具有改进的接地结构的射频装置的制作方法

专利名称：具有改进的接地结构的射频装置的制作方法
技术领域：
本发明针对基于由多层薄膜形成的多个电感器和电容器的组合的射频 装置，特别是具有接地桥路和提高这类装置性能的共面波导结构的可调谐 滤波器和移相器。这些电容器和电感器变化的方式可以是任意的。
背景技术：
随着工作频率的提高，承载电子信号的结构就会发生变化。在微波频 率上，通常将地和信号结构结合起来来最大限度地减少损耗并维持信号完 整。为了改变信号，通常使用电感效应和电容效应来实现过滤和延迟这类 变化。在许多情况下，都需要能够调节或改变这种效应的强度，实现这个 目的的一个方法就是改变电容的数值。
可变介电材料呈现出可再取向的自发极性，从而导致可变介电常数。 当施加电场时，这种介电常数可以被改变，这个重要的特性使其适用于可
调谐微波装置。可调谐电介质包括铁电体，比如钛酸锶钡(BaxSr^Ti03, 其中x取值范围为O-l,较优的取值范围为0.1-0.9，最佳的取值范围为 0.4-0.6，或称BST),以及其他材料，例如掺钇铌酸锌铋(BZN)的。可 变介电微波装置的研究开始于二十世纪60年代早期，然而直到最近，得益 于低损耗、高可调谐性铁电体材料制造工艺的成熟，人们才对该研究重新 发生兴趣。由于其高介电常数、高击穿电压和相对低的损耗，BST是被研 究得最多的铁电体材料之一。微波应用实例包括但不限于变容二极管、 可调谐滤波器、移相器、振荡器、可调谐匹配网络、谐振器以及延迟线。
可变介电材料可以做成成块的、薄膜的和厚膜的形式。铁电膜片显示 出具有适中的温度依赖性的介电常数变化(温度系数)。膜片沉积过程中 的变化导致了改进的介电常数-温度响应，比如使用多层膜片，每层膜片具 有不同的居里温度。电路设计的最优化同样可以减少介电常数的温度依赖性。BZN具有甚至较低的温度系数和较低的损耗，然而其介电常数也较低。
分布式微波装置和集总元件微波装置都已经使用铁电体设计出来了。 铁电材料，比如BST，呈现出高介电常数(比如，BST薄膜的介电常数为 500， BST块的介电常数为10000)，从而具有能够缩小装置体积的优势。 然而，这使得在诸如共面波导(CPW)的分布式电路中难于进行阻抗匹配。 另一方面，集总元件电路使用更少的元件，从而进一步减小了部件的体积、 降低了损耗。
本发明针对改进的集总射频元件，诸如可调谐滤波器和移相器。特别 地，本发明涉及将CPW的性质融合到集总元件电路之中。当将CPW融合 到至少带有三个电感器的元件中时，接地结构就变得十分重要；当结构中 包含四个或四个以上的电感器时，接地结构就更为重要；而当结构中有级 联低通/高通滤波器和级联移相器时，接地结构就极其地重要。这些装置的 工作频率一般在2-35GHz范围内，然而更广泛而言，可以达到0.5-50GHz 甚至更大的范围。
集总元件可调谐介电装置的核心是可调谐电容器，该电容器的可调谐 介电材料是可变电介质，这一点在材料为BST时更为普遍。可变介电电容 器可以使用平行板或平面布局来构造。平行板薄膜结构使用低直流电压来 调谐(比如，电压小于20V)，但是由于通常和BST—起使用的Pt底电极 的构图和蚀刻，使得这种构造变得复杂。此外，生成高结晶且无瑕疯的BST 薄膜需要化学上兼容的、在微波频率上可导电的底电极。白金曾是平行板 BST电容器的主要底电极，然而其低导电性造成了高设备损耗。另一方面， 平面布局需要更少的光刻步骤，并允许沉积较厚的金属来降低金属损耗。 更重要地，可以将外延膜沉积到单晶衬底上，以确保更低的介电损耗和更 高的介电常数。沉积技术，比如脉冲激光沉积(PLD)和金属有机化学汽 相沉积(MOCVD ),已经被用来在诸如MgO和LaA103的昂贵的衬底上 生成外延膜。然而，这些工艺价格昂贵，需要高价的原材料，并且产量低。 喷镀薄膜经常需要沉积后退火处理来提高结晶质量。
