专利名称：消除芯片表面水汽的方法
技术领域：
本发明涉及一种消除芯片表面水汽的方法，特别涉及一种改变芯片表面状态的化学方法。
背景技术：
在空气湿度大的环境下，MOS器件容易出现IDSS (源漏极泄露电流)测试值偏大的 情况，而形成IDSS失效。通常处理这种失效是采用烘烤的方法，即利用高温使芯片表面 的水汽蒸发掉，消除由于水汽附着导致的IDSS漏电失效及软击穿现象。烘烤的主要条件 为密闭烘箱，250°C。经过高温烘烤后，芯片的IDSS失效可以恢复正常。
然而，由于DMOS产品背面的Drain端要蒸镀一层金属，作为引出电极，而高温烘烤 会使其背面的金属容易出现脱落的现象，从而使芯片完全失去功能。
发明内容
有鉴于此，需要提供一种可以消除芯片表面水汽，又不对芯片功能产生不利影响的方法。
一种消除芯片表面水汽的方法，包括
将芯片放入密闭容器中；
将密闭容器抽真空；
在密闭容器中通入六甲基二硅胺垸(HMDS)气体； 保持一段时间。
上述消除芯片表面水汽的方法在常温条件下使用HMDS (六甲基二硅胺垸)与芯片表 面的羟基反应，使芯片表面由亲水性变为疏水性，从而避免了高温烘烤芯片带来的金属脱 落风险。
图1为本发明消除芯片表面水汽的方法的最佳实施方式的流程图。
具体实施例方式
如图1所示，本发明消除芯片表面水汽的方法的最佳实施方式包括
步骤102,将带有水汽的芯片放入一个密闭容器中。其中，该密闭容器与一个真空泵 相连，该真空泵可用于将该密闭容器抽真空。
步骤104，开启真空泵，对该密闭容器进行抽真空到第一预定的气压。在该实施方式 中，该第一预定的气压小于100torr。
步骤106，在密闭容器中充入氮气，至该密闭容器内压力恢复为常压(一个大气压)， 随后重复步骤104至步骤106的过程若干次。在该实施方式中，可以重复步骤104至步骤 106的过程四次，以排除杂质气体。
步骤108，对密闭容器抽真空至第二预定的气压。在该实施方式中，该第二预定的气 压小于ltorr。
步骤110，在密闭容器中通入六甲基二硅胺烷(HMDS)气体，至该密闭容器内HMDS 气体达到预定的浓度。60秒(可根据情况调整)后，停止充入HMDS气体。
步骤112,保持HMDS气体在该密闭容器中一段预定时间。在该实施方式中，该预定 时间为8分钟。
步骤114，将密闭容器内气体排空。
步骤116，在该密闭容器中充入氮气，随后重复步骤114至步骤116的过程若干次。在 该实施方式中，可以重复步骤114到步骤116的过程四次，以排净其中的HMDS气体。 步骤118，将芯片从密闭容器中取出。
在上述实施方式中，步骤104至步骤106的过程可消除密闭容器中原存的氧气等杂质 气体，在其他实施方式中，也可以不经过步骤104至步骤106的过程而直接将HMDS气体 通入密闭容器中。
在上述实施方式中，步骤114至步骤116的过程可充分将密闭容器中的HMDS气体与 芯片表面残存的水汽排出。在其他实施方式中，也可以不经过步骤114到步骤116的过程 而直接将芯片从密闭容器中取出。
由于HMDS可以与芯片表面的羟基反应，使芯片表面由亲水性变为疏水性。从而可以 杜绝水汽在芯片表面的滞留，避免了漏电失效及软击穿的产生。由于以上步骤均在常温下 进行，可以避免高温烘烤造成金属脱落。
权利要求
1. 一种消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述消除芯片表面水汽的方法包括将芯片放入一个密闭容器中；对所述密闭容器抽真空至第一预定气压；向所述密闭容器中通入六甲基二硅胺烷气体；保持一段预定时间。
2. 如权利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，在向所述密闭容器内通 入六甲基二硅胺垸气体之前进一步包括向所述密闭容器中通入氮气至第二预定气压； 将所述密闭容器中的氮气排空。
3. 如权利要求2所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述向所述密闭容器内 通入氮气的步骤及所述排空氮气的步骤可重复预定次数。
4. 如权利要求3所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述预定次数为四次。
5. 如权利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述第一预定气压小于 100torr。
6. 如权利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述第二预定气压为一 个大气压。
7. 如权利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述预定时间为8分钟。
8. 如权利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，在保持一段预定时间之 后进一步包括将所述密闭容器内的气体排空； 向所述密闭容器内通入氮气。
9. 如权利要求8所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述将密闭容器气体排 空及通入氮气的步骤可重复预定次数。
10. 如权利要求9所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述预定次数为四次。
全文摘要
本发明涉及一种消除芯片表面水汽的方法，目的是提供可以消除芯片表面水汽，又不对芯片功能产生不利影响的方法。实现本发明目的的技术方案是一种消除芯片表面水汽的方法，包括将芯片放入密闭容器中；将密闭容器抽真空；在密闭容器中通入六甲基二硅胺烷(HMDS)气体；保持一段时间。本发明采用在常温条件下使用HMDS(六甲基二硅胺烷)与芯片表面的羟基反应，使芯片表面由亲水性变为疏水性，从而避免了高温烘烤芯片带来的金属脱落风险。
文档编号H01L21/00GK101388329SQ200810154950
公开日2009年3月18日 申请日期2008年10月30日 优先权日2008年10月30日
发明者房世林, 巍 苏, 邓小社, 邢清乐 申请人:无锡华润上华科技有限公司