片状树脂组合物、背面磨削用带一体型片状树脂组合物、切割带一体型片状树脂组合物 ...的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及片状树脂组合物、背面磨削用带一体型片状树脂组合物、切割带一体 型片状树脂组合物、半导体装置的制造方法、及半导体装置。
【背景技术】
[0002] 以往，作为倒装安装中的粘附物与半导体元件的电接合使用了 Au-Sn(焊料）接 合、Au-Au接合，而近年来，出于降低成本等目的正在研究Au-Cu接合、Cu-Cu接合这样的以 Cu (铜）作为电极的接合（例如参照专利文献1)。
[0003] 另一方面，近年来，对于倒装安装中的粘附物与半导体元件的间隙，从增强接合部 (例如电极）、确保可靠性的观点考虑，进行了树脂密封（底部填充）（例如参照专利文献 2) 〇
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2012-204501号公报
[0007] 专利文献2 :日本专利第4438973号说明书
【发明内容】
[0008] 发明所要解决的问题
[0009] 然而，在使用铜电极的情况下，在铜电极的接合中，需要高于以往的温度下的处 理。由此，在进行底部填充的情况下，对于底部填充中使用的材料也要求高温下的耐久性。
[0010] 本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，提供具有高温耐久性的片状树 脂组合物、具备该片状树脂组合物的背面磨削用带一体型片状树脂组合物、具备该片状树 脂组合物的切割带一体型片状树脂组合物、使用了该片状树脂组合物的半导体装置的制造 方法、及使用该片状树脂组合物制造的半导体装置。
[0011] 用于解决问题的方法
[0012] 本申请发明人等为了解决上述以往的问题，对片状树脂组合物进行了研究。其结 果是发现，如果使由加热造成的重量减少率在特定的范围内，使吸湿率在特定的范围内，并 且在特定的范围内含有特定的有机酸，则高温下的耐久性优异，并且可以作为底部填充用 的片合适地使用，从而完成了本发明。
[0013] 即，本发明的片状树脂组合物是在粘附物与倒装连接在所述粘附物上的半导体元 件的界面密封中所用的片状树脂组合物，其特征在于，
[0014] 以10°C /min的升温速度从25°C升温到300°C时的重量减少率为2%以下，
[0015] 基于卡尔费休法的吸湿率为1%以下，
[0016] 相对于片状树脂组合物整体在1重量％以上且10重量％以下的范围内含有酸解 离常数处于3. 0以上且5. 0以下的范围内的有机酸。
[0017] 根据所述构成，由于以10°C /min的升温速度从25°C升温到300°C时的重量减少 率为2%以下，因此挥发成分受到抑制，空隙的产生得到减少。因而，高温下的耐久性优异。 另外，由于基于卡尔费休法的吸湿率为1 %以下，因此可以抑制粘附物与片状树脂组合物之 间、半导体元件与片状树脂组合物之间的空隙的产生。
[0018] 另外，根据所述构成，相对于片状树脂组合物整体在1重量％以上且10重量％以 下的范围内含有酸解离常数处于3. 0以上且5. 0以下的范围内的有机酸。作为有机酸，使用 酸解离常数为3. 0以上的有机酸，因此树脂组合物中的酸性度变高，可以抑制保存性的恶 化等对物性的不良影响。另外，作为有机酸，使用酸解离常数为5. 0以下的有机酸，因此酸 性度充分，可以合适地进行电极表面的氧化膜或防锈膜的除去。另外，由于相对于片状树脂 组合物整体含有1重量％以上的酸解离常数处于3. 0以上且5. 0以下的范围内的有机酸， 因此有机酸充分地走遍，可以合适地除去表面的氧化膜或防锈膜。另外，由于以10重量％ 以下含有，因此可以抑制保存性恶化等对物性的不良影响。
[0019] g卩，由于相对于片状树脂组合物整体在1重量％以上且10重量％以下的范围内含 有酸解离常数处于3. 0以上且5. 0以下的范围内的有机酸，因此可以合适地除去电极表面 的氧化物或防锈膜。
[0020] 像这样根据所述构成，由于由加热造成的重量减少率处于上述数值范围内，吸湿 率处于上述数值范围内，并且在上述数值范围内含有酸解离常数处于3. 0以上且5. 0以下 的范围内的有机酸，因此高温下的耐久性优异，并且可以作为底部填充用的片合适地使用。
[0021] 在所述构成中，所述粘附物、及所述半导体元件的至少一者优选具有包含铜的电 极。如果所述粘附物、及所述半导体元件的至少一者具有包含铜的电极，则需要与以往相 比高温下的处理。然而，由于所述片状树脂组合物以l〇°C /min的升温速度从25°C升温到 300°C时的重量减少率为2%以下，基于卡尔费休法的吸湿率为1 %以下，并且在上述数值 范围内含有酸解离常数处于3. 0以上且5. 0以下的范围内的有机酸，因此高温下的耐久性 优异，并且可以作为底部填充用的片合适地使用。因而，如果使用所述片状树脂组合物，则 可以提高在粘附物与半导体元件的接合中使用了铜电极的倒装型半导体装置的可靠性。
[0022] 在所述构成中，所述片状树脂组合物优选含有聚酰亚胺树脂和无机填料。如果所 述片状树脂组合物含有聚酰亚胺树脂和无机填料，则可以进一步提高耐热性。
[0023] 在所述构成中，所述片状树脂组合物优选含有聚酰亚胺树脂、环氧树脂和无机填 料。如果所述片状树脂组合物含有聚酰亚胺树脂、环氧树脂和无机填料，则利用具有环氧树 脂的形态，可以进一步提尚耐热性。
[0024] 另外，本发明的背面磨削用带一体型片状树脂组合物为了解决所述问题，其特征 在于，具备前面记载的片状树脂组合物和背面磨削用带，在所述背面磨削用带上设有所述 片状树脂组合物。
[0025] 另外，本发明的切割带一体型片状树脂组合物为了解决所述问题，其特征在于，具 备前面记载的片状树脂组合物和切割带，在所述切割带上设有所述片状树脂组合物。