最近研制的开放式(open atmosphere )、低成本燃烧化学汽相沉积 (CCVD )技术提供了 一种具有吸引力的替代方法以便在廉价的蓝宝石衬底上生成外延BST薄膜，并且具有高产额和高产量潜力。比如，BST薄膜 的CCVD沉积在美国专利第6986955号中就有描述。另一种可以用作可调 谐电容器电介质的可调谐介电材料是掺钇铌酸锌铋(BZN)。掺钇铌酸锌 铋属于结构式一般为A2B2060， (0，=第七氧)的氧化氮绿石一类，是非铁 电体。BZN呈现出中等的介电常数(170-200)，极低的损耗(tan5 5x 10-4)和低频率上(-lMHz)的高可调谐性(55%)。此外，通过组分变化 和工艺控制，可以在-400到200ppm/V之间调节BZN的电容温度系数。
随着电子系统在军事、商业以及公共安全市场中的普遍发展，对体积 小、重量轻、功耗低(SWAP)并具有附加功能和优越性能的低成本装置 的需求日渐增长。制造螺旋型电感器极大地减小了集总元件的尺寸，然而 与直线型电感器相比，前者的对称性也降低了。接地结构即本发明，使得 非对称设计_一甚至当在主信号结构中使用CPW时一一也具有正常的性 能。
本发明的 一 个重要应用是可调谐滤波器的构造。微波滤波器广泛地使 用在雷达、通信、测试设备和电子战争(EW)系统中。对于高频接收器， 必须使用滤波器来消除不需要频段的信号，以避免接收器本身超载和避免 工作频段以外信号的不良干扰。在传输方面，必须保持信号纯度，以便最 大程度地减少对其他使用者的干扰、遵守政府关于无线电辐射的规定、并 且在军事应用中最大限度地避免被敌方探测到射频源。
可调谐滤波器应用于微波工程的所有主要领域中。大多数文献资料中 所描述的可调谐滤波器分为三种基本类型机械可调谐滤波器、磁性可调 谐滤波器和电子可调谐滤波器。与机械和磁性可调谐滤波器相比，电子可 调谐滤波器可以在宽(一个倍频程)调谐范围上被很快地调谐，并且具有 紧凑的体积。大多数电子可调谐滤波器使用变容二极管，并且在更高的频 率上，这些二极管是基于砷化镓(GaAs)的。变容二极管的电容随着反向 电压而变化；当变容二极管与谐振电路或谐振元件串联时，这种电容变化 会改变谐振频率。然而，这些变容二极管调谐的滤波器的功率处理能力较 低，并且消耗工作功率。
近年来，可调谐电介质和射频微机电系统(RFMEMS)技术已经脱颖而出成为极具发展前景的可调谐微波装置应用的备选方案。它们都显示了 高功率处理能力、可忽略不计的功率消耗和高绝缘性。
基于铁电体BST的可调谐滤波器已经被很多人证实了 。基于RFMEMS 转换器的可调谐滤波器已经显示出了低得多的损耗，然而它们倾向于呈现 出离散而緩慢的调谐，并可能有可靠性问题。
对于现代多频段多频率通信系统，需要有频率和带宽的可重构性。使 用最广的可调谐技术涉及使用可变电阻元件通过变容二极管来产生持续调 谐和耦合变化。通过PIN 二极管和叉指耦合谐振器已经实现了可变化带宽。 这里描述了通过将一个可调谐低通滤波器(LPF)和一个可调谐高通滤波器 (HPF)级联，获得带通滤波器(BPF)或带阻滤波器(BSF)。通过分别 调节LPF和HPF，不仅调谐了 BPF(或BSF)的中心频率，并且当调节LPF 或HPF中的任何一个时，BPF (或BSF)的带宽也被改变了。
LPF是通过低频、限制高频的滤波器。 一组串联的电感器或并联电容 器或两者的组合就是一个简单的低通滤波器。HPF是通过高频，限制低频 的滤波器。 一组串联的电容器或并联电感器或两者的组合就是一个简单的 高通滤波器。 一些流行的滤波器功能有Chebyshev (等波紋振幅)， Bessel-Thomson (最大平坦群延迟)，Butterworth (最大平坦振幅)以及 Gaussian。
