专利名称：用于准分子固化的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明大体上与半导体制造工艺的方法与设备有关。更明确而言，本发明提供 了用于准分子固化的方法与设备。
背景技术：
氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiC)以及掺杂碳的氧化硅(SiOCx)等材料的薄膜在半导 体器件制造上有广泛用处。在基板上形成这种含硅薄膜的一种方式是通过腔室内的化学 汽相沉积(CVD)。举例而言，在硅供应源与氧供应源之间的化学反应会使固相氧化硅沉 积在位于CVD腔室内的半导体基板顶部。在另一例中，可从包括含至少一 Si-C键的有 机硅烷来源的CVD反应形成碳化硅与掺杂碳的氧化硅薄膜。水通常是有机硅化合物的CVD反应的副产物。因此，水会以湿气形式被物理 性地吸收于薄膜中，或以Si-OH化学键形式结合于沉积薄膜中。通常，以任一种形式并 入的水都是不受欢迎的。故，最好能够移除沉积的含碳薄膜内不需要的化学键与化合物 (例如，水)。同时，在某些特定的CVD工艺中，也需要移除牺牲材料的热不稳定有机 碎片。用于解决此一问题的一种传统方法是热退火。这种退火程序所产生的能量以有 序薄膜的较稳定键特性来取代不稳定且不想要的化学键，以增加薄膜的密度。传统的热 退火步骤一般都经历相对长的历程(例如通常介于30分钟至2小时之间)，因此耗费了可 观的处理时间，并延缓了整个制造工艺。另一种解决这些问题的技术是利用紫外线辐射来辅助CVD氧化硅、碳化硅与掺 杂碳的氧化硅薄膜的后处理。使用UV辐射来固化与致密化CVD薄膜，可减少单个晶圆 的总热预算并加速制造工艺。已发展出多种不同的UV固化系统以用于固化沉积在基板 上的薄膜。一般而言，UV固化系统具有由微波产生器启动的汞蒸汽灯或掺杂金属卤化物的 汞灯。UV灯产生的光涵盖了从170nm至600nm的广泛波长范围。然而，UV灯的使用 寿命较短，并且在低于约400nm的波长处所提供的辐射输出较低。此外，特别是在低于 250nm的波长，UV灯的功率输出会随着UV灯的使用增加而递减。故，需要改良现有的UV固化系统与方法。
发明内容
本发明的实施例在于提供比已有工艺及设备更有效益的设备，其通过采用准
4分子灯来激发惰性气体，以发射具有狭窄带宽范围(例如，152nm、172nm、193nm、 222nm、248nm或303nm)的准分子光来固化介电材料。即使该准分子光的波长低于约 250nm,该准分子光也能具有期望功率来固化介电材料。本发明的一个实施例提供一种用于产生准分子辐射的设备，该设备包括了具有 外壳壁的外壳。在该外壳内配置了电极。管状主体围绕在电极周围，该管状主体包括外 壁与内壁。至少一惰性气体在该外壁与该内壁之间，其中该外壳壁与该电极配置用以激 发该惰性气体以发射用于固化的准分子光。另一个实施例提供了一种用于准分子固化介电材料的设备。该设备包括腔室， 其界定出基板处理区域。基板支撑件配置于该腔室内的底部区域处。至少一准分子灯与 该基板支撑件分隔开且配置用以产生及传送辐射至位于该基板支撑件上的基板。该至少 一准分子灯各自包括电极。管状主体设置在该电极周围，该管状主体包括外壁与内壁。 至少一惰性气体在该外壁与该内壁之间。反射器与该管状主体的该外壁相邻，其中该反 射器与该电极是配置用以激发该惰性气体，以发出用于固化的准分子光。另一实施例提供了一种用于准分子固化基板上的介电材料的方法。该基板放置 于具有腔室壁与准分子灯的腔室内，该准分子灯配置于该腔室内。该方法包括施加电压 降(voltage drop)于该腔室壁与该准分子灯之间，以激发该准分子灯内的惰性气体，而发 出准分子光以固化该介电材料。本发明的上述与其他实施例，以及其多种优势与特征结合下文与附图加以说 明。然而，应了解本发明并不限于所示的精确配置与设备。
