专利名称：晶片的分离方法及分离装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种晶片的分离方法及分离装置，更为具体地说，涉及一种将作为半导体元件的材料的晶片从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组分离、将分离后的晶片逐片移动到规定部位的晶片的分离方法及分离装置。
背景技术：
在作为半导体元件的材料而使用的晶片(wafer，也称为晶圆)的制造中，通过将由硅等形成的晶锭切割成薄板状而形成呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组，晶片被从该层叠晶片组逐片剥开、分离。该晶片的分离作业如公众所知是一种非常困难的作业，用来分离晶片并稳定供给的装置包括例如专利文献I所述的“晶片的分离输送装置及分离输送方法”、专利文献2所述的“晶片的单片处理装置及单片处理方法”、或专利文献3所述的“从晶片堆分离晶片的方法和装置”等。专利文献I记载了如下的发明“具有支撑部件和分离推出单元以及喷嘴，在液体内利用支撑部件将多片晶片支撑成层叠状态，通过支撑部件的上升使多片晶片上升规定量，将位于最上部的一片晶片配置在水面附近的位置，用分离推出单元的接触端子使最上部的晶片机械性旋转并施加起动力，接着通过喷嘴对水面位置的晶片的上表面、向偏离了其中心的位置喷射水使其向一方向旋转，从其他晶片分离，向输出方向输送”。此外，专利文献2记载了如下的发明“通过第一吸附部件吸附保持分离晶片，并通过第二吸附部件在第一吸附部件的上方位置吸附保持所述分离晶片，使第二吸附部件的软管收缩，翻转并吸附保持分离晶片，接着用限制体按压相邻晶片的外周面上部，禁止相邻晶片随分离晶片的移动而移动，并使分离晶片向上方移动而从层叠晶片组分离，因此无需严格的间隙管理而能够从层叠晶片组切实地一片一片地单片处理晶片”。另外，专利文献3记载了如下的发明“在从垂直的晶片堆分离晶片的方法中，晶片通过从上方进行作用的移动单元从上方逐个输送。移动单元被制造成具有接触晶片(12)的最上部的吸引表面的旋转带，晶片(12)向吸引表面的接触因负压的吸引而加速。为了分离配置在其他晶片上的多个晶片，移动单元进行下述两个步骤中的至少一个，(a)水从斜下方喷射从而对最上部的晶片的顶端施加力。(b)移动单元(23)进行导向使晶片越过从下方与移动中的晶片的下方表面接触的剥离装置的上方，两者将晶片按压到吸引表面进行制动作用。然后，晶片向输送通路移动而向进一步处理输送。”。此外，关于(a)中喷射的水，还记载有“由于含有空气或气泡，因而不仅是水压，空气泡也能够在各个晶片间通过，其结果，消除了附着作用”。专利文献I :日本特开平9-148278号公报专利文献2 :日本特开2002-75922号公报专利文献3 :日本特表2011-507242号公报
但是，如上所述，专利文献I所记载的发明为“用分离推出单元的接触端子使最上部的晶片机械性旋转并施加起动力，接着通过喷嘴对水面位置的晶片的上表面、向偏离了其中心的位置喷射水使其向一方向旋转”。因此，在最上部的晶片与其他晶片的接触面部移动摩擦阻力相当大，特别是利用分离推出单元起动时，由于两个晶片上受到了较大的应力，所以实际上难以使晶片圆滑地分离，可能会造成晶片破损。另外，如上所述，专利文献2所记载的发明为“通过第一吸附部件吸附保持分离晶片，并通过第二吸附部件在第一吸附部件的上方位置吸附保持分离晶片，使第二吸附部件的软管收缩而翻转并吸附保持分离晶片”。因此，分离晶片受到因变形而产生的较大的应力，可能会造成破损。另外，在专利文献3所记载的发明中，因为所述空气泡能够在各个晶片间通过、其结果，消除了附着作用，因此，与专利文献I及专利文献2所记载的发明相比晶片能够容易·地分离。但是，关于含有空气或气体的水喷射，因为通过将空气或气体注入到水喷射或者用于喷射水的喷嘴中而生成，因而需要压缩机、换气装置等附属设备。因此，产生因附属设备而造成的制造成本的上升以及保养维护等运行成本的问题。