本发明的另一个重要应用是由多层薄膜组成的移相器。移相器是用于 通信和雷达的电子扫描相控阵天线中的基本元件，典型地代表了制造军事 战术天线阵列的主要成本、体积和重量。通过移相器可以消除移动通信装 置的阻塞和干扰，并依然接收到所需要的信号，甚至当该信号和干扰处于 同一频率时。
与机械和磁性可调谐移相器相比，电子可调谐移相器结构紧凑，响应 快，功耗小。半导体移相器使用PIN二极管，GaAs变容二极管或金属氧化 物半导体场效应晶体管作为转换或调谐元件。尽管这些器件并不昂贵，它
们在K频带或更高的频带上损耗较高，并且功率处理能力较低。微机电转 换器(MEMS)使用先进的集成电路(IC)处理技术，它提供了整合GaAs 单片微波集成电路(MMIC)或MOSFET技术的可能。这些微机电转换器
7提供低的插入损耗，高的绝缘性，可忽略不计的功率消耗和低的交互调制
失真(IMD);然而，它们需要高的驱动电压(比如40V甚或更高)， 低的转换速度(> 10 m s )，并可能出现中断、可靠性、封装和可变g值(g-force )
调谐电容器或电感器的方法来改变的结构，但是可调谐电介质是推荐实施 例。
仅通过一个直流偏压，可调谐介电材料就呈现出固有的可调谐电容， 并且这些可调谐介电装置具有连续性(模拟量)、高调谐速度、低损耗、 耐久性、低功率消耗和高功率处理能力。所有这些独特的性质吸引了诸如 可调谐滤波器、移相器、匹配网络和振荡频率选择器等微波应用的关注。 然而，可调谐介电装置的进步却甚微。原因有多方面(1)由于晶体质量 不好，与同类产品相比，其损耗仍然较高；(2)没有出现用合理的成本制 造高质量、大面积BST的工艺；和/或(3)所需的直流偏压太高(~100V), 或者IMD也是个问题。
在上面提到的美国专利第6986955号中所描述的实际商用蓝宝石晶片 上的外延BST膜片已经证明具有低损耗和高可调谐性。在美国专利第 6986955、 6970500和7031136号中描述了显示出改进的IMD性能的低压 (<20V)电容器结构。
已经提出了几项关于可变电容移相器的可选设计方案。反射式移相器 包括一个3-dB耦合器和几个反射负载。虽然反射式拓朴可以获得宽带宽， 该耦合器直接造成了移相器的插入损耗，并且需要占用大部分的芯片面积。 可以通过改变共面波导传输线上的电容负载来控制负载线移相器。使用这 种拓朴的移相器容易在低频(<10GHz)上变长。已经设计了使用体积小、 损耗低的全通网络(APN)拓朴的移相器。

发明内容
射频可变装置，特别是可调谐滤波器和移相器，是由多层薄膜形成的， 其中有一层是由导电材料构成的薄膜，典型地为金属薄膜层(厚度<10微 米)。通过利用，如光刻技术来对该导电材料薄膜层构图以移除该层的一些部分，从而形成导电通路，包括电感器的导电部分和电容器电极，并留 下该导电材料层的射频接地部分。该射频接地通过电感器或电容器与射频 信号电气绝缘。该接地结构形状独特，此时多个电感器和电容器是一起形 成在一个装置里的，由于其形状及其与集总元件和信号线的相互作用/耦 合，该接地会不能固定其正确电位。当该接地在形状上较窄、尾部较尖、 与信号导电通路紧邻时，这种现象就最为显著。为解决这个问题，并在低 损耗的情况下保持较小的元件尺寸，需要把延伸的接地结构通过导电体， 如金属，把那些绕过电气元件或信号线在附近接地的连线连接起来，最大 限度地减小接地电位漂移。这对于靠近电容器电极和靠近离主信号连接最 近的电感器的导电部分的区域特别重要。根据本发明，通过提供导电结构 提高这种射频装置的性能，该导电结构将导电层射频接地部分的射频无连 接部分桥接起来。