参照说明书与附图可进一步了解本发明的本质与优势。在附图中，相同的元件 符号是用来代表不同附图中的相同构件。在部分例子中，与元件符号有关且位于连字符 号后的下标是代表多个相似构件中的其中一个构件。当参照元件符号且未特别说明其下 标时，是代表所有这类的多个相同构件。图1是一示例半导体处理系统的简化平面图；图2是一示例串联处理腔室的简化透视图；图3是一示例串联处理腔室的部分截面图；图4A是根据本发明一实施例的示例准分子灯的示意截面图，该准分子灯配置在 腔室的侧壁处；图4B是图4A的示例准分子灯沿截线4B-4B的示意截面图；图5A是根据本发明一实施例的示例准分子灯的示意截面图，该准分子灯配置在 腔室的侧壁处；图5B是图5A的示例准分子灯沿截线5B_5B的示意截面图；图6A是根据本发明一实施例的示例准分子灯的示意截面图，该准分子灯配置在 腔室的侧壁处；图6B是图6A的示例准分子灯沿截线6B_6B的示意截面图；图7A是根据本发明一实施例的示例准分子灯的示意截面图，该准分子灯配置在 腔室的侧壁处；
图7B是图7A的示例准分子灯沿截线7B-7B的示意截面图；以及图8至10是显示在腔室内准分子灯的多种示例配置方式的示意图。
具体实施例方式本发明与用于固化介电材料的设备有关，介电材料例如低k介电材料、旋涂玻 璃(SOG))或其他沉积于基板(例如，硅晶片、液晶显示器基板、太阳能面板基板与其 他基板)上的介电材料。该设备激发惰性气体以发出具有窄带宽范围的准分子光，如 152nm、172nm、193nm、222nm、248nm或303nm，以固化介电材料。即使该准分子光 的波长低于约250nm，该准分子光也能具有期望的功率以固化介电材料。该设备包括具 有腔室壁的腔室，在腔室内配置有电极。管状主体围绕在电极的周围。该管状主体包括 外壁与内壁，至少一惰性气体在该外壁与该内壁之间，其中该腔室壁与该电极配置用以 激发该惰性气体，以发射用于固化的准分子光。图1是一半导体处理系统100的简化平面图，而本发明的实施例可整合于该系统 100中。系统100显示Producer 处理系统的实施例，其可购自美国加州圣克拉拉市的应 用材料公司(Applied Material Inc.，of Santa Clara, Calif.)。处理系统 100 是一种完备系 统(self-contained system)，其多个必要的工具由主机结构101所支撑。处理系统100 — 般包括了前段暂存区(front end staging area) 102 (在前段暂存区基板匣109支撑于其上， 并且将基板载入负载锁定腔室112)、容纳有基板搬运器(substrate handler) 113的传送腔室 111、安装在传送腔室111上的列串联处理腔室106与后端138，其中后端138容纳了系统 100运作所需要的多个支援工具，例如气体面板103及功率分配面板105。该些串联处理腔室106中的每个腔室各自包括两个处理区域用以处理基板，这 两个处理区域共用一个共同气体源、共同压力控制与共同工艺气体排气/泵送系统。系 统的模组设计可从任何一种配置快速转换到另一种。可调整腔室的配置与组合，以进行 特定的处理步骤。多个串联处理腔室106中的任一个腔室可包括根据本发明下述构想的 盖体，该盖体包括一或多个准分子灯以用于基板上低K材料的固化处理及/或腔室清洁处 理。在一实施例中，所有三个串联处理腔室106具有准分子灯，并且配置为准分子固化 腔室以同时运行以求最大产量。在不是所有串联处理腔室106都配置成准分子固化腔室的替代实施例中，系统 100可与一或多个具有支撑腔室硬件的串联处理腔室一起使用，该些腔室例如已知可容纳 各种其他已知处理(例如化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)、蚀刻等)。