本发明的发明人致力于能够不设置特别的附属设备而产生水和空气的混合流体的研究，直至完成本发明。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种晶片分离方法及分离装置，其在从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组分离晶片、将分离后的晶片一片一片地移动到规定的部位的作业中，尽量不对分离的晶片施加因摩擦、变形等产生的应力而防止破损，能够进一步提高晶片的合格率从而稳定供给晶片。为了解决上述问题，本发明所谋求的方式如下。(I)本发明为一种晶片分离方法，该方法通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触，从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片，所述气液混合流含有的气泡，是通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。(2)根据技术方案I所述的晶片分离方法，所述气液混合流为含有气泡的喷流、与喷出到液体中的喷流合流而成，该气泡为通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。(3)根据技术方案I或2所述的晶片分离方法，所述气液混合流为相对于液面呈所需的向下倾斜角度的喷流，从而该气液混合流从液面侧与在液体中的层叠晶片组碰触。(4)根据技术方案3所述的晶片分离方法，所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触气液混合流的一侧较高，所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角度相同或大致相同。(5)根据技术方案4所述的晶片分离方法，使从所述层叠晶片组分离的晶片中、位于最上部的晶片移动到规定的部位。(6)根据技术方案5所述的晶片分离方法，晶片的移动通过吸附单元吸附而进行。
(7)根据技术方案5或6所述的晶片分离方法，从在液体中的所述层叠晶片组分离的晶片在与设置的倾斜角度相同的倾斜方向上在液体中向液面移动，被从液体中取出到气体中。(8)本发明为一种晶片分离装置，通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触，从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片，该装置具有喷出单兀，该喷出单兀使从将液体喷向液面的气体中喷出口喷至液面的液体与液面进行碰撞，从而在气液界面取得气体，使喷出液体中含有气泡。(9)根据技术方案8所述的晶片分离装置，所述喷出单元除了气体中喷出口以外还具有在液体中喷出液体的液体中喷出口，使从所述气体中喷出口向液面喷出的喷流与从所述液体中喷出口喷出的喷流合流而构成气液混合流。(10)根据技术方案9所述的晶片分离装置，所述喷出 单元为喷嘴，所述气体中喷出口与所述液体中喷出口属于相同的喷嘴或者分别属于不同的喷嘴。(11)根据技术方案10所述的晶片分离装置，所述喷嘴具有喷出口，该喷出口使所述气液混合流形成为相对于液面呈所需的向下的倾斜角度的喷流，并使该气液混合流与在液体中的层叠晶片组碰触。(12)根据技术方案10或11所述的晶片分离装置，所述喷嘴具有产生所述气液混合流的第一喷嘴、在液体中喷出液体的第二喷嘴和第四喷嘴、以及在气体中喷出液体的第三喷嘴，第一喷嘴、第二喷嘴、及第三喷嘴位于从所述层叠晶片组分离的晶片的输送方向侦牝并夹着输送路线配置在所述层叠晶片组的两侧，第四喷嘴位于所述晶片的输送方向的相反侧，并夹着所述输送路线的反向延长线配置在所述层叠晶片组的两侧。(13)根据技术方案11或12所述的晶片分离装置，所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触所述气液混合流的一侧较高，所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角度相同或大致相同。