一种led芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构的制作方法

文档序号:6924902阅读:428来源:国知局
专利名称:一种led芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种金属基板,尤其涉及一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构。
背景技术
现今,金属基板(MCPCB)所选择的表面处理工艺多种多样,喷锡不具反射效果, 镀化银容易氧化,镀化金成本高且不具反射效果,此些方式对LED的COB来说都有限制, 且对制程工艺的设计有很大的局限。金属基板的产品较多的涉及到封装光学部分的设计, 并且是一种较好的市场趋势,对表面处理层的反射率、打金线强度及外观的要求越来越高, 这样优化金属基板的表面处理方式亟待处理。目前,业界现有的表面处理制程主要有喷锡,镀化银,镀化金,等。喷锡方式主要用在PCB行业,其原理是在高温275度下,板材浸入锡炉,然后通过热风进行整平,其线路层的焊盘表面容易凹凸不平,此方式缺点对金属基板使用在COB封装制程中,反射率不足,无法打金线连接,锡无法承受封装的温度。镀化银制程,其电镀制程存在强碱,一种含氰化物的溶液,而金属基板的生产制程中,需要在线路层覆盖一层阻焊油墨,其油墨组成主要为树脂,感光剂,填充剂,颜料及溶剂等,而这种阻焊油墨,无法耐这样强碱性的氰化物,会出现油墨脱落,导致外观和信赖性问题,故存在工艺设计上的问题。此方式缺点生产工艺成本高,银容易氧化及硫化,导致封装后反射率降低。镀化金制程,其是目前FPC,PCB行业都比较常见的表面处理方式,缺点金本身成本太高,且在光学设计方面,颜色金色会吸光,不符合LED COB需求。

实用新型内容本实用新型针对现有金属基板涉及到光学设计越来越多的趋势,结合以上这些表面处理工艺的不足,导入镀镍钯制程,其打金线稳定,生产工艺成本降低,反射效果好,不容易氧化可以稳定保持反射效果,且对金属基板的设计没有局限性,不存在工艺设计上的问题,另外,其钯金属反射率较高。能极大的完善金属基板对封装的光学设计,更为未来更大功率LED的设计奠定了坚实的基础。具体的技术方案为一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,其特征在于在金属基板上的引线焊接处,有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。金属基板包括绝缘层和阻焊油墨层,在金属基板上的引线焊接处所述绝缘层和所述阻焊油墨层为挖空的槽。所述LED芯片下方线路层上有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。在金属基板的线路层焊盘、芯片下方线路层及对应的绝缘层一起挖空的槽孔底部均通过电镀镍钯的表面处理方式,在导电层上先镀上一层镍金属,防止金属钯和铜原子相互迁移,形成合金,降低焊接性,起到保护作用。之后再在镍层上电镀金属钯。这样,LED芯片电极就能较好的焊接在线路焊盘上。所述LED芯片上方有上盖板。所述LED芯片下方线路层对应的焊盘上有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。在金属基板的线路层焊盘、芯片下方线路层及对应的大PAD底部均通过电镀镍钯的表面处理方式,在导电层上先镀上一层镍金属,防止金属钯和铜原子相互迁移,形成合金,降低焊接性,起到保护作用。之后再在镍层上电镀金属钯。所述金属基板在LED芯片下方有凸台,所述凸台处的所述绝缘层和所述阻焊油墨层为挖空的槽,所述凸台上有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。在金属基板的线路层焊盘、芯片下方线路层及对应的金属基板凸台一起均通过电镀镍钯的表面处理方式,在导电层上先镀上一层镍金属,防止金属钯和铜原子相互迁移,形成合金,降低焊接性,起到保护作用。之后再在镍层上电镀金属钯。钯金属为钼系金属中的一种,为银白色金属,反射率高,当芯片发光时一部分光能通过钯金属进行反射,提高了光效。钯金稳定性高,不易氧化及变化。稳定维持反射率。本实用新型的重点就是导入另外一种表面处理方式电镀镍钯,其金属焊接性好且生产工艺简单,一方面金属钯成本相对低,能较大的降低生产成本,另一方面其焊接性能好,能满足打线的需求,同时在金属基板生产工艺的设计上没有局限性,可以提高金属基板的生产良率。本实用新型解决的技术问题是针对金属基板(MCPCB),优化其表面处理工艺,通过电镀镍钯来取代传统的表面处理工艺(镀化金,镀化银等),作用提高生产良率,打金线稳定,表面不易氧化影响反射效果。另一方面钯为银白色金属,具有较好的反射率,能极大的提高LED光效。在本实用新型中,不同于业界现有表面处理的高温、强酸、强碱的制程条件,其对金属基板的生产工艺没有局限性,便于生产设计,能提高生产良率。