[0026] 另外，本发明的半导体装置的制造方法是使用了前面记载的背面磨削用带一体型 片状树脂组合物的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
[0027] 贴合工序，将半导体晶片的形成有连接构件的电路面与所述背面磨削用带一体型 片状树脂组合物的所述片状树脂组合物贴合；
[0028] 磨削工序，磨削所述半导体晶片的背面；
[0029] 晶片固定工序，在背面磨削后的所述半导体晶片的背面贴附切割带；
[0030] 剥离工序，剥离所述背面磨削用带；
[0031] 切割工序，切割所述半导体晶片而形成带有片状树脂组合物的半导体芯片；
[0032] 拾取工序，将所述带有片状树脂组合物的半导体芯片从所述切割带中剥离；
[0033] 连接工序，在将粘附物与所述半导体芯片之间的空间用所述片状树脂组合物填充 的同时借助所述连接构件将所述半导体芯片与所述粘附物电连接；及
[0034] 固化工序，使所述片状树脂组合物固化。
[0035] 另外，本发明的半导体装置的制造方法是使用了前面记载的切割带一体型片状树 脂组合物的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
[0036] 贴合工序，将形成有具有连接构件的电路面的半导体晶片与所述切割带一体型片 状树脂组合物的所述片状树脂组合物贴合；
[0037] 切割工序，切割所述半导体晶片而形成带有片状树脂组合物的半导体芯片；
[0038] 拾取工序，将所述带有片状树脂组合物的半导体芯片从所述切割带中剥离；
[0039] 连接工序，在将粘附物与所述半导体芯片之间的空间用片状树脂组合物填充的同 时借助所述连接构件将所述半导体芯片与所述粘附物电连接；及
[0040] 固化工序，使所述片状树脂组合物固化。
[0041] 所述片状树脂组合物的以10°C /min的升温速度从25°C升温到300°C时的重量减 少率为2%以下，基于卡尔费休法的吸湿率为1 %以下，并且在上述数值范围内含有酸解离 常数处于3. 0以上且5. 0以下的范围内的有机酸。因而，由于所述片状树脂组合物具有耐 热性，因此可以抑制片状树脂组合物因半导体装置的制造时的热而发生热分解等，可以抑 制由排出气体引起的空隙的产生。
[0042]另外，本发明涉及一种使用前面记载的片状树脂组合物制造的半导体装置。另外， 本发明涉及一种使用前面记载的背面磨削用带一体型片状树脂组合物制造的半导体装置。 另外，本发明涉及一种使用前面记载的切割带一体型片状树脂组合物制造的半导体装置。
[0043] 所述片状树脂组合物的以10°C /min的升温速度从25°C升温到300°C时的重量减 少率为2%以下，基于卡尔费休法的吸湿率为1 %以下，并且在上述数值范围内含有酸解离 常数处于3. 0以上且5. 0以下的范围内的有机酸。因而，由于所述片状树脂组合物具有耐 热性，因此可以抑制片状树脂组合物因半导体装置的制造时的热而热分解等，可以抑制由 排出气体引起的空隙的产生。其结果是，可以提高半导体装置的可靠性。
[0044] 发明效果
[0045] 根据本发明，可以提供高温下的耐久性优异、并且可以作为底部填充用的片合适 地使用的片状树脂组合物、具备该片状树脂组合物的切割带一体型片状树脂组合物、使用 了该片状树脂组合物的半导体装置的制造方法、及使用该片状树脂组合物制造的半导体装 置。
【附图说明】
[0046]图1是本发明的一个实施方式的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的剖面示 意图。
[0047] 图2A是用于说明使用了图1所示的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的半导 体装置的制造方法的图。
[0048] 图2B是用于说明使用了图1所示的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的半导 体装置的制造方法的图。
[0049] 图2C是用于说明使用了图1所示的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的半导 体装置的制造方法的图。
[0050] 图2D是用于说明使用了图1所示的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的半导 体装置的制造方法的图。
[0051] 图2E是用于说明使用了图1所示的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的半导 体装置的制造方法的图。
[0052] 图2F是用于说明使用了图1所示的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的半导 体装置的制造方法的图。
[0053] 图2G是用于说明使用了图1所示的背面磨削用带一体型片状树脂组合物的半导 体装置的制造方法的图。
[0054] 图3是本发明的其他实施方式的切割带一体型片状树脂组合物的剖面示意图。
[0055] 图4A是用于说明使用了图3所示的切割带一体型片状树脂组合物的半导体装置 的制造方法的图。
[0056] 图4B是用于说明使用了图3所示的切割带一体型片状树脂组合物的半导体装置 的制造方法的图。
[0057] 图4C是用于说明使用了图3所示的切割带一体型片状树脂组合物的半导体装置 的制造方法的图。
[0058] 图4D是用于说明使用了图3所示的切割带一体型片状树脂组合物的半导体装置 的制造方法的图。
【具体实施方式】
[0059] 以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。以下，首先，对在背面磨削用带上设 有