(14)根据技术方案13所述的晶片分离装置，具有取出单元，该取出单元使这样的晶片，即从液体中的所述层叠晶片组分离出的、位于最上部的晶片，以与设置所述层叠晶片组的倾斜角度相同的方向，在液体中向液面移动，从而将该晶片从液体中取出到气体中。(15)根据技术方案14所述的晶片分离装置，具有防止从所述层叠晶片组分离的晶片偏离取出位置的限制体，该限制体利用进退单元相对于所述层叠晶片组前进、后退。(16)根据技术方案14或15所述的晶片分离装置，具有晶片供给单元，该晶片供给单元保持所述层叠晶片组，使所述层叠晶片组移动到所述气液混合流与层叠面碰触的位置。本说明书及权利要求书中所说的术语“层叠面”的含义为层叠晶片组的侧面、即表示多片被层叠的各晶片的厚度的面。此外，“气体中喷出口”的意思是指位于气体中(具体地说,为空气中)的喷出口，“液体中喷出口 ”的意思是指在液体中(具体地说，为水中)的喷出口。作用对本发明的晶片分离装置的作用进行说明。首先，使利用喷出单元(喷嘴等)向液面喷出的液体与液面进行碰撞，由此，在液体中产生气液混合流，该气液混合流含有由在气液界面取得的气体所产生的多个气泡。此夕卜，喷出的时刻可以在将层叠晶片组移动到所需的位置之后。接着，利用晶片供给单元(晶片供给机等)保持层叠晶片组，使层叠晶片组移动到所述气液混合流与层叠面碰触的位置。由此，液体和气泡进入构成层叠晶片组的晶片之间，例如靠近层叠晶片组的液面侧的多片晶片渐渐分离，在各晶片之间张开间隙，使液体和气泡进一步进入，对于分离的晶片，不会施加因摩擦、变形等产生的较大的应力而能够顺利地使其分离。此外，通过使各晶片之间进入多个气泡，这些气泡发挥到所谓衬垫(缓冲部件)作用，使得各自分离并在水中呈浮游状态的各晶片相互间不易发生接触或碰撞，由此，能够防止晶片发生损伤。此外，利用多个气泡对分离的晶片施加较大浮力，由此使晶片以更短的时间分离。
然后，用晶片移动单元(晶片移动机等)对分离的各晶片中、位于最上部的晶片进行保持，并移动到规定的部位。然后，从该移动部位取出晶片，送往后面的工序。根据本发明，在从呈多种晶片层叠的状态的层叠晶片组分离晶片、将分离后的晶片一片一片地移动到规定的部位的作业中，使含有多个气泡的水流即气液混合流与层叠晶片组的层叠面碰触而分离晶片，由此，对于分离的晶片，能够不施加因摩擦、变形等产生的较大的应力而防止破损。由此，能够进一步提闻晶片的合格率、稳定地供给晶片。此外，因为气液混合流所含有的气泡是由气体产生的，该气体因向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得，所以不需要压缩机、换气装置等附属设备，不会因附属设备而造成制造成本的上升以及保养维护等运行成本。
图I表示本发明的晶片分离装置的第一实施方式，是从前方侧看的立体说明图。图2是从后方侧看图I所示的晶片分离装置的立体说明图。图3是表示晶片分离装置的构造的正视说明图。图4是图3的X-X箭头方向截面说明图。图5是图3的Y-Y箭头方向截面说明图。图6是表示利用晶片分离装置的到晶片分离为止的工序的说明图。图7是表示利用晶片分离装置的到晶片分离之后的移动为止的工序的说明图。图8表示升降基座的初期状态，(a)是左侧视说明图，(b)是俯视说明图。图9表示在图8所示的升降基座上载置层叠晶片组的状态，(a)是左侧视说明图，(b)是俯视说明图。图10表示通过升降基座使层叠晶片组上升到分离作业位置的状态，(a)是左侧视说明图，(b)是俯视说明图。图11表示使气液混合流与层叠晶片组碰触而分离多个晶片的状态，(a)是左侧视说明图，(b)是俯视说明图。图12表示本发明的晶片分离装置的第二实施方式的主要部分，是图13的A箭头方向的说明视图。图13是图12的X-X箭头方向的截面说明图。
附图符号说明A···晶片分离装置；I···框架；2···水槽；3、3a. · ·喷嘴(第一喷嘴)；3b、3c...第二喷嘴；3d、3e...第三喷嘴；3f、3g...第四喷嘴；30...喷出口；4. . ·晶片供给机；
