专利名称：化合物材料晶片的制造方法
技术领域：
本发明涉及化合物材料晶片的制造方法。
技术背景由文献US 2003/0153163，已知有使用SmartCut技术将材料层从施 体基材转移至操作(handle)基材的方法。所述己知方法包括通过粘合第 一晶片而形成施体基材的步骤，该层将从所述第一晶片上转移至支撑基 材上。根据US 2003/0153163，由于可以由同一初始第一晶片反复进行多 次转移操作，直至第一晶片的全部厚度耗尽，因此形成该施体晶片对于 转移昂贵材料层是有利的。然而，所述已知方法存在下列问题。由于施体基材是由两个经粘合 的晶片构成，其厚度，特别是对于最初的几次转移，通常大于在标准工 艺例如用于制造覆硅的绝缘体晶片的SmartCut技术工艺中的施体晶片的 厚度。因而，在转移工艺中用于操作和支撑施体晶片的设备必须特别适 合于增大的重量和厚度，或者支撑基材需要特别地减小其厚度。然而， 这两种情况都需要非常昂贵的自适应步骤。此外，在制造过程中，施体 晶片的厚度不断变化，其变化程度取决于所进行的转移的数目。因此加 工设备和操作设备需要进行特别的设计以应付变化的条件。因而设备需 要进行特别的设计并因此变得更加昂贵。发明内容因而本发明的目的是提供化合物材料晶片的制造方法，该方法能够克服现有技术中的问题，以便化合物材料晶片能够使用标准晶片加工设 备进行制造。该目的通过本发明所述的化合物材料晶片的制造方法得以实现。本 发明的方法包括以下步骤a)提供初始施体基材，b)在初始施体基材内形 成预定的分离区，C)将初始施体基材附着在操作基材上，和d)在预定的分 离区对所述施体基材进行拆分，从而将初始施体基材上的层转移至操作基材上以形成化合物材料晶片，其特征在于e)在拆分步骤之后将一个层 沉积在施体基材的残余部分上以至少部分地恢复初始施体基材的厚度和 f)再次使用具有沉积层的施体基材作为步骤a)中的初始施体基材。由于并未与附加的支撑基材相粘合，因而本发明的方法中所使用的 施体基材比在现有技术工艺中所使用的施体基材更薄。此外，由于沉积 层的存在，施体基材的厚度变化不大，可以使用标准晶片加工设备，使 得不需要使用耗时且昂贵的自适应性或特殊的操作设备。因而本发明的 工艺比现有技术中的工艺实施起来更便宜。在再次使用施体基材的残余部分之前，可以在将要附着至操作基材 的施体基材的残余部分的表面上进行额外的修整步骤。该修整例如可以 通过抛光进行。在进行沉积步骤e)之前，步骤a) d)优选至少重复两次，其中在重 复的步骤a)中将施体基材的拆分残余部分再次用作初始施体基材。由于 较少的步骤对应于更快的因而更便宜的制造方法，所以重复实施该工艺 的沉积前的部分有助于进一步优化该工艺。优选地，重复步骤a) d)直至初始施体基材达到预定的最小厚度。重 复次数的上限可以由使基材的性质，例如机械强度，开始下降时的施体 基材的残余部分的厚度决定，或者与需要特定最小厚度以便能够适当地 发挥功能的操作设备的性质有关。由于所述重复，因此可以进一步优化 整个工艺，同时可以保持较高的化合物材料晶片的品质和产率。根据一个优选实施方式，步骤e)中的层可以均相外延地进行沉积。 本发明的方法对于通常是晶体材料的昂贵的施体基材特别有利。通球将 施体基材均相外延地再生长至其初始厚度或超过其初始厚度，由于施体基材能够再利用的次数超过了耗尽初始施体基材厚度所必需的次数，因 而该工艺实际上变得与施体基材的可得性无关。在本文中，均相外延是 指沉积层由与初始施体基材的材料相同的具有相同晶体学性质的材料所 构成。优选地，在步骤e)中均相外延层可以由金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法、混合气相外延(HVPE)法或分子束外延(MBE)法提 供，从而与初始施体基材中的位错密度相比，在均相外延层中实现改善 的位错密度，特别是小于1 X 107/cm2的位错密度，尤其是小于1 X 106/cm2 的位错密度。