专利名称：底部填充材料组成物及光半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及 一种在利用金凸块(bump)将光半导体元件安装在基板上而形成的光 半导体装置中，注入填充至光半导体元件与基板之间而使用的底部填充材料组成物。详 细而言，是涉及一种成形性、与金凸块的密接性、耐热性、耐光性优异的底部填充材料 组成物及光半导体装置。
背景技术：
发光二极管(LED，LightEmittingDiode)等光半导体元件可用作各种指示器
(indicator)或光源。近年来，光半导体装置的高输出化及短波长化取得进展，在光半导 体元件的周边使用的树脂材料存在因光而发生劣化的问题。并且，在室温以上的温度下 将如具有回焊(reflow)温度以下的玻璃转移温度般的材料用作底部填充材料时，存在回 焊后芯片(chip)发生翘曲变化的问题。底部填充用树脂组成物已知有以环氧树脂、硬化剂及硬化促进剂为构成成分的 环氧树脂组成物(日本专利特开2007-169445号公报、日本专利特开2009-155405号公 报、日本专利特开2009-173744号公报)。环氧树脂是使用双酚A型环氧树脂或双酚F 型环氧树脂等，将以这些环氧树脂为主原料的环氧树脂组成物用作光半导体装置用底部 填充材料时，会发生以下问题由于光半导体元件长时间的点亮会引起已密封的树脂劣 化，并且由于黄变而使发光亮度明显降低。耐热性、耐光性优异的发光元件用密封材料环氧树脂组成物，已知有包含异三 聚氰酸(isocyanuric acid)衍生物环氧树脂的环氧树脂组成物(日本专利特开2005-306952 号公报)。但是，该组成物在耐光性方面也说不上充分。但是，近年来，矩阵阵列封装(MAP，MatrixArray Package)方式等成形封装尺
寸一直存在大型化，因密封树脂硬化所引起的翘曲成为大问题。如果翘曲大，则在封装 的传送步骤或切割步骤中会产生麻烦。所述各组成物在这一方面也无法令人满意。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种能形成在回焊时对翘曲行为无影响，耐热性、 耐光性优异，且对金凸块的密接性为与先前的底部填充剂同等以上的硬化物的光半导体 装置用底部填充材料组成物及光半导体装置。本发明提供一种底部填充材料组成物，包括下述成分(A)由下述平均组成式(1)表示、且重量平均分子量(聚苯乙烯换算)为500 20000的支链状有机聚硅氧烷60重量份 99重量份[化1](CH3) aSi (OR1) b (OH) cO(4_a_b_c)/2 (1)(式中，R1为碳数1 4的有机基，a、b、c为满足0.8《a《1.5、0让《0.3、 0.001<c<0.5,及 0.801<a+b+c < 2 的数)
(B)无机填充剂，250重量份 1000重量份；(C)缩合催化剂，0.01重量份 10重量份；(D)具有由下述式(2)表示的直链状二有机聚硅氧烷残基(diorganopolysiloxane residue)的有机聚娃氧烧(organopolysiloxane) 1重量份 40重量份(其中，㈧成分与(D)成分的合计为100重量份)[化2]
权利要求
1.一种底部填充材料组成物，其特征在于包括(A)由下述平均组成式(1)表示、且聚苯乙烯换算的重量平均分子量为500 20000 的支链状有机聚硅氧烷，60重量份 99重量份，[化1](CH3)aSi(OR1)b(OH)cO (4-a-b-c) /2 (1)式(1)中，R1为碳数1 4的有机基，a、b、c为满足0.8《a《1.5、0让《0.3、 0.001 化0.5、及 0.801<a+b+c < 2 的数；(B)无机填充剂，250重量份 1000重量份；(C)缩合催化剂，0.01重量份 10重量份；(D)具有由下述式(2)表示的直链状二有机聚硅氧烷残基的有机聚硅氧烷，1重量 份 40重量份，其中(A)成分与(D)成分的合计为100重量份，[化2]
2.根据权利要求1所述的底部填充材料组成物，其特征在于，(B)无机填充剂为选自 平均粒径0.1 μιη 200 μιη的熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、二氧化钛、氧化镁及氧化 铝中的至少1种，并且在底部填充材料组成物中的含量为70wt% 93wt%。
3.根据权利要求1或2所述的底部填充材料组成物，其特征在于，(B)无机填充剂是 以硅烷偶合剂来进行表面处理。
4.根据权利要求3所述的底部填充材料组成物，其特征在于，(B)无机填充剂是以 N-苯基-Y -氨基丙基三甲氧基硅烷来进行表面处理。
5.根据权利要求1所述的底部填充材料组成物，其特征在于，(E)硅烷偶合剂为 Y-巯基丙基三甲氧基硅烷。
6.一种光半导体装置，其特征在于包括根据权利要求1至5中任一项所述的底部填充 材料组成物的硬化物。
全文摘要
本发明提供一种能形成在回焊时对翘曲行为无影响，耐热性、耐光性优异，且对金凸块的密接性为与先前的底部填充剂同等以上的硬化物的光半导体装置用底部填充材料组成物及光半导体装置。本发明的底部填充材料组成物包括下述成分(A)特定的支链状有机聚硅氧烷、(B)无机填充剂、(C)缩合催化剂、(D)具有特定的直链状二有机聚硅氧烷残基的有机聚硅氧烷、(E)硅烷偶合剂。
文档编号H01L33/56GK102020852SQ201010283718
公开日2011年4月20日 申请日期2010年9月14日 优先权日2009年9月15日
发明者沢田纯一, 田口雄亮 申请人:信越化学工业株式会社