专利名称：标记切割管芯取向的机制的制作方法
技术领域：
本发明大体上涉及标记半导体管芯取向的机制。
背景技术：
现代集成电路通常确实是由数百万个有源器件比如二极管和电容器组成。这些器件最初彼此隔离，但是后来互相连接在一起形成功能电路。典型的互连结构包括横向互连(比如金属线(布线))和纵向互连(比如通孔 和接触件)。互连对于现代集成电路的性能极限和密度的影响越来越大。在互连结构的顶部，形成接合焊盘，并使其暴露在相应芯片的顶表面上。通过接合焊盘进行电连接以将芯片连接至封装衬底或另一管芯。接合焊盘可以用于引线接合或者倒装芯片接合。倒装芯片封装运用凸块来建立芯片的输入/输出(I/O)焊盘和封装件的衬底或者引线框架之间的电接触。在结构上，凸块实际上包含凸块自身和位于凸块和输入/输出(I/O)焊盘之间的凸块下金属化(UBM)层。经常通过封装表面上的标记(marking)指定倒装芯片封装件的取向。在封装工艺结束时在封装表面上放置标记。在放置标记之前确定芯片(或者管芯)的取向是一种挑战。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种用于识别切割管芯的取向的结构，包括切割管芯的角落，所述角落具有金属层的第一图案，所述金属层的第一图案不同于位于切割管芯其他角落的所述金属层的第二图案，其中，所述第一图案和第二图案位于所述切割管芯的角落应力消除(CSR)区中，其中在所述CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块。在该结构中，通过使用具有40X放大能力的高倍放大器，具有所述第一图案的所述角落以明显可检测的方式不同于所述其他三个角落。在该结构中，所述金属层是再分配层(RDL)，所述再分配层能够使凸块连接至器件的互连结构。在该结构中，所述金属层是再分配层(RDL)，所述再分配层能够使凸块连接至器件的互连结构，并且其中所述RDL由铝制成。在该结构中，所述金属层是器件的互连结构的顶部导电层，并且其中，从所述切割管芯的上面可观察到所述角落中的所述顶部导电层的所述第一图案。在该结构中，所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中，每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约200 μ m的范围内。在该结构中，所述金属层的所述第二图案基本上覆盖了位于所述其他三个角落的所述CSR区，并且其中，所述角落的所述金属层的所述第一图案基本上覆盖了位于所述其他三个角落之一处的所述CSR区之一的约1/3的面积或者小于约1/3的面积。在该结构中，所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中，每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约200 μ m的范围内，并且其中所述金属层的所述第二图案基本上覆盖了位于所述其他三个角落的所述CSR区的所述等腰直角三角形，并且其中，所述金属层的所述第一图案基本上覆盖等腰直角三角形，所述等腰直角三角形的短边长度等于或者小于所述CSR区的所述等腰直角三角形之一的所述短边长度的约一半。在该结构中，所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中，每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约200 μ m的范围内，并且其中所述金属层的所述第一图案基本上覆盖了位于所述角落的所述CSR区的所述等腰直角三角形之一，并且其中，所述金属层的所述第二图案基本上覆盖了三个等腰直角三角形，所述三个等腰直角三角形的每一个的短边长度等于或者小于所述CSR区的所述直角等腰三角形的所述短边长度的约一半。在该结构中，其中所述第一图案至少包括字母符号、数字或者方向符号。在该结构中，所述CSR区被密封环结构封闭，并且其中，所述密封环结构包括多层互连层，所述互连层保护所述器件区免受湿气退化、离子污染以及来自管芯切割的应力。