在生长过程中位错倾向于停留在特定水平，使得额外生长 的材料呈现较低的位错密度。因而，施体基材的品质变得更好，从而与 由市售标准施体基材得到的转移层相比，所述转移层的品质也变得更好。优选地，步骤e)包括在施体基材的残余部分的与进行拆分的表面侧 相对的表面侧上提供一个层。当使用极性施体基材时，意味着该基材的 两个主要表面具有不同的性质，通常的情况是外延生长可以在一个表面 上被很好的控制，而对于另一表面却不是如此。材料化合物晶片的转移 层的自由表面应当对应于这样的表面该表面的极性允许其它外延层的 受控生长，因为在制造微电子或光电子元件的进一步的加工步骤中可能 需要所述其他外延层。因此，附着在操作基材表面上的转移层的表面将 具有第二极性。所以进行拆分的施体基材的残余部分的表面具有无法良 好控制外延生长的极性。因此附加层的沉积优选在所述相对侧进行，从 而可以在该相对侧进行受控的均相外延生长，使得沉积层的品质良好。优选地，在实施步骤e)之前，进行拆分的表面侧可以具有保护层， 特别是使用氧化物和/或氮化物层来作为保护层。该保护层有利地可以保 护施体基材的残余部分免受诸如金属或颗粒等的污染，特别是在晶片的 相对侧上沉积层过程中。这种保护可以改善或维持化合物材料晶片的品 质。有利地，该方法可以包括在再次使用具有该层的施体基材作为初始 施体基材之前，除去保护层的其它步骤。最终除去步骤可以伴有额外的 抛光步骤或清洁步骤。因而，当将施体基材的保护性表面侧附着在操作基材上时，再次使用的施体基材具有这样的表面性质，使得可以进行粘 合并且其中在进行粘合处表面品质很高。有利地，将在步骤e)中设置该层的施体基材的残余部分的表面侧可 以在沉积该层之前进行抛光和/或清洁。这将改善沉积层的品质，当沉积 层是均相外延层时这将特别有利，而在制造工艺的后面的阶段中将其用 作转移层。该方法对于选自氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、锗(Ge)、氮化铝 (A1N)或金刚石中的一种的施体基材是特别有利的。这些基材在电子应 用中非常重要并且很难以合理的价格获得良好的品质。通过将上述方法 用于该类材料，可以获得比其自身的散装材料更便宜的具有良好品质的 材料化合物晶片。优选地，所使用的操作基材是单晶材料或多晶材料，特别是选自砷 化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)、碳化硅(SiC)或氮化铝(A1N)中的一 种。优选使用具有与施体基材材料相似的热膨胀系数的操作基材，以进 一步改善材料化合物晶片的品质。为了进一步降低成本，与单晶材料相 比，使用多晶材料是有利的。在更常见的情况中，操作基材也可以由硅 (Si)、玻璃或陶瓷材料形成。根据另一形式，操作基材可以具有绝缘层，特别是二氧化硅(Si02) 或氮化硅(Si3N4)等绝缘层，或在将附着至施体基材的表面上具有传导 层。该附加层还增加了适用于微电子学或光电子学的各种应用的不同化 合物材料晶片的数量。本发明还涉及至少包括根据上述方法制造的化合物材料晶片部件的 电子学、光电子学或光学元件。
本发明的具体实施方式
将由下列参考附图的详细描述而更加清楚，g巾图1显示了根据本发明的实施方式实施化合物材料晶片的制造方抹 的步骤的示意图，图2a和2b显示了具有两种不同类型沉积层的施体基材的示意图， 图3显示了根据本发明的第二实施方式实施化合物材料晶片的制造 方法的步骤的示意图。
具体实施方式
