专利名称：光电转换装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及具有由黄铜矿系化合物构成的光电转换层的光电转换装置及其制造方法。
背景技术：
作为使用于太阳能发电等的光电转换装置，存在CIS系(铜铟硒系)、CIGS系(铜铟镓硒)等黄铜矿系的光电转换装置。 该黄铜矿系的光电转换装置一般具有作为光吸收层的由二硒化铜铟等黄铜矿系化合物构成的光电转换层和作为缓冲层的硫化镉等化合物半导体。作为黄铜矿系的光电转换装置之一的CIGS电池的制造方法，例如有以下那样的方法。首先，将钥等金属薄膜形成于玻璃的基板上而形成背面电极，然后形成将该背面电极分离成条状的分离槽。接着，将成为光电转换层的CIGS层及缓冲层形成于基板及背面电极上，然后在靠近背面电极的分离槽的位置形成分离缓冲层及CIGS层的分离槽。接着，在缓冲层上制作由透明导电膜构成的电极，在其上印刷烧成栅极。之后，通过形成用于分离电极、缓冲层及CIGS层的分离槽而形成CIGS电池(例如参照专利文献I)。上述那样的基板上的背面电极的分离槽的形成一般用激光加工来进行(例如参照专利文献2)。专利文献I :日本特开2002-373995号公报专利文献2 日本特开2002-43605号公报
发明内容
图7 (a)是表示俯视通过向由基板上的金属薄膜构成的背面电极20照射激光而形成的分离槽21的示意图，图7(b)是分离槽21的局部放大图。图8(a)是表示激光光斑22彼此重叠的部分的尺寸的示意图，图8(b)是表示激光光斑22的功率密度分布的图，为高斯分布。在图7及图8所示的激光加工法中，通常与从激光振荡器射出的激光的光路垂直的截面的光斑形状为大致圆形。一边脉冲状地照射激光，一边扫描背面电极20上而形成分离槽21。因此，分离槽21的形状如图7(a)所示那样，为大致圆形的光斑22的一部分在扫描方向上重叠的部分连续而成的形状。正因为如此，分离槽21具有如图7(b)所示那样的锐角的突出部23。该突出部23位于大致圆形状的激光光斑22的交点，朝向分离槽21的间隙关出。在将CIGS层成膜于这样的背面电极20上的情况下,若基于金属薄膜和CIGS层的热膨胀系数的不同而产生应力，则应力容易集中于突出部23的正上部分附近的CIGS层。其结果是，以突出部23的正上部分附近的CIGS层为起点，在配置于分离槽21的间隙的CIGS层有可能产生裂纹。这样，若在CIGS层产生裂纹，则在水分从外部进入该裂纹部分的情况下，有可能背面电极20和由透明导电膜构成的电极经由该水分电连接而产生漏电流，从而光电转换效率降低。另外，由于该水分的存在，有可能CIGS层的一部分劣化，产生CIGS层的剥离，从而使光电转换装置的可靠性降低。另外，在如图9那样分割槽的间隙10为直线状(直线)的情况下，有时裂纹沿着分割槽的端部11传播产生的可能性变大。本发明的一个目的在于通过减少在光电转换层产生的裂纹而提供高效率、可靠性高的光电转换装置。本发明的一实施方式涉及的光电转换装置包括层叠基板、设置于该基板上且相互空开间隙配置的一对电极、设置于所述间隙内及所述一对电极上的光电转换层而成的层叠体。所述一对电极的各个电极具有被沿着所述间隙交替配置的、沿所述间隙的直线状部及从该直线状部朝向所述间隙突出且前端面为曲面状的第一突出部。本发明的一实施方式涉及的光电转换装置的制造方法包括在基板上形成电极层 的工序；用激光将所述电极层分割而空开间隙形成一对电极的激光分割工序；在所述间隙内及一对电极上形成光电转换层的工序。在所述激光分割工序中，将具有大致矩形状的光斑的激光以使所述光斑的一部分相互重叠的方式一边移动一边反复照射所述电极层。根据本发明的一实施方式涉及的光电转换装置，朝向背面电极的分离槽的间隙突出的第一突出部的前端为曲面状，因此能够减少第一突出部的光电转换层的应力的集中，从而减少该第一突出部的裂纹的发生。另外，由于第一突出部的前端面为曲面状而使应力分散，因此裂纹减少。根据本发明的一实施方式涉及的光电转换装置的制造方法，能够容易地将向分割电极层而形成的分离槽的间隙突出的电极的第一突出部的前端面形成为曲面状。
