专利名称：带有散热的晶圆级封装的制作方法
技术领域：
本发明的实施例总体上涉及晶圆级封装(WLP)。更具体地，本发明的实施例涉及包括背侧层压体或膜的晶圆级封装件(WLP)，所述背侧层压体或膜包括导热填料或纤维，所述导热填料或纤维不是使WLP的顶表面绝热而是有助于经由从WLP的所述表面到散热器之间的热连接或热传递来散热。
背景技术：
图1示出了现有技术的倒装晶片封装器件100。所述倒装晶片封装器件包括硅晶粒102，硅晶粒102被翻转，使得硅晶粒102的集成电路侧或下侧经由多个焊球或焊球阵列 106连接于封壳104。整个倒装晶片封装器件100随后经由连接机构108放置到PC板(未示出)上。最初，硅晶粒102的背侧或顶侧被留置裸露成在其上不具有任何放置的东西。由于在硅晶粒102的背侧上没有任何东西，倒装晶片封壳104具有高达约20瓦的散热性能。 随着时间的过去，倒装晶片封装技术发展到提供50至约90瓦的散热额定值。这是通过将热界面材料(TIM) 110结合在硅晶粒102的顶表面上来实现的。所述热界面材料为其内具有导热性质的油脂、膏或硅胶。TIM 110不是粘合剂且不对现有技术的倒装晶片封装件100 提供任何结构增强。热扩散器或盖112放置在TIM 110的顶部上，热扩散器或盖112将TIM 110夹在晶粒102的顶侧和热扩散器112的底表面之间。这个现有技术的倒装晶片构型在区域114的放大视图中看得更清楚。重要的是理解附加TIMllO和热扩散器112是在分段基础上制造，使得各单个晶粒102在从安装在封壳104上的晶圆和倒装晶片上切下之后接着一个接一个地被处理成包括将TIM 110连同结合在其上的热扩散器112 —起放置在它的上表面上。热扩散器或散热器112可由铝或铜制成。TIM 110用于使硅晶粒102的顶侧和热扩散器112之间的热阻最小。热扩散器112和TIM 110的组合有助于增大现有技术的倒装晶片封装件100的热能力。TIM 110为本质热性的油脂、冻胶或硅物质，所述本质热性的油脂、冻胶或硅物质放置在硅晶粒102的所述表面上、并在压上热扩散器或散热器时以及在加热时扩散开。TIM 110增加硅晶粒102和热扩散器112之间的热传导性。TIM 110不用于保持热扩散器112 就位，但是围绕热扩散器边缘的诸如夹具或硅胶之类的其它装置(未具体示出)用于保持热扩散器112在现有技术的倒装晶片封装件上就位。倒装晶片封装的关键性缺陷之一为制造成本。倒装晶片封装件制造以单元级 (unit level)进行，由此没有任何与晶圆级加工工序传统上相关的规模经济。例如，各晶圆可使在其上制造出上千或更多的晶粒，但是采用倒装晶片封装，各晶粒必须从晶圆上切出并在每个单元基础上单个封装。由此，如果在晶圆内结合有上千晶粒，会要求进行一千次倒装晶片封装工序；一次用于一个晶粒。由此，所需要的是这样的器件和用于制造这种器件的制造技术，即这种器件在依然能够散热大于20瓦的同时允许制造具有大量电连接的复杂硅晶粒。如果这种器件可以以晶圆级而非以每个单元级来制造，这将是另一优势。现有技术的WLP封装件可包括在WLP的背侧或非有效侧(inactive side)上的层压体。现有技术的层压体包括聚合物膜，所述聚合物膜在所述聚合物膜的一侧上具有硅填料和热固化粘合剂。聚合物膜/粘合剂组合提供了用于标记部件号或其它信息的良好表面。现有技术的聚合物膜/粘合剂组合用作限制热传导离开现有技术的WLP封装件的绝热层。绝热层对于低功率WLP封装件(小于约20瓦)是可以的，但是它限制WLP器件结合更高功率的电路05到50到约90瓦)以及从9x9焊球阵列到20x20阵列的更大的WLP器件尺寸。由此，还需要的是这样一种WLP构型，所述WLP构型为导热性的，以有助于去除热， 从而使经由经济的制造工序做出更高功率和更大的WLP器件是可实现的。