40...支撑板；41...导向销；42...限制体；43...升降基座；44...驱动装置；45...升降体；46...基框；5...晶片移动机；50...导向体；51...移动体；52...促动器；52...驱动装置；53...升降臂；54...真空吸附部；6...移动接受机；60...促动器；61...升降体；
62...承载台板；63...载置凹部；7...层叠晶片组；70...晶片；B...气泡；S...限制机构。
具体实施例方式下面，根据附图所示的实施方式对本发明进行详细地说明。此外，在以下的说明中，例示说明了气体为空气、液体为水的情况，但是不应仅限于空气和水。也可以使用在水中添加界面活性剂的液体、以及可以实施本发明的其他气体、液体。第一实施方式参照图I至图5、及图8至图11。此外，在图I至图5中，为了便于说明，将呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组表示为符号7，将从层叠晶片组7分离的单独的晶片表示为符号70。晶片分离装置A将晶片70从层叠晶片组7分离并移动到规定的部位(在本实施方式中，为后述的移动接受机6)。晶片分离装置A具有用方管组装的框架I。框架I上组装有水槽2 ;配设于水槽
2的水面位置(跨越水面下及水面上两者)的喷嘴3、3a ;保持层叠晶片组7、使层叠晶片组7向由喷嘴3、3a产生的气液混合流能够进入晶片之间的位置移动的晶片供给机4 ;保持并移动从层叠晶片组7分离的晶片70的晶片移动机5 ;以及从晶片移动机5接受晶片70的移动接受机6。水槽2固定在框架I的下部。在水槽2中装入规定量的清洁水，水面的高度维持为一定。在水槽2内、在2个部位配置有喷嘴3、3a。向喷嘴3、3a供给清洁水。喷嘴3、3a的顶侧以所需的角度(例如，相对于水面向下倾斜15 40°，在本实施方式中为25° )固定在水槽2上，使得顶端的喷出口 30的中心处于水面高度的位置。另外，喷嘴3、3a在本实施方式中配置为(参照图11(b)):如后述的那样，层叠晶片组7上升到水面附近时，气液混合流从其两侧(图3中的左右侧)流向层叠晶片组7的左右两个角部，气液混合流有效地与层叠面的两侧面和前面接触。此外，喷嘴3、3a的位置(高度)及倾斜角度不受上述内容的限制，但是，其位置及倾斜角度至少应设定为从喷嘴3、3a喷出的水与水面进行碰撞，在气液界面取得空气，在水中产生含有水和多个气泡的气液混合流。如图4所示，晶片供给机4具有例如固定在水槽2的底部的基框46。在基框46的中央固定有四边形的支撑板40。支撑板40以与水槽2的底面(或水面)呈15 40° (在本实施方式中为25° )的角度倾斜，使其前侧(图4中的右侧)变高。在本实施方式中，支撑板40的角度设定得与水从所述喷嘴3、3a对水面喷出的角度相同，但是并不受此限制。在支撑板40的除前部侧的一边以外的其他三边侧的上表面，在与支撑板40呈直角的方向上在各边上按照所需的间隔两根两根地固定有导向销41 (参照图8(a)，(b))。各导向销41设定的位置为与棱柱状的层叠晶片组7的三方侧部的层叠面保持有若干间隙地将层叠晶片组7收纳于内侧，还能够从未设置导向销41的一边侧(晶片的输送或取出侧)放入收纳层叠晶片组7。另外，本实施方式的支撑板40及导向销41与四边形的晶片相对应，然而，也可以构成为在例如支撑板40的相同位置的三边分别设置一根导向销，从而能够与圆形的晶片相对应。在各导向销41中、在支撑板40的呈相对的两边(图3中的左右侧)的各导向销41的上部，分别平行固定有相互间高度相同的板状的限制体42。各限制体42是一种在晶片70从层叠晶片组7分离时、防止分离的晶片70脱离晶片移动机5吸附的位置的部件，其固定为与支撑板40平行。此外，晶片供给机4具有载置层叠晶片组7的升降基座43。升降基座43位于支撑板40的上表面侧，以悬臂构造固定在驱动装置44的升降体45的下侧顶端，所述驱动装置44固定在框架I的一侧(图3中的右侧)。