专利名称：检测晶圆的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路领域的检测方法。
背景技术：
请参阅图1，一个圆形的晶圆(wafer) 10上包含多个矩形的晶粒(芯片)11，其中 每个晶粒11的横向边长为X_act，纵向边长为y_act。半导体集成电路生产过程中，由晶圆测试机台对晶圆10进行检测。晶圆测试机台 的横向检测精度为x_ins，纵向检测精度为y_ins。当x_ins彡x_act且y_ins彡y_act时，晶圆测试机台可以对每个晶粒11进行检 测，并给出每个缺陷在哪个晶粒11中，以及缺陷在该晶粒11中的坐标。当X_ins > x_act或7」118 > y_act时，现有的检测晶圆方法是将相邻的mXη个 晶粒作为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为mXx_act，纵向尺寸为nXy_ act, x_ins彡mXx_act且y_ins彡nXy_aCt。晶圆检测机台可以对每个检测单元进行检 测，并给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标。但是此时晶圆检 测机台并没有给出每个缺陷在哪个晶粒11中的信息，因此无法分析一个晶圆上的晶粒良 品率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种检测晶圆的方法，在任何情况下都可以给 出每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。为解决上述技术问题，本发明检测晶圆的方法包括如下步骤第1步，x_ins > x_act或y_ins > y_act时，将相邻的mXn个晶粒作为一个矩形 的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为mXx_act，纵向尺寸为nXy_aCt，x_ins彡mXx_ act且7」118 ^nXy_act,晶圆检测机台对每个检测单元进行检测，并给出每个缺陷在哪个 检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；所述x_ins为晶圆检测机台的横向检测精度；所述y_ins为晶圆检测机台的纵向检测精度；所述x_act为每个晶粒的横向尺寸；所述y_act为每个晶粒的纵向尺寸；第2步，将每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；转换为 每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。本发明可以在任意情况下，将缺陷准确定位于每个晶粒之中，从而为后续分析如 晶圆中的晶粒良品率分析提供便利，有利于对生产工艺进行改进而提高产品的良品率。
图1是晶圆与晶粒的示意图2是缺陷B在所在检测单元中的坐标示意图；图3是缺陷B在所在晶粒中的坐标示意图。图中附图标记说明10为晶圆；11为晶粒；12为检测单元。
具体实施例方式本发明检测晶圆的方法，根据晶粒的尺寸大小不同具有两种不同情况。第一种情况，当X_ins ( x_act且y_ins ( y_act时，晶圆测试机台将每个晶粒作 为检测单元，对每个晶粒进行检测。检测完毕后给出每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该 晶粒中的坐标。例如晶圆测试机台的检测结果是缺陷A在第k个晶粒中，并且缺陷A在该第k个 晶粒中的坐标为(x0，y0)。每个晶粒的序号与位置的对应关系对于晶圆测试机台是已知的。 晶粒中的坐标是以该矩形晶粒的某个角(如左下角)为原点建立的直角坐标系。第二种情况，当x_ins > x_act或y_ins > y_act时，将相邻的mXn个晶粒作 为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为mXX_act，纵向尺寸为nXy_aCt，x_ ins ^ mXx_act且y_ins ^ nXy_act,晶圆检测机台对每个检测单元进行检测。检测完毕 后给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标。例如晶圆测试机台的检测结果是缺陷B在第j个检测单元中，并且缺陷B在该第 j个检测单元中的坐标为(p0，qO)。每个检测单元的序号与位置的对应关系对于晶圆检测 机台是已知的。检测单元中的坐标是以该矩形检测单元的某个角(如左下角)为原点建立 的直角坐标系。本发明所增加的工作是，已知每个检测单元由mXn个晶粒组成，其中横向为m个 晶粒，纵向为η个晶粒。已知缺陷B在第j个检测单元中，并且缺陷B在该第j个检测单元 中的坐标为(P0，q0)。如何得到缺陷B在哪一个晶粒中，以及缺陷B在该晶粒中的坐标(xO， y0)。下面仅给出一个实施例，具体介绍如何将缺陷从所在检测单元的坐标(p0，q0)转 换为所在晶粒的坐标(x0，y0)。请参阅图2，这是一个检测单元的示意图。该检测单元12由mXn个晶粒11所组 成，横向为m个晶粒，纵向为η个晶粒。该检测单元12中示意性地表示了一个缺陷B，缺陷 B在该检测单元12中的坐标为(p0，q0)。(p，q)坐标系是以该检测单元12的左下角为原 点建立的直角坐标系。首先将xl整除x_act，得到m0，余数为x0。再将yl整除y_act，得到n0，余数为 y0。其中m0、n0为正整数或零。请参阅图3，缺陷B所在的晶粒11为该检测单元12的原点所在晶粒11沿横向数 第m0个、再沿纵向数第n0个晶粒11。缺陷B在所在晶粒11中的坐标为(x0，y0)。(χ, y) 坐标系是以该晶粒11的左下角为原点建立的直角坐标系。上述实施例仅为示意，在相同原理下，本领域的一般技术人员可做出各种等同替 换，则仍应属于本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种检测晶圆的方法，其特征是，包括如下步骤第1步，当x_ins > x_act或y_ins > y_act时，将相邻的mXn个晶粒作为一个矩形 的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为mXx_act，纵向尺寸为nXy_aCt，x_ins彡mXx_ act且7」118 ^nXy_act,晶圆检测机台对每个检测单元进行检测，并给出每个缺陷在哪个 检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；所述X_ins为晶圆检测机台的横向检测精度；所述y_ins为晶圆检测机台的纵向检测精度；所述x_act为每个晶粒的横向尺寸；所述y_act为每个晶粒的纵向尺寸；第2步，将每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；转换为每个 缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。
2.根据权利要求1所述的检测晶圆的方法，其特征是，所述方法第1步中，当x_ ins ( x_act且y_ins ( y_act时，晶圆测试机台将每个晶粒作为检测单元，对每个晶粒进 行检测；检测完毕后给出每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。
3.根据权利要求1所述的检测晶圆的方法，其特征是，所述检测单元中的坐标是以该 检测单元的左下角为原点的直角坐标系中的坐标；所述晶粒中的坐标是以该晶粒的左下角为原点的直角坐标系的坐标。
全文摘要
本发明公开了一种检测晶圆的方法，包括如下步骤第1步，当x_ins＞x_act或y_ins＞y_act时，将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为m×x_act，纵向尺寸为n×y_act，x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act，晶圆检测机台对每个检测单元进行检测，并给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；第2步，将每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；转换为每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。本发明可以在任意情况下，将缺陷准确定位于每个晶粒之中，从而为后续分析如晶圆中的晶粒良品率分析提供便利。
文档编号H01L21/66GK102130031SQ20101002729
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月18日 优先权日2010年1月18日
发明者蔡文新 申请人:上海华虹Nec电子有限公司