专利名称：薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)阵列基板，尤其涉及 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法。
背景技术：
目前，世界已进入信息革命时代，显示技术及显示器件在信息技术的发展 过程中占据了十分重要的地位。其中，平板显示由于具有重量轻、厚度薄、体 积小、无辐射、不闪烁等优点，已成为显示技术发展的方向。在平板显示技术 中，TFTLCD因其具有功耗低、制造成本相对较低、无辐射的特点，在平板显 示器巿场中占据了主导地位。
TFTLCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的，图1 ~图 lb所示是目前主流的非晶硅TFT结构单一像素俯视图、及其A-A和B-B部位 的截面示意图。如图1~图lb所示，该非晶硅TFT结构釆用背沟道腐蚀的底栅 结构，该阵列结构包括 一组栅极扫描线1和与之垂直的一组数据扫描线5， 相邻的栅极扫描线l和数据扫描线5定义一个像素区域。每一个像素包含有一 个TFT开关器件、像素电极IO和部分的公共电极引线11,所述TFT开关器件 由栅电极2、欧姆接触层14、半导体层3、栅电极绝缘层4、以及源电极6和漏 电极7组成；在栅电极2、欧姆接触层14、半导体层3、栅电极绝缘层4、以及 源电极6和漏电极7之上覆盖有钝化层8，并且，在漏电极7上方形成钝化层 过孔9;像素电极10通过钝化层过孔9与TFT的漏电极7相连接；像素电极 10 —部分和栅极扫描线1 一起形成存储电容(图中未示出)。为了进一步降低 对盒后像素间的漏光，在像素平行于数据扫描线5的两侧形成挡光条12。
上述图1~图lb所示的像素结构， 一般使用5-Mask工艺制造。5-Mask工艺是目前制作TFT的典型工艺技术，其主要工艺步骤如图2所示，包括
步骤201 -202:形成栅电极及其引线，形成栅电极绝缘层、欧姆接触层和 半导体层；
步骤203 -205:形成源电极、漏电极及数据扫描线；形成钝化层及像素电极。
图2所示的每个步骤都包括薄膜沉积工艺、以及曝光和刻蚀等构图工艺。 除图2所示的5-Mask技术，在现有技术中，通过改变Mask设计和工艺流程， 也可产生其它的Mask工艺技术，这里不再赘述。
使用上述5-Mask工艺所制造的图1~图lb所示的像素结构，由于像素电 极10与栅极扫描线1之间存在栅电极绝缘层4和钝化层8,所以，存储电容(图 中未示出)较小，进而跳变电压较大，会影响画面显示品质。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结 构及其制造方法，能够在简化工艺过程的同时，提高画面显示品质。 为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的
本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括基板；所述基板 之上形成有像素电极以及透明导电层；
所述像素电极之上形成有漏电极，所述透明导电层之上形成有数据扫描线 和源电极，且所述源电极与所述数据扫描线连接，所述漏电极与所述像素电极
连接；
所述源电极与漏电极之上依次形成有欧姆接触层、以及半导体层，且欧姆
接触层分别与源电极和漏电极接触的部分互不连接；
源电极、漏电极未被欧姆接触层覆盖的部分、欧姆接触层未被半导体层覆
盖的部分、以及半导体层之上均形成有钝化层； 所述钝化层之上形成有栅极扫描线及栅电极； 所述栅极扫描线和所述栅电极之上形成有栅电极绝缘层。其中，源电极与漏电极之间的欧姆接触层包含有半导体掺杂区域，所述半 导体掺杂区域使欧姆接触层分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接。 该像素结构还包括
所述钝化层之上、栅电极绝缘层之下还形成有挡光条和公共电极引线，所 述挡光条平行于所述数据扫描线，所述公共电极引线平行于所述栅极扫描线。
所述栅极扫描线、数据扫描线、源电极、漏电极、公共电极引线或挡光条 为铝、铬、锡、钽、钛、钼及钼镍之一构成的单层、或上述金属材料任意组合 构成的单层或复合层。
所述像素电极和所述透明导电层为相同材料部分，且所述像素电极与所述 透明导电层互不连接。
本发明同时提供了 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法，该方