在该结构中，所述CSR区设置在所述密封环结构和所述切割管芯中的器件区之间。在该结构中，其中所述第一图案和所述第二图案被透明的钝化层覆盖。在该结构中，其中所述第一图案至少包括字母符号、数字或者方向符号，并且其中所述第一图案至少包括宽度处于约20 μ m至约80 μ m的范围内的字母符号、数字或者方向符号。根据本发明的另一方面，还提供了一种用于识别切割管芯的取向的结构，包括切割管芯的角落，所述角落具有在所述切割管芯的角落应力消除(CSR)区中的金属层的第一图案，其中在所述CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块。在该结构中，所述金属层是再分配层(RDL)，所述再分配层能够使凸块连接至器件的互连结构或者器件的互连结构的顶部导电层，并且其中，采用放大器从所述切割管芯上方可观察到所述角落中的所述第一图案。在该结构中，其中，所述第一图案包括字母符号、数字或者方向符号。在该结构中，其中，所述CSR区被密封环结构封闭，并且其中，所述密封环结构包括多层互连层，所述互连层用于保护所述器件区免受湿气退化、离子污染和来自管芯切割的应力。在该结构中，其中，所述CSR区被密封环结构封闭，并且其中，所述密封环结构包括多层互连层，所述互连层用于保护所述器件区免受湿气退化、离子污染和来自管芯切割的应力，并且其中在所述密封环结构和所述切割管芯中的器件区之间设置所述CSR区。根据本发明的又一方面，还提供了一种用于识别切割管芯的取向的结构，包括切割管芯的角落，所述角落具有金属层的第一图案，所述金属层的第一图案不同于位于所述切割管芯的其他角落的所述金属层的第二图案，其中所述第一图案和所述第二图案位于所述切割管芯的角落应力消除(CSR)区中，其中在所述CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块，其中所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约100 μ m的范围内。
图IA示出了根据一些实施例的在封装衬底上具有集成电路(IC)芯片的倒装芯片封装件的示意图。图IB不出了根据一些实施例的具有若干管芯的娃衬底。图IC示出了根据一些实施例的切割管芯。图ID示出了根据一些实施例的沿着A-A线切割的图IC中的管芯的一部分的剖面图。图IE示出了根据一些实施例的半导体管芯的角落应力消除(CSR)区。图2A至图2F示出 了根据一些实施例的采用各种取向标记机制的半导体管芯的俯视图。
具体实施例方式一般而言，本发明涉及在衬底上形成半导体器件。然而，应当理解为了实施本发明的不同部件，以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例。在下面描述元件和布置的具体实例以简化本发明。当然这些仅仅是实例并不打算限定。此外，本发明可在各个实例中重复附图编号和/或字母。该重复是为了简明和清楚，而且其本身没有规定各个实施例和/或所讨论的结构之间的关系。而且，随后的说明书中第一部件在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例，并且也可以包括其中额外的部件可能插入第一部件和第二部件之间形成，使得第一部件和第二部件可能不直接接触的实施例。例如，在衬底上形成的部件可以包括在衬底上、衬底上方和/或衬底内形成的部件。如上面所提及的，倒装芯片封装运用凸块建立芯片的I/O焊盘和封装件的衬底或者引线框架之间的电接触。图IA示出了根据一些实施例的在封装衬底110上具有集成电路(IC)芯片100的倒装芯片封装件150的示意图。通过在IC芯片100的正面上形成凸块105，采用倒装芯片封装封装IC芯片100。凸块105电接触以及可能物理接触IC芯片100的I/O焊盘。将具有凸块105的IC芯片100翻过来以设置在封装衬底110上，封装衬底110可以连接至球栅阵列(BGA)球115。图IA中所示出的实施例仅仅是实例。可以在其它类型的衬底，比如应用电路板和具有嵌入式无源和/或有源器件的衬底上应用具有凸块105的IC芯片100。可以用底部填充材料106填充IC芯片100、凸块105和衬底110之间以及周围的间隔。在IC芯片100的背面上形成塑料封盖塑模120以保护IC芯片100。可以在塑料封盖塑模120的表面121上形成标记(未示出)，以识别产品和取向。在标记中可以包括产品信息，比如公司名称、产品类型等等。通过标记的取向可以识别IC芯片100的取向。正常情况下在封装工艺结束时在表面121上设置标记。如上面所提及的，在倒装芯片封装件150上不设置标记，直到封装工艺完成或者几乎完成了。在设置标记之前，可能很难确定IC芯片100的取向。图IB示出了根据一些实施例的具有若干管芯165的娃衬底160。通过晶圆级取向标记161识别管芯165的取向，该晶圆级取向标记161可以是位于晶圆边缘的激光刻痕(laser scribe)、小开口或者其他类型标记。当晶圆级处理完成之后，切割管芯165并将管芯165彼此分开以及与衬底160的剩余部分分开。一旦管芯165被切割并与衬底160分开，确定它们的取向的唯一的方式是通过管芯165上的图案。对于遇到多个产品的使用者，通过管芯165上的图案确定取向可能是困难的、混乱的且耗时的。