液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及可修复电容的制作方法

专利名称：液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及可修复电容的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板，尤其涉及一种可修复其储存电容的 漏电流缺陷的薄膜晶体管阵列基板。
背景技术：
请参阅图1A、图1B及图1C，其中图1A未现有技术的薄膜晶体管阵列基板的 示意图，图1B为此薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的示意图，图1C则为沿 着图1B中A-A'联机所得的剖面示意图。如图1A所示，现有的薄膜晶体管阵列基板l包括 一基板ll;多条数据线 12;以及多条扫描线13。其中，这些数据线12与这些扫描线13均配置于基板11 上，且基板ll较佳为玻璃基板。此外，这些扫描线13与这些数据线12互相交错 但彼此不电性连接，它们并将基板11区分为多个显示单元14，即像素单元。接者，如图1B及图1C所示，在现有的薄膜晶体管阵列基板中，每一个显示 单元14分别包含:一薄膜晶体管141、一储存电容下电极142、一第一介电层143、 一储存电容上电极144、 一第二介电层145、两个开口146、 147以及一像素电极 148。其中，薄膜晶体管141位于图1A所示的基板11上，其具有底栅极结构并具 有一源极1411、 一栅极1412及一漏极1413。此外，源极1411与相邻对应的数据 线121电性连接，而栅极1412则与相邻对应的扫描线131电性连接。另一方面， 储存电容下电极142也位于图1A所示的基板11上，第一介电层143覆盖储存电容 下电极142，储存电容上电极144则形成于第一介电层143上并位于储存电容下 电极142的上侧，第二介电层145则覆盖薄膜晶体管141及储存电容上电极144。 此外，两个开口146、 147分别形成于第二介电层145中，以曝露出薄膜晶体管 141的部分漏极1413及位于储存电容下电极142上侧的储存电容上电极144，且 这两个开口146、 147较佳为导电接触孔。最后，像素电极148形成于第二介电 层145上，其材质为一透明导电材料，较佳为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)， 且像素电极148经由这两个开口146、147而与薄膜晶体管141的漏极1413及储存
电容上电极144电性连接。如前所述，在显示单元14中，由于第一介电层143 位于储存电容下电极142与储存电容上电极144之间，所以显示单元14具有一储 存电容(图中未示)。
另外，如图1B及图1C所示，当显示单元14显示画面时， 一来自其薄膜晶体 管141的控制信号通过两个开口146、147而到达像素电极148，以使像素电极148 的电位产生相应的变化来驱动液晶分子改变其状态。另一方面，由于像素电极 148也经由开口146、 147而与储存电容上电极144电性连接，所以当现有的薄膜 晶体管阵列基板l处于其"显示状态"时，来自前述的储存电容(图中未示)的 电流便可到达像素电极148，以提供像素电极148维持其电位状态所需要的驱动 电流。
但是，当现有技术的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的储存电容(图 中未示)发生"漏电流缺陷"的时候，即位于储存电容上电极144与储存电容下 电极142两者之间的第一介电层143失去其应具有的绝缘能力的时候，此储存电 容(图中未示)便无法再正常运作(储存电流)，导致薄膜晶体管141无法控制此 显示单元14的动作。此时，无论此显示单元14所应处的状态为何(显示状态或 关闭状态)，其像素电极148都会处于同样的驱动电位，即此显示单元14无法再 具有两种不同的状态，而形成一持续辉点或一持续黑点，使得一具有此现有技 术的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的显示质量严重下降。
因此，业界需要一种可轻易修复其储存电容的漏电流缺陷的薄膜晶体管阵 列基板。

发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，可轻易修 复其储存电容的漏电流缺陷。