法包括
A、 在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，通过构图工艺在基板上形 成像素电极、源电极、漏电极和数据扫描线，且使得所述源电极与所述数据扫 描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；
B、 在完成步骤A的基板上沉积欧姆接触层薄膜，通过一定的工艺使得欧 姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接，之后，沉积半导体 层薄膜，通过构图工艺在所述源电极和漏电极上形成欧姆接触层以及半导体层；
C、 在完成步骤B的基板上沉积钝化层薄膜，形成钝化层；
D、 在完成步骤C的基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺形成栅极扫描线、 栅电极；
E、 在完成步骤D的基板上形成栅电极绝缘层。
其中，所述通过一定的工艺使得欧姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连 接的部分互不连接具体为
首先在沉积的欧姆接触层薄膜上涂布一层光刻胶，通过曝光显影工艺将半 导体掺杂区域对应的欧姆接触层薄膜暴露出来，对暴露出来的所述欧姆接触层 薄膜使用半导体掺杂工艺形成半导体掺杂区域，之后，剥离掉欧姆接触层薄膜
7上的光刻胶。
所述通过一定的工艺使得欧姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部
分互不连接具体为
先在沉积的欧姆接触层薄膜上涂布一层光刻胶，通过曝光显影工艺将半导 体掺杂区域对应的欧姆接触层薄膜暴露出来，使用构图工艺刻蚀掉暴露出来的 所述欧姆接触层薄膜，之后，剥离掉欧姆接触层薄膜上的光刻胶。
步骤B中所述欧姆接触层和半导体层为形成半岛体掺杂区域之后，使用同
一掩膜板在构图工艺中同时形成。
步骤A具体为
在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，在所述金属薄膜之上涂布一层 光刻胶，用掩模板全曝光出数据扫描线、源电极、漏电极以及像素区域；
对所述像素区域进行灰化处理，去掉所述像素区域之上的光刻胶后，刻蚀 掉所述像素区域的金属薄膜层，形成像素电极。
步骤D中在通过构图工艺形成栅极扫描线和栅电极的同时，还形成公共电 极引线以及挡光条。
所述形成栅电极绝缘层具体为
沉积栅电极绝缘层，并通过构图工艺在基板周边形成过孔，以暴露出基板 周边的信号引线；或者，
使用掩膜生长工艺形成栅电极绝缘层。
本发明所提供的薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法，将数据扫 描线、源电极、漏电极和像素电极在一次曝光工艺中形成，而不是如现有技术 中，将数据扫描线、源电极、漏电极在一次曝光工艺中形成，将像素电极在另
外一次曝光工艺中形成；将欧姆接触层和半导体层在一次刻蚀工艺中形成，而
不是分别在两次刻蚀工艺中形成，如此，大大简化了工艺过程。并且，由于将 数据扫描线、源电极、漏电极和像素电极在一次曝光工艺中形成，取消了栅极 绝缘层和钝化层过孔，由此，像素电极与栅极扫描线之间只存在钝化层，缩小 了像素电极与栅极扫描线之间的间距，进而增大了存储电容，减小了跳变电压，从而可以有效改善和提高画面显示品质。
图1为现有技术中TFT LCD阵列基板上单一像素结构俯视图； 图la为图1的A-A部分横截面示意图； 图lb为图1的B-B部分横截面示意图； 图2为现有技术5-Mask工艺流程示意图； 图3为本发明中TFT LCD阵列基板上单一像素结构俯视图； 图3a为一种图3的C-C部分横截面示意图； 图3b为另一种图3的C-C部分横截面示意图； 图3c为图3的D-D部分横截面示意图； 图4为本发明TFT LCD像素结构制造方法流程示意图； 图5a为本发明图4所示制造方法像素电极层经过构图工艺之后的像素结构 俯视图5b为本发明经过全曝光之后的E-E部分横截面示意图5c为本发明经过灰化处理之后的E-E部分横截面示意图5d为本发明去掉金属薄膜层之后的E-E部分横截面示意图5e为本发明图4所示制造方法像素电极层经过构图工艺之后的像素结构
C-C部分横截面示意图6a为本发明图4所示制造方法通过构图工艺形成欧姆接触层、以及半导
体层之后的像素结构俯视图6b为本发明图4所示制造方法过构图工艺形成欧姆接触层、以及半导体