举例 而言，系统100可配置有一或多个串联处理腔室106与用于沉积材料(例如低介电常数 (K)薄膜)于基板上的CVD腔室。这种配置可使研究与发展制造用途最大化，且如果需 要的话，可避免刚沉积的薄膜暴露在大气中。图2是图2所示的多个串联处理腔室106中的其中一个腔室的示意透视图，其 配置以用于进行准分子固化。串联处理腔室106包括主体200以及可与主体200铰接的 盖体202。与盖体202连接的是两个外壳204，两外壳204各包括进气口 206与排气口 208，以使冷却空气通过外壳204的内部。冷却空气可为室温或接近摄氏22度。中央加 压空气源(未示)提供了足够流率的空气至进气口 206，以确保任何准分子灯泡及/或灯 泡的相关功率源能适当运作。排气口 208自外壳204接收排出空气。与传统UV固化灯
6不同，本发明中的准分子灯并不使用臭氧，因此可避免臭氧管理的问题。可与串联处理 腔室106结合使用的冷却模组的细节可见于在2006年11月3日申请的美国专利公开号第 2007/0295012号“UV固化系统的富含氮冷却气体模组”；第2007/0295012号申请案也 让与本案受让人“应用材料公司”，且其整体内容以引用形式并入本文。每个外壳204包括其内放置有准分子灯(未示)的上外壳210以及其内放置有副 反射器(secondary reflector，未示)的下外壳214。本发明的部分实施例还包括具有复数 个齿212a的碟体212，该些齿212a与相应的带(未示)啮合，该带将碟体212连接至心 轴(Spindle)216，心轴216接着与电动机(未示)以可运作的方式连接。碟体212、带、 心轴216与电动机的组合使上外壳210(及安装于其中的准分子灯)可相对于定位在盖体 202下方的基板支撑件上的基板旋转。图3绘示了具有盖体202、外壳204与功率源303的串联处理腔室106的部分截 面图。每个外壳204覆盖住分别置于界定在主体200内的两个处理区域300上方的准分 子灯302的其中一者，每一个处理区域300包括加热基座306以支撑处理区域300内的基 板308。基座306可以由陶瓷或金属(例如铝)制成。在部分实施例中，基座306连接 至延伸通过主体200底部的杆体310，且由驱动系统312加以运作以于处理区域300中将 基座306移向及移离准分子灯302。驱动系统312也可于固化期间旋转及/或移动基座 306，以进一步增强基板照射的均勻性。除了可以取决于光传送系统设计思想的本质(例 如焦距)来精细微调入射的准分子光对基板308的辐射量之外，基座306的可调整式定位 还可控制挥发性固化副产物，并且控制净化与清洁气体的气流模式以及滞留时间。一般而言，本发明的实施例可使用任何一种准分子源，例如脉冲式氦、氖、 氩、氪、氙闪光灯，其可以产生特定波长的辐射，例如152nm、172nm、193nm、 222nm、248nm或303nm。准分子灯302内充填了一或多种气体(例如氦、氖、氩、氪、 氙)以受到功率源303激发。较佳地，功率源214为射频(RF)产生器，RF产生器可 以产生的频率范围介于约50kHz至约180MHz之间。在一实施例中，各外壳204包括孔 305，其与功率源303相邻以接收来自功率源303的RF功率。准分子灯302可放射出窄带宽范围的准分子光，例如约152nm、172nm、 193nm、222nm、248nm或303nm。准分子灯302中选用的气体可决定其放射波长。不 同于放射170nm至400nm波长带宽的UV光的传统UV灯，准分子灯302放射的光具有 与硅-硅(Si-Si)、硅-氧(Si-O)、硅-氮(Si-N)及/或硅-碳(Si-C)的键能量对应的 窄带宽范围，以固化介电材料，例如氧化物、氮化物、氮氧化物、含碳介电材料、或其 他介电材料。