为实现上述目的，本发明所提供的薄膜晶体管阵列基板包括 一基板；多 条数据线，配置于此基板上；以及多条扫描线，配置于此基板上，且此些扫描 线与此些数据线互相交错但彼此不电性连接，此些扫描线与此些数据线并将此 基板区分为多个显示单元；其中，每一此些显示单元包含 一薄膜晶体管，位 于此基板上并具有一源极、 一栅极及一漏极，此源极与此些数据线中，相邻的 一电性连接，且此栅极与此些扫描线中，相邻的一电性连接； 一储存电容下电极，位于此基板上并区分为一第一部分及一第二部分，且此第一部分与此第二 部分彼此分离，但互相电性并连； 一第一介电层，覆盖此储存电容下电极；一 储存电容上电极，形成于此第一介电层上，且此储存电容上电极位于此储存电 容下电极的上侧； 一第二介电层，覆盖此薄膜晶体管及此储存电容上电极；多 个开口，形成于此第二介电层中，以曝露出此薄膜晶体管的部分漏极、位于此 储存电容下电极的第一部分上侧的储存电容上电极及位于此储存电容下电极 的第二部分上侧的储存电容上电极；以及一像素电极，形成于此第二介电层上， 此像素电极并经由此些开口与此薄膜晶体管的漏极及此储存电容上电极电性 连接。本发明的薄膜晶体管阵列基板，包括 一基板；多条数据线，配置于此基 板上；以及多条扫描线，配置于此基板上，且此些扫描线与此些数据线互相交 错但彼此不电性连接，此些扫描线与此些数据线并将此基板区分为多个显示单 元；其中，每一此些显示单元包含 一薄膜晶体管，位于此基板上并具有一源 极、 一栅极及一漏极，此源极与此些数据线中，相邻的一电性连接，且此栅极 与此些扫描线中，相邻的一电性连接；多个储存电容下电极，位于此基板上， 且此些储存电容下电极彼此分离，但互相电性并连； 一第一介电层，覆盖此些 储存电容下电极；多个储存电容上电极，形成于此第一介电层上，且此些储存 电容上电极位于此些储存电容下电极的上侧； 一第二介电层，覆盖此薄膜晶体 管及此些储存电容上电极；多个开口，形成于此第二介电层中，以曝露出此薄 膜晶体管的部分漏极及位于此些储存电容下电极的上侧的此些储存电容上电 极；以及一像素电极，形成于此第二介电层上，此像素电极并经由此些开口与 此薄膜晶体管的漏极及此些储存电容上电极电性连接。因此，由于本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元(像素单元)所具有的 储存电容下电极进一步被区分为一第一部分与一第二部分，或具有两个以上彼 此电性连接的储存电容下电极，所以当本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单 元(像素单元)所具有的储存电容发生"漏电流缺陷"的时候，便可将此发生"漏 电流缺陷"的储存电容部分(第一储存电容或第二储存电容)利用激光切割的方 式于其两端进行切割，即执行本发明提供的修复方法，使得此发生"漏电流缺 陷"的储存电容部分可与其余正常运作的储存电容部分互相隔离。如此，经过 修复后，此原本具有"漏电流缺陷"的显示单元(像素单元)其余的储存电容部 分仍可正常地储存电量于其中，使得此原本具有"漏电流缺陷"的显示单元(像 素单元)再次恢复其正常的显示功能，即再次受到其所具的薄膜晶体管的控制。此外，由于相较于现有的薄膜晶体管阵列基板的显示单元(像素单元)的储 存电容下电极而言，本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元(像素单元)的储 存电容下电极的形状仅有部分改变，且此形状改变(即将储存电容下电极进一 步区分为一第一部分或一第二部分)可通过调整光罩的图案的方式轻易达成， 所以本发明的薄膜晶体管阵列基板可使用与现有的薄膜晶体管阵列基板相同 的工艺制造，并不会增加额外的制造成本。因此，本发明的薄膜晶体管阵列基 板可轻易地修复其显示单元(像素单元)的储存电容的"漏电流缺陷"，以减少 一具有本发明的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置因"漏电流缺陷"而产生 的像素显示缺陷(如辉点或黑点)的数目，进一步提升其显示质量。本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元所具的储存电容下电极的第一 部分可具有任何宽度，其宽度较佳与同一储存电容下电极的第二部分的宽度相 同。本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元可具有任何类型的薄膜晶体管， 其较佳具有一具底栅极结构的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管阵列基板的显 示单元可具有任何材质的像素电极，其材质较佳为氧化铟锡、氧化铟锌或透明 导电材料。本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元可具有任何数目的开口于其第二介电层中，其数目较佳介于2至6之间。本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元所具的多个储存电容下电极可具有任何的宽度，这些储存电容下电 极较佳具有相同的宽度。