发明内容
在一个实施例中，提供一种制造散热晶圆级封装件(WLP)的方法。所述制造散热 WLP的方法包括步骤将导热涂层施加于晶圆的背表面或非有效表面上，其中所述晶圆包括多个晶圆级封装器件部分。所述制造散热WLP的方法还包括使已施加于所述晶圆的所述背表面或非有效表面上的所述导热涂层固化。在一些实施例中，所述施加导热涂层的步骤还包括将层压体施加于所述晶圆的所述背表面。示范性的层压体可包括导热粘合剂层以及导热膜层。在其它实施例中，所述施加导热涂层的步骤可包括将所述导热涂层或导热层喷射、溅射或涂覆于所述晶圆的所述背表面。在另外的实施例中，所述制造散热晶圆级封装件的方法还可包括将所述晶圆划片成多个晶圆级封装器件部分，以使得各晶圆级封装器件部分为单个的散热晶圆级封装件。本发明的另一实施例包括散热WLP器件。所述散热WLP器件包括WLP晶粒，所述 WLP晶粒具有电路侧和背侧。覆盖所述WLP晶粒的背侧的是导热涂层，所述导热涂层包括散布在所述涂层内的导热填料。在一些实施例中，所述涂层包括膜，所述膜包括所述导热填料。在其它实施例中，所述导热涂层包括网状、纺织、格状或无纺构型的导热填料。另外，本发明的实施例可包括导热涂层，所述导热涂层为压印地顺从的导热涂层，所述压印地顺从的导热涂层适于顺从于压在其上的诸如散热器之类的零件的表面。在其它实施例中，提供一种WLP器件，所述WLP器件包括WLP晶粒，所述WLP晶粒具有电路侧和背侧。所述实施例还包括涂层，所述涂层覆盖所述WLP晶粒的所述背侧。散布在所述涂层内的是导热填料。所述散热WLP还包括散热器或热扩散器，所述散热器或热扩散器具有第一表面，所述第一表面热接合并附接于所述涂层的顶表面，以使得所述涂层夹在所述WLP晶粒的所述背侧和所述散热器或热扩散器之间。
为了更完整的理解，现在参照下面结合附图的说明，在附图中
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图1示出了现有技术的倒装晶片封装件；图2示出了示范性晶圆级封装件(WLP)构型的实施例；图3示出了示范性导热层；图4示出了制造示范性WLP器件的示范性方法的流程图；图5以横截面示出了示范性制造的晶圆；以及图6示出了结合热扩散器或散热器的示范性WLP器件的实施例。
具体实施例方式现在参照附图(在整个附图中，类似的附图标记在本文中用于表示类似的部件)， 示出并说明结合散热的晶圆级封装件的各个视图和实施例，并说明其它可能的实施例。这些图未按比例绘制，而且在一些情况下，仅出于说明目的，附图在多处已被放大和/或简化。基于以下可行实施例的实例，本领域普通技术人员将认识到许多可能的应用和变型。通过将提供围绕并离开示范性WLP器件的有效热扩散和热散逸的元件和材料结合到示范性WLP器件中，本发明的实施例增强了晶圆级封装(WLP)器件的热性能。依据本发明的实施例，这种热扩散和热散逸将使热移动离开示范性WLP封装件上的电路热点，而且还将有助于经由附接的热扩散器或散热器元件将热传递离开示范性WLP封装件。本发明的示范性实施例包括具有背侧层压体、背侧层或背侧涂层的WLP，所述背侧层压体、背侧层或背侧涂层结合有导热填料或纤维。所述包括导热填料的背侧层压体有效地帮助热扩散并散逸离开示范性WLP中的热点和/或离开示范性WLP。具有导热填料的示范性背侧层压体在示范性WLP的顶表面(背侧表面)上不绝热或不提供绝热涂层。