准分子灯302可提供需要的功率输出以固化介电材料，其所需波长低于约 400nm。通过使用准分子灯，可更符合需要地固化介电材料(例如低k介电材料)。在 实施例中，准分子灯302与基板308之间的距离可以介于约Imm至约200mm之间。在 其他实施例中，此距离介于约Imm至约60mm之间。从准分子灯302放射的光通过置于盖体202中的孔中的窗口 314而进入处理区 域300。窗口 314可由不含OH的合成石英玻璃制成，其具有足够厚度以维持真空而不 碎裂。此外，窗口 314可为熔融的二氧化硅(silica)，其可让低至接近150nm的光穿透。 处理或清洁气体经由两个进气通道316的其中一者进入处理区域300，处理或清洁气体接 着经由共同的出口口 318离开处理区域300。此外，供应至外壳204内部的冷却空气循环通过准分子灯302，但由窗口 314而与处理区域300隔离。在一实施例中，各外壳204包括由涂有二向色薄膜(dichroic film)的铸造石英衬 垫304所界定出的内部抛物表面。石英衬垫304可反射来自准分子灯302放射出的光线， 且基于石英衬垫304引导准分子光至处理区域300中的图案，光线被塑形成为适用于固化 处理以及腔室清洁处理的形状。对于某些实施例而言，通过移动及改变内部抛物表面的 形状来调整石英衬垫304，以更适用于各处理或任务。此外，由于二向色薄膜之故，石英 衬垫304可依照期望来传送准分子灯302所放射的光线。二向色薄膜通常由周期性多层 膜建构而成，该些多层膜是由具有交替高折射率与低折射率的多种介电材料组成。由于 此涂层并非金属性，因此从功率源303向下入射于铸造石英衬垫304的背侧的微波辐射并 不会明显地与该些调整层(modulated layers)互相作用或被其吸收，且可直接传送以使准 分子灯302中的气体离子化。在实施例中，在固化及/或清洁期间旋转或周期性移动石英衬垫304可增进基板 平面的光照均勻性。在另一实施例中，石英衬垫304相对于准分子灯302为静止，而整 个外壳204会在基板308上方旋转或周期性移动。在又一实施例中，通过基座306来旋 转或周期性移动基板308，提供了基板308与准分子灯302之间的相对运动，以增进照射 及固化均勻性。对于固化处理而言，基座306被加热至约摄氏100度至约摄氏1100度之间， 较佳为摄氏300度至摄氏750度之间。处理区域300内的压力可介于约500 μ Torr至约 500Torr之间，较佳为介于500mTorr与5Torr之间，以适当固化基板308。在固化处理期 间，基座306可以约每分钟一转(Irpm)至约300rpm的转速来旋转基板308，以使基板 308均勻地暴露于准分子灯302所产生的光线。图4A是根据本发明一实施例配置在外壳侧壁处的示例准分子灯的示意截面图。 图4B是图4A的准分子灯沿截线4B-4B的示意截面图。在图4A中，准分子灯302包括电极410、反射器420与管状主体400。管状主 体400围绕在电极410周围。管状主体400包括外壁402与内壁404。至少一惰性气体 (例如，He、Ne、Ar、&与Xe)填充并密封于内壁404与外壁402之间。反射器420 配置成与管状主体400的外壁402相邻。反射器420可实质上接地，且电极410可与RF 功率源303(示于图3中)连接以激发惰性气体406，以发射狭窄带宽范围的准分子光来进 行固化。管状主体400配置成穿透外壳的侧壁430。附加至管状主体400的焊接真空凸 缘450则配置于侧壁430与灯钳440之间。在侧壁430的沟槽内配置有O环(0_ring) 460 以适当密封外壳，及/或保持外壳内的压力。应注意管状主体400的形状并不限于图4A 所示者，管状主体400可具有能容纳电极410的任何一种形状。通过对电极410施加高电压并使反射器420及/或外壳侧壁430实质上接地，准 分子灯302可激发惰性气体以发射准分子光。