图1A为现有的薄膜晶体管阵列基板的示意图；图1B为现有的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的示意图；图1C为沿着图1B中A-A'联机所得的剖面示意图；图2A为本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的示意图；图2B为本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的示意图；图2C为沿着图2B中B-B，联机所得的剖面示意图； 图3为本发明第一实施例的修复薄膜晶体管阵列基板的缺陷的方法的流程 图4A为本发明的薄膜晶体管阵列基板的具漏电流缺陷的显示单元的示意 图4B为沿着图4A中C-C，联机所得的剖面示意图；图5A为本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的示意图5B沿着图5A中D-D，联机所得的剖面示意图。 其中，附图标记1 :薄膜晶体管阵列基板12, 121:数据线 141:薄膜晶体管 1413:漏极 143:第一介电层 145:第二介电层13， 131:扫描线 1411:源极 142:储存电容下电极 144:储存电容上电极146、 147:开口11:14:显示单元 1412:栅极2:薄膜晶体管阵列基板221:数据线-s-体管22、241: 傅肤白曰.2413:漏极 2421:第一部分 244:储存电容上电极 246、 247:开口41:薄膜晶体管 413:漏极42:储存电容下电极422:第二部分44:储存电容上电极 47:像素电极 5:显示单元 512:栅极23、 231:扫描线2411:源极242:储存电容下电极 2422:第二部分148:像素电极21:基板24:显示单元2412:栅极248:像素电极411:源极 414:43:第一介电层48:缺陷区域 51:薄膜晶体管 513:漏极243:第一介电层 245:第二介电层4:显示单元 412:栅极 415:扫描线 421:第一部分 45:第二介电层461、 462:开口 491、 492:切割区域511:源极 514:数据线
515:扫描线 521、 522:储存电容下电极53:第一介电层 54:储存电容上电极55:第二介电层 56、 562:开口 57:像素电极具体实施方式
请首先参阅图2A、图2B及图2C，其中图2A为本发明第一实施例的薄膜晶体 管阵列基板的示意图，图2B为此薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的示意 图，图2C为则为沿着图2B中B-B，联机所得的剖面示意图。如图2A所示，本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板2包括 一基板21; 多条数据线22;以及多条扫描线23。其中，这些数据线22与这些扫描线23均配 置于基板21上，且基板21较佳为玻璃基板。此外，这些扫描线23与这些数据线 22互相交错但彼此不电性连接，它们并将基板21区分为多个显示单元24，即像 素单元。接着，如图2B及图2C所示，在此实施例中，每一个显示单元24分别包含 一薄膜晶体管241、 一储存电容下电极242、 一第一介电层243、 一储存电容上 电极244、 一第二介电层245、三个开口246、 247以及一像素电极248。其中， 薄膜晶体管241位于图2A所示的基板21上，其具有底栅极结构并具有一源极 2411、 一栅极2412及一漏极2413。此外，源极2411与图2A所示的多条数据线22 中，相邻的一电性连接，而栅极2412则与图2A所示的多条扫描线23中，相邻的 一电性连接。另一方面，储存电容下电极242也位于图2A所示的基板21上并进 一步区分为一第一部分2421及一第二部分2422，且第一部分2421与第二部分 2422彼此分离，但互相电性并连。第一介电层243覆盖储存电容下电极242，储 存电容上电极244则形成于第一介电层243上并位于储存电容下电极242的上 侧，第二介电层245则覆盖薄膜晶体管241及储存电容上电极244。此外，三个 开口246、 247分别形成于第二介电层245中，以曝露出薄膜晶体管241的部分 漏极2413、位于储存电容下电极242的第一部分2421上侧的储存电容上电极244 及位于储存电容下电极242的第二部分2422上侧的储存电容上电极244，且这两 个开口246、 247较佳为导电接触孔。最后，像素电极248形成于第二介电层245 上，其材质较佳为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，且像素电极248经由这两