小尺寸和高性能，这两点特别重要。通常使用CPW线路来最大限度地
减少损耗，从而被要求使用在设计装置的射频接口中，这种线路上的接地 和信号线基于使用的材料和工作频率有一定的分离。通过在设计中尽可能
地维持接地和信号之间的关联一一就像一个CPW装置一样一一就可以最 优化集总元件装置的性能。这是一种独特地融合CPW和集总元件的形式。
当电容器和电感器被设计成对称地，或者只有两个或两个以下的电感器时， 在没有接地桥路的情况下装置能够良好地运行。但是，随着复杂性和不对 称性的增加，为了保证稳定的地电位，对接地桥路的需求也同时增加。因 此，当有三个或三个以上——或者更优的情况下，四个或四个以上——的 电感器时，这种需求就更高了。当有五个或五个以上的电感器时，就会进 一步需要接地桥路。最需要接地桥路的情况是当两个或两个以上的元件被 级联到单个装置中时。


图1示出了一个七级集总元件Chebyshev低通滤波器的示意图；它具 有四个串联电感器和三个并联电容器。
图2示出了对于图1所示的滤波器的理想电响应，其中截止频率为8GHz，通带波紋系数为0.01。在该图和其他附图中，Sn表示回波损耗(或 反射损耗)，S^表示插入损耗(或传输系数)。
图3示出了一个七级集总元件Chebyshev高通滤波器的示意图；它具 有四个串联电容器和三个并联电感器。
图4示出了图3所示的滤波器的理想电响应，其中截止频率为8GHz， 通带波紋系数为0.01。当在这些电路中使用BST可调谐电容器时，通过施 加直流偏压来调节BST电容器时，可以改变截止频率。
图5示出了带有可调谐BST电容器的图3所示的七级HPF的电响应(理 想)，该BST电容器的数值在调节时按2.5:1下降。
图6示出了通过级联图1所示的LPF和图3所示的HPF构成的一个带 通滤波器(BPF)的理想电响应。注意该LPF和HPF的截止频率已被重新 设计，以便组成一个具有良好电响应的BPF。
图7a示出了一个七级低通滤波器的示意图，图7b示出了一个BPF的 示意图，每个都具有CPW的输入和输出。
图8a示出了根据本发明每个如图7b所示的不带接地桥路的BPF的测 量结果，图8b示出了根据本发明每个如图7b所示的带接地桥路的BPF的 测量结果。
图9示出了一个全通网络(APN)移相器的示意图。使用BST电容器 来移相。
图10示出了带接地桥路和CPW输入/输出的三个级联APN移相器的 示意图。
图ll示出了不带接地桥路(a)和带接地桥路(b)的三个级联APN 移相器的模拟结果。
图12示出了根据本发明带接地桥路并融入了集总元件/CPW的移相器 的平面图。
图13示出了根据本发明带接地桥路并融入了集总元件/CPW的高通/ 低通滤波器的平面图。
图14示出了沿图13中14-14线的横截面图。
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具体实施例方式
图1示出了一个七级集总元件Chebyshev低通滤波器的示意图。该滤 波器具有四个串联电感器和三个并联电容器。图2示出了该滤波器的电响 应，其中截止频率为8GHz，通带波紋系数为0.01。图3示出了一个七级集 总元件Chebyshev高通滤波器的示意图。该滤波器具有四个串联电容器和 三个并联电感器。图4示出了该滤波器的电响应，其中截止频率为8GHz， 通带波紋系数为0.01。当在这些电路中使用可调谐电容器时，通过施加直 流偏压来调节该电容器时，可以改变截止频率。图5示出了带有可调谐电 容器的七级LPF的电响应，该电容器的数值在调节时按2.5:1下降。该调 谐原则同样适用于HPF，带通滤波器(BPF)和带阻滤波器(BSF)。