层之后的像素结构C-C部分横截面示意图6c为本发明图4所示的制造方法经过半导体掺杂工艺形成半导体掺杂区
域后的C-C部分横截面示意图6d为本发明图4所示的制造方法刻蚀掉半导体掺杂区域后的C-C部分
横截面示意图；图7为本发明图4所示制造方法沉积钝化层后的C-C部分横截面示意图； 图8为本发明图4所示制造方法栅金属薄膜经过构图工艺之后的像素结构
c-c部分横截面示意图。
附图标记1、栅极扫描线；2、栅电极；3、半导体层；4、栅极绝缘层；5、 数据扫描线；6、源电极；7、漏电极；8、钝化层；9、钝化层过孔；10、像素 电极；11、公共电极引线；12、挡光条；14、欧姆接触层；15、半导体掺杂区 域；16、光刻胶；17、透明导电层；18、金属薄膜层。
具体实施例方式
本发明的基本思想是将数据扫描线、源电极、漏电极和像素电极在一次 曝光工艺中形成，将半导体层和欧姆接触层在一次刻蚀工艺中形成，在简化工 艺过程的同时，增大存储电容。
进一步的，当源电极和漏电极分别与欧姆接触层相连接时，可对源电极与 漏电极之间的欧姆接触层使用半导体掺杂工艺，使所述欧姆接触层互不连接， 以保证本发明所述像素结构正常工作。
以下，通过具体实施例结合附图详细说明本发明薄膜晶体管液晶显示器像 素结构及其制造方法的实现。
图3为本发明TFTLCD阵列基板上单一像素结构俯视图；图3a和图3b分 别为图3的C-C部分横截面示意图、以及D-D部分横截面示意图。如图3-图3b所示，该TFTLCD的阵列基板上有一组栅极扫描线1和与之平行的公共 电极引线ll，以及与之垂直的一组数据扫描线5和挡光条12;每相邻的栅极扫 描线1和数据扫描线5交叉定义一个像素区域； 一个像素区域包含有一个TFT 开关器件、像素电极IO和公共电极引线11,其中，所述TFT开关器件由栅电 极2、半导体层3、栅极绝缘层4,欧姆接触层14、以及源电极6和漏电极7 组成。
如图3-3b所示，本发明所提供的像素结构具体为
玻璃基板之上为像素电极IO以及透明导电层17,在所述像素电极10之上为漏电极7，所述透明导电层17之上为数据扫描线5以及源电极6，并且源电 极6与数据扫描线5连接，漏电极7与像素电极IO连接，像素电极10与透明 导电层17互不连接。而且，由于制造方法的关系，例如使用本发明图4所示的 制造方法时，可能在数据扫描线5以及源电极6之下包含的透明导电层17为像 素电极10所在像素电极层，但是，在数据扫描线5、源电极6之下的所述并不 与漏电极7以及像素电极10相连接，只有与漏电极7连接的所述像素电极层部 分为像素电极IO,也即所述透明导电层17不与像素电极IO相连接。其中，像 素电极IO、源电极6、漏电极7和数据扫描线5为在同一镀膜、掩膜光刻和刻 蚀等构图工艺中完成制作的不同材料部分。所述像素电极10以及透明导电层 17的材料一般为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。所述数据扫描线5、源电极 6、与漏电极7为铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一构成的单层、或上述金属 材料任意组合构成的单层或复合层。
在源电极6与漏电极7之上依次为欧姆接触层14以及半导体层3,并且， 欧姆接触层14分别与源电极6和漏电极7连接的部分互不连接，其中，使欧姆 接触层14互不连接的方法可以为通过半导体掺杂工艺形成如图3a所示的半 导体掺杂区域15,该半导体掺杂区域15属于欧姆接触层14，使欧姆接触层14 互不连接；或者，直接通过构图工艺刻蚀掉图3a中所示的半导体掺杂区域15， 而形成图3b所示的像素结构横截面图，也可以达到使欧姆接触层互不连接的目 的。其中，欧姆接触层14和半导体层3为使用同一掩膜板在光刻和刻蚀工艺中 完成制作的不同材料部分。其中，具体使用何种材料属于公知技术，这里不再
源电极6、漏电极7未被欧姆接触层14覆盖的部分、欧姆接触层14未被 半导体层3覆盖的部分、以及半导体层3之上均覆盖有钝化层8。其中，所述 钝化层8的材料一般为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。
在钝化层8之上包含栅极扫描线1、栅电极2、挡光条12以及公共电极引 线ll，并且，挡光条平行于数据扫描线5。在钝化层8未被覆盖部分、栅极扫 描线l、栅电极2、挡光条12、以及公共电极引线11之上覆盖有栅电极绝缘层