图1和图2的化合物材料晶片的新的制造方法的实施方式是基于 SmartCut技术。然而，任何其它适于制造化合物材料晶片并包含预定分 离区的工艺也是适用的。图la图解了初始施体基材1，类似于例如，具有预定尺寸、特别是 由如碳化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、锗(Ge)、氮化铝(A1N)或金刚石 构成的晶片。这些材料在微电子学和光电子学应用中非常重要，但是难 于制造因而比较昂贵。这就是为什么根据本发明将初始施体基材1用于 把该施体的薄层转移至如图lb所示的操作基材2上成为材料较便宜的晶 片的原因。优选操作基材2具有与初始施体基材1的材料相似的热膨胀 系数。在GaN的情况中，例如，合适的材料可以是砷化镓(GaAs)、氧 化锌(ZnO)、碳化硅(SiC)或氮化铝(A1N)。对于这些晶片，材料并 不必须是单晶的，多晶型晶片也可以使用。在另一变化形式中，在如图ld所示的粘合步骤之前，可以将绝缘层， 特别是二氧化硅(Si02)或氮化硅(Si3N4)绝缘层或传导层设置在操作 基材2的将与施体基材1进行粘合的表面7上。为了能够将施体基材1的层转移至操作基材2上，必须在初始施体 基材1内制造预定的分离区。采用如图lc所示的SmartCut技术，这是通 过以预定剂量和能量注入原子物质3 (例如氢离子或其它惰性气体)，使 得由所注入的原子物质3而在施体基材1中产生预定的分离区4而实现 的。预定的分离区4基本上与施体基材1的主表面5平行。在该主表面5 和预定分离区4之间，制造将在下列工序中转移至操作基材2上的层6。图ld图解了该工艺的下一个步骤，其中包括通过将施体基材1的主 表面5粘合到操作基材的一个主表面7上，而将初始施体基材1附着到 操作基材2上。在粘合之前，已经这样制备了待接触的表面5和7使得它们可以彼此粘合。然后将施体操作化合物8放入炉(未示出)中并进行加热以使预定分离区4脆化，这最终会导致施体基材1的残余部分9从由操作基材2 和转移层6构成的化合物材料晶片10上拆分。除了提供热能之外，脆化 和拆分也可以通过提供任何形式的其它能量，例如机械能或热能和机械 能的组合而进行。这两个产物，化合物材料晶片10和初始基材的残余部分9如图le 和图lf所示。在进一步加工之前，材料化合物晶片IO可以接受最终的表 面处理，例如抛光和/或清洁。对于图lf，现在可以再次使用施体基材的残余部分9 (图lf)作为 初始施体基材1且该工艺可以以图la所示的步骤重新开始，或如下文进 一步所述进行层的沉积。最终在再次使用之前，在进行拆分的表面11可 以通过，例如，在下列图lc和图ld所示的注入步骤和粘合步骤之前的 抛光进行修整。如果假设各层的转移和修整会导致除去约5 pm的厚度， 并且从施体基材l的主体中除去约50 pm会导致基材的脆化(即，达到 无法保证适于应用的转移层6的品质的程度)，施体基材的残余部分9的 重复再使用可以进行数次，例如可达10次。因而，当达到了施体基材的残余部分9的最小厚度或为确保工艺的 良好机能而对于操作设备所必需的最小厚度时，该方法以图lg所示的步 骤进行，即将层12沉积在施体基材的残余部分9上。沉积层12的厚度 13使得可以至少部分恢复初始施体基材1的厚度，以便该经修整的施体 基材14能够如图la所示被再次用作初始施体基材1。根据一种变化形式，如图2a所示，沉积层12'由能够快速沉积在与基 材的残余部分9的进行拆分的表面11相对的表面侧15上的材料构成。 因而，根据该变化形式，重点是能够使施体基材的残余部分9快速恢复 至足以再次使用的厚度。因而，沉积层12'的材料并不是必须与初始施体 基材9的材料相同。然而，如果选择层12'的材料使其与施体基材9相同， 则可以选择生长条件以使生长速度得到最优化。在该情况中附力&层12'的 晶体品质可能不足以用作后面使用的转移层6。在该情况中， 一旦初始施体基材1被完全消耗，则工艺中需要引入新的施体基材晶片1。根据如图2b所示的变化形式，沉积层12"是由与施体基材的残余部 分9相同的材料构成，此外，是均相外延生长的，从而层12"的晶体品质 至少可以与基材残余部分9的晶体品质相当。层12"可以沉积在表面11 上或表面15上。在该情况中，不需要在工艺中引入新的施体基材l，因 为沉积层12"稍后可以用作转移层6。