升降基座43的载置部与支撑板40平行，升降基座43构成为利用滚珠丝杠式的驱动装置44在与所述导向销41平行的方向上升降。如图5所示，晶片移动机5具有固定于框架I的另一侧(图3中的左侧)的所需长度的导向体50。导向体50以与水槽2的底面呈15 40°的角度倾斜，使其前侧变高。在本实施方式中，设定为与支撑板40的角度相同，但是并不受此限制。在导向体50上，移动体51安装为能够利用滚珠丝杠式驱动装置55沿着导向体50移动。移动体51具有促动器52和利用促动器52升降的升降臂53。在升降臂53的下侧顶端以悬臂构造设有真空吸附部54。移动体51能够使真空吸附部54位于层叠晶片组7的导向销41的高度方向的上方，层叠晶片组7载置在升降基座43上，真空吸附部54能够吸附分离的晶片70。升降臂53的升降方向为相对于导向体50的方向上下并成直角的方向。此外，在本实施方式中，晶片移动机5为一台，但是为了提高移动效率，还可以设直多台。如图1、2所示，移动接受机6固定于框架I前侧的一侧(在图3中的右侧)，其安装高度设定为后述的承载台板62的上升停止位置处于水槽2的上部边缘部的高度附近。移动接受机6具有促动器60和利用促动器60升降的升降体61，在升降体61的下侧顶端以悬臂构造设有承载台板62。承载台板62倾斜为与所述支撑板40平行，即，与通过所述真空吸附部54吸附、输送的晶片70平行。在承载台板62的上表面设有嵌入的载置凹部63以防止移动的晶片70掉落。载置凹部63形成为后侧具有阶梯部、前侧没有阶梯部(参照图5)，关于移动的晶片70，能够使其向斜上方(前方)滑动而取出。此外，承载台板62构成为通过促动器60在与承载台板62的表面方向呈直角的方向上升降。承载台板62的上升停止位置设定在当所述晶片移动机5的升降臂53下降后，通过真空吸附部54吸附的晶片70能够进入载置凹部63的高度。另外，在本实施方式中设有移动接受机6，然而，也可以不设置该移动接受机6，而构成为从晶片移动机5直接将晶片70移动到例如公知构造的输送机、例如输送带等用于将分离的晶片70向后续工序输送的装置中。此外，推荐附属设置，始终监视水槽内水的污染(污浊)，当污染达到一定级别时进行警告的或者更换水的装置。这种装置可以使用例如通过光检测水的污染的传感器、检测导电情况的变化的导电率传感器等公知的传感器。作用参照图I 图11，对于晶片分离装置A的作用，及利用晶片分离装置A、从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组·分离晶片、将分离的晶片一片一片地移动到规定部位的工序进行说明。(I)图6 (a)及图8 (a)、(b)所示的状态为初期状态，晶片供给机4的升降基座43下降到最下部，晶片移动机5的具有升降臂53的移动体51位于前面的位置，升降臂53及真空吸附部54位于上部的位置。(2)晶片供给机4的升降基座43上载置有层叠晶片组7，收纳于各导向销41的内侧(参照图 6(b)、图 9(a)、(b))。(3)驱动装置44进行动作，层叠晶片组7与升降基座43 —起上升(参照图10(a)、(b))。然后，按照所需的压力从喷嘴3、3a向水面及水中喷出水。向水面喷出的水从水面进入水中时取得空气，与喷到水中的水合流而产生含有多个气泡B的气液混合流(参照图
6(C)、图 11(a))。(4)升降基座43在分离作业位置停止，该分离作业位置为所述气液混合流与层叠晶片组7的上部的层叠面碰触的位置，气液混合流从层叠晶片组7的左右两侧向层叠晶片组7的左右两角部流动，气液混合流与层叠面的两侧面和前面碰触。此外，气液混合流若不妨碍晶片70的分离，也能够与层叠面的其他位置碰触。由此，多个晶片70利用气液混合流在各导向销41的内侧从层叠晶片组7分离而上浮，位于最上部的晶片70被停止在限制体42的下侧(参照图11(a))。然后，晶片移动机5的移动体51向后方的晶片吸附位置移动(参照图6(d))。此外，在晶片70分离时，水和气泡B进入到各晶片70之间，不会对分离的晶片70施加因摩擦、变形等而产生的较大的应力，能够使其顺利分离。