进一步地，对于倒装-芯片技术，在管芯165被切割并彼此分开之前，管芯165可能已经进行了凸块比如图IA的凸块105的形成。根据一些实施例，每个管芯165上的图案是凸块105的图案，如图IC中所示出的。凸块图案对于不同的产品可以是相似的，这使得难以识别被切割管芯165的取向。在进行切割之前通常对衬底160上的管芯165进行电性测试。管芯165的电性测试结果将它们分成不同的组(或者箱(bin))，这些组可以包括合格、不合格以及不同级别(或者类别)的故障。“合格”组中的管芯由装置从衬底160物理捡起以进行进一步的封装工艺。“不合格”组中的管芯被舍弃，并可能被抛掷在一边或者用于故障分析。不同故障级别的组中的管芯(或者有问题的管芯)可能被定为低等级产品，对其进行电性修复或者进行进一步测试以证实结果，或者有问题的管芯可能被舍弃。有时完全良好的管芯(或者被分类为“合格”管芯的管芯)也可能离开处理线进行分析和/或测试。当分析和/或测试之后，良好的管芯能够重返产品线以完成封装工艺，并作为产品售出。因为一些有问题的管芯重返生产线，当这些管芯不再位于衬底160上并且尚未进 行标记工艺时，可能难以测定这些管芯的取向。对于将要重返生产线的管芯的取向的了解对于确保正确的产品标记和这些管芯在封装衬底比如图IA的衬底110或者个人电脑(PC)板上的正确放置是重要的。如果切割管芯的取向未被正确识别，则管芯可能被错放在倒装芯片封装件中，并导致封装件或者最终产品的故障。这种错误的代价可能是非常高的。因此，需要开发一种有助于识别切割管芯的取向的机制。如图IC中所示，标记管芯的取向的一种方式是使诸如管芯165上的区域167的特定区域没有凸块(即，在区域167中不设计凸块IOS1和/或105π)。在区域167中缺少的凸块可以被用作取向标记。然而，对于电路设计来说，限制某个区域不含有凸块可能太麻烦了。对于取向标记来说，不限制电路设计将会更好。图IC示出了根据一些实施例，将管芯165的凸块105和集成电路(1C，未示出)封闭在密封环201内。密封环在工业中已用于保护密封环内部的IC免受湿气退化、离子污染和来自切割(或者划片)工艺的应力。图IC中的密封环的实例具有一个单密封环。在一些实施例中，可能有一个以上的密封环，比如两个或者多个同心密封环。此外，图IC中示出的密封环201的示例性角落是直角。密封环角落的其他形状，比如凹形或者圆形，也是可能的。示例性密封环结构的更多详细的描述可以在美国专利第6，861，764号、于2010年10月29日提交的标题为“半导体器件中的接地密封环结构(Grounded Seal Ring Structurein Semiconductor Devices) ”的美国专利申请第12/915，170号、以及于2010年11月2日提交的标题为“多层密封环结构(Multiple Seal Ring Structure) ”的美国专利申请第12/938，272号中找到。上文提到的专利和专利申请以其全文结合于此作为参考。图ID示出了根据一些实施例的沿着图IC的A-A线切割的管芯165的一部分的剖面图。半导体管芯165可以包括半导体衬底160，比如硅衬底，以及密封环区201和围绕器件区202的组件隔离区204。组件隔离区204将器件区202与密封环区201分隔开。在一些实施例中，组件隔离区204的宽度处于约I微米(μ m)至约10微米(μ m)的范围内。在密封环区201外边是切割道区203。在实施例中，在器件区202周围形成密封环区201，并且密封环区201用于在其上形成密封环结构，以及器件区202用于在其中形成至少一个晶体管器件(未示出)。衬底160可以可选地包括硅锗、砷化镓、或者其他适当的半导体材料。衬底160可以进一步包括掺杂区。衬底160还可以进一步包括其他部件比如掩埋层、和/或外延层。而且，衬底160可以是绝缘体上半导体比如绝缘体上硅(SOI)。在其他实施例中，半导体衬底160可以包括掺杂外延层、梯度半导体层，和/或可以进一步包括在另一不同类型的半导体层上方的半导体层，比如硅锗层上硅层。在其他实例中，化合物半导体衬底可以包括多层硅结构，或者硅衬底可以包括多层化合物半导体结构。电路区可以包括器件，比如NMOS器件(例如，nFET)、PM0S器件(例如，pFET)等。半导体衬底160可以进一步包括在先前的工艺步骤期间形成的或者可以在随后的工艺步骤期间形成的下面的层、器件、结和其他部件(未示出)。管芯165可以进一步包括在衬底160中形成的用于隔离衬底的有源区和其他区的隔离结构(未示出)，比如浅沟槽隔离(STI)部件，或者硅的局部氧化(LOCOS)部件。管芯165可以进行各种处理以形成器件(或者器件结构)。当器件形成之后，管芯165可以进一步包括在衬底160上方沉积的层间介电 (ILDO)层306。