面外边缘划刻并且然后折断覆盖体38。在该划刻和折断中，移去接触区域32、34上的薄膜封装24。随后，第一接触区域32和第二接触区域34可以在进一步的方法步骤中被裸露，例如借助剥离工艺、例如借助激光剥离、机械刮刻或蚀刻方法。

在图1B和1C中示出常规光电子器件和其可能的外部的机械和电接触。

图1B示出常规光电子器件1，其例如可以在很大程度上对应于在前面解释的常规光电子器件1。常规光电子器件1具有例如由玻璃构成的载体12，在该载体上施加有常规光电子器件1的多个层。在载体12上构造有第一导电电极层20。在第一导电电极层20上构造有光学功能层结构22。在光学功能层结构22上构造有第二导电电极层23。在第二导电电极层23上构造有薄膜封装24。

为了外部的电接触，在载体12上在第一导电电极层20的侧面旁边构造有第一接触部段32和第二接触部段34。第一接触部段32与第二导电电极层23导电并且机械连接。第二接触部段34相应地与第一导电电极层20导电并且机械连接。为了电绝缘，在第一导电电极层20和第二导电电极层23之间构造有绝缘屏障21，第二导电电极层23此外在光学功能层结构22的侧面沿着载体12的方向引导。在制造方法中整面沉积的薄膜封装24在接触区域32、34中被去除，在所述接触区域中与第一和/或第二导电电极层20、23的电连接是必需的。

因此，常规光电子器件1的外部的电和机械连接通过大多被金属化的接触区域32、34实现，所述接触区域占据常规光电子器件1的边缘区域中的面积。在外部电连接之前，强制必需的是例如借助激光剥离局部地去除整面沉积的薄膜封装24，使得形成接触区域32、34。通常通过ACF接合、（US）焊接、（US）熔焊或粘贴例如柔性电路板、金属条带或电缆构造可焊接的外部接触。

这样的外部电连接可以具有以下缺点，附加的电界面可以提高接触电阻并且因此降低器件效率以及可能是潜在机械不稳定的。此外，常规光电子器件1不能在其制造之后、特别是在沉积薄膜封装24之后立即被电接触，使得可能的是在识别光电失效之前还进一步处理所述光电失效，由此可能不利地形成附加的生产成本。此外，接触区域32、34能够按比例地减小常规光电子器件1的有源区并且因此阻止多个常规光电子器件1并排的无边框的布置。

图1C示出常规光电子器件1，其例如可以在很大程度上对应于在前面解释的常规光电子器件1。常规光电子器件1具有例如由金属构成的载体12。为了确保第一导电电极层20和载体12之间的电绝缘，在载体12上整面地施加电绝缘的缓冲层104。替代于此，缓冲层104也可以仅仅覆盖载体12的部分区域。

图2A示出光电子器件10的一个实施例。光电子器件10具有第一导电电极层20、光学功能层结构22、第二导电电极层23、电绝缘的缓冲层104和薄膜封装24。

光学功能层结构22例如可以具有一个、两个或更多个子层，如更下面参考图6详细解释的那样。第一导电电极层20例如用作光电子器件10的阳极或阴极。第二导电电极层23与第一导电电极层20相对应地用作光电子器件10的阴极或阳极。

光电子器件10此外具有多层构造的载体层结构。特别是，载体层结构具有第一导电接触层101、在第一导电接触层101上构造的电绝缘层102和在电绝缘层102上构造的第二导电接触层103，所述层直接相叠地构造为层堆。因此，载体层结构由两个导电的平行构造的接触层101、103构成，其通过电绝缘层102彼此电分离。所述层横向地、特别是二维地和/或平面地和/或在平面中在光电子器件10的基面的大部分上、例如在光电子器件10的大于90%、大于95%、例如除了凹部之外100%上、即在整个基面上延伸。

优选地，载体层结构具有2μm（含）和1000μm之间、优选10μm（含）和500μm之间、特别优选50μm（含）和200μm之间的范围内的厚度。载体层结构优选地具有不能弯曲直至例如500mm、例如20mm、例如1mm的弯曲半径的弯曲强度。

第二导电接触层103具有第一凹部110。电绝缘层102具有与第一凹部110重叠的、特别是直接在第一凹部110之下构造的第二凹部111。第一凹部110在垂直方向上直接转变成第二凹部111。因此第一凹部110和第二凹部111可以被视为共同的凹部，其经过第二导电接触层103和电绝缘层102延伸。