114。其中，所述栅极扫描线l、公共电极引线ll和挡光条12为在同一镀膜、掩 膜光刻和刻蚀等构图工艺中完成制作的相同材料部分，可以为铝、铬、钨、钽、 钛、钼及铝镍之一构成的单层、或为上述金属材料任意组合构成的单层或复合 层。
现有技术中，如图l 图lb所示，半导体有缘层14在源电极6、漏电极7 下面，像素电极10通过钝化层过孔9与漏电极7相连接；而在本发明所述像素 结构中，如图3~图3b所示，将像素电极10、源电极6和漏电极7在同一镀膜、 掩膜光刻和刻蚀等构图工艺中完成，取消了钝化层过孔9,并釆用顶栅结构， 节省了一步曝光工艺。
图3-图3b所示TFT LCD像素结构仅为本发明的一种典型结构，在实际 应用中，也可以采用其它形状和图案的像素结构，只要将源电极与数据扫描线 相连接，漏电极与像素电极连接，欧姆接触层和半导体层位于数据扫描线之上； 且欧姆接触层如与源电极和漏电极连接，则欧姆接触层连接源电极的部分和连 接漏电极的部分互不连接即可。
图4为本发明薄膜晶体管液晶显示器像素结构制造方法，同时参照图3~ 图3b，该方法包括
步骤401:在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，通过曝光工艺和刻 蚀工艺等构图工艺，在基板上形成像素电极10、源电极6、漏电极7和数据扫 描线5。
使用一定的金属沉积方法，例如磁控溅射方法，在玻璃基板上沉积一层像 素电极层，使用透明电极的掩膜版，厚度在IOO人至IOOO人之间；然后，使用 磁控溅射方法在像素电极层上再沉积一层厚度在IOOO人到7000A金属薄膜；之 后，在所述金属薄膜之上涂布一层光刻胶16，用掩膜板全曝光出数据扫描线5、 源电极6、漏电极7和像素区域，所述像素区域即为图5b中像素电极IO所对 应的部分，像素电极10之上覆盖有与数据扫描线5材料相同的金属薄膜层18， 所述数据扫描线5、源电极6、漏电极7和像素区域均为双层金属结构，位于数 据扫描线5以及源电极6之下的像素电极层为透明导电层17,而像素区域与漏电极7相连接，完成全曝光之后的数据扫描线5以及所述金属薄膜层18之上覆
盖有完整的光刻胶，如图5b所示。之后，进行灰化处理，去掉覆盖在金属薄膜 层18上的光刻胶16，此时的E-E部分横截面示意图如图5c所示。最后，用 物理或化学刻蚀方法去掉像素区域双层金属上的第一层金属，也即像素电极10 之上的金属薄膜层18,形成像素电极10的图形，此时的E-E部分横截面示意 图如图5d所示。
完成步骤401之后的像素结构俯视图以及C-C部分横截面示意图如图5a 和5e所示，结合图5d可知源电极6与数据线5相连，源电极6和漏电极7 下部包含像素电极层，且数据扫描线5、源电极6下部所包含的像素电极层即 为本发明中所述的透明导电层17,所述透明导电层17不与漏电极7相连，且 并不包含在像素电极10中，只有与漏电极7相连的像素电极层部分才称为像素 电极10。
常用的像素电极IO材料为氧化铟锡(ITO)、或氧化铟锌(IZO);所述金 属薄膜所使用的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或 铜等金属，也可以使用上述几种金属材料薄膜的组合结构。
其中，具体如何使用磁控溅射方法所述沉积、如何进行所述曝光、以及所 述刻蚀方法的使用均属于公知技术，这里不再赘述。
步骤402:在完成步骤401的基板上沉积欧姆接触层薄膜，通过半导体掺 杂工艺形成半导体掺杂区域15，之后再次沉积半导体层薄膜，通过曝光工艺和 刻蚀工艺等构图工艺，在所述源电极6和漏电极7上形成欧姆接触层14、以及 半导体层3。
利用一定的沉积方法，例如化学汽相沉积法，在阵列基板上沉积500人到 2000人的N+a-Si薄膜，在所述N+a-Si薄膜上涂布一层光刻胶16，通过曝光显 影工艺，使得欧姆接触层薄膜中的半导体掺杂区域15暴露出来。在半导体掺杂 区域15处进行半导体掺杂工艺，使得半导体掺杂区域15中掺杂有P型硅，此 时，C-C部分横截面示意图如图6c所示，之后，剥离掉欧姆接触层薄膜上的 光刻胶16。利用一定的金属沉积方法，例如化学汽相沉积法，在阵列基板上沉积500人到4000人的非晶硅薄膜，用半导体层3的掩膜版进行曝光后对非晶硅 进行干法刻蚀，同时形成欧姆接触层14和半导体层3,欧姆接触层14和半导 体层3为使用同一掩膜板在光刻和刻蚀等构图工艺中完成制作的不同材料部 分。
其中，源电极6和漏电极7上部分覆盖的欧姆接触层14中为N型非晶硅， 源电极6和漏电极7间的欧姆接触层14的半导体掺杂区域15中为P型非晶硅。 完成本步骤之后的像素结构俯视图如图6a所示，C-C部分横截面示意图如图 6b所示。