当图1和图2所示的两个滤波器级联时，整个装置的运转就像一个 BPF。其模拟电响应在图6中示出。因此当以同样的比率同时调谐该LPF 和HPF时，BPF的中心频率就发生移动。虽然只对该LPF或HPF中的电 容器施加偏压，其带宽却有变化。
基于以上的原则理，构造了一个薄膜集总元件电路。输入端和输出端 都使用了一短截共面波导(CPW)。该CPW使用接地-讯号-接地(GSG) 探测以便于测量，并使用倒装芯片技术或引线键合法以便于将该滤波器附 着到印刷电路板(PCB )上。LPF和带有这样的输入和输出的级联LPF/HPF 在图7中示出。
本发明涉及能使如图7所示的滤波器正常运行或改善其运行的接地结 构。对电容器来说，平面和平行板布局都可以使用，螺旋型或直线型电感 器都是适用的。接地连接可以通过引线键合来实现，不过更推荐使用金属 桥路来实现。图8a和8b示出了 BPF在加上引线键合接地桥路之前(8b ) 和之后(8a)的测量结果。注意由于使用了一个五级LPF和一个七级HPF, 高频侧的衰落就没有那么急剧。可以看出当不带接地桥路(图8a)时，观 测到两个峰值，而当带接地桥路(图8b)时，观测到所希望的单个峰值。 这个成品部件使用了 BST，并且其频率和带宽可以被调节。
图9示出了一个全通网络移相器的示意图。使用可调谐电容器来移相。 模拟显示对于2.5:1的电容器可调谐性可以获得120度的相位偏移，因此要获得360度的相位偏移，需要三个这样的移相器。在本发明中，每个 移相器的输入和输出端都连接了一短截共面波导(CPW),并且需要使用 接地桥路来使移相器起作用。这样的一个装置的示意图在图IO中示出。
图11示出了带接地桥路和不带接地桥路的三个级联APN移相器的模 拟结果。
图12示出了移相装置100,该装置包含通过光刻、沉积和剥离由多层 薄膜构图而成的三个级联移相器102。原本是一层覆盖了构图光致抗蚀剂 的连续金属薄膜层现在是这样一种结构在从区域104、 106、 108和112 移除金属之后，比如剥离，该结构包括了在大致由120表示的中心射频传 输结构以及紧邻并沿传输区域120排列的接地区126a和126b。接地区126a 和126b通过金属移除区域104、 106、 108和112彼此电气绝缘。金属层的 剩余部分和金属移除区域确定了包括电容器130在内的射频结构，其中介 电材料131在该电容器、螺旋型电感器132和直线型电感器134的区域的 下方。根据本发明，接地区126a和126b通过桥路结构142进行电气连接， 并且接地区126a和126b的各个远离的部分通过结构140内部桥接。同样 示出了桥路结构144桥接螺旋型电感器132的各个部分。所有的桥路结构 140、 142和144都是在用于印刷这种结构的光刻/沉积/剥离过程中一起形 成的。通过利用结构120和104关于地的正确带宽和衬底(在这个实例中 为蓝宝石)介电常数构成了共面波导(CPW)。
在移相器中，接地桥路通过同样方法提高所有电感器和电容器装置的 性能。如果没有桥路，由于多个元件周围的形状(元件可以是电感器、电 容器或CPW部分的过渡)，地失去了其统一电位。每个元件都设计成具有 一定的特性，如果离该元件最近的金属具有不同的电位，则这些特性就会 变化。本发明的接地桥路结构使得该地电位更为一致，从而单个元件会更 如设计成地那样进行响应，而没有局部共振。
接地桥路和它们经过的邻近元件确实有一些互相作用；基本上它们对 地形成一个小容量电容器。为了最大限度地减少这种效应，在制作接地桥 路时，应当使用低介电材料，并且桥路宽度绝不应超过使地电位足够一致 所需的宽度。太窄的接地桥路会呈现电感器的特性，无法获得所要的中和效果。 一般地，接地桥路应当至少和用来构成电感器元件的金属线一样宽， 优选地，是两倍于金属线的宽度。