现在参照图2，说明示范性WLP器件200。示范性WLP器件200包括晶粒202，晶粒 202具有有效表面204。有效表面204为所述晶粒的集成电路经由制造工序埋置到其内的侧。焊球206附接于晶粒204的所述有效侧上所包含的电路。焊球206用于将示范性WLP 器件200机械连接或电连接于PC板208上的其它电路。在晶粒202的非有效或背侧表面210上，导热涂层212结合在其上。在示范性实施例中，导热涂层212完全覆盖示范性WLP器件200的非有效或背侧表面210。在一些实施例中，导热涂层包括导热膜。导热膜包括导热填料或纤维。导热涂层212的导热性使热移动离开热点，如由箭头214所示，以围绕晶粒200将热扩散或散逸。导热涂层212还有助于经由对流(如图经由箭头216所示)从示范性WLP器件200中将热除去。导热涂层212的实施例具有约20微米(μ m)至约100微米(μ m)的基本均勻厚度。现在参照图3，说明示范性导热涂层300。在此，聚合物膜或其它类型薄膜物质302 具有埋置或散布在膜层302内的导热填料304。可散布在示范性膜层内的导热填料304可包括银(Ag)、铝(Al)、氧化铝(Al2O3)或铜(Cu)。也可采用有助于热传导通过膜的其它导热填料。填料颗粒304可在尺寸上从小于一微米到约15微米长变化。在一些实施例中，膜物质302可包括薄金属膜、纺织或格状导热纤维、无纺导热纤维、延展性导热纤维。粘合剂层306紧接并靠在导热膜层302的一侧。粘合剂层306也包括为导热的填料颗粒(未具体示出)。粘合剂层内的填料颗粒可包括在膜层302发现的一种或多种同样的填料颗粒、纤维或其它导热物料或元素。粘合剂层初始用于将膜层302附接于晶圆的背侧表面，所述晶圆包括多个晶粒-电路段。一旦被附接，进行固化处理，使粘合剂306固化，从而使得膜层302牢固地结合在晶粒202的背侧210上。在固化时，一些实施例的导热颗粒、纤维或其它元素提供背侧表面210和导热涂层212的顶侧310之间的导热连接。在一些导热涂层实施例中，剥离层308覆盖粘合剂层306。在制造过程期间在将导热涂层300 (膜层302和粘合剂层306)施加于晶粒202的背侧210上之前，将剥离层308从所述膜层粘合剂层组合剥离或剥落。在示范性实施例中，膜层302可具有从约20 μ m至约 IOOym的厚度。在制造过程中，示范性导热涂层300可以以连续卷(rolls)的形式提供。示范性导热涂层将提供每米开尔文5至约50瓦范围内的导热性。在一些实施例中，导热涂层在固化时可具有高达约每米开尔文100瓦的导热额定值。通过使热扩散离开局部热点以及将热从硅层202传导到与导热涂层的顶侧310附接的热扩散器或散热器，用作热界面材料并具有高导热性的导热涂层300促进自WLP封装件的散热。被溅射、喷射或者带有或者不带有粘合剂层的薄膜、层压体的示范性导热涂层300的实施例，将使本发明的示范性实施例具有或增加厚度。这种示范性导热涂层300可使本发明的实施例具有或增加约20微米(μ m)厚度至约100微米(μ m)厚度的厚度。如上所述，在本发明的各种实施例中，导热涂层可包括纺织材料，纺织材料具有或者涂覆有导热材料的纤维或者具有导热颗粒的纤维，导热颗粒在所述纤维材料中胶态悬浮和/或彼此接触。另外，纺织或格状导热股线连同或替代填料颗粒304可被埋置在膜层302 内。导热涂层的变化实施例增加了应用它的硅晶圆的结构强度和整体性。通过在晶圆划片处理过程中以及在各晶粒于PC卡上安装和/或操作时的操作过程中阻止硅晶圆和/或所得到的个体晶粒(individual die)的翘曲，示范性导热涂层或导热层300将有助于增加整体性。