在第一凹部110中并且在第二凹部111中布置有导电的通孔接触112。导电的通孔接触112在垂直方向上完全地、特别是无边框地和/或无缝隙地填充凹部110、111。为了电绝缘，凹部110、111在侧面处具有电绝缘层、例如漆层或电绝缘的缓冲层104。

通孔接触112将第一导电接触层101与第二导电电极层23导电连接。对此，将第二导电电极层23的导电材料引入第一和第二凹部110、111中。通孔接触112和第二导电电极层23因此是一体构造的。第二导电接触层103借助另外的凹部和在其中布置的穿过缓冲层104的另外的通孔接触113与第一导电电极层20导电连接。对此，第一导电电极层20的导电材料优选地相应被引入缓冲层104的另外的凹部中并且与第一导电电极层20一体地构造。

光电子器件10的外部电连接当前即通过多层的载体层结构实现，在该载体层结构中彼此电绝缘地集成有导电接触层101、103。特别是外部电连接单片地集成在载体层结构中。

在载体层结构中集成的电接触导板能够在制造光电子器件10之后立即实现从光电子器件10的下侧的外部电接触。特别是为了外部电接触不必要的是，至少局部地去除在光电子器件10的上侧上的整面沉积的薄膜封装24。由此能够在生产光电子器件10中及早地实现功能检查。因此可以及早地在生产过程中识别光电子器件10的可能的失效和/或缺陷。省去用于制造合适的外部接触接口的其他工艺步骤。

载体层结构、特别是第一导电接触层101、电绝缘层102和第二导电接触层103被构造为薄膜层压件。这意味着，载体层结构的各个层是相叠层压的薄膜。

光电子器件10是顶部发射器或顶部接收器。光电子器件10是OLED。

替代于上面讨论的光电子器件10，光电子器件10可以被分块，特别是被划分成具有电分离的电极层的多个分块。在此，为每个另外的器件分块分配载体层结构的至少一个另外的导电接触层。经过载体层结构的相应层的至少一个另外的凹部将每个通过另外的电绝缘层分离的导电接触层与所分配的导电电极层连接。

此外，替代于上面讨论的光电子器件10，多个光电子器件10可以组合和/或并排地布置成一个光电子组件。基于在载体层结构中集成的外部电连接，有利地可以如此大地最小化各个光电子器件10的无源边缘区域，使得多个光电子器件10能够几乎无边框地布置。

此外，替代于上面讨论的光电子器件10，载体层结构可以由两侧金属化的塑料薄膜构成。塑料薄膜在此在两侧配备金属涂层，该金属涂层分别构成相应的接触层。

此外，替代于上面讨论的光电子器件10，载体层结构可以由柔韧的电路板构成。由此有利地能够实现光电子器件10的简单的外部的电和机械连接。

此外替代地，不强制必需的是，第一凹部110和第二凹部111彼此无过渡地转变。特别是凹部110、111可以仅仅局部地重叠。在此，仅必需的是，可以彼此相邻地构造第一和第二凹部的填充物，使得能够实现第二导电电极层23和第一导电接触层101之间的导电连接。

附加地，在载体层结构中可以构造两个或更多个通孔接触。这些通孔接触可以用于电接触光电子器件10、光电子器件10的分块和/或多个光电子器件10。

此外替代地，可以在薄膜封装24上构造粘附剂层。粘附剂层例如具有粘附剂、例如粘合剂、例如层压粘合剂、漆和/或树脂。在粘附剂层上可以构造有覆盖体。粘附剂层用于将覆盖体固定在薄膜封装24上。覆盖体例如具有玻璃和/或塑料。例如覆盖体可以基本上由玻璃构成并且具有薄的塑料层、例如塑料薄膜。覆盖体用于保护光电子器件10，例如以免从外部的机械力作用。此外，覆盖体可以用于分布和/或散发在光电子器件10中产生的热。

