专利名称：一种半导体封装用引线框架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种半导体封装用弓I线框架。
背景技术：
现有技术中，使用业内的T0-263-3L(D2pak)引线框架焊接尺寸较大的MOSFET芯片时，通常出现引线框架的头部和下方角部焊锡溢出V型凹槽(V-Groove)外缘，易造成产品分层，导致产品可靠性失效。因此，为解决上述问题，亟需提供一种能够避免焊锡溢出的半导体封装用引线框架的技术尤为重要。
发明内容本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种能够避免焊锡溢出的半导体封装用引线框架。本实用新型的目的通过以下技术方案实现提供一种半导体封装用引线框架，包括有框架本体，所述框架本体上设置有载片台以及与所述载片台连接的引脚，其中，所述载片台的四周开设有V型凹槽，位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离大于0. 192英寸。其中，位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离大于0. 195英寸。其中，位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离为0. 196英寸。其中，位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离为0. 197英寸。其中，所述V型凹槽的槽宽为0.006英寸。本实用新型的有益效果本实用新型的一种半导体封装用引线框架，包括有框架本体，框架本体上设置有载片台以及与载片台连接的引脚，其中，载片台的四周开设有V型凹槽，位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离大于0. 192英寸。与现有技术相比，将T0-263-3L(D2pak)引线框架载片台下方的V型凹槽下移5mil以增大焊片面积，使得引线框架焊片面积由原来的5. 003 mm X8. 77mm，变更为5. 13mmX8. 77mm，解决了焊锡溢出V型凹槽的问题，同时还提高了作业效率。
利用附图对实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。[0014]图1是本实用新型的一种半导体封装用引线框架的结构示意图。图2是本实用新型的一种半导体封装用引线框架的另一视角的结构示意图。在图1和图2中包括有1——框架本体、2——载片台、3——V型凹槽、4——引脚、B-距离。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。实施例1。本实用新型的一种半导体封装用引线框架的具体实施方式
之一，如图1和图2所示，包括有框架本体1，所述框架本体1上设置有载片台2以及与所述载片台2连接的引脚 4，其中，所述载片台2的四周开设有V型凹槽3，位于所述载片台2上部的V型凹槽3与位于所述载片台2下部的V型凹槽3之间的距离B大于0. 192英寸。与现有技术相比，将 T0-263-3L(D2pak)引线框架载片台2下方的V型凹槽3下移5mil以增大焊片面积，使得引线框架焊片面积由原来的5. 003 mm X8. 77mm，变更为5. 13mmX8. 77mm，解决了焊锡溢出V 型凹槽3的问题，同时还提高了作业效率。具体的，位于所述载片台2上部的V型凹槽3与位于所述载片台2下部的V型凹槽3之间的距离B为0. 197英寸。具体的，所述V型凹槽3的槽宽为0.006英寸。由于本实用新型的一种半导体封装用引线框架的V型凹槽3下移5mil后，能够使焊片区域Y方向增大为20aiiil，因此可以使该引线框架使用于4. 4mmX7. Omm的芯片。实施例2。本实用新型的一种半导体封装用引线框架的具体实施方式
之二，本实施例的主要技术方案与实施例1相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例1中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例1的区别在于，位于所述载片台2上部的V型凹槽3与位于所述载片台2下部的V型凹槽3之间的距离B大于0. 195英寸。实施例3。本实用新型的一种半导体封装用引线框架的具体实施方式
之三，本实施例的主要技术方案与实施例1相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例1中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例1的区别在于，位于所述载片台2上部的V型凹槽3与位于所述载片台2下部的V型凹槽3之间的距离B为0. 196英寸。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
权利要求1.一种半导体封装用引线框架，包括有框架本体，所述框架本体上设置有载片台以及与所述载片台连接的引脚，其特征在于所述载片台的四周开设有V型凹槽，位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离大于0. 192英寸。
2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用引线框架，其特征在于位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离大于0. 195英寸。
3.根据权利要求2所述的一种半导体封装用引线框架，其特征在于位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离为0. 196英寸。
4.根据权利要求2所述的一种半导体封装用引线框架，其特征在于位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离为0. 197英寸。
5.根据权利要求1所述的一种半导体封装用引线框架，其特征在于所述V型凹槽的槽宽为0.006英寸。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体封装用引线框架，其结构包括有框架本体，框架本体上设置有载片台以及与载片台连接的引脚，其中，载片台的四周开设有V型凹槽，位于所述载片台上部的V型凹槽与位于所述载片台下部的V型凹槽之间的距离大于0.192英寸。与现有技术相比，将TO-263-3L(D2pak)引线框架载片台下方的V型凹槽下移5mil以增大焊片面积，使得引线框架焊片面积由原来的5.003mm×8.77mm，变更为5.13mm×8.77mm，解决了焊锡溢出V型凹槽的问题，同时还提高了作业效率。
文档编号H01L23/495GK202189780SQ20112027106
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月29日 优先权日2011年7月29日
发明者席伍霞, 曹周, 陶少勇 申请人:杰群电子科技(东莞)有限公司