其中，具体如何使用化学汽相沉积法进行所述沉积、以及如何进行所述刻 蚀工艺和所述掺杂工艺属于公知技术，这里不再赘述。
步骤403:利用一定的沉积方法，例如化学汽相沉积法，在阵列基板上连 续沉积IOOO人到6000人的钝化层。
完成本步骤之后的像素结构的C-C部分横截面示意图如图7所示，在源 电极6和漏电极7未被欧姆接触层14覆盖的部分、像素电极10未被漏电极7 覆盖的部分、欧姆接触层14未被半导体层3覆盖的部分、以及半导体层3之上 均沉积有钝化层8。
所述钝化层的材料一般为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。
步骤404:在完成步骤403的基板上沉积金属薄膜，通过曝光工艺和刻蚀 工艺等构图工艺，形成栅极扫描线l、栅电极2、公共电极引线11以及挡光条 12。
使用一定的金属沉积方法，例如磁控溅射方法，在玻璃基板上制备一层厚 度在IOOOA至7000人的栅金属薄膜，用栅电极掩膜版通过曝光工艺和刻蚀工艺 等构图工艺，在玻璃基板的一定区域上形成栅极扫描线1、栅电极2、公共电极 引线ll和挡光条12的图案。
完成本步骤之后的像素结构的C-C部分横截面示意图如图8所示，栅电 极2形成于钝化层8之上。
其中，所述栅金属薄膜所使用的栅金属材料可以为钼、铝、铝镍合金、钼鎢合金、铬、或铜等金属，或者，也可以使用上述几种栅金属材料薄膜的组合 结构。
步骤405:在完成步骤404的基板上沉积栅电极绝缘层4。 使用一定的沉积方法，例如化学汽相沉积法，在玻璃基板上沉积一层厚度 在1000A至4000A的栅电极绝缘层4。在实际应用中，沉积栅电极绝缘层4后， 还需要通过曝光及刻蚀等构图工艺，在阵列基板周边形成过孔图形，将阵列基 板周边信号引线暴露出来，以实现外加信号的输入。
所述栅电极绝缘层的材料一般为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。
或者，在本步骤中，也可以直接在完成步骤404的基板上使用掩膜生长工
艺形成栅电极绝缘层4。这时，所使用的掩膜生长工艺，能够保证引线的引线 (PAD)区及ITO电击区上方不覆盖栅电极绝缘层4,从而节省了使用曝光等 构图工艺将周边信号引线暴露的过程。具体如何使用掩膜生长工艺形成栅电极 绝缘层4属于公知技术，这里不再赘述。
其中，在图4所示的像素结构制造方法的步骤402中，对于半导体掺杂区 域15，也可以不使用所述半导体掺杂工艺，而是直接使用干法刻蚀等构图工艺 刻蚀掉所述半导体掺杂区域15,同样可以达到使欧姆接触层互不连接的目的。 刻蚀掉所述半导体掺杂区域15后的C-C部分横截面示意图如图6d所示。这 时，其他步骤的具体操作与图4所示的制造方法相同，这里不再过多赘述。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
权利要求
1、一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括基板；其特征在于，所述基板之上形成有像素电极以及透明导电层；所述像素电极之上形成有漏电极，所述透明导电层之上形成有数据扫描线和源电极，且所述源电极与所述数据扫描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；所述源电极与漏电极之上依次形成有欧姆接触层、以及半导体层，且欧姆接触层分别与源电极和漏电极接触的部分互不连接；源电极、漏电极未被欧姆接触层覆盖的部分、欧姆接触层未被半导体层覆盖的部分、以及半导体层之上均形成有钝化层；所述钝化层之上形成有栅极扫描线及栅电极；所述栅极扫描线和所述栅电极之上形成有栅电极绝缘层。
2、 根据权利要求l所述的像素结构，其特征在于，源电极与漏电极之间的 欧姆接触层包含有半导体掺杂区域，所述半导体掺杂区域使欧姆接触层分别与 源电极和漏电极连接的部分互不连接。
3、 根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括 所述钝化层之上、栅电极绝缘层之下还形成有挡光条和公共电极引线，所述挡光条平行于所述数据扫描线，所述公共电极引线平行于所述栅极扫描线。
4、 根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述栅极扫描线、数据扫描线、源电极、漏电极、公共电极引线或挡光条为铝、铬、钨、钽、钛、钼 及销镍之一构成的单层、或上述金属材料任意组合构成的单层或复合层。