此外替代地，光电子器件10可以由器件复合体通过以下方式分割成，即沿着载体层结构的外边缘划刻并且然后折断载体层结构并且可选地一样沿着外边缘划刻并且然后折断覆盖体。

图2B示出图2A的光电子器件10的载体层结构的俯视图。为了外部的电和/或机械连接，在载体层结构中集成有侧面的接触区域114、115。侧面布置的接触区域114、115可以根据其极性或至相应器件的分配被机械编码和/或具有锁定功能和/或向下或上弯曲。编码和/或锁定功能有利地防止极性混淆和/或能够实现简单的外部的插塞连接。弯曲的接触区域114、115能够实现多个光电子器件10并排的几乎无边框的布置，例如用于提供一个光电子组件。

图3示出光电子器件10的一个实施例，该光电子器件例如可以在很大程度上对应于在图2A中示出的光电子器件10。光电子器件10特别是具有第一导电电极层20、光学功能层结构22、第二导电电极层23、电绝缘的缓冲层104、薄膜封装112、凹部110、111和导电的通孔接触112。

与在图2A中描述的实施例不同，在载体层结构中，在第一导电接触层101中构造第三凹部123并且在电绝缘层102中构造第四凹部124。第三凹部123和第四凹部124直接彼此相邻地并且直接相叠地构造，使得第三和第四凹部123、124共同构造载体层结构的另外的凹部117。所述凹部117用于从载体层结构的下侧外部地导电连接第二导电接触层103。下侧特别是载体层结构的背向光学功能层结构的侧。在凹部117的内壁处构造有电绝缘层118，该电绝缘层被设置用于电绝缘至载体层结构的第一导电接触层的外部的导电连接。

光电子器件10的替代的或附加的实施方案已经结合图2A的实施例阐述并且自然相应地在图3的实施例中使用，无需在此再次详尽阐述。

图4A示出光电子器件10的一个实施例，该光电子器件例如在很大程度上对应于在图3中示出的光电子器件10。图4A的光电子器件10为了机械和电连接被设置在基板121上。优选电绝缘构造的基板121具有安装侧、第一导电接触元件119和第二导电接触元件120，光电子器件10能够安装在该安装侧上。第一导电接触元件119被设置用于延伸到载体层结构的凹部117中并且相应地与该凹部117匹配地构造。第二导电接触元件120用于从载体层结构的下侧外部地电连接第一导电接触层101。因此，基板121在载体层结构的裸露区域处具有用于外部电接触的合适的相对接触部。借助合适设计地基板121，可以简单地实现与光电子器件10的电和机械连接。对此，光电子器件10被接合到基板121上。

替代地，基板121可以仅仅具有导电接触元件119，其例如借助电绝缘层与基板121电绝缘地构造。在该情况下，基板121由导电材料构成并且因此通过在基板121上直接施加光电子器件10而承担第一导电接触层101的外部接触的功能。第二导电接触元件120因此有利地是不必需的。

此外替代地或附加地，基板121可以具有被磁化的区域122，其布置在基板121的朝向光电子器件10的侧上。载体层结构的导电接触层101、103当前是可磁化的，使得由此能够实现光电子器件10在基板121上的特别简单的机械固定。

图4B示出图4A的实施例的基板121、特别是被磁化的区域122的俯视图。图4B特别是示出基板121的安装侧的俯视图。

图5示出用于制造光电子器件10、例如在前面解释的光电子器件10的方法的流程图。

该方法用于简单和/或成本适宜地制造光电子器件10。特别是该方法能够基于从光电子器件的下侧及早可能外部电接触所制造的光电子器件10实现在生产过程中及早识别有损和和/或有缺陷的光电子器件10。

在步骤S1中，提供第二导电接触层103并且例如借助激光钻孔、机械钻孔或光化学方法对其进行结构化，使得形成第一凹部110。

在步骤S2中，借助例如利用PSA或液体粘合剂的衬底层压将电绝缘层102和第一导电接触层101施加在第二导电接触层103上，使得形成由载体层结构的直接相叠构造的层构成的层堆。与第一凹部110对应地，例如借助激光钻孔、机械钻孔或光化学方法将第二凹部111构造到电绝缘层102中。

在步骤S3中，例如借助ALD将电绝缘的缓冲层104整面地沉积在第二导电接触层103上和凹部110、111中。缓冲层104特别是构造薄膜屏障。

在步骤S4中，例如借助激光使载体层结构的被覆盖的层、特别是凹部110、111区域中的第一导电接触层101裸露。缓冲层104的材料在此优选地保留在凹部110、111的内壁中，使得因此实现与第二导电接触层103的电绝缘并且此外实现湿气屏障。