使用MOCVD、 HVPE或MBE法， 甚至可能获得晶体品质比施体基材1的初始品质更好的层12"。特别是， 当初始施体基材的位错密度通常大于lX10々cn^时，可能会获得小于该 值的位错密度。在图2a的情况中，经修整的施体基材14和操作基材2之间的附着 将通过表面11进行。在图2b的情况中附着可以通过两个表面进行。图3图解了本发明的制造方法的第二实施方式，其中如图lg所示的 步骤被由图3a 3c所示的工序所代替。附图标记与图1中所使用的附图 标记相同的的部件和特征与图1 一致，因而不再详细解释，但它们的说 明在此引入作为参考。根据图3a中所示的制造步骤，将保护层30沉积在进行拆分的施体 基材的残余部分9的表面11之上，以保护表面11免受污染或机械损害。 合适的保护材料包括二氧化氮或氮化硅(Si02或Si3N4)。图3b中所示的步骤中，将层12沉积在施体基材的残余部分9的相 对表面侧15上。该步骤与对第一实施方式的图lg的描绘和叙述相同。图3c中所示的下列步骤包括除去保护层30。然后将包含施体基材的 残余部分9和沉积层12的经修整的施体基材14再次用作初始施体基材1 。 最终保护层30的除去可以与表面11的额外的抛光步骤和/或清洁步骤一 起进行。根据另一变化形式，在层12生长后，附加层16的表面16可以具有 其它保护膜以在如图la lf中所示的工序中保护经修整的施体基材14 的该表面。 ；下面，将用包含经转移的GaN层的化合物晶片的例子对本发明的制 造方法的应用进行详细描述。下文中不再进行解释的各种变化形式在任何时候都仍然适用，因而以参考的方式引入。提供作为初始施体基材1的GaN晶片，提供作为操作基材的具有相 同直径的GaAs晶片作为操作基材2。GaN晶片，在其六方晶系结构中，具有极性的主表面，即一个表面 存在Ga原子(下述的Ga表面)，而另一个表面存在N原子(下述的N 表面)。为了转移GaN层，通常需要将Ga表面作为自由表面，因而GaN 晶片的N表面与操作基材2粘合。在开始转移过程之前，对GaN施体基材1的N表面进行抛光以除去 通常延伸超过2 , 4 ^m的缺陷层。这些缺陷层是由曾用于GaN晶片 的初始形成的缓冲层产生的。这可以通过抛光来完成。然而其它GaN基 材并不存在这些不便，如WO 03/017357中所披露的基材。预定分离区4通过剂量约为1 X 1015 at/cm2 1 X 1018 at/cn^和能量约 为20keV 200keV的H离子的离子注入而获得(如图lc中所示的工艺 步骤)。采用5X10"at/cn^的剂量和60keV的能量，预定分离区的深度距表面约为几百纳米。在注入之前，可以沉积保护层(Si02或Si3N》以避免GaN层受污染和/或形成有助于粘合到操作基材2的层。根据步骤ld，将GaN基材1与操作基材GaAs 2粘合。为了完成粘 合，将要彼此接触的代表N表面的表面5和表面7必须在原子尺度上是 平整的。这可以通过对GaN基材的N表面进行适当的抛光来实现，使得 对于采用5 pmX5 pm的尺寸的扫描可以得到低于0.3nmRMS(均方根值) 的粗糙度。然后将施体操作化合物8放入炉中在约20(TC 50(TC的温度下进行 约1小时 6小时的热处理以弱化预定分离区直至发生拆分。另外，可以 采用机械能，如引入叶片，或采用热能和机械能的组合。在由初始GaN施体基材1进行例如2 5次转移操作之后，将GaN 施体基材的残余部分9引入外延反应器中，在此用MOCVD、 HVPE或 MBE法将GaN的层12以外延的形式沉积在Ga表面15上。生长銜度约 为700°C 1100°C。取决于应用，沉积层12可以另外进行掺杂。k积的 总厚度可以高达几百纳米，理想地是选择该厚度以恢复初始GaN施体基材1的初始厚度。取决于生长条件，可以获得位错密度比起始基材更好或更差的GaN层。取决于目前所需要的表面，当然可以适当地提供/除去Ga表面或N 表面的保护层。除了Ga表面的修整之外，可以用适当的CMP和/或清洁 步骤来进行外延准备步骤。一旦沉积了 GaN层12，则可以进行重复上述步骤的SmartCut循环。