准分子光可固化介电材料(例如低k介电 材料)，以适当移除湿气并使介电材料致密化。在实施例中，与电极410连接的导线410a配置在管状主体400内，且不暴露于 串联处理腔室106中。这种配置可适当避免因为施加高电压至导线410a及实质接地的外 壳侧壁430而在串联处理腔室106内产生等离子的情形。此外，在电极410与管状主体 400的内壁404之间的空间中提供有压力，该压力使得当电极410与反射器420及或侧壁430配置以产生准分子光时，在空间内不会产生等离子。此压力可为，例如约大气压力， 且与外壳204(示于图3中)内的压力不同。在图4B中，反射器420可实质上以半圆柱状型式围绕管状主体400的外壁402。 反射器420可适当反射准分子灯302所放射的准分子光。反射器420可实质上接地。本 领域技术人员可修改反射器420使其覆盖住外壁402，以产生固化所需的辐射。图5A是根据本发明另一实施例配置在外壳侧壁处的示例准分子灯的示意截面 图。图5B是图5A的准分子灯沿截线5B-5B的示意截面图。在图5A中提供了另一种示例准分子灯302a。隔间壁403接触内壁404与外壁 402。隔间壁403将与管状主体400 —端相邻的区域405以及与管状主体400另一端相邻 的另一区域407分隔开来。惰性气体406填充并密封于区域405中。也可视需要将气体 (例如空气或其他气体)填充及/或密封于区域407中。隔间壁403实质上与外壳的侧壁 430相邻。准分子灯302a的隔间壁403将区域405与区域407分隔开来。惰性气体406以 外的气体可填充于区域407内。在激发区域405中的惰性气体406时，实质上无准分子 光自区域407的气体中产生。O环460可不受到来自区域407的准分子光照射，所以O 环460的使用寿命得以延长。O环460可适当密封外壳。图6A是根据本发明另一实施例配置在外壳侧壁处的示例准分子灯的示意截面 图。图6B是图6A的准分子灯沿截线6B-6B的示意截面图。在图6A中，提供了另一种示例准分子灯302b。准分子灯302b具有介电材料 区域407a，例如玻璃及/或任何固态介电材料。当侧壁430可适当地支持准分子灯302b 时，可视需要使用焊接真空凸缘450 (示于图4A与图5A中)。O环460配置于外壳壁的 沟槽内以及管状主体400与外壳壁之间。由于有介电材料区域407a，当准分子灯302b产 生准分子光时，固态介电材料区域407a不会产生准分子光。此外，侧壁430可实质上阻 挡来自区域405中的惰性气体406所产生的准分子光。O环不会受到来自固态介电材料 区域407a的任何准分子光的照射。因此，可于固化处理期间适当避免O环460受到准分 子光破坏。O环460的使用寿命可因而延长，且O环460可适当密封外壳。图7A是根据本发明又一实施例配置在外壳侧壁处的示例准分子灯的示意截面 图。图7B是图7A的准分子灯沿截线7B-7B的示意截面图。在图7A中，提供了一种示例准分子灯302c。在图7A中，准分子灯302c具有 内壁404，该内壁404与外壁402在邻近管状主体400末端415的区域处分隔开来。当侧 壁430实质上接地或浮置(floating)以产生准分子光时，电极410与侧壁430可实质上激 发内壁404与外壁402之间的惰性气体。在邻近末端415的区域处，该外壁402与内壁 404之间的间隙可适当避免电极410与侧壁430于腔室内产生等离子。图8至10是显示在外壳内的多种准分子灯示例配置的示意图。在图8中，准分 子灯302实质上平行地配置于外壳内，各准分子灯302的一端配置成穿透过侧壁430a，而 准分子灯302的另一端则离开侧壁430b。在实施例中，准分子灯302可配置在邻近外壳 中央处。在图8中所绘示的准分子灯302的数量仅为示例，本发明的范畴并不限于此。 