专利名称：一种新型片式二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子器件，具体地说，是一种新型片式二极管。
背景技术：
由于电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展，分立器件将向微型化、片 式化、高性能化方向发展。分立器件片式化是整机小型化的需要，是应用最广泛的电子器 件，现在片式化水平已经成为衡量半导体分立器件技术发展水平的重要标志之一。据有 关资料测算，我国二极管的片式化率约为10%，远远低于发达国家的水平。为了提高分立 器件的片式化率，国内主要分立器件封装测试厂都在大力增加片式器件生产能力。现今市 场上的S0D-123仅能封装0. 5A及以下的芯片，由于整流二极管芯粒表面镀层为镍，低成 本的硅铝丝无法打丝，如采用金丝，成本较高。随着表面贴装技术(SMT-Surface Mounted Technologe)的快速发展和大面积普及，半导体器件的小型化、大功率化和低成本化已成为 一种市场趋势。
发明内容本实用新型提供一种新型片式二极管，该二极管尺寸小、功率大、生产成本低。为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为一种新型片式二极管，包括电极、框架、内接丝、电极、支架、芯片；电极呈“Z”字形 固定在支架的上面，电极呈倒“Z”字形固定在支架的上面且与电极相对称；芯片的下表面 与电极的内端上表面形成紧密电连接，内接丝的一端与芯片的上表面形成紧密电连接，另 一端与电极的内端上表面形成紧密电连接；框架罩于支架5上并将电极的内端、内接丝、电 极的内端、芯片与外界绝缘，所述芯片的上表面是金属镀层，所述金属镀层与内接丝焊接。所述金属镀层是镀铝层；所述镀铝层的厚度范围是0. 05mm 0. 10mm。所述内接丝采用硅铝丝。所述芯片采用玻璃钝化芯粒；所述玻璃钝化芯粒的封装功率是1000MW。本实用新型的有益效果1、因采用了功率较大的GPP(Glass Passivated Pellet)玻璃钝化芯粒，并运用共 晶装片工艺，在芯片进行装片时不用任何介质，就可以把芯片装在条带上。采用先进的压铝 丝焊接技术，解决了小尺寸封装的功率最大化问题，大大降低了生产成本，提高了产品可靠 性，可广泛被用于移动电话、智能电话、数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产 品，使该类电子产品实现更低的功耗、更长的电池使用时间、更小的产品体积。2、二极管管芯金属电镀层采用铝层，成功地解决了焊接工艺，内接丝使用低成本 的硅铝丝。在解决焊接的关键工艺的基础上，将大功率芯粒直接连接在支架上，可以利用原 有二极管的生产流水线进行高效率低成本地批量化生产。3、在生产过程中，不产生“三废”，不会对环境造成影响。既符合欧盟所提出的有害 物质使用限制的ROHS (Restriction of Hazardous Substances)规范，又提高了器件承受更大正向浪涌的能力。
图1、为本实用新型的立体结构透视示意图。其中电极1、框架2、内接丝3、电极4、 支架5、芯片6。图2、为芯片的放大结构示意图。其中金属镀层6-1。图3、为本实用新型的主视图。图4、为本实用新型的俯视图。
具体实施方式
下面给合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。参见附图1、图2，本实用新型以S0D123(1A)新型片式二极管为实施例。该二极管包括电极1、框架2、内接丝3、电极4、支架5、芯片6 ；电极1呈“Z”字形 固定在支架5的上面，电极4呈倒“Z”字形固定在支架5的上面且与电极1相对称，芯片6 的下表面与电极1的内端上表面形成紧密电连接，内接丝3的一端与芯片6的上表面形成 紧密电连接，另一端与电极4的内端上表面形成紧密电连接，框架2罩于支架5上并将电极 1的内端、内接丝3、电极4的内端、芯片6与外界绝缘。芯片6的上表面是金属镀层6-1，为镀铝层，本实施例镀铝层的厚度是0. 08mm,该 金属镀层6-1与内接丝3焊接，内接丝3采用硅铝丝。芯片6采用封装功率为1000MW的玻璃钝化芯粒。参见附图3、图4，S0D123(1A)新型片式二极管的长L是2. 84mm、宽W是1. 8mm、高 H是1. 35mm，采用超小型、超薄型封装。本实用新型新型片式二极管的制造过程包括共晶装片、球焊、模压、后固化、去胶 皮、切筋、电镀、拣外观以及印字包装、检验、入库等过程；其中球焊的目的将电极引到LED 芯片上，完成产品内外引线的连接工作。
权利要求一种新型片式二极管，包括电极(1)、框架(2)、内接丝(3)、电极(4)、支架(5)、芯片(6)；电极(1)呈“Z”字形固定在支架(5)的上面，电极(4)呈倒“Z”字形固定在支架(5)的上面且与电极(1)相对称；芯片(6)的下表面与电极(1)的内端上表面形成紧密电连接，内接丝(3)的一端与芯片(6)的上表面形成紧密电连接，另一端与电极(4)的内端上表面形成紧密电连接；框架(2)罩于支架5上并将电极(1)的内端、内接丝(3)、电极(4)的内端、芯片(6)与外界绝缘，其特征在于，所述芯片(6)的上表面是金属镀层(6 1)，所述金属镀层(6 1)与内接丝(3)焊接。
2.根据权利要求1所述的新型片式二极管，其特征在于，所述金属镀层(6-1)是镀铝层。
3.根据权利要求2所述的新型片式二极管，其特征在于，所述镀铝层的厚度范围是 0. 05mm 0. IOmm0
4.根据权利要求1所述的新型片式二极管，其特征在于，所述内接丝(3)采用硅铝丝。
5.根据权利要求1所述的新型片式二极管，其特征在于，所述芯片(6)采用玻璃钝化芯粒。
6.根据权利要求5所述的新型片式二极管，其特征在于，所述玻璃钝化芯粒的封装功 率是 1000MW。
专利摘要本实用新型提供一种新型片式二极管，包括电极、框架、内接丝、电极、支架、芯片；电极呈“Z”字形固定在支架的上面，电极呈倒“Z”字形固定在支架的上面且与电极相对称；芯片的下表面与电极的内端上表面形成紧密电连接，内接丝的一端与芯片的上表面形成紧密电连接，另一端与电极的内端上表面形成紧密电连接；框架罩于支架5上并将电极的内端、内接丝、电极的内端、芯片与外界绝缘，所述芯片的上表面是金属镀层，所述金属镀层与内接丝焊接。本实用新型尺寸小、功率大、生产成本低、安全环保。
文档编号H01L23/482GK201708144SQ20102015829
公开日2011年1月12日 申请日期2010年4月14日 优先权日2010年4月14日
发明者何永成 申请人:常州星海电子有限公司