此外，进入到各晶片70之间的气泡B能够起到所谓的衬垫作用，由此各自分离并在水中为浮游状态的各晶片70相互间不易接触或碰撞，因此能够防止晶片发生损伤。另外，通过多个气泡B对分离的各个晶片70施加较大的浮力，由此使晶片70以更短的时间分离。(5)晶片移动机5的升降臂53下降，通过真空吸附部54吸附从层叠晶片组7分离且位于限制体42的下方、处于最上部的晶片70 (参照图7(e))。吸附最上部的晶片70的位置为限制体42的下表面略微下侧的水中(在图11(a)中，晶片70的前侧的一部分从水面露出，然而也可以整体都在水中)，在向移动接受机6移动时不会与限制体42接触从而防止损伤。(6)在用升降臂53的真空吸附部54吸附了最上部的晶片70的状态下，驱动装置55进行动作，移动体51前进并在规定位置停止(参照图7(f))。层叠晶片组7如上所述,设置为相对于水面具有15 40° (在本实施方式中为25。)的向下的倾斜角度。因此，从层叠晶片组7分离的晶片70—边通过晶片移动机5相对水面呈上述角度的向上的角度，并保持该角度，将晶片的端面作为顶端，一边在水中向水面移动，被从水面下(水中)向水面上取出。因此，能够避免晶片70受到的水的阻力而被从水面下取出到水面上，所以不会对晶片施加应力，能够防止晶片的破损。
此外，上述气液混合流继续与层叠晶片组7及分离的各晶片70碰触，位于最上部的晶片70移动后，其后的晶片70被停止在在限制体42的下侧。另外，层叠晶片组7构成为通过升降基座43逐渐上升，从而将整个层叠晶片组7分离成晶片70。(7)移动接受机6的促动器60 (参照图I、图2)进行动作，承载台板62上升停止在规定位置。解除由真空吸附部54产生的晶片的吸附状态，将晶片70移动到承载台板62的载置凹部63 (参照图7 (g)、图4、图5)。(8)承载台板62下降，回到原来的位置。此外，升降臂53上升(参照图7(h))。由此，返回到所述(3)结束的状态，重复进行⑷ ⑶的工序，进行晶片70的分离作业，直到没有构成层叠晶片组7的晶片70。此外，向移动接受机6移动的晶片依次向后续工序输送。此外，为了确认本实施方式的晶片分离装置A的有效性及优越性，通过下述实施例进行比较验证(参照表I) (1)在水中喷出水与空气的气液混合流的情况(本实施方式)、(2)在水中只喷出水的情况、(3)在水中只喷出空气的情况。具体地说，向在水槽内的水中的层叠晶片组的层叠面喷出各流体，测量使位于最上部的晶片分离时的分离时间，验证直至位于最上部的晶片分离后用升降臂移动晶片为止的NG概率(不良率)。表I
权利要求
1.一种晶片分离方法，其特征在于，该方法通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触，从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片， 所述气液混合流含有的气泡，是通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。
2.根据权利要求I所述的晶片分离方法，其特征在于，所述气液混合流为含有气泡的喷流、与喷出到液体中的喷流合流而成，该气泡为通过向液面喷出的液体与液面进行碰撞而在气液界面被取得的气体产生的气泡。
3.根据权利要求I或2所述的晶片分离方法，其特征在于，所述气液混合流为相对于液面呈所需的向下倾斜角度的喷流，从而该气液混合流从液面侧与在液体中的层叠晶片组碰触。
4.根据权利要求3所述的晶片分离方法，其特征在于，所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触气液混合流的一侧较高，所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角度相同。
5.根据权利要求4所述的晶片分离方法，其特征在于，使从所述层叠晶片组分离的晶片中、位于最上部的晶片移动到规定的部位。
6.根据权利要求5所述的晶片分离方法，其特征在于，晶片的移动通过吸附单元吸附而进行。
