中也可以使用仅在与片状树脂组合物的贴合面侧形成具有连接构件 的电路面的半导体晶片。
[0160] 〈贴合工序〉
[0161] 贴合工序中，如图4A所不，将在两面形成有具有连接构件44的电路面的半导体晶 片43与切割带一体型片状树脂组合物50的片状树脂组合物42贴合。而且，通常而言，由 于半导体晶片43的强度弱，因此为了增强有时将半导体晶片43固定在支承玻璃等支承体 上（未图示）。该情况下，也可以在半导体晶片43与片状树脂组合物42的贴合后，包括剥 离支承体的工序。对于将半导体晶片43的哪个电路面与片状树脂组合物42贴合，只要根 据所需的半导体装置的结构变更即可。
[0162] 半导体晶片43的两面的连接构件44之间既可以被电连接，也可以不被电连接。作 为连接构件44之间的电连接，可以举出基于借助被称作TSV形式的通孔的连接的连接等。 作为贴合条件，可以采用背面磨削用带一体型片状树脂组合物10的贴合工序中例示的条 件。
[0163] 〈切割工序〉
[0164] 切割工序中，切割半导体晶片43及片状树脂组合物42而形成带有片状树脂组合 物42的半导体芯片45 (参照图4B)。作为切割条件，可以采用背面磨削用带一体型片状树 脂组合物10的切割工序中例示的条件。
[0165] 〈拾取工序〉
[0166] 拾取工序中，将带有片状树脂组合物42的半导体芯片45从切割带41中剥离（参 照图4C)。作为拾取条件，可以采用背面磨削用带一体型片状树脂组合物10的拾取工序中 例示的条件。
[0167] 〈连接工序〉
[0168] 连接工序中，在将粘附物46与半导体芯片45之间的空间用片状树脂组合物42填 充的同时借助连接构件44将半导体芯片45与粘附物46电连接（参照图4D)。具体的连接 方法与背面磨削用带一体型片状树脂组合物10的连接工序中说明的内容相同。作为连接 工序的加热条件，可以采用背面磨削用带一体型片状树脂组合物10中例示的条件。
[0169] 〈固化工序及密封工序〉
[0170] 固化工序及密封工序与背面磨削用带一体型片状树脂组合物10的固化工序及密 封工序中说明的内容相同。由此，可以制造出半导体装置60。
[0171] [实施例]
[0172] 以下，对本发明的合适的实施例进行示例性的详细说明。然而，该实施例中记载的 材料、配合量等只要没有特别限定性的记载，就并非将本发明的范围仅限定于它们的意思， 只不过是单纯的说明例而已。另外，带有份的是指重量份。
[0173] (聚酰亚胺树脂的制备）
[0174] 依照表1中记载的配合比，使二胺溶解于N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)中，向其中 加入二酐及固化促进剂，在室温下搅拌1小时，然后在80°C搅拌4小时，其后在180°C搅拌 5小时。搅拌结束后，将溶液投入3L水中，得到白色的沉淀了的聚合物。
[0175] 过滤该沉淀后，用水清洗24小时，然后使用真空干燥机在70°C干燥24小时，得到 各聚酰亚胺树脂（聚酰亚胺A、聚酰亚胺B、聚酰亚胺C)。[表1]
[0176]
[0177] 对实施例中使用的成分进行说明。
[0178] (聚酰亚胺）
[0179] 上述聚酰亚胺A
[0180] 上述聚酰亚胺B
[0181] 上述聚酰亚胺C
[0182] (环氧树脂）
[0183] 环氧树脂A :商品名"Epicoat 1004"、JER株式会社制
[0184] (填料）
[0185] 填料A :商品名"S0-25R"、株式会社Admatechs制
[0186] (有机酸）
[0187] 对茴香酸
[0188] 二苯乙醇酸
[0189] 樟脑酸
[0190] 丙酮酸
[0191] 油酸
[0192] 实施例、及比较例
[0193] 〈片状树脂组合物的制作〉
[0194] 依照表2、3中记载的配合比，将各成分溶解于N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)中后， 涂布在剥离基材上，在150°C干燥5分钟，得到实施例及比较例的片状树脂组合物。
[0199] 〈切割带一体型片状树脂组合物的制作〉
[0200] 使用手动辊，将各实施例及比较例的片状树脂组合物贴合在切割带（商品名 "V-8-T"、日东电工株式会社制）的粘合剂层上，得到切割带一体型片状树脂组合物。
[0201] (重量减少率测定）
[0202] 使用热重差热（TG-DTA)同时测定装置（Rigaku公司制、产品名：Thermo plus TG8120)，以10°C /min的升温在25°C _500°C的范围中进行测定，将300°C时刻的重量变化 量（％)作为重量减少率。将结果表不于表2、表3中。
[0203] (吸湿率测定）
[0204] 对所制作的片状树脂组合物取样10mg，利用卡尔费休法，在150°C、3分钟的条件 下测定出吸湿率。将结果表示于表2、表3中。
[0205] (接合性评价）
[0206] 将实施例及比较例的片状树脂组合物（厚度：35μπι)在施加80-100°C的热的 同时用贴膜机（rol 1 laminator)分别贴附于芯片（（株）WALTS公司制的WALTS-TEG MB50-0101JY)。该贴附是在芯片的形成有电极的面侧进行。