5、 根据权利要求1至3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电 极和所述透明导电层为相同材料部分，且所述像素电极与所述透明导电层互不 连接。
6、 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该方法 包括A、 在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，通过构图工艺在基板上形 成像素电极、源电极、漏电极和数据扫描线，且使得所述源电极与所述数据扫 描线连接，所述漏电极与所述像素电极连接；B、 在完成步骤A的基板上沉积欧姆接触层薄膜，通过一定的工艺使得欧 姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接，之后，沉积半导体层薄膜，通过构图工艺在所述源电极和漏电极上形成欧姆接触层以及半导体层；C、 在完成步骤B的基板上沉积钝化层薄膜，形成钝化层；D、 在完成步骤C的基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺形成栅极扫描线、 栅电极；E、 在完成步骤D的基板上形成栅电极绝缘层。
7、 根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述通过一定的工艺使 得欧姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接具体为首先在沉积的欧姆接触层薄膜上涂布一层光刻胶，通过曝光显影工艺将半 导体掺杂区域对应的欧姆接触层薄膜暴露出来，对暴露出来的所述欧姆接触层 薄膜使用半导体掺杂工艺形成半导体掺杂区域，之后，剥离掉欧姆接触层薄膜 上的光刻胶。
8、 根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述通过一定的工艺使 得欧姆接触层薄膜分别与源电极和漏电极连接的部分互不连接具体为先在沉积的欧姆接触层薄膜上涂布一层光刻胶，通过曝光显影工艺将半导 体掺杂区域对应的欧姆接触层薄膜暴露出来，使用构图工艺刻蚀掉暴露出来的 所述欧姆接触层薄膜，之后，剥离掉欧姆接触层薄膜上的光刻胶。
9、 根据权利要求6至8任一项所述的制造方法，其特征在于，步骤B中 所述欧姆接触层和半导体层为形成半岛体掺杂区域之后，使用同一掩膜板在构 图工艺中同时形成。
10、 根据权利要求6至8任一项所述的制造方法，其特征在于，步骤A具 体为在基板上依次沉积像素电极层、金属薄膜，在所述金属薄膜之上涂布一层光刻胶，用掩模板全曝光出数据扫描线、源电极、漏电极以及像素区域；对所述像素区域进行灰化处理，去掉所述像素区域之上的光刻胶后，刻蚀 掉所述像素区域的金属薄膜层，形成像素电极。
11、 根据权利要求6至8任一项所述的制造方法，其特征在于，步骤D中 在通过构图工艺形成栅极扫描线和栅电极的同时，还形成公共电极引线以及挡 光条。
12、 根据权利要求6至8任一项所述的制造方法，其特征在于，所述形成 栅电极绝缘层具体为沉积栅电极绝缘层，并通过构图工艺在基板周边形成过孔，以暴露出基板 周边的信号引线；或者，使用掩膜生长工艺形成栅电极绝缘层。
全文摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，在基板之上形成有形成有像素电极以及透明导电层；像素电极上形成有漏电极，透明导电层上形成有数据扫描线和源电极，且源电极与数据扫描线连接，漏电极与像素电极连接；源电极与漏电极上依次形成有欧姆接触层与半导体层，欧姆接触层分别与源电极和漏电极接触的部分互不连接；源电极及漏电极未被欧姆接触层覆盖的部分、欧姆接触层未被半导体层覆盖的部分以及半导体层上形成有钝化层；所述钝化层上依次形成有栅极扫描线和栅电极、以及栅电极绝缘层。本发明同时提供了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法，所述像素结构和制造方法能够节省制造工艺过程，并增大存储电容。
文档编号H01L21/70GK101566768SQ20081010502
公开日2009年10月28日 申请日期2008年4月25日 优先权日2008年4月25日
发明者弥 张 申请人:北京京东方光电科技有限公司