在步骤S5中，导电电极层20、光学功能层结构22、第二导电电极层23和薄膜封装24依次沉积在缓冲层104上。在此，整面地沉积第二导电电极层23，使得第二导电电极层23的材料被引入凹部110、111中，使得形成导电的通孔接触112，该通孔接触能够实现第二导电电极层23和第一导电接触层101之间的电连接。

薄膜封装24可以可选地在为此设置的区域中随后例如借助激光剥离被去除。侧面的接触区域可以附加地借助激光切割来构造。

光电子器件优选地在晶片复合体中制造。特别是在具有多个光电子器件的复合体中执行方法步骤S1至S4。在完成沉积复合体中的光电子器件的各个层之后，这些光电子器件优选地通过分割从该复合体中分离。在分割中，在光电子器件的各个层之间可以形成阶梯，如其例如在关于方法步骤S5的图中示出的那样。

替代于上面讨论的方法，载体层结构的凹部110、111可以在方法步骤S2中共同或同时构造。

此外替代地，载体层结构可以在方法步骤S1和S2中通过电绝缘层102、例如塑料薄膜来构造，该电绝缘层在两侧利用第一导电接触层101和第二导电接触层103来涂覆。

此外替代地，载体层结构可以通过多个彼此借助各一个电绝缘层而电绝缘的导电接触层来构造。光学功能层结构22在此分块地构造和/或在载体层结构上构造多个彼此相邻的光学功能层结构和/或构造多个相叠布置的光学功能层结构。为每个光学功能层结构或每个分块分配载体层结构的接触层，利用该接触层，这些光学功能层结构或分块通过凹部和通孔接触分别导电连接。

此外替代地，可以放弃方法步骤S3和S4。在该情况下，取消电绝缘的缓冲层104的施加和其结构化。第一导电电极层20在方法步骤S5中直接施加到第二导电接触层103上并且与第二导电接触层机械和电连接。此外，通孔接触112在凹部110、111中与第二导电接触层103电绝缘地引导，例如借助施加在凹部110、111的内壁处的电绝缘的漆层。

光电子器件10的替代的或附加的实施方案已经结合图2A的实施例阐述并且自然相应地在关于图5的制造方法中使用，无需在此再次详尽阐述。

图6示出光电子器件、例如前面解释的光电子器件10的一个实施例的层结构的细节截面图，其中多层的载体层结构在该细节图中作为载体12示出并且载体层结构上的光电子器件的电接触未示出。光电子器件10可以被构造为顶部发射器和/或底部发射器。如果光电子器件10被构造为顶部发射器和底部发射器，则光电子器件10可以被称为光透明的器件、例如透明的有机发光二极管。

光电子器件10具有载体12和载体12上的有源区。在载体12和有源区之间可以构造有未示出的第一屏障层、例如第一屏障薄层。有源区具有第一导电电极层20、光学功能层结构22和第二导电电极层23。在有源区上构造有薄膜封装24。薄膜封装24可以被构造为第二屏障层、例如第二屏障薄层。在有源区上并且必要时在薄膜封装24上布置覆盖体38。覆盖体38例如可以借助粘附剂层36布置在薄膜封装24上。

有源区是电的和/或光的有源区。有源区例如是光电子器件10的以下区域，在该区域中流动用于运行光电子器件10的电流和/或在该区域中产生或吸收电磁辐射。

光学功能层结构22可以具有一个、两个或更多个功能层结构单元和一个、两个或更多个在层结构单元之间的中间层。

载体12可以具有一个塑料薄膜或具有一个或多个塑料薄膜的层压件。塑料可以具有一种或多种聚烯烃。此外，塑料可以具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚醚砜（PES）和/或聚对萘二甲酸乙二醇酯（PEN）。载体12还可以具有金属、例如铜、银、金、铂、铁、例如金属化合物、例如钢。载体12可以被构造为金属薄膜或金属涂覆的薄膜。载体12可以是镜结构的一部分或构成镜结构。载体12可以具有机械刚性的区域和/或机械柔性的区域或这样地构造。