在制造示范性硅晶圆的过程中，晶圆的背侧被抛光并磨削，以减少所获得的WLP封装件的总厚度。此外，WLP封装件在尺寸大小上随着它们结合更大和更复杂的电路而增加。本发明的包括在硅晶圆或硅晶粒的背侧上的导热涂层的实施例，在提高它的总体热性能的同时，加强了所获得的晶圆和/或晶粒抵抗翘曲性能且机械强化了所获得的WLP封装件。在粘合剂和/或膜层302已固化之后，膜层302可保留一些塑性，因为它可顺从于或接受来自相邻表面在压靠在它上时的凹入(indentation)。一些实施例的粘合剂层302 由此可适于顺从于压靠或埋置在导热涂层310的顶侧上的零件的压入(impression)。例如，散热器或热扩散器可压靠在导热涂层310的顶表面上。响应于散热器或热扩散器压靠在其上，膜层302的实施例可顺从并凹进(indent)于压靠在它上的基本平的、稍图案化的或者稍不规则的表面，以使得可去除气泡或间隙，且基本连续的表面对表面的接触存在于散热器的底表面和导热涂层310的上表面之间，以使热传导最大化。在本发明的实施例中， 通过为压印的、屈从的、塑性的、或顺从的材料，晶粒和散热器或热扩散器设备之间的热阻可进一步被最小化。现在参照图4，说明制造具有导热涂层的示范性WLP封装方法400。在步骤402， 制造晶圆。当示范性晶圆被制造用于WLP封装件时，晶圆可包括几个到高于1000个晶粒区域，每个晶粒区域将成为单个WLP器件封装件。制造出的晶圆将具有基本为硅的背侧表面。 示范性制造出的晶圆还将具有前侧或有效侧表面，所述前侧或有效侧表面可具有埋置的电子电路、各种环氧树脂和/或金属材料层、以及位于其上的焊球。在步骤404，硅晶圆的背侧表面可被磨削或抛光，以减少整个硅晶圆的厚度尺寸。经由一个或多个不同的磨削轮或抛光轮，晶圆被磨削至所需厚度，为了以基本均勻形式从晶圆的背侧将硅材料去除、直到晶圆被磨削至所需或预定厚度，所述一个或多个不同的磨削轮或抛光轮可具有不同级别的粗糙度。在步骤406，示范性导热涂层300可从例如卷子上展开和/或切成晶圆背侧表面的尺寸。如果存在有剥离层308，则从导热涂层300上将它去除，并将导热涂层300放置在晶圆的背侧上，从而将粘合剂层施加并粘合到晶圆的背侧表面。在一些实施例中，将导热涂层300施加于晶圆的背侧，并随后将多余的导热涂层从晶圆的侧边缘上去除或切除。在所述制造工序的这个步骤中，导热涂层的粘合剂层保持导热涂层就位在晶圆的背侧上。在一些实施例中，导热涂层被喷射、溅射或涂覆在晶圆的背侧。在这样的实施例中，导热涂层为导热元素和环氧树脂、聚合物、硅、油墨或将所述导热元素悬浮在其内的其它流体材料的胶态混合物。在步骤408，导热涂层300在晶圆的背侧上固化和/或固化于晶圆的背侧。所述固化处理可为热处理，其中粘合剂层306稍微硬化，以使得难于将导热涂层300从硅晶圆的背侧上去除。在一个实施例中，所述固化处理可在150-200度下进行预定量的范围从半小时至约一个半小时的时间。在其它实施例中，固化处理可采用紫外线或其它波长光来进行。 在本发明的又一实施例中，固化处理可以以蒸汽或化学处理来进行，其中导热涂层在固化处理期间经历化学/分子变化。另外，固化处理加强了整个晶圆和/或包含在晶圆内的个体晶粒的整体性。导热涂层内的导热的纤维、格状或纺织材料提供出乎预料的优点，不仅通过所述涂层建立热传导，而且通过增加额外的强度和机械静态强度增加了所获得的晶圆和个体WLP器件的整体性。在步骤410，导热涂层300的顶侧310可经由印刷、喷墨、激光打标、蚀刻或其它标记技术来标记，以在导热涂层300的顶侧310上设置部件号或其它有关信息。