7.根据权利要求5或6所述的晶片分离方法，其特征在于，从在液体中的所述层叠晶片组分离的晶片在与设置的倾斜角度相同的倾斜方向上在液体中向液面移动，被从液体中取出到气体中。
8.一种晶片分离装置，其特征在于，通过使含有液体和气泡的气液混合流与在液体中的层叠晶片组的层叠面碰触，从呈多片晶片层叠的状态的所述层叠晶片组分离晶片， 该装置具有喷出单元，该喷出单元使从将液体喷向液面的气体中喷出口喷至液面的液体与液面进行碰撞，从而在气液界面取得气体，使喷出液体中含有气泡。
9.根据权利要求8所述的晶片分离装置，其特征在于，所述喷出单元除了气体中喷出口以外还具有在液体中喷出液体的液体中喷出口，使从所述气体中喷出口向液面喷出的喷流与从所述液体中喷出口喷出的喷流合流而构成气液混合流。
10.根据权利要求9所述的晶片分离装置，其特征在于，所述喷出单元为喷嘴，所述气体中喷出口与所述液体中喷出口属于相同的喷嘴或者分别属于不同的喷嘴。
11.根据权利要求10所述的晶片分离装置，其特征在于，所述喷嘴具有喷出口，该喷出口使所述气液混合流形成为相对于液面呈所需的向下倾斜角度的喷流，并使该气液混合流与在液体中的层叠晶片组碰触。
12.根据权利要求10所述的晶片分离装置，其特征在于，所述喷嘴具有产生所述气液混合流的第一喷嘴、在液体中喷出液体的第二喷嘴和第四喷嘴、以及在气体中喷出液体的第三喷嘴， 第一喷嘴、第二喷嘴、及第三喷嘴位于从所述层叠晶片组分离的晶片的输送方向侧，并夹着输送路线配置在所述层叠晶片组的两侧， 第四喷嘴位于所述晶片的输送方向的相反侧，并夹着所述输送路线的反向延长线配置在所述层叠晶片组的两侧。
13.根据权利要求11所述的晶片分离装置，其特征在于，所述喷嘴具有产生所述气液混合流的第一喷嘴、在液体中喷出液体的第二喷嘴和第四喷嘴、以及在气体中喷出液体的第三喷嘴， 第一喷嘴、第二喷嘴、及第三喷嘴位于从所述层叠晶片组分离的晶片的输送方向侧，并夹着输送路线配置在所述层叠晶片组的两侧， 第四喷嘴位于所述晶片的输送方向的相反侧，并夹着所述输送路线的反向延长线配置在所述层叠晶片组的两侧。
14.根据权利要求11、12或13中任一项所述的晶片分离装置，其特征在于，所述层叠晶片组设置为相对于液面倾斜并使得碰触所述气液混合流的一侧较高，所述气液混合流的向下的倾斜角度与所述层叠晶片组的倾斜角度相同。
15.根据权利要求14所述的晶片分离装置，其特征在于，具有取出单元，该取出单元使这样的晶片，即从液体中的所述层叠晶片组分离出的、位于最上部的晶片，以与设置所述层叠晶片组的倾斜角度相同的方向，在液体中向液面移动，从而将该晶片从液体中取出到气体中。
16.根据权利要求15所述的晶片分离装置，其特征在于，具有防止从所述层叠晶片组分离的晶片偏离取出位置的限制体，该限制体利用进退单元相对于所述层叠晶片组前进、后退。
17.根据权利要求15或16所述的晶片分离装置，其特征在于，具有晶片供给单元，该晶片供给单元保持所述层叠晶片组，使所述层叠晶片组移动到所述气液混合流与层叠面碰触的位置。
全文摘要
本发明提供一种晶片的分离方法及分离装置，其在从呈多片晶片层叠的状态的层叠晶片组分离晶片、将分离后的晶片一片一片地移动运载到规定部位的作业中，通过尽量不对分离的晶片施加因摩擦、变形等而产生的应力而防止破损，由此能够进一步提高晶片的合格率、稳定供给晶片。该晶片的分离装置具有水槽(2)；配设在水槽(2)的水面附近的位置的喷嘴(3)；保持层叠晶片组(7)、使层叠晶片组(7)向由水面侧的喷嘴产生的水的入水部移动的晶片供给机(4)；保持从层叠晶片组(7)分离的晶片并移动运载到规定部位的晶片移动机(5)，该喷嘴配置为使喷出的水在水面取得空气，在水中产生含有水和多个气泡的气液混合流。
文档编号H01L21/00GK102956530SQ20111025429
公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月31日 优先权日2011年8月31日
发明者高田大辅, 末安幸一, 西田大辅, 宫津匡 申请人:日本麦可罗尼克斯股份有限公司