在一个实例中，可以通过高纵横比工艺(HARP)和/或高密度等离子体(HDP)化学汽相沉积(CVD)工艺沉积ILDO层306。在一个实例中，ILDO层306是氧化物，并能够用掺杂剂比如磷掺杂。可能将栅极结构(未示出)镶嵌在ILDO层306中，并且可能在衬底160中形成晶体管掺杂区(未示出)。在ILDO层306内可以形成接触件312。接触件312是互连结构的部分，并可以电连接和物理连接有源区。密封环结构210可以由各个金属层212和穿过介电层216设置的通孔层214组成。各个金属层212和通孔层214是互连结构的部分。在一些实施例中，密封环区201的宽度(W)处于约5微米(μπι)至约30微米(μπι)的范围内。金属层212、通孔层214和介电层216的数量可以随着产品而不同。在一些实施例中，可以有6、7或者8层金属层。然而，金属层和对应的通孔层和介电层可以更多或者更少。图ID示出了器件区202中的示例性金属凸块224。在凸块下金属化(UBM)层225上方设置金属凸块224。根据一些实施例，UBM层225通过再分配层(RDL) 222与各个金属层212、通孔层214、接触件312和有源器件区(未示出)电连接。钝化层226覆盖RDL 222，并隔离RDL 222和未与RDL 222相接触的UBM层225的部分。钝化层226可以由聚合物，比如聚酰亚胺制成。在一些实施例中，存在一层以上的钝化层并且这些钝化层中的一层是由化学汽相沉积(CVD)电介质比如氮化硅和/或氧化硅制成。根据一些实施例，RDL 222可以穿过组件隔离区204延伸至密封环区201内。根据一些实施例，RDL 222可以由一种导电材料和一个单层组成。在其他一些实施例中，RDL 222可以由各种导电材料和/或多个导电层组成。例如，RDL 222可以由铝、银、铅、锡、铜、其他金属、或其合金组成。金属凸块224可以由银焊料、铅锡、铜或者其他材料组成。金属凸块224还可以由各种横截面形状，比如圆形、八边形或者六边形等组成。对于金属凸块比如金属凸块224，和UBM层比如UBM层225的示例性材料和制造方法的更多详细的描述可以在于2011年I月25日提交的标题为“测量凸块结构电阻系数的机制(Mechanismsfor Resistivity Measurement of Bump Structures) ” 的美国专利申请第 13/012，916 号中找到。半导体管芯的角落通常承受高应力，该高应力可以导致金属层和/或介电层处的界面剥离。结果，一些半导体制造商规定半导体管芯的角落区不得有器件、互连结构和金属凸块(或者设计件)以防止或者减少界面剥离的影响。没有设计件的这些角落区被称为角落应力消除(CSR)区。图IE示出了根据一些实施例的半导体管芯165的CSR区180。图IE的CSR区180的形状为等腰直角三角形，其短边长度为“S”。然而，CSR区可以是其他形状。根据一些实施例，CSR区180被密封环201封闭。在一些实施例中，长度“S”处于约20 μ m至约200 μ m的范围内。然而，CSR区180不需要呈等腰直角三角形的形状。其他形状也是可能的。因为CSR区180没有器件、互连结构和金属凸块，可以将标记设置在该区中以识别管芯165的取向。图2A示出了根据一些实施例的具有4个角落A、B、C和D的半导体管芯165’的俯视图。角落A、B和C全都具有用金属层比如RDL 222或者顶部附近的互连金属层，比如图ID的金属层212_覆盖的CSR区180。不同数量的角落可以适用于具有不同形状的管芯。当从管芯165’的顶部观察时，RDL 222是可见的，因为RDL 222上方的钝化层226是透明的。
相反，覆盖角落A、B和C的CSR区180的金属层仅部分地覆盖了管芯165’的角落D的CSR区180。位于角落D的金属覆盖区181显著小于角落A、B和C的被完全覆盖的CSR区180，从而在放大镜的帮助下是明显可见的。例如，如果角落A、B和C的CSR区180的长度“S”为约70μπι。位于角落D的区181的长度“S*”可以处于其它3个角落的长度“S”的约1/10 (7 μ m)至约1/2 (35 μ m)的范围内。通过使用高倍放大镜，比如采用40X放大倍数，使用者比如技术员或者操作者将能够观察到角落区并识别具有最小角落金属覆盖区的角落D不同于其它三个角落。只要角落D的长度S*明显小于其它角落的长度S，就可以使用位于角落的标记来告知管芯165’的取向。在一些实施例中，角落D中的金属覆盖范围等于或者小于CSR区之一的约1/3面积。图2B示出了根据一些实施例的具有4个角落A、B、C和D的半导体管芯165”的俯视图。图2B示出了位于角落D的CSR区的金属覆盖范围高于角落A、B和C。借助金属覆盖范围明显更大或者更小(如图2A中)的一个角落，使用者能够识别不同的角落。