在步骤410，示范性晶圆可安装于框架上并固定成准备划片。划片处理涉及将硅晶圆切成个体示范性WLP部件。各示范性WLP部件包括具有其有效侧表面的晶粒。晶粒还具有背侧或非有效表面，所述背侧或非有效表面具有基本覆盖所述背侧的导热涂层。所获得的WLP部件将通过晶圆级制造工艺而非现有技术的倒装晶片器件的单个晶粒或单元级制造工艺来制造。在示范性实施例中，通过所述示范性工艺，从晶圆上单个化(singulation) 或划片晶粒有效地提供了所获得的示范性实施例。在步骤414，个体示范性WLP晶粒可被拾取并放置在带盘的粘合剂侧，所述带盘可用在步骤416采用的拾取放置机中，其中示范性WLP部件可从所述带盘上被拾取且被放置在如图2所示的PC板208上。在一些实施例中，步骤414或步骤416还可包括将散热器或热扩散器附加到示范性WLP的导热涂层的顶表面310。采用粘合剂、有效将导热涂层的顶侧熔合于散热器的底部的超声焊/熔融工艺，散热器可压制或粘合于导热涂层的顶表面。在其它实施例中，散热器的底表面可预热至这样的温度，即将使导热层300部分熔化来暴露导热颗粒以用于直接与散热器接触并在冷却时保持散热器就位。在一些实施例中，散热器或热扩散器可在单个化之前施加到晶圆上的导热层的顶部上。所获得的示范性WLP器件提供了具有导热涂层的WLP器件(WLP W/TCC)，其可与现有的散逸或热传导热离开硅晶粒的倒装晶片器件的散热能力不相上下。示范性实施例的优点在于无需另外的制造步骤来将导热涂层(TCC)的层或涂层结合到示范性WLP w/TCC器件的背侧上。结果就是显著低成本的制造方法，所述制造方法以晶圆级而非晶粒或单元级制造导热硅晶粒。因为可从单个晶圆上切出数千个晶粒，所以与示范性WLP w/TCC相关的制造步骤、时间和制造成本与现有器件制造工艺相比显著减少。图5为依据本发明实施例的示范性晶圆500的横断面视图。单个WLP器件502具有其由行切割线504和列切割线506表示的轮廓。将获得的示范性WLP封装件502从示范性晶圆500上制造出的多个其它WLP器件上单个化。在示范性制造出的晶圆500的前侧或有效侧或有效侧508上可存在有焊球510的阵列，焊球510的阵列在晶圆制造过程期间附接于有效侧508。在焊球510下方为有效电路，有效电路可包括晶体管、介电层、RDL层、钝化层、以及与示范性制造出的晶圆500的有效侧508相关的其它零件。在有效层部分512 下方是硅层514。在一些实施例中，硅层为示范性制造出的晶圆500或示范性WLP器件502 的最厚的部分。向硅层514背侧移动的是将硅晶圆层514的背侧覆盖的固化粘合剂层或涂层516。固化粘合剂层或涂层516包含导热填料，诸如银、铝、氧化铝或铜颗粒或纤维。在制造出的示范性晶圆500或WLP器件502的顶或背侧表面上为示范性导热涂层518。示范性导热涂层518可包括具有硅填料的聚合物膜且还可包括银、铝、氧化铝或铜的导热颗粒。导热涂层518可包括格状、纺织或无纺结构的导热材料。此外，在一些实施例中，导热涂层可包括铝、氧化铝、铜或其它基本柔软的压印的、屈从的或延展性的金属的薄金属膜，所述薄金属膜将有助于使热移动或热传导离开示范性WLP器件的所述硅层。一些示范性导热涂层在固化时或在其相关粘合剂固化时保持足够的柔软性、压印性、屈从性或可塑性，以顺从于压靠或埋置在导热涂层表面上的零件的压入。这种零件可为散热器或热扩散器器件的底表面。示范性导热涂层518(包括或不包括粘合剂516)具有处于约20微米至约100微米范围内的整体基本均勻的厚度(而在一些实施例中为非均勻厚度)。