只要外壳能够容纳准分子灯302的数目，也可在外壳内配置一个或两个以上的准分子灯 302。在实施例中，准分子灯302的数量介于约2个至约12个之间。也可视需要使用如图4A、图5A、图6A与图7A所示的上述准分子灯302以及302a至302c。在图9中，各准分子灯302的两端都配置成穿透过侧壁430a与430b。由于准分 子灯302的每一端都不配置在腔室中，在每一个准分子灯302内的电极410末端以及侧壁 430a与430b并不会在腔室内产生等离子。图9中灯302的配置可适当避免腔室中的气体 离子化。在实施例中，也可视需要使用图4A、图5A、图6A与图7A所示的上述准分子 灯302以及302a至302c。在图10中，可沿着外壳壁430以彼此之间实质相同的间距来配置准分子灯302d 至302i。举例而言，准分子灯302d至302i配置成使准分子灯302d的一端实质上面对准 分子灯302g的一端，使准分子灯302e的一端实质上面对准分子灯302h的一端，使准分 子灯302f的一端实质上面对准分子灯302i的一端。准分子灯302d至302i可为图4A、 图5A、图6A与图7A所示的上述准分子灯302以及302a至302c中的任一者。通过上述数个实施例的说明，本领域技术人员应知多种修饰例、替代架构与等 效例皆不脱本发明的精神。此外，说明书中不对多种习知处理与元件做说明，以避免不 必要地混淆了本发明。故，上述说明不应被视为对本发明范畴的限制。当提供数值范围时，除非文字中另外清楚指明，应知也同时揭露介于该范围的 上下限值之间各个区间值至下限值单位的十分之一。也涵盖了所陈述数值或陈述范围 中的区间值以及与陈述范围中任何另一陈述数值或区间值之间的每个较小范围。这些较 小范围的上限值与下限值可独立包含或排除于该范围中，且各范围(不管是包含其中一 个、包含两个或不含其上限值与下现值)皆涵盖于本发明内所陈述的范围中，除非有特 别排除的限制。当所陈述的范围包括限值的其中一者或两者，其也涵盖该些排除其中一 者或两者所含限值的范围。说明书与如附权利要求中所使用的单数形式“一”与“该”等用语也包括复 数形式，除非文字中另外清楚指明。因此，举例而言，“一种方法”包括复数个这类方 法，而“该前驱物”包括一或多种前驱物以及本领域技术人员所熟知的其等效例。同时，说明书与下述权利要求中“包括”、“包含”、“含有”、“含”以及 “具有”等用语是指存在所陈述的特征、组件、构件或步骤，但其并不排除一或多种其
他特征、物体、构件、步骤、动作或群组的存在或增加。
权利要求
1.一种用于产生准分子辐射的设备，该设备包括外壳，其具有外壳壁；电极，配置在该外壳内；以及管状主体，其围绕在该电极周围，该管状主体包括外壁与内壁，至少一惰性气体在 该外壁与该内壁之间，其中该外壳壁与该电极配置用以激发该惰性气体，以发射用来固 化的准分子光。
2.如权利要求1所述的设备，还包括反射器，其与该管状主体的该外壁相邻，且其配 置用以反射该准分子光，其中该反射器与该外壳壁电性连接。
3.如权利要求2所述的设备，其中该反射器实质上以半圆柱状型式围绕该外壁。
4.如权利要求1所述的设备，其中在该电极与该管状主体之间的空间内提供有压力， 使得该电极与该外壳壁实质上在该空间内不激发气体。
5.如权利要求1所述的设备，其中该管状主体围绕在该电极周围，使得该电极不暴露 于该外壳中。
6.如权利要求1所述的设备，其中该管状主体包括与该内壁及该外壁接触的隔间壁， 该管状主体具有第一端与第二端，且该隔间壁将邻近该第一端的第一区域与邻近该第二 端的第二区域分隔开来。
7.如权利要求6所述的设备，其中该隔间壁实质上与该外壳壁相邻。
8.如权利要求1所述的设备，其中该管状主体包括介电材料区域，其具有与该外壳壁 相邻的边缘。
