专利名称：放射线敏感性树脂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及放射线敏感性树脂组合物。更详细而言，涉及在IC等的半导体制造工序、液晶、热敏头(thermal head)等的电路基板的制造、其他的光刻蚀工序中使用的放射线敏感性树脂组合物。
背景技术：
化学增幅型放射线敏感性树脂组合物是通过以KrF准分子激光、ArF准分子激光为代表的远紫外线等的放射线照射在曝光部生成酸，通过以该酸为催化剂的反应使曝光部和未曝光部在显像液中的溶解速度发生变化，在基板上形成抗蚀剂图案的组合物。在进行更精密的线宽控制时，例如，在设备的设计尺寸为亚半微米以下的情况下，重要的是化学增幅型抗蚀剂不仅析像性能优异，而且抗蚀剂图案的线宽的偏差的指标即LWR(线宽粗糙度，Line Width Roughness)小，并且，图案形状为矩形。为了控制这种微细的形状，已公开添加碱性化合物作为用于调整生成的酸的扩散速度的酸扩散控制剂的技术(例如，参照专利文献I、2)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特公平2-27660号公报专利文献2 日本特开2009-53688号公报
发明内容
因酸发生解离而失去酸扩散控制性的酸扩散控制剂在曝光部与未曝光部的对比度优异这方面受到关注。但是，就现有的含有因酸发生解离而失去酸扩散控制性的酸扩散控制剂的组合物而言，LWR特性、图案形状尚不令人满意。另外，在形成微细线图案时，存在因与基板的密合性不足等理由而导致抗蚀剂图案倒塌，无法形成正确的图案的情况。本发明是鉴于上述现有技术存在的问题而完成的发明，作为其课题，提供一种放射线敏感性树脂组合物，所述放射线敏感性树脂组合物能够形成LWR小且图案形状优异的抗蚀剂图案，即使在形成微细线图案时，抗蚀剂图案也不倒塌，能够形成正确的图案。本发明人为了实现上述课题进行了深入的研究，结果发现通过含有含酸解离性基团的树脂和具有规定的磺酰胺的阴离子结构的化合物的组合物就能够解决上述课题，从而完成了本发明。S卩，根据本发明，可提供如下所示的放射线敏感性树脂组合物。[I] 一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于，含有㈧含有酸解离性基团的树脂(下面也称为“树脂(A) ”)和(C)下述通式(i)表示的化合物(下面也称为“化合物(C)”)。
权利要求
1.一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于，含有(A)含有酸解离性基团的树脂和(C)下述通式(i)表示的化合物，
2.根据权利要求I所述的放射线敏感性树脂组合物，其中，所述通式(i)中的X+为下述通式(1-1)和下述通式(1-2)中的至少一个通式表示的翻Il阳离子，
3.根据权利要求I所述的放射线敏感性树脂组合物，其中，进一步含有(B)放射线敏感性酸产生剂。
4.根据权利要求I所述的放射线敏感性树脂组合物，其中，所述(A)含有酸解离性基团的树脂具有下述通式(2)表示的重复单元，
全文摘要
本发明提供一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于，含有(A)含有酸解离性基团的树脂和(C)通式(i)表示的化合物(通式(i)中，R1表示氢原子等；R2表示单键等；R3表示氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代的、碳原子数为1～10的直链状的1价烃基等；X+表示阳离子)。
文档编号H01L21/027GK102804065SQ201080026410
公开日2012年11月28日 申请日期2010年6月14日 优先权日2009年6月16日
发明者芹泽龙一, 松村信司, 榊原宏和 申请人:Jsr株式会社