第一导电电极层20可以被构造为阳极或阴极。第一导电电极层20可以半透明或透明地构造。第一导电电极层20具有导电材料、例如金属和/或导电的透明氧化物（透明导电氧化物，TCO）或多个具有金属或TCO的层的层堆。第一导电电极层20例如可以具有在一层TCO上的一层金属的组合的层堆或在一层金属上的一层TCO的组合的层堆。一个示例是施加在铟锡氧化物层（ITO）上的银层（ITO上的Ag）或ITO-Ag-ITO多层。

作为金属例如可以使用Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或Li以及这些材料的化合物、组合或合金。

透明导电的氧化物是透明导电的材料，例如金属氧化物、诸如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物（ITO）。除了二元金属氧化合物、诸如ZnO、SnO₂或In₂O₃之外，三元金属氧化合物、诸如AlZnO、Zn₂SnO₄、CdSnO₃、ZnSnO₃、MgIn₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或In₄Sn₃O₁₂或不同透明导电的氧化物的混合物也属于TCO的组。

第一导电电极层20可以替代或附加于所述材料而具有：由金属纳米线和微粒、例如由Ag构成的网络，由碳纳米管、石墨烯微粒和层构成的网络和/或由半导体纳米线构成的网络。例如第一导电电极层20可以具有以下结构之一或由其构成：由与导电的聚合物组合的金属纳米线、例如Ag构成的网络，由与导电的聚合物组合的碳纳米管构成的网络和/或石墨烯层和复合物。此外，第一导电电极层20可以具有导电的聚合物或过渡金属氧化物。

第一导电电极层20例如可以具有10nm至500nm、例如25nm至250nm、例如50nm至100nm范围内的层厚。

第一导电电极层20可以具有第一电端子，在第一电端子上可以施加第一电位。第一电位可以由能量源（未示出）来提供，例如由电流源或电压源来提供。替代地，第一电位可以施加在载体12上并且通过载体12间接引导给第一导电电极层20。第一电位例如可以是地电位或其他预先给定的参考电位。

光学功能层结构22可以具有空穴注入层、空穴传输层、发射体层、电子传输层和/或电子注入层。

空穴注入层可以在第一导电电极层20上或之上来构造。空穴注入层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成：HAT-CN、Cu（I）pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi（III）pFBz、F16CuPc；NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；β-NPB（N，N’-二（萘-2-基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；螺旋 TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；螺旋 NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-螺旋）；DMFL-TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二甲基-芴）；DMFL-NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二甲基-芴）；DPFL-TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二苯基-芴）；DPFL-NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二苯基-芴）；螺旋-TAD（2，2’，7，7’-四（n，n-二苯胺）-9，9’-螺二芴）；9，9-二[4-（N，N-二-二苯基-4-基-氨基）苯基]-9H-芴；9，9-二[4-（N，N-二-萘-2-基-氨基）苯基]-9H-芴；9，9-二[4-（N，N’-二-萘-2-基-N，N’-二-苯基-氨基）-苯基]-9H-氟；N，N’-二（菲-9-基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺；2，7-二[N，N-二（9，9-螺旋-二芴-2-基）-氨基]-9，9-螺旋-二芴；2，2’-二[N，N-二（二苯基-4-基）-氨基]-9，9-螺旋-二芴；2，2’-二（N，N-二-苯基-氨基）-9，9-螺旋-二芴；二-[4-（N，N-联甲苯-氨基）-苯基]-环乙烷；2，2’，7，7’-四（N，N-二-甲苯基）氨基-螺旋-二芴；和/或N，N，N’N’-四-萘-2-基-联苯胺。