依然参照图5，当沿行切割线504和列切割线506切割示范性制造出的晶圆500 时，得到单个化的示范性WLP器件502。示范性单个化的WLP器件502可为完整WLP器件， 所述完整WLP器件在其有效侧上具有焊球，以使得它可放置并附接于印刷电路板，同时所述完整WLP器件在其非有效侧上包括一体化的导热涂层，导热涂层将有助于将热从示范性 WLP封装件中散逸(而不是使WLP封装件绝热)，同时无需额外的制造步骤、成本或时间。一些示范性WLP器件可包括当单个化时在导热涂层的顶部上的热扩散器或散热器。图6示出了具有散热器602的示范性WLP600，散热器602附接或一体化到导热涂层的顶侧。在此，带有安装到其上的散热器600的示范性WLP封装件经由多个焊球206附接于PC板208。焊球206机械、金属和电附接并连接于带有散热器600的所述示范性WLP 封装件的有效侧204。WLP有效侧204包括晶体管、钝化层、RDL层、环氧树脂层、以及创建带有散热器600的所述WLP器件的有效电路侧的或许其它层。基本由硅制成的晶粒202具有非有效或背侧表面210，导热涂层212附接于非有效或背侧表面210。导热涂层212可为结合导热颗粒、纤维、格状结构、纺织结构或无纺结构的聚合物膜或其它膜基材，所述导热颗粒、纤维、格状结构、纺织结构或无纺结构不仅加强并为带有散热器600的示范性WLP封装件提供额外的结构整体性、而且将热从晶粒202的背侧210朝散热器602进行热传导，其中热可散逸离开晶粒上的热点并进入到散热器周围的环境空气中，如箭头604所示。导热涂层212夹在散热器602的底表面和晶粒210的背侧表面之间，以使得导热涂层以韧性的、 塑性的、延展性的或挠性的屈服方式顺从，以基本顺从于压入、压靠、埋置和/或粘合于导热涂层212的散热器的底表面上的任何凸起、隆脊或边缘。导热涂层可在散热器604的底表面和晶粒210的背侧表面之间建立多个热回路。到此为止，散热器和热扩散器均未结合于或一体化于WLP器件的非有效侧或背侧。由此，在本文中所讨论的实施例将示范性WLP封装件推进到在比现有WLP封装件已能在操作下的更高的连续瓦特数额定值下操作。例如，示范性WLP器件设计成以它们额定成在大于20瓦散热额定值下操作的方式来散热。本发明的实施例可额定为从约20瓦到约 50瓦连续散热。一些实施例可额定成高达约90瓦。因为WLP器件正用于越来越小的客户定向设备，诸如移动电话、移动终端、GPS设备和各种其它小型便携手提设备，所以有利的是将器件封装件的尺寸从倒装晶片器件向下减小到示范性WLP器件，且依然能将足够的热散逸，以使得更高功率的电路可结合到示范性WLP器件中。通过提供示范性WLP w/TCC,晶圆级封装件的尺寸可从7x7球阵列WLP器件发展到20x20球阵列WLP器件或更大，同时保持所获得的器件的结构强度并支持更高功率的电路(从20至约90瓦)。受益于本发明的本领域技术人员将认识到，在不明显增加制造成本的情况下，这个具有一体化散热的晶圆级封装提供了具有提高的结构强度和更高的功率性能的WLP。应理解，本文中的附图和具体实施方式
将以说明性的而非限制的方式来看待，且不意欲限制于所公开的具体形式和实例。相反，在不脱离下面的权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，任何其它对本领域技术人员显而易见的修改、改变、重新布置、替代、替换、设计选择以及实施例均包括在内。由此，意欲是下面的权利要求将解释为包括所有这种进一步的修改、改变、重新布置、替代、替换、设计选择以及实施例。