个开口246、 247而与薄膜晶体管241的漏极2413及储存电容上电极244电性连 接。如前所述，在显示单元24中，由于第一介电层243位于储存电容下电极242 与储存电容上电极244之间，所以显示单元24具有一储存电容(图中未示)。况 且，由于在此实施例中，储存电容下电极242进一步区分为一第一部分2421及 一第二部分2422，且两者的宽度大致相同。所以此储存电容(图中未示)更可进 一步区分为第一储存电容(图中未示)及一第二储存电容(图中未示)，以于显示 单元24运作时，提供显示画面所需的驱动电流。另外，如图2B所示，由于每一个显示单元24的薄膜晶体管241的源极2411 与图2A的多条数据线22中，相邻的一(即图2B的数据线221)电性连接，且每一 个显示单元24的薄膜晶体管241的栅极2412也与图2A的多条扫描线23中，相邻 的一(即图2B的扫描231)电性连接，所以本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列 基板可通过一源极驱动集成电路(图中未示)与一栅极驱动集成电路(图中未 示)，分别控制其所具的每一个显示单元的显示状态。况且，如图2B及图2C所 示，当显示单元24显示画面时， 一来自其薄膜晶体管241的控制信号通过两个 开口246、 247而到达像素电极248，以使像素电极248的电位产生相应的变化来 驱动液晶分子改变其状态。另一方面，由于像素电极248也经由开口247， 248 而与储存电容上电极244电性连接，所以当本发明第一实施例的薄膜晶体管阵 列基板2处于其"显示状态"时，来自前述的第一储存电容(图中未示)或第二 储存电容(图中未示)的电流便可到达像素电极248，以提供像素电极248维持其 电位状态所需要的驱动电流。最后，虽然在此实施例中，本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板2为 一液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板，但其也可为一主动驱动式有机电机发 光显示装置的薄膜晶体管阵列基板，以驱动一主动驱动式有机电机发光显示装 置显示一画面。至于本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板为何可修复其显示单元所 具的储存电容的"漏电流缺陷"，其原因将配合图3、图4A及图4B说明于下。请参阅图3，其本发明第一实施例的修复薄膜晶体管阵列基板的缺陷的方 法的流程图。如其所示，此方法包括下列步骤
(A) 提供一薄膜晶体管阵列基板，包含 一基板；多条配置于此基板上的 数据线；以及多条配置于此基板上的扫描线；此些扫描线与此些数据线将此基 板区分为多个显示单元，且每一此些显示单元包含 一位于此基板上的薄膜晶 体管； 一位于此基板上的储存电容下电极； 一覆盖此储存电容下电极的第一介 电层； 一形成于此第一介电层并位于此储存电容下电极的上侧的储存电容上电 极； 一覆盖此薄膜晶体管及此储存电容上电极的第二介电层；多个形成于此第 二介电层的开口；以及一形成于此第二介电层上的像素电极；此储存电容下电 极区分为一第一部分及一第二部分，且此第一部分与此第二部分彼此分离，但 互相电性并连，此第一部分与此第二部分并分别与此储存电容上电极夹置此第 一介电层于两者之间，以形成一第一储存电容与一第二储存电容；此像素电极 并经由此些开口与此薄膜晶体管及此储存电容上电极电性连接；(B) 检测此薄膜晶体管阵列基板是否有缺陷，并记录此缺陷的位置，以确 定此缺陷位于此第一储存电容或此第二储存电容；以及(C) 进行隔离程序，使得具有此缺陷的第一储存电容或此第二储存电容与 其余正常运作的储存电容部分互相隔离。至于前述的步骤(A)所提供的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元便如图 4A及图4B所示，其中，图4A为此薄膜晶体管阵列基板具缺陷的显示单元的示意 图，且此显示单元具有一漏电流缺陷，图4B则为沿着图4A中C-C，联机所得的剖 面示意图。从图4A及图4B可看出，此显示单元4的结构与图2B及图2C所示的本发明第 一实施例的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元的结构相同，其也包括 一薄 膜晶体管41、 一储存电容下电极42、 一第一介电层43、 一储存电容上电极44、 一第二介电层45、两个开口461， 462以及一像素电极47。其中，薄膜晶体管41 位于一基板(图中未示)上，其具有底栅极结构并具有一源极411、 一栅极412 及一漏极413。此外，源极411与相邻的一数据线414电性连接，而栅极412则与 相邻的一扫描线415电性连接。另一方面，储存电容下电极42也位于基板(图中 未示)上并进一步区分为一第一部分421及一第二部分422，且第一部分421与第 二部分422彼此分离，但互相电性并连。第一介电层43覆盖储存电容下电极42， 储存电容上电极44则形成于第一介电层43上并位于储存电容下电极42的上侧， 第二介电层45则覆盖薄膜晶体管41及储存电容上电极44。此外，两个开口461， 462分别形成于第二介电层45中，以曝露出薄膜晶体管41的部分漏极413、位于 储存电容下电极42的第一部分421上侧的储存电容上电极44及位于储存电容下 电极42的第二部分422上侧的储存电容上电极44，且这两个开口461、 462较佳 为导电接触孔。