结果，可以识别管芯165’或者管芯165”的取向。上面的实例使用角落D作为不同的角落。然而，可以使用其他角落比如角落A、B或者C作为不同的角落。此外，角落标记也不必呈CSR区的形状。图2C示出了根据一些实施例的具有4个角落A、B、C和D的半导体管芯165*的俯视图。角落D具有不同于其他三个角落的角落覆盖图案。例如，角落A、B和C具有全部用金属层覆盖的CSR区180 (三角形区)。位于角落D的金属覆盖区181’可以具有由曲线182界定的凹形、由曲线183界定的凸形或者由波浪线(Wiggly curve) 184界定的不规则形状。角落D的独特边界可以帮助区分角落D与其他三个角落。此外，角落D具有帮助区分角落D与其他三个角落的其他图案。例如，根据一些实施例，如图2D中所示，衬底165@的角落D可以在一个或者多个CSR区180中具有一个或多个字母符号，比如单个字母字符“C”。在上面所述的实例中，CSR区被金属覆盖。然而，CSR区180也可以保持空白，并且仅有一个具有被完全或者部分覆盖的标记的角落标记金属层。除了在一个或者多个CSR区中设置一个或者多个字母符号外，还可以使用其他符号。例如，可以在一个或者多个CSR区中设置一个或者多个数字或者一个或者多个方向符号，比如箭头或者三角形。图2E示出了根据一些实施例，在每个CSR区中设置方向箭头。图2F示出了根据一些实施例，在CSR区中放置(金属填充的)定向三角形。图2F中的定向三角形是长边长度位于底部的4个完全相同的等腰三角形。可选地，可以在一个、两个或者三个CSR区中设置定向三角形。角落中的符号需要足够大从而被高倍放大器比如40X放大器看到。在一些实施例中，一个角落中的符号的宽度和长度中的每一个都处于约20 μ m至约100 μ m的范围内。上面所述的实施例提供了用于识别切割管芯的取向的机制。通过在管芯的不同于其他三个角落的一个角落中的角落应力消除区形成金属图案，使用者可以很容易地识别管芯的取向。因为在CSR区没有器件、互连或者凸块，金属图案在这些区域中的设置对电路设计没有影响。在一些实施例中，提供了用于识别切割管芯的取向的结构。该结构包括具有金属层的第一图案的切割管芯的一个角落，该金属层的第一图案不同于位于切割管芯的其他三个角落的金属层的第二图案。第一图案和第二图案位于切割管 芯的角落应力消除(CSR)区中。在CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块。在一些实施例中，提供了一种用于识别切割管芯的取向的结构。该结构包括在切割管芯的角落应力消除(CSR)区中具有金属层的第一图案的切割管芯的一个角落。在CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块。在又一些实施例中，提供了一种用于识别切割管芯的取向的结构。该结构包括具有金属层的第一图案的切割管芯的角落，该金属层的第一图案不同于位于切割管芯的其他三个角落的金属层的第二图案。第一图案和第二图案位于切割管芯的角落应力消除(CSR)区中，并且在CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块。CSR区是等腰直角三角形，并且每个等腰直角三角形的短边长度位于约20 μ m至约100 μ m的范围内。因此，本发明提供了标记切割管芯的取向的机制。虽然前面的描述示出并描述了一个或者多个实施例，本领域的技术人员应当理解在本文中可以在形式和细节上可以做各种改变，而不脱离本发明的精神和范围。因此，应该以广泛的方式解释权利要求，与本发明一致。
权利要求
1.一种用于识别切割管芯的取向的结构，包括 切割管芯的角落，所述角落具有金属层的第一图案，所述金属层的第一图案不同于位于切割管芯其他角落的所述金属层的第二图案，其中，所述第一图案和第二图案位于所述切割管芯的角落应力消除(CSR)区中，其中在所述CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块。
2.根据权利要求I所述的结构，其中，通过使用具有40X放大能力的高倍放大器，具有所述第一图案的所述角落以明显可检测的方式不同于所述其他三个角落。