权利要求
1.一种制造散热晶圆级封装件的方法，所述方法包括将导热涂层施加在晶圆的背表面上，所述晶圆包括多个晶圆级封装器件部分；以及使所述导热涂层固化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述导热涂层还包括将层压体施加于所述背表面，所述层压体包括导热粘合剂层；以及导热膜层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述导热涂层还包括将所述导热涂层喷射在所述背表面上。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，施加所述导热涂层还包括将能吸引所述导热涂层的第一电荷施加于所述晶圆。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，固化还包括将热施加于所述导热涂层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，固化还包括将光施加于所述导热涂层。
7.根据权利要求1所述的方法，其还包括将所述晶圆划片成所述多个晶圆级封装器件部分，每个晶圆级封装器件部分都具有顶侧。
8.根据权利要求7所述的方法，其还包括将热扩散器附接于晶圆级封装器件部分的所述顶侧。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述固化的导热涂层能顺从于埋置在所述固化的导热涂层的表面上的零件的压入。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述零件为散热器。
11.一种晶圆级封装(WLP)器件，其包括 WLP晶粒，所述WLP晶粒具有电路侧和背侧；涂层，其覆盖所述背侧，所述涂层包括散布在所述涂层内的导热填料。
12.根据权利要求11所述的WLP器件，其中，所述涂层包括膜，所述膜包括所述导热填料。
13.根据权利要求11所述的WLP器件，其中，所述涂层包括粘合剂，所述粘合剂包括导热填料。
14.根据权利要求11所述的WLP器件，其中，所述导热填料被组织成网状或格状构型。
15.根据权利要求11所述的WLP器件，其中，所述导热涂层为能压印地顺从的导热涂层，所述压印地顺从的导热涂层能顺从于压在其上的零件的表面。
16.一种晶圆级封装(WLP)器件，其包括 WLP晶粒，所述WLP晶粒具有电路侧和背侧；涂层，其覆盖所述背侧，所述涂层包括散布在所述涂层内的导热填料；以及散热器，其具有与所述涂层接合的第一表面。
17.根据权利要求16所述的WLP器件，其中，所述涂层能顺从于所述第一表面。
18.根据权利要求16所述的WLP器件，其中，所述涂层包括膜，所述膜包括所述导热填料。
19.根据权利要求16所述的WLP器件，其中，所述涂层包括粘合剂，所述粘合剂包括所述导热填料。
全文摘要
本发明提供了一种散热晶圆级封装件以及制造散热晶圆级封装件的方法。所述散热晶圆级封装件具有一体地结合在其上的导热涂层，所述导热涂层促进将热从器件中散逸到周围空气中和/或将热朝热扩散器或散热器传递离开所述器件。另外，所述涂层增强在制造过程期间的晶圆以及所获得的WLP的结构整体性和强度。
文档编号H01L23/42GK102201377SQ20111006999
公开日2011年9月28日 申请日期2011年3月23日 优先权日2010年3月24日
发明者A·萨莫伊洛夫, D·威尔考克森, R·阿格拉瓦尔, V·坎德卡尔 申请人:玛克西姆综合产品公司