只要有可能，信号线两端的接地金属应该非常平衡并且不要有CPW使 任何一端不均衡地结束或开始。需要对接地桥路分析的一个重要区域是，
CPW在邻近元件结束的地方。接地桥路需要要么横跨信号线、要么平行于
信号线，或者可能需要横跨和平行接地桥路两者的组合。在装置的连接处， 当单个移相器或滤波器被级联在一起，或者在非对称元件的末端，可能需 要有信号线上的接地桥路。可以模拟带或不带接地桥路的结构来确定哪里 需要有接地桥路。模拟揭示出在许多情况下接地桥路都提高了性能或者使 装置按照所需的功能操作。为了获得效率，可以在那些预计需要有接地桥 路的地方为装置设计接地桥路，并且可以对这些设计进行模拟。如果模拟 显示结果良好，则不需要对类似的不带接地桥路的结构进行模拟。 需要最小化整个结构的长度来减小装置体积和成本、最大程度地减少
电位共振并降低金属损耗。制造叉指电容器(IDC )或平行板电容器(PPC ) 以及螺旋型电感器，以替代基于直线元件，可以减小接地通道和信号通道 的长度。如果需要在该信号线上有更高的电容值，可以加宽该信号通道， 使得IDC或PPC电容器长度不致太长而导致装置更长。固定电容器、或微 机电系统(MEMS)、或基于二极管的可变电容器同样可以从这些接地结 构中获益。
图13示出了高通M氐通滤波器200，该高通结构202作为纵向结构202 在左边示出，该低通结构作为横向结构204在右边示出。和图12的移相器 一样，图13的HPF/LPF是作为印刷结构通过光刻/沉积/剥离技术形成的。 通过从区域210、 212、 214、 216、 218和220中移除金属并留下在224示 出的中心射频导电区，确定了不同的电容器230、 232和234，以及不同的 电感器240和242。作为最初通过金属构图印刷的电气绝缘的接地区250a 和2S0b通过桥接结构260连接。接地区250a和250b的远离的区域进一步 地由结构262桥接。通过这种桥接获得的改进参考图8a和8b在上面已有 论述。
优选地，图12和13所示的结构通过沉积多个薄膜层来构成，并且该射频结构通过不同的光刻技术来构成。这样的沉积、光刻和剥离技术在本 领域是熟知的。
图12和13示出了在对金属层构图来形成类似电容器和电感器的射频
导电结构之后，进一步沉积薄膜材料和用光刻技术来形成不同的桥路结构。
图14示出了沿图13中14-14线的放大的横截面图。在下面的衬底270上 是原有金属层的剩余部分，包括射频导电结构224和接地区250a和250b。 接地结构260包含提升的金属截面262和水平横截面264。该水平横截面 264下面的区域作为气隙在图14中示出，但是可以用非导电材料，比如低 损耗残余光可定义聚合材料，来填充该区域。
下面描述了其中一种形成这种结构的方法。该结构是在蓝宝石(氧化 铝)衬底上形成的。通过该蓝宝石衬底上进行CCVD来沉积一层典型地厚 度为约0.1微米到约0.4微米的BST层。通过湿法蚀刻过程来蚀刻该BST 层，以留下一些用作电容介电区域的BST区。沉积并湿法蚀刻AZO (掺铝 氧化锌)来形成电阻结构。AZO结构具有很高的电阻性，其并不携带射频 场，但会传导直流电流；因此，AZO结构可以作为直流偏压的电极。在这 点上，整个结构都屏蔽起来了，并且一层金薄膜通过电子束蒸发被沉积， 并通过剥离被构图。接着通过电子束蒸发和剥离形成另 一厚金属层 (Ti/Cu/Au),以提供电容器和电感器的导电部分和周围的接地材料。施 加以Dow公司的Cyclotene商标出售的光敏聚合物，并将它构图为钝化层， 以使该部件免受湿气、尘埃和其他污染。然后通过电子束蒸发、而后剥离 来形成该用作桥路的金属。