空穴注入层可以具有大约10nm至大约1000nm的范围内、例如大约30nm至大约300nm的范围内、例如大约50nm至大约200nm的范围内的层厚。

在空穴注入层上或之上可以构造有空穴传输层。空穴传输层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成：NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；β-NPB（N，N’-二（萘-2-基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；螺旋 TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺）；螺旋 NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-螺旋）；DMFL-TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二甲基-芴）；DMFL-NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二甲基-芴）；DPFL-TPD（N，N’-二（3-苯基甲基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二苯基-芴）；DPFL-NPB（N，N’-二（萘-1-基）-N，N’-二（苯基）-9，9-二苯基-芴）；螺旋-TAD（2，2’，7，7’-四（n，n-二苯胺）-9，9’-螺二芴）；9，9-二[4-（N，N-二-二苯基-4-基-氨基）苯基]-9H-芴；9，9-二[4-（N，N-二-萘-2-基-氨基）苯基]-9H-芴；9，9-二[4-（N，N’-二-萘-2-基-N，N’-二-苯基-氨基）-苯基]-9H-氟；N，N’-二（菲-9-基）-N，N’-二（苯基）-联苯胺；2，7-二[N，N-二（9，9-螺旋-二芴-2-基）-氨基]-9，9-螺旋-二芴；2，2’-二[N，N-二（二苯基-4-基）-氨基]-9，9-螺旋-二芴；2，2’-二（N，N-二-苯基-氨基）-9，9-螺旋-二芴；二-[4-（N，N-联甲苯-氨基）-苯基]-环乙烷；2，2’，7，7’-四（N，N-二-甲苯基）氨基-螺旋-二芴；和N，N，N’N’-四-萘-2-基-联苯胺。

空穴传输层可以具有大约5nm至大约50nm的范围内、例如大约10nm至大约30nm的范围内、例如大约20nm的层厚。

在空穴传输层上或之上可以构造有一个或多个例如具有荧光和/或磷光发射体的发射体层。发射体层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的小的非聚合的分子（“small molecules（小分子）”）或这些材料的组合。发射体层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成：有机化合物或有机金属化合物、如聚芴、聚噻吩和联苯的衍生物（例如2-或2，5-取代的聚-对苯乙炔）以及金属复合物、例如铱复合物、如蓝磷光的FIrPic（二（3，5-二氟-2-（2-吡啶基）苯基-（2-羟基吡啶）-铱） III）、绿磷光的Ir（ppy）3（三（2-苯基吡啶）铱 III），红磷光的Ru（dtb-bpy）3*2（PF6）（三[4，4’-二-三-丁基-（2，2’）-联吡啶]钌（III）复合物）以及蓝荧光的DPAVBi（4，4-二[4-（二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联苯），绿荧光的TTPA（9，10-二[N，N-二-（对甲苯基）氨基]蒽）和红荧光的DCM2（（4-二氰甲烯基）-2-甲基-6-久洛尼啶-9-烯基-4H-吡喃）作为非聚合的发射体。这样的非聚合的发射体例如可以借助热蒸发沉积。此外可以使用聚合物发射体，所述聚合物发射体例如可以借助湿法化学方法、诸如离心涂镀法（也称为旋涂）来沉积。发射体材料可以以合适的方式嵌入在基质材料、例如工程陶瓷或聚合物、例如环氧树脂或硅树脂中。

第一发射体层可以具有大约5nm至大约50nm的范围内、例如大约10nm至大约30nm的范围内、例如大约20nm的层厚。

发射体层可以具有进行单色或不同色（例如蓝和黄或蓝、绿和红）发射的发射体材料。替代地，发射体层可以具有多个子层，所述子层发射不同颜色的光。借助不同颜色的混合可以产生具有白色印象的光的发射。替代地或附加地可以设置，将转换材料布置在由这些层产生的一次发射的光路中，该转换材料至少部分地吸收一次辐射并且发射其他波长的二次辐射，使得通过一次辐射和二次辐射的组合由（还不是白色的）一次辐射产生白色印象。

在发射体层上或之上可以构造、例如沉积电子传输层。电子传输层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成：NET-18；2，2’，2’’-（1，3，5-苯三基）-三（1-苯基-1-H-苯并咪唑）；2-（4-联苯）-5-（4-叔丁苯基）-1，3，4-二唑，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP）；8-羟基喹啉-锂；4-（萘-1-基）-3，5-联苯-4H-1，2，4-三唑；1，3-二[2-（2，2’-双吡啶-6-基）-1，3，4-二唑-5-基]苯；4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BPhen）；3-（4-联苯基）-4-苯基-5-叔丁苯基-1，2，4-三唑；二（2-甲基-8-喹啉）-4-（苯基苯酚）铝；6，6’-二[5-(联苯-4-基)-1，3，4-二唑-2-基]-2，2’-双吡啶；2-苯基-9，10-二（萘-2-基）-蒽；2，7-二[2-（2，2’-双吡啶-6-基）-1，3，4-二唑-5-基]-9，9-二甲基芴；1，3-二[2-（4-叔丁苯基）-1，3，4-二唑-5-基]苯；2-（萘-2-基）-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲；2，9-二（萘-2-基）-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲；三（2，4，6-三甲基-3-（吡啶-3-基）苯基）硼烷；1-甲基-2-（4-（萘-2-基）苯基）-1H-咪唑[4，5-f][1,10]-邻二氮杂菲；苯基-二芘基磷化氢氧化物；萘四甲酸二酐或其酰亚胺；苝四甲酸二酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。