[0207] 然后，将带有片状树脂组合物的芯片贴附于基板（（株）WALTS公司制的WALTS-KIT MB50_0102JY_CR)。在该贴附中，使用 Panasonic Factory Solutions(株）公司制的倒装 芯片接合机FCB3,在300°C、100N、10分钟的条件下进行。而且，贴附是以片状树脂组合物为 贴合面进行。利用以上操作，制造出评价用的芯片安装完毕的基板。为了研磨时的固定将 其埋入热固化性树脂（丸本Struers公司制、商品名：EpoFix)中，作为评价用样品。然后， 相对于基板面沿正交方向用砂纸或氧化铝研磨评价用样品，用光学显微镜（~1000倍）及 SEM(~20000倍）观察研磨后的研磨面。将在基板与芯片的电极之间没有看到间隙的情况 评价为〇，将看到的情况评价为X。将结果表示于表2、表3中。
[0208] (空隙评价）
[0209] 与上述接合性评价相同地得到实施例及比较例的评价用样品。然后，相对于基板 面沿平行方向用砂纸或氧化铝研磨评价用样品，用光学显微镜（~1000倍）观察研磨后的 研磨面。将在夹设于基板与芯片之间的片状树脂组合物中没有看到空隙的情况评价为〇， 将看到的情况评价为X。将结果表示于表2、表3中。
[0210] 符号的说明
[0211] 1背面磨削用带，la基材，lb粘合剂层，2片状树脂组合物，3半导体晶片，3a半导 体晶片的电路面，3b半导体晶片的与电路面相反一侧的面，4连接构件（凸块），5半导体芯 片，6粘附物，7导通材料，10背面磨削用带一体型片状树脂组合物，11切割带，11a基材，lib 粘合剂层，30半导体装置，41切割带，41a基材，41b粘合剂层，42片状树脂组合物，43半导 体晶片，44连接构件（凸块），45半导体芯片，46粘附物，47导通材料，50切割带一体型片 状树脂组合物，60半导体装置。
【主权项】
1. 一种片状树脂组合物，其特征在于，是用于被粘接体与倒装连接于所述被粘接体上 的半导体元件的界面密封的片状树脂组合物， 以10°C/min的升温速度从25°C升温到300°C时的重量减少率为2%以下， 基于卡尔费休法的吸湿率为1%以下， 相对于片状树脂组合物整体在1重量％以上且10重量％以下的范围内含有酸解离常 数处于3.0以上且5.0以下的范围内的有机酸。2. 根据权利要求1所述的片状树脂组合物，其特征在于， 所述被粘接体、及所述半导体元件的至少一个具有包含铜的电极。3. 根据权利要求1或2所述的片状树脂组合物，其特征在于， 含有聚酰亚胺树脂和无机填料。4. 根据权利要求1或2所述的片状树脂组合物，其特征在于， 含有聚酰亚胺树脂、环氧树脂和无机填料。5. -种背面磨削用带一体型片状树脂组合物， 具备权利要求1~4中任一项所述的片状树脂组合物和背面磨削用带， 在所述背面磨削用带上设有所述片状树脂组合物。6. -种切割带一体型片状树脂组合物， 具备权利要求1~4中任一项所述的片状树脂组合物和切割带， 在所述切割带上设有所述片状树脂组合物。7. -种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了权利要求5所述的背面磨削用 带一体型片状树脂组合物的半导体装置的制造方法， 包括： 贴合工序，将半导体晶片的形成有连接构件的电路面与所述背面磨削用带一体型片状 树脂组合物的所述片状树脂组合物贴合； 磨削工序，磨削所述半导体晶片的背面； 晶片固定工序，在背面磨削后的所述半导体晶片的背面贴附切割带； 剥离工序，剥离所述背面磨削用带； 切割工序，切割所述半导体晶片而形成带有片状树脂组合物的半导体芯片； 拾取工序，将所述带有片状树脂组合物的半导体芯片从所述切割带剥离； 连接工序，在将被粘接体与所述半导体芯片之间的空间用所述片状树脂组合物填充的 同时借助所述连接构件将所述半导体芯片与所述被粘接体电连接；及 固化工序，使所述片状树脂组合物固化。8. -种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了权利要求6所述的切割带一体 型片状树脂组合物的半导体装置的制造方法， 包括： 贴合工序，将形成有具有连接构件的电路面的半导体晶片与所述切割带一体型片状树 脂组合物的所述片状树脂组合物贴合； 切割工序，切割所述半导体晶片而形成带有片状树脂组合物的半导体芯片； 拾取工序，将所述带有片状树脂组合物的半导体芯片从所述切割带剥离； 连接工序，在将被粘接体与所述半导体芯片之间的空间用片状树脂组合物填充的同时 借助所述连接构件将所述半导体芯片与所述被粘接体电连接；及 固化工序，使所述片状树脂组合物固化。9. 一种半导体装置，其使用权利要求1~4中任一项所述的片状树脂组合物制造。10. -种半导体装置，其使用权利要求5所述的背面磨削用带一体型片状树脂组合物 制造D11. 一种半导体装置，其使用权利要求6所述的切割带一体型片状树脂组合物制造。
【专利摘要】本发明的片状树脂组合物是在粘附物与倒装连接在粘附物上的半导体元件的界面密封中所用的片状树脂组合物，以10℃/min的升温速度从25℃升温到300℃时的重量减少率为2％以下，基于卡尔费休法的吸湿率为1％以下，相对于片状树脂组合物整体在1重量％以上且10重量％以下的范围内含有酸解离常数处于3.0以上且5.0以下的范围内的有机酸。
【IPC分类】H01L23/31, H01L21/60, H01L21/301, H01L21/304, C08K3/00, C08L79/08, H01L23/29
【公开号】CN105264652
【申请号】CN201480031893
【发明人】花园博行, 高本尚英, 盛田浩介, 福井章洋
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2014年5月1日
【公告号】WO2014196293A1