最后，像素电极47形成于第二介电层45上，其材质较佳为氧化 铟锡(IT0)或氧化铟锌(IZ0)，且像素电极47经由这两个开口461、 462而与薄膜 晶体管41的漏极413及储存电容上电极44电性连接。如前所述，在显示单元4中，由于第一介电层43位于储存电容下电极42与 储存电容上电极44之间，所以显示单元4具有一储存电容(图中未示)。况且， 由于在此实施例中，储存电容下电极42进一步区分为一第一部分421及一第二 部分422，且两者的宽度大致相同。所以此储存电容(图中未示)更可进一步区 分为第一储存电容(图中未示)及一第二储存电容(图中未示)，以于显示单元4 运作时，提供显示画面所需的驱动电流。另外，如图4A及图4B所示，当显示单元4显示画面时， 一来自其薄膜晶体 管41的控制信号通过两个开口461、 462而到达像素电极47，以使像素电极47 的电位产生相应的变化来驱动液晶分子改变其状态。另一方面，由于像素电极 47也经由开口461、 462而与储存电容上电极44电性连接，所以当显示单元4处 于其"显示状态"时，来自前述的第一储存电容(图中未示)或第二储存电容(图 中未示)的电流便可到达像素电极47，以提供像素电极47维持其电位状态所需 要的驱动电流。但是，如图4B所示，在此具有缺陷的显示单元4中，因为由其储存电容下 电极42的第一部分421与储存电容上电极44夹置第一介电层43而成的第一储存 电容(图中未示)于缺陷区域48具有一"漏电流缺陷"，即此部分的第一介电层 43失去其应具有的绝缘能力。因此，第一储存电容(图中未示)便无法再正常运 作(储存电流)，导致薄膜晶体管41无法控制此显示单元4的动作。此时，无论 此显示单元4所应处的状态为何(显示状态或关闭状态)，其像素电极47都会处 于同样的驱动电位，即此显示单元4无法再具有两种不同的状态，而形成一持 续辉点或一持续黑点。接着，在本发明第一实施例的修复薄膜晶体管阵列基板的方法下一个步 骤，即步骤(B)中，检测此薄膜晶体管阵列基板是否有缺陷，以确定此缺陷(漏
电流缺陷)所处的位置并记录之。而如图4B所示，此缺陷(漏电流缺陷)位于缺陷区域48内的第一介电层43中。最后，在本发明第一实施例的修复薄膜晶体管阵列基板的方法的最后一个步骤，即步骤(c)中，进行隔离程序，使得前述的具有缺陷的第一储存电容(图 中未示)与其余正常运作的储存电容部分互相隔离。即，在储存电容下电极42 的第一部分421的两端，即切割区域491，492，分别利用激光切割的方式将储存 电容下电极42的第一部分421与其余正常运作的储存电容下电极42的部分(即 储存电容下电极42的第二部分422)互相隔离。如此，此具有缺陷的显示单元4 的储存电容(图中未示)便可再次储存电量于其中，且使得像素电极47恢复其正 常运作。也就是说，当此原本具有一 "漏电流缺陷"的显示单元4处于其"显 示状态"时，来自前述的第二储存电容(图中未示)的电流仍可提供像素电极47 运作所需的驱动电流，使显示单元4正常地运作。最后，请再参阅图5A及图5B，图5A本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基 板所具的显示单元的示意图，图5B则为沿着图5A中D-D，联机所得的剖面示意 图。如图5A及图5B所示，本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板所具的显示 单元5，包括 一薄膜晶体管51、 二储存电容下电极521， 522、 一第一介电层 53、 一储存电容上电极54、 一第二介电层55、两个开口561， 562以及一像素电 极57。其中，薄膜晶体管51位于一基板(图中未示)上，其具有底栅极结构并具 有一源极511、 一栅极512及一漏极513。此外，源极511与一数据线514电性连 接，而栅极512则与一扫描线515电性连接。另一方面，二储存电容下电极521、 522也位于基板上，且二储存电容下电极521、 522也互相电性连接，即二储存 电容下电极521、522分别电性连接至相邻显示单元(图中未示)的二储存电容下 电极(图中未示)，且这些显示单元的二储存电容下电极并电性连接至一电性连 接单元(图中未示)，使得这些显示单元的二储存电容下电极彼此电性连接。第 一介电层53覆盖二储存电容下电极521、 522，储存电容上电极54则形成于第 一介电层53上并位于二储存电容下电极521、 522的上恻，第二介电层55则覆 盖薄膜晶体管51及储存电容上电极54。此外，两个开口561、 562分别形成于第 二介电层55中，以曝露出薄膜晶体管51的部分漏极513、位于储存电容下电极 521上侧的储存电容上电极54的部分及位于储存电容下电极522上侧的储存电 容上电极54的部分，且这两个开口561、 562较佳为导电接触孔。最后，像素电