图1为本实用新型实施例结构示意图;图2为本实用新型实施例加上盖板的结构示意图;图3为本实用新型实施例在芯片下方线路层电镀镍钯的结构示意图;图4为本实用新型实施例另一种结构示意图。
具体实施方式
以下通过实施例来描述本实用新型,应该指出的是,所列举的实施例不应理解对实用新型的限制。结合图1解释本实施例,具体实施方式
本实施例是一种LED芯片在金属基板5上的封装结构,在引线焊接处,有一层镍层 1,所述镍层上覆盖有钯层2。金属基板5包括绝缘层3和阻焊油墨层4,引线焊接处的所述绝缘层3和所述阻焊油墨层4为挖空的槽。金属基板5的线路层焊盘、芯片下方线路层及对应的绝缘层一起挖空的槽孔底部均通过电镀镍钯的表面处理方式,在导电层上先镀上一层镍金属,防止金属钯和铜原子相互迁移,形成合金,降低焊接性,起到保护作用。之后再在镍层上电镀金属钯。这样,LED芯片电极就能较好的焊接在线路焊盘上。钯金属为钼系金属中的一种,为银白色金属,反射率高,当芯片发光时一部分光能通过钯金属进行反射,提高了光效。钯金稳定性高,不易氧化及变化。稳定维持反射率。在本实用新型中,不同于业界现有表面处理的高温、强酸、强碱的制程条件,其对金属基板的生产工艺没有局限性,便于生产设计,能提高生产良率。显然,上述内容只是为了说明本实用新型的特点,而并非对本实用新型的限制,有关技术领域的普通技术人员根据本实用新型在相应的技术领域做出的变化应属于本实用新型的保护范畴。
权利要求1.一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,其特征在于在金属基板上的引线焊接处,有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,其特征还在于金属基板包括绝缘层和阻焊油墨层,在金属基板上的引线焊接处所述绝缘层和所述阻焊油墨层为挖空的槽。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,其特征还在于所述LED芯片下方线路层上有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。
4.根据权利要求3所述的一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,其特征还在于所述LED芯片上方有上盖板。
5.根据权利要求1或3所述的一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,其特征还在于所述LED芯片下方线路层对应的焊盘上有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。
6.根据权利要求2或3所述的一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,其特征还在于所述金属基板在LED芯片下方有凸台,所述凸台处的所述绝缘层和所述阻焊油墨层为挖空的槽,所述凸台上有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。
专利摘要本实用新型提供一种LED芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构,在金属基板上,有一层镍层,所述镍层上覆盖有钯层。本实用新型针对现有金属基板涉及到光学设计越来越多的趋势,结合以上这些表面处理工艺的不足,导入镀镍钯制程,其打金线稳定,生产工艺成本降低,反射效果好,不容易氧化可以稳定保持反射效果,且对金属基板的设计没有局限性,不存在工艺设计上的问题,另外,其钯金属反射率较高。能极大的完善金属基板对封装的光学设计,更为未来更大功率LED的设计奠定了坚实的基础。
文档编号H01L33/48GK202159705SQ20112029673
公开日2012年3月7日 申请日期2011年8月8日 优先权日2011年8月8日
发明者李峯明 申请人:鑫泳森光电(深圳)有限公司
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