权利要求
1.一种经修整的施体基材，所述经修整的施体基材包含施体基材(1)的残余部分(9)，所述残余部分(9)具有进行层的拆分的一个表面侧(11)和提供层(12)的相对的表面侧(15)。
2. 如权利要求1所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)为均 相外延层。
3. 如权利要求1所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)具有 与所述残余部分(9)相同的材料，但其中所述层(12)的晶体品质不低 于所述残余部分(9)的晶体品质。
4. 如权利要求1 3任一项所述的经修整的施体基材，其中所述层 (12)具有高达几百纳米的厚度。
5. 如权利要求1 3任一项所述的经修整的施体基材，其中所述层 (12)中的位错密度优于所述残余部分(9)中的位错密度。
6. 如权利要求1 3任一项所述的经修整的施体基材，所述经修整 的施体基材在进行拆分的初始施体基材(1)的残余部分(9)的表面侧(II) 上还包含保护层(30)。
7. 如权利要求1 3任一项所述的经修整的施体基材，其中所述初 始施体基材(1)的残余部分(9)由GaN构成。
8. 如权利要求7所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)提供 在所述残余部分(9)的Ga表面(15)上。
9. 如权利要求8所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)是掺 杂的。
10. 如权利要求7所述的经修整的施体基材，其中N表面(5)的表 面粗糙度对于采用5 pmX5 pm的尺寸的扫描低于0.3 nmRMS。
11. 一种具有N表面和Ga表面的GaN施体基材，其特征在于，在 所述Ga表面上提供层(12)。
12. 如权利要求11所述的GaN施体基材，其中所述层(12)是GaN。
13. 如权利要求11或12所述的GaN施体基材，其中所述层(12)具有高达几百纳米的厚度。
14. 如权利要求11或12所述的GaN施体基材，其中所述层(12) 中的位错密度小于1 X 107/cm2。
15. 如权利要求11或12所述的GaN施体基材，其中所述层(12) 是掺杂的。
16. 如权利要求ll或12所述的GaN施体基材，其中N表面(5) 的表面粗糙度对于采用5 pmX5 pm的尺寸的扫描低于0.3 nmRMS。
全文摘要
本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法提供初始施体基材(1)，在初始施体基材(1)内形成预定的分离区(4)，将初始施体基材(1)附着在操作基材(2)上，和在预定的分离区(4)对施体基材(1)进行拆分，从而将施体基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率，该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施体基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施体基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施体基材(1)作为步骤a)中的初始施体基材(1)。本发明还涉及至少包括根据所述方法制造的化合物材料晶片部件的电子学、光电子学或光学元件。
文档编号H01L21/00GK101221895SQ20081000220
公开日2008年7月16日 申请日期2005年11月8日 优先权日2004年11月9日
发明者弗雷德里克·杜蓬 申请人:硅绝缘体技术有限公司