极57形成于第二介电层55上，其材质较佳为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)， 且像素电极57经由这两个开口561、 562而与薄膜晶体管51的漏极513及储存电 容上电极54电性连接。如前所述，在显示单元5中，由于第一介电层53位于二储存电容下电极521、 522与储存电容上电极54之间，所以显示单元5具有二个储存电容(图中未示)， 即第一储存电容(图中未示)或第二储存电容(图中未示)，以于显示单元5运作 时，提供显示画面所需的驱动电流。另外，如图5A所示，由于显示单元5的薄 膜晶体管51的源极511—数据线514电性连接，且薄膜晶体管51的栅极512也与 前述一扫描线515电性连接，所以本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板可 通过一源极驱动集成电路(图中未示)与一栅极驱动集成电路(图中未示)，分别 控制其所具的每一个显示单元的显示状态。况且，如图5A及图5B所示，当显示 单元5显示画面时， 一来自其薄膜晶体管51的控制信号通过两个开口561及562 而到达像素电极57，以使像素电极57的电位产生相应的变化来驱动液晶分子改 变其状态。另一方面，由于像素电极57也经由开口562、 563而与储存电容上电 极54电性连接，所以当本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单 元5处于其"显示状态"时，来自前述的第一储存电容(图中未示)或第二储存 电容(图中未示)的电流便可到达像素电极57，以提供像素电极57维持其电位状 态所需要的驱动电流。此外，在此实施例中，这些储存电容下电极的数目并非 以图5A所示的数目为限，其也可具有其它适当的数目。此外，这些储存电容下 电极的宽度并没有任何限制，它们也可具有任何适当的宽度。最后，虽然在此实施例中，本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板所具 的显示单元5为一液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板所具的显示单元(像素 单元)，但其也可为一主动驱动式有机电机发光显示装置的薄膜晶体管阵列基 板所具的显示单元(像素单元)，以驱动一主动驱动式有机电机发光显示装置显 示一画面。综上所述，由于本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元(像素单元)所具 有的储存电容下电极进一步被区分为一第一部分与一第二部分，或具有两个以 上彼此电性连接的储存电容下电极，所以当本发明的薄膜晶体管阵列基板的显 示单元(像素单元)所具有的储存电容发生"漏电流缺陷"的时候，便可将此发 生"漏电流缺陷"的储存电容部分(第一储存电容或第二储存电容)利用激光切
割的方式于其两端进行切割，即执行本发明提供的修复方法，使得此发生"漏 电流缺陷"的储存电容部分可与其余正常运作的储存电容部分互相隔离。如此， 经过修复后，此原本具有"漏电流缺陷"的显示单元(像素单元)其余的储存电 容部分仍可正常地储存电量于其中，使得此原本具有"漏电流缺陷"的显示单 元(像素单元)再次恢复其正常的显示功能，即再次受到其所具的薄膜晶体管的 控制。此外，由于相较于现有的薄膜晶体管阵列基板的显示单元(像素单元)的储 存电容下电极而言，本发明的薄膜晶体管阵列基板的显示单元(像素单元)的储 存电容下电极的形状仅有部分改变，且此形状改变(即将储存电容下电极进一 步区分为一第一部分或一第二部分)可通过调整光罩的图案的方式轻易达成， 所以本发明的薄膜晶体管阵列基板可使用与现有的薄膜晶体管阵列基板相同 的工艺制造，并不会增加额外的制造成本。因此，本发明的薄膜晶体管阵列基 板可轻易地修复其显示单元(像素单元)的储存电容的"漏电流缺陷"，以减少 一具有本发明的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置因"漏电流缺陷"而产生 的像素显示缺陷(如辉点或黑点)的数目，进一歩提升其显示质量。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情 况下，熟悉本领域的普通技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变 形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1、 一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括 一基板；多条数据线，配置于该基板上；以及多条扫描线，配置于该基板上，且该扫描线与该数据线互相交错但彼此不 电性连接，该扫描线与该数据线并将该基板区分为多个显示单元； 