电子传输层可以具有大约5nm至大约50nm的范围内、例如大约10nm至大约30nm的范围内、例如大约20nm的层厚。

在电子传输层上或之上可以构造有电子注入层。电子注入层可以具有以下材料中的一个或多个或者由其构成：NDN-26、MgAg、Cs2Co3、Cs3PO4、Na、Ca、K、Mg、Cs、Li、LiF；2，2’，2’’-（1，3，5-苯三基）-三（1-苯基-1-H-苯并咪唑）；2-（4-联苯）-5-（4-叔丁苯基）-1，3，4-二唑，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP）；8-羟基喹啉-锂；4-（萘-1-基）-3，5-联苯-4H-1，2，4-三唑；1，3-二[2-（2，2’-双吡啶-6-基）-1，3，4-二唑-5-基]苯；4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BPhen）；3-（4-联苯基）-4-苯基-5-叔丁苯基-1，2，4-三唑；二（2-甲基-8-喹啉）-4-（苯基苯酚）铝；6，6’-二[5-(联苯-4-基)-1，3，4-二唑-2-基]-2，2’-双吡啶；2-苯基-9，10-二（萘-2-基）-蒽；2，7-二[2-（2，2’-双吡啶-6-基）-1，3，4-二唑-5-基]-9，9-二甲基芴；1，3-二[2-（4-叔丁苯基）-1，3，4-二唑-5-基]苯；2-（萘-2-基）-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲；2，9-二（萘-2-基）-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲；三（2，4，6-三甲基-3-（吡啶-3-基）苯基）硼烷；1-甲基-2-（4-（萘-2-基）苯基）-1H-咪唑[4，5-f][1,10]-邻二氮杂菲；苯基-二芘基磷化氢氧化物；萘四甲酸二酐或其酰亚胺；苝四甲酸二酐或其酰亚胺；和基于具有硅杂环戊二烯单元的噻咯的物质。

电子注入层可以具有大约5nm至大约200nm的范围内、例如大约20nm至大约50nm的范围内、例如大约30nm的层厚。

在具有两个或更多个光学功能层结构单元的光学功能层结构22中，在光学功能层结构单元之间可以构造有相应的中间层。

光学功能层结构单元可以分别单独地本身根据在上文中解释的光学功能层结构22的一种设计方案来构造。中间层可以被构造为中间电极。中间电极可以与外部电压源电连接。外部电压源例如可以在中间电极上提供第三电位。然而，中间电极也可以不具有外部的电端子，例如其方式是，中间电极具有悬空电位。

光学功能层结构单元例如可以具有最大大约3μm的层厚、例如最大大约1μm的层厚、例如最大大约300nm的层厚。

光电子器件10可以可选地具有其他功能层，例如布置在一个或多个发射体层上或之上或者布置在电子传输层上或之上。其他功能层例如可以是内部的或外部的耦合输入/输出结构，所述耦合输入/输出结构可以进一步改进光电子器件10的功能进而效率。

第二导电电极层23可以根据第一导电电极层20的设计方案之一来构造，其中第一导电电极层20和第二导电电极层23可以相同或不同地构造。第二导电电极层23可以被构造为阳极或阴极。第二导电电极层23可以具有第二电端子，在第二电端子上可以施加第二电位。第二电位可以由与第一电位相同或不同的能量源来提供。第二电位可以与第一电位不同。第二电位例如可以具有一个值，使得与第一电位的差具有大约1.5V至大约20V的范围内的值、例如大约2.5V至大约15V的范围内的值、例如大约3V至大约12V的范围内的值。

薄膜封装24可以被构造为半透明或透明的层。薄膜封装24构成相对于化学污物或大气物质的屏障，特别是相对于水（湿气）和氧的屏障。换句话说，构造薄膜封装24，使得其不能或最高至很少份额地被能够损害光电子器件的物质、例如水、氧或溶剂渗透。薄膜封装24可以被构造为单个层、层堆或层结构。