虽然，上述流程是通过沉积和光刻技术形成桥路结构，还可以通过引 线键合来形成该桥路。
权利要求
1. 一种由多层薄膜形成的射频装置，该射频装置包含多个电容器、多个电感器和至少一条信号线和两个接地区，所述至少两个接地区的每一个位于距离所述多个电容器和电感器足够近的位置，以便在射频频谱内相互作用，形成所述至少两个接地区，使得所述至少两个接地区彼此电气绝缘，或者沿同一地具有射频电位差，以及在改进中，形成导电材料桥路，以便电气连接所述至少两个接地区，或者最大限度地减小同一接地区的射频电位差。
2. 根据权利要求1所述的射频装置，其中导电材料桥路电气地跨越该信号线，从而连接至少两个所述接地区的远离的部分。
3. 根据权利要求1所述的射频装置，其中至少一个所述电容器是可调 节的。
4. 根据权利要求3所述的射频装置，其中所述至少一个所述电容器的 介电材料是可调谐的。
5. 根据权利要求3所述的射频装置，其中所述至少一个所述电容器的 介电材料是掺钇铌酸锌铋或钛酸锶钡。
6. 根据权利要求3所述的射频装置，其中所述装置起移相器的作用。
7. 根据权利要求3所述的射频装置，其中所述装置起滤波器的作用。
8. 根据权利要求3所述的射频装置，其中所述装置起低通滤波器的作用。
9. 根据权利要求3所述的射频装置，其中所述装置起高通滤波器的作用。
10. 根据权利要求3所述的射频装置，其中所述装置起低通/高通滤波 器的作用。
11. 根据权利要求1所述的射频装置，其中导电材料桥路至少和用来 形成至少一个电感器的线路一样宽。
12. 根据权利要求1所述的射频装置，其中导电材料桥路至少是用来形成至少一个电感器的线路的宽度的两倍。
13. 根据权利要求1所述的射频装置，其中导电材料桥路和信号线平 行，从而连接了同一接地区的几个部分。
14. 根据权利要求2所述的射频装置，其中至少一个附加的导电材料 桥路与信号线平行，从而连接了同一接地区的几个部分。
15. 根据权利要求1所述的射频装置是共面波导。
16. —种由多层薄膜形成的射频装置，该射频结构包括输入、输出、 多个电容器、多个电感器、信号线以及至少两个接地区，所述至少两个接地区的每一个相对于信号线放置，以便在该装置的输 入或输出形成共面波导，所述至少两个接地区的每一个位于距离所述多个电容器和多个电感器 足够近的位置，以便在射频频i普内相互作用，形成所述至少两个接地区，使得所述至少两个接地区彼此电气绝缘， 或者沿同一地具有射频电位差，以及在改进中，形成至少一个导电材料桥路，以便电气连接所述至少两个 接地区，或者最大限度地减小同一接地结构的射频电位差。
17. 根据权利要求16所述的射频装置，其中导电材料桥路和所述信号 线平行，从而连接了同一接地区的几个部分。
18. 根据权利要求16所述的射频装置，其中导电材料桥路电气地跨越 所述信号线，从而连接至少两个所述接地区的远离的部分。
19. 根据权利要求17所述的射频装置，其中至少一个附加的导电材料 桥路也与信号线平行，从而连接了同一接地区的几个部分。
20. 根据权利要求16所述的射频装置是可调谐电容器。
全文摘要
本发明公开了一种可调谐射频装置，比如移相器和滤波器，是通过在衬底上沉积薄膜层并使用各种光刻技术来对这些薄膜层构图来形成的。一层金属薄膜层被构图来形成多个电容器和电感器，并留下至少两个紧临这些电容器和电感器的接地区。由于这些接地区的构图部分彼此电气绝缘，因此通过电气地桥接这些具有电位差的接地区，可以提高装置的性能。
文档编号H01L21/20GK101454873SQ200780019019
公开日2009年6月10日 申请日期2007年5月17日 优先权日2006年5月24日
发明者安德鲁·泰·亨特, 光 崔, 王晓妍, 蒋永东, 赵志勇 申请人:恩吉迈特公司