9.如权利要求1所述的设备，其中该管状主体具有第一端与第二端，该第一端延伸进 入该外壳的外壳壁内，该第二端在该外壳内延伸，并且在邻近该第二端的区域处该内壁 与该外壁分隔开。
10.一种用于准分子固化介电材料的设备，该设备包括腔室，界定出基板处理区域；基板支撑件，配置于该腔室内的底部区域处；以及至少一准分子灯，其与该基板支撑件分隔开，且配置以产生及传送辐射至位于该基 板支撑件上的基板，该至少一准分子灯各自包括电极；管状主体，围绕在该电极周围，该管状主体包括外壁与内壁，至少一惰性气体在该 外壁与该内壁之间；以及反射器，其与该管状主体的该外壁相邻，其中该反射器与该电极配置用以激发该惰 性气体，以发射用来固化的准分子光。
11.如权利要求10所述的设备，其中在该电极与该管状主体之间的空间内提供有压 力，使得该电极与该反射器在该空间内不激发气体。
12.如权利要求10所述的设备，其中该管状主体围绕在该电极周围，使得该电极不暴 露于该外壳中。
13.如权利要求10所述的设备，其中该反射器实质上以半圆柱状型式围绕该外壁。
14.如权利要求10所述的设备，其中该管状主体包括与该内壁及该外壁接触的隔间 壁，该管状主体具有第一端与第二端，且该隔间壁将邻近该第一端的第一区域与邻近该第二端的第二区域分隔开来。
15.如权利要求14所述的设备，其中该隔间壁实质上与该腔室的腔室壁相邻。
16.如权利要求10所述的设备，其中该管状主体包括介电材料区域，其具有与该腔室 的该腔室壁相邻的边缘。
17.如权利要求10所述的设备，其中该管状主体具有第一端与第二端，该第一端延伸 进入该腔室的腔室壁内，该第二端在该腔室内延伸，并且在与该第二端相邻的区域处该 内壁与该外壁分隔开。
18.如权利要求10所述的设备，其中该管状主体具有第一端与第二端，该第一端延伸 进入该腔室的腔室壁内，该第二端在该腔室内延伸，且该第二端与该腔室的第二侧壁分 隔开。
19.如权利要求10所述的设备，其中该管状主体具有第一端与第二端，该第一端延伸 进入该腔室的第一腔室壁内，该第二端延伸在该腔室的第二腔室壁内。
20.如权利要求10所述的设备，其中该至少一准分子灯包括第一准分子灯与第二准分 子灯，该第一准分子灯被夹钳于该腔室的第一侧壁处并向该腔室的中央延伸，该第二准 分子灯被夹钳于该腔室的第二侧壁处并向该腔室的中央延伸，该第二侧壁与该第一侧壁 相对。
21.如权利要求10所述的设备，其中该至少一准分子灯包括第一准分子灯与第二准分 子灯，且该第一准分子灯与该第二准分子灯实质上平行配置且通过该腔室的侧壁。
22.如权利要求21所述的设备，其中该第一准分子灯与该第二准分子灯配置为靠近该 腔室的中央。
23.一种用于准分子固化基板上的介电材料的方法，该基板配置于具有腔室壁的腔室 内，并且准分子灯配置于该腔室内，该方法包括施加电压降于该腔室壁与该准分子灯之间，以激发该准分子灯内的惰性气体，以发 射准分子光来固化该介电材料。
24.如权利要求23所述的方法，还包括使配置于该腔室内且与该准分子灯相邻的反射 器实质接地，以激发该惰性气体产生该准分子光，以固化该介电材料。
25.如权利要求23所述的方法，其中该准分子光具有的带宽范围实质上集中于约 152nm、172nm、193nm、222nm、248nm 或 303nm。
全文摘要
提供了一种用于产生准分子辐射的设备。该设备包括具有外壳壁的外壳，在该外壳内配置了电极。在电极周围为管状主体，该管状主体包括外壁与内壁，至少一惰性气体在该外壁与该内壁之间，其中该外壳壁与该电极配置用以激发该惰性气体以发射出用于进行固化的准分子光。
文档编号H01L21/205GK102017100SQ200980114112
公开日2011年4月13日 申请日期2009年4月16日 优先权日2008年4月22日
发明者怡利·Y·叶, 穆罕默德·M·拉希德, 迪米特里·卢伯米尔斯基 申请人:应用材料股份有限公司