3.根据权利要求I所述的结构，其中，所述金属层是再分配层(RDL)，所述再分配层能够使凸块连接至器件的互连结构；或者 所述金属层是再分配层(RDL)，所述再分配层能够使凸块连接至器件的互连结构并且其中，所述RDL由招制成；或者 其中，所述金属层是器件的互连结构的顶部导电层，并且其中，从所述切割管芯的上面可观察到所述角落中的所述顶部导电层的所述第一图案；或者 其中，所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中，每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约200 μ m的范围内；或者 其中，所述金属层的所述第二图案基本上覆盖了位于所述其他三个角落的所述CSR区，并且其中，所述角落的所述金属层的所述第一图案基本上覆盖了位于所述其他三个角落之一处的所述CSR区之一的约1/3的面积或者小于约1/3的面积；或者 其中，所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中，每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约200 μ m的范围内，并且其中，所述金属层的所述第二图案基本上覆盖了位于所述其他三个角落的所述CSR区的所述等腰直角三角形，并且其中，所述金属层的所述第一图案基本上覆盖等腰直角三角形，所述等腰直角三角形的短边长度等于或者小于所述CSR区的所述等腰直角三角形之一的所述短边长度的约一半；或者 其中，所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中，每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约200 μ m的范围内，并且其中，所述金属层的所述第一图案基本上覆盖了位于所述角落的所述CSR区的所述等腰直角三角形之一，并且其中，所述金属层的所述第二图案基本上覆盖了三个等腰直角三角形，所述三个等腰直角三角形的每一个的短边长度等于或者小于所述CSR区的所述直角等腰三角形的所述短边长度的约一半；或者其中所述第一图案至少包括字母符号、数字或者方向符号；或者其中所述第一图案至少包括字母符号、数字或者方向符号，并且其中所述第一图案至少包括宽度处于约20 μ m至约80 μ m的范围内的字母符号、数字或者方向符号。
4.根据权利要求I所述的结构，其中，所述CSR区被密封环结构封闭，并且其中，所述密封环结构包括多层互连层，所述互连层保护所述器件区免受湿气退化、离子污染以及来自管芯切割的应力。
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述CSR区设置在所述密封环结构和所述切割管芯中的器件区之间。
6.根据权利要求I所述的结构，其中所述第一图案和所述第二图案被透明的钝化层覆至JHL ο
7.一种用于识别切割管芯的取向的结构，包括切割管芯的角落，所述角落具有在所述切割管芯的角落应力消除(CSR)区中的金属层的第一图案，其中在所述CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块。
8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述金属层是再分配层(RDL)，所述再分配层能够使凸块连接至器件的互连结构或者器件的互连结构的顶部导电层，并且其中，采用放大器从所述切割管芯上方可观察到所述角落中的所述第一图案；或者 其中，所述第一图案包括字母符号、数字或者方向符号。
9.根据权利要求7所述的结构，其中，所述CSR区被密封环结构封闭，并且其中，所述密封环结构包括多层互连层，所述互连层用于保护所述器件区免受湿气退化、离子污染和来自管芯切割的应力；或者 其中，所述CSR区被密封环结构封闭，并且其中，所述密封环结构包括多层互连层，所述互连层用于保护所述器件区免受湿气退化、离子污染和来自管芯切割的应力，并且其中在所述密封环结构和所述切割管芯中的器件区之间设置所述CSR区。
10.一种用于识别切割管芯的取向的结构，包括 切割管芯的角落，所述角落具有金属层的第一图案，所述金属层的第一图案不同于位于所述切割管芯的其他角落的所述金属层的第二图案，其中所述第一图案和所述第二图案位于所述切割管芯的角落应力消除(CSR)区中，其中在所述CSR区中不设置器件、互连结构或者凸块，其中所述CSR区是等腰直角三角形，并且其中每个等腰直角三角形的短边长度处于约20 μ m至约100 μ m的范围内。
全文摘要
提供了用于识别切割管芯的取向的机制。通过在管芯的不同于其他角落的一个角落中的角落应力消除区中形成金属图案，使用者可以很容易地识别管芯的取向。本发明还提供了标记切割管芯取向的机制。
文档编号H01L23/544GK102881678SQ20111036882
公开日2013年1月16日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年7月11日
发明者陈宪伟 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司