薄膜封装24可以具有以下或由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂的氧化锌、聚（对苯二甲酰对苯二胺）、尼龙66以及这些的混合物或合金。

薄膜封装24可以具有大约0.1nm（一个原子层）至大约1000nm的层厚、例如大约10nm至大约100nm的层厚、例如大约40nm的层厚。薄膜封装24可以具有高折射的材料、例如一种或多种具有高折射率、例如1.5至3、例如1.7至2.5、例如1.8至2的折射率的材料。

必要时载体12上的第一屏障层可以与薄膜封装24的设计方案相对应地构造 。

薄膜封装24例如可以借助合适的沉积方法、例如借助原子层沉积法（Atomic Layer Deposition（ALD））、例如等离子体支持的原子层沉积法（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（PEALD））或少等离子体的原子层沉积法（Plasma-less Atomic Layer Deposition（PLALD）），或借助化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition（CVD））、例如等离子体支持的化学气相沉积法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（PECVD））或少等离子体的化学气相沉积法（Plasma-less Chemical Vapor Deposition（PLCVD）），或替代地借助其他合适的沉积方法来形成。

可选地，耦合输入或输出层例如可以被构造为载体12上的外部薄膜（未示出）或光电子器件10的层横截面中的内部的耦合输出层（未示出）。耦合输入/输出层可以具有基质和其中分布的散射中心，其中耦合输入/输出层的平均折射率大于提供电磁辐射的层的平均折射率。此外，可以附加地构造有一个或多个防反射层。

粘附剂层36例如可以具有粘合剂和/或漆，借助所述粘合剂和/或漆，覆盖体38例如被布置、例如粘合在薄膜封装24上。粘附剂层36可以半透明或透明地构造。粘附剂层36例如可以具有散射电磁辐射的颗粒、例如散射光的颗粒。由此粘附剂层36可以用作散射层并且可以引起色角延迟和耦合输出效率的改进。

作为散射光的颗粒可以设置例如由金属氧化物、例如氧化硅（SiO₂）、氧化锌（ZnO）、氧化锆（ZrO₂）、铟锡氧化物（ITO）或铟锌氧化物（IZO）、氧化镓（Ga₂Ox）、氧化铝或氧化钛构成的介电散射颗粒。其他颗粒也能够是合适的，只要所述其他颗粒具有与粘附剂层36的基质、例如气泡、丙烯酸酯或玻璃空心球的有效折射率不同的折射率。此外，例如金属纳米颗粒、金属、如金、银、铁纳米颗粒或类似的可以被设置为散射光的颗粒。

粘附剂层36可以具有大于1μm的层厚、例如几μm的层厚。在不同的实施例中，粘合剂可以是层压粘合剂。

粘附剂层36可以具有小于覆盖体38的折射率的折射率。粘附剂层36例如可以具有低折射的粘合剂、诸如具有大约1.3的折射率的丙烯酸酯。

然而，粘附剂层36也可以具有高折射的粘合剂，该粘合剂例如具有高折射的不散射的颗粒并且具有层厚平均的折射率，该折射率大约对应于光学功能层结构22的平均折射率，例如在大约1.6至2.5、例如1.7至大约2.0的范围内。

在有源区上或之上可以布置有所谓的吸气剂层或吸气剂结构、即横向结构化的吸气剂层（未示出）。吸气剂层可以半透明、透明或不透明地构造。吸气剂层可以具有以下材料或由其构成，所述材料吸收并且化合对于有源区有害的物质。吸气剂层例如可以具有沸石衍生物或由其构成。吸气剂层可以具有大于1μm的层厚、例如几微米的层厚。在不同的实施例中，吸气剂层可以具有层压粘合剂或被嵌入在粘附剂层36中。

覆盖体38例如可以由玻璃体、金属薄膜或密封的塑料薄膜覆盖体构成。覆盖体38例如可以借助烧结连接（英文：玻璃粉接合/玻璃焊接/密封玻璃接合）借助常规的玻璃焊料在光电子器件10的几何边缘区域中被布置在薄膜封装24或有源区上。覆盖体38例如可以具有例如1.3至3、例如1.4至2、例如1.5至1.8的折射率（例如在633nm的波长情况下）。

本发明不受所说明的实施例限制。例如光电子器件10可以分块地构造。替代地或附加地，多个光电子器件可以并排地布置成一个光电子组件。