其中，每一该显示单元包含一薄膜晶体管，位于该基板上并具有一源极、 一栅极及一漏极，该源极与 对应的该数据线电性连接，且该栅极与对应的该扫描线电性连接；一储存电容下电极，位于该基板上并区分为一第一部分及一第二部分，且 该第一部分与该第二部分彼此分离，但互相电性并连；一第一介电层，覆盖该储存电容下电极；一储存电容上电极，形成于该第一介电层上，且该储存电容上电极位于该 储存电容下电极的上侧；一第二介电层，覆盖该薄膜晶体管及该储存电容上电极；多个开口，形成于该第二介电层中，以曝露出该薄膜晶体管的部分漏极、 位于该储存电容下电极的第一部分上侧的储存电容上电极及位于该储存电容 下电极的第二部分上侧的储存电容上电极；以及一像素电极，形成于该第二介电层上，该像素电极并经由该开口与该薄膜 晶体管的漏极及该储存电容上电极电性连接。
2、 根据权利要求l所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该基板包括 一玻璃基板。
3、 根据权利要求l所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该显示单元 为该薄膜晶体管阵列基板的像素单元。
4、 根据权利要求l所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该像素电极 的材质包括氧化铟锡、氧化铟锌或透明导电材料。
5、 根据权利要求l所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该储存电容 下电极的第一部分与该储存电容下电极的第二部分具有相同的宽度。
6、 根据权利要求l所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体 管包括一具有底栅极结构的薄膜晶体管。
7、 一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括一基板；多条数据线，配置于该基板上；以及多条扫描线，配置于该基板上，且该扫描线与该数据线互相交错但彼此不 电性连接，该扫描线与该数据线并将该基板区分为多个显示单元； 其中，每一该显示单元包含一薄膜晶体管，位于该基板上并具有一源极、 一栅极及一漏极，该源极与 对应的该数据线电性连接，且该栅极与对应的该扫描线电性连接；多个储存电容下电极，位于该基板上，且该储存电容下电极彼此分离，但 互相电性并连；一第一介电层，覆盖该储存电容下电极；多个储存电容上电极，形成于该第一介电层上，且该储存电容上电极位于 该储存电容下电极的上侧；一第二介电层，覆盖该薄膜晶体管及该储存电容上电极；多个开口，形成于该第二介电层中，以曝露出该薄膜晶体管的部分漏极及 位于该储存电容下电极的上侧的该储存电容上电极；以及一像素电极，形成于该第二介电层上，该像素电极并经由该开口与该薄膜 晶体管的漏极及该储存电容上电极电性连接。
8、 根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该基板包括一玻璃基板。
9、 根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该显示单元 为该薄膜晶体管阵列基板的像素单元。
10、 根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该像素电 极的材质包括氧化铟锡、氧化铟锌或透明导电材料。
11、 根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该储存电 容下电极均具有相同的宽度。
12、 根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该储存电 容上电极均具有相同的宽度。
13、根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶 体管包括一具有底栅极结构的薄膜晶体管。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板。薄膜晶体管阵列基板包括一基板；多条数据线及多条扫描线。其中，这些扫描线与数据线将基板区分为多个显示单元，且这些显示单元包含一薄膜晶体管；一储存电容下电极；一覆盖储存电容下电极的第一介电层；一形成于第一介电层上的储存电容上电极；一覆盖储存电容上电极及薄膜晶体管的第二介电层；多个形成于第二介电层中的开口；以及一形成于第二介电层上的像素电极。其中，储存电容下电极进一步区分为一第一部分及一第二部分，且第一部分与第二部分虽彼此分离，但两者互相电性连接。
文档编号H01L23/522GK101123261SQ20071014564
公开日2008年2月13日 申请日期2007年9月6日 优先权日2007年9月6日
发明者杨克勤, 林志远, 简良能 申请人:友达光电股份有限公司