专利名称：减少晶圆掉落的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其是一种在高电流植入机运行过程中减少晶圆掉 落的方法。
背景技术：
高电流离子注入机作为半导体离子植入的主流机台，在晶圆的传送和操作过程中 需要保持很高的稳定性，需保持晶圆与晶圆吸盘的吸附状态，在晶圆的操作过程中，晶圆在 晶圆吸盘上高速旋转，吸盘上存在的一些玷污将会影响到两者之间的吸附力，从而造成掉 落，其结果只能是直接停机然后用清洁布进行擦拭，费时费力，尤其对于采用批量化生产的 机台，其在提高生产效率的同时也增加了晶圆掉落所产生的损失，目前在实践中，在传送中 晶圆掉落的发生率大概是0. 15%，一次大概会报废13块晶圆，同时停机和重新开机的时间 大概需要一天，这对于投资巨大，动辄以小时计算损失的晶圆制造厂来说，将会造成非常大 的损失。
发明内容
针对以上缺陷，本发明的目的是提供一种方法，可使高电流植入机在运行过程中 减少晶圆掉落的状况。为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现一种高电流植入机减少晶圆掉落的方法，采用离子植入的方法对待机状态的晶圆 吸盘进行SiF+离子植入；产生SiF+离子方法为(1)在离子植入源加装含硅气体；(2)采用传统的灯丝热电子激发含硅气体产生SiF+离子。优选的，所述含硅气体为SiF4。本发明所述的方法，通过采用定期对晶圆吸盘在待机状态下进行SiF+离子植入 操作，使植入的硅存在于晶圆吸盘上，因其和将要吸附的晶圆材质一样而不会产生二次玷 污；同时植入的活性很强的F+离子(氟离子)和晶圆上的玷污反应并挥发出去，从而保持 晶圆吸盘的清洁，进而保证了晶圆传送的稳定性，减少了晶圆掉落所造成的损失。
下面根据实施例与附图对本发明作进一步详细说明。图1是本发明实施例所述SiF+离子植入过程示意图。图中1、晶圆吸盘；2、高压离子植入机；3、灯丝；4、含硅气体入口。
具体实施例方式如图1所示，给出了本发明所述电流植入机在运行过程中减少晶圆掉落方法的一个具体实施例。含硅气体，如SiF4，自含硅气体入口 4进入高压离子植入机2的离子植入源，经灯 丝3热电子激发产生SiF+离子。设定离子植入机2的植入条件为能量范围为20-50Kev， 原子量筛选为36. 5-37. 5，对晶圆吸盘1在待机状态下进行离子“空植入”，使植入的硅存在 于晶圆吸盘上，因其和将要吸附的晶圆材质一样而不会产生二次玷污；同时植入的活性很 强的F+离子(氟离子)和晶圆上的玷污反应并挥发出去，本方法可在不停机的状态下，实 现对晶圆吸盘1的在线清洗，消除玷污，延长了晶圆吸盘的寿命，有效的节省了时间，提升 了机台的可利用率。以上实施例显示和描述了本发明所采用方法的主要特征以及所具有的优点，本行 业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，在不脱离本发明主旨和范围的前 提下本发明还会有一些变化与改进，如改变含硅气体的种类，采用不同的离子植入方式等， 这些变化和改进都落入本发明要求保护的范围内。
权利要求
1.一种减少晶圆掉落的方法，其特征在于包含以下步骤 采用离子植入的方法对待机状态的晶圆吸盘进行SiF+离子植入。
2.根据权利要求1所述的一种减少晶圆掉落的方法，其特征在于所述SiF+离子采用以 下方法产生(1)在离子植入源加装含硅气体；(2)采用传统的灯丝热电子激发含硅气体产生SiF+离子。
3.根据权利要求2所述的一种减少晶圆掉落的方法，其特征在于所述含硅气体为 SiF4。
全文摘要
本发明公开一种减少晶圆掉落的方法，采用离子植入的方法对待机状态的晶圆吸盘进行SiF+离子植入。本发明所述的方法，通过采用定期对晶圆吸盘在待机状态下进行SiF+离子植入操作，使植入的硅存在于晶圆吸盘上，因其和将要吸附的晶圆材质一样而不会产生二次玷污；同时植入的活性很强的F+离子(氟离子)和晶圆上的玷污反应并挥发出去，从而保持晶圆吸盘的清洁，进而保证了晶圆传送的稳定性，减少了晶圆掉落所造成的损失。
文档编号H01L21/687GK102110596SQ20101059343
公开日2011年6月29日 申请日期2010年12月17日 优先权日2010年12月17日
发明者李法涛, 阳厚国 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司