图I是表示本发明的实施方式涉及的光电转换装置的结构的一例的剖视图。图2(a)是形成于背面电极的分离槽的俯视图，图2(b)是背面电极的第一突出部附近的放大图。图3 (a)是表示激光光斑的重叠的俯视图，图3 (b)是表示激光功率分布的轮廓的图。图4是图2(a)的X-X线剖视图。图5是用于表示与a g的各尺寸对应的部位的示意图，图5(a)是形成于背面电极的分离槽的俯视图，图5(b)是图5(a)的Y-Y线剖视图。图6是用于表示在各部位的应力的方向的示意图，图6(a)是形成于背面电极的分离槽的俯视图，图6(b)是图6(a)的Z-Z线剖视图。图7(a)是形成于背面电极的分离槽的俯视图，图7(b)是突出部附近的放大图。图8 (a)是表示激光光斑的重叠的俯视图，图8 (b)是表示激光功率分布的轮廓的图。图9是用于表示在各部位的应力的方向的示意图，图9(a)是形成于背面电极的分离槽的俯视图，图9(b)是图9(a)的W-W线剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式涉及的光电转换装置及其制造方法进行说明。本发明的实施方式涉及的光电转换装置I如图I所示那样，具有基板2、设置于该基板2上的背面电极3、设置于该背面电极3上的光电转换层4、设置于该光电转换层4上的缓冲层5及相当于表面电极的窗口层6。需要说明的是，在本实施方式中，由黄铜矿系化合物构成的光电转换层4和异质连接于该光电转换层4的缓冲层5作为不同的层来表现，但缓冲层5也可以被包含于光电转换层4。另外,基板2、背面电极3及光电转换层4如图I所示那样，构成沿层叠方向Y层叠而成的层叠体I’。基板2具有支持背面电极3、光电转换层4、缓冲层5及窗口层6的功能。这样的基板2例如可以使用玻璃、陶瓷、树脂、金属等板状的材料。作为基板2，在提高光电转换效 率或强度、成本方面可以适宜地使用厚度I 3_左右的青板玻璃(钠钙玻璃)。背面电极3具有收集在光电转换层4、缓冲层5及窗口层6生成的载流子的功能。这样的背面电极3例如可以使用厚度O. 2 I μ m左右的钥、钛、钽等金属薄膜或上述的金属的层叠构造体。作为背面电极3的形成方法，例如有溅射法或蒸镀法。光电转换层4作为光吸收层发挥作用，为呈现P型导电型的半导体。另外，光电转换层4由黄铜矿系化合物构成。并且，光电转换层4例如含有厚度I 3μπι左右的黄铜矿结构半导体薄膜。具体而言，作为这样的光电转换层4，例如可以举出二硒化铜铟、二硒化铜铟镓、二硒硫化铜铟镓、二硫化铜铟镓等多元化合物半导体薄膜。或者可以举出将薄膜的二硒硫化铜铟镓层作为表面层的二硒化铜铟镓等多元化合物半导体薄膜。这样的光电转换层4例如用溅射法或蒸镀法、印刷法形成。缓冲层5为用于在与光电转换层4之间形成异质连接的层。这样的缓冲层5例如可以使用厚度O. 01 O. I μ m左右的硫化镉(CdS)、硫化铟(InS)或硫化锌(ZnS)等化合物半导体。另外，这样的缓冲层5例如通过溶液生长法(CBD法)形成。窗口层6为呈现η型导电型的半导体，并且具有收集在光电转换层4、缓冲层5及窗口层6生成的载流子的功能。需要说明的是，在本实施方式中，在背面电极3收集空穴，在窗口层6收集电子。另外，在光电转换装置I中，光从窗口层6侧入射，因此窗口层6具有透光性。这样的窗口层6使用厚度I 2μπι左右的含有氧化锌(ZnO)的化合物半导体、或者含有铝或硼、镓、铟、氟等的氧化锌的化合物半导体、或者含有氧化铟(ITO)或氧化锡(SeO2)的化合物半导体，其中，所述氧化铟含有锡。这样的窗口层6例如用溅射法或有机金属气相生长法(M0CVD法)等成膜。需要说明的是，窗口层6也作为光电转换装置I的一个电极(表面电极)发挥作用。另外，光电转换装置I还可以具有形成于窗口层6上的透明导电膜，也可以具有合并窗口层6和透明导电膜的电极。进而，为了进一步提高载流子的集电效果，光电转换装置I也可以具有形成于透明导电膜上且由银等低电阻的材质构成的集电电极。具备本实施方式那样的由黄铜矿系化合物构成的光电转换层4的光电转换装置I需要进一步使输出电压提高。因此，在形成于一个基板2上的光电转换装置内，通过串联多个光电转换单元而进行集成化。这样的光电转换装置的集成化在以下那样的工序进行。
首先形成用于将在基板2上成膜的背面电极3分离成条状的分离槽Pl。接着，在基板2、背面电极3及分离槽Pl上形成光电转换层4及缓冲层5。其次，在与分离槽Pl接近的位置形成分离光电转换层4及缓冲层5的分离槽P2。最后，在缓冲层5上形成窗口层6 (透明导电膜电极)，在与分离槽P2接近的位置形成分离窗口层6、缓冲层5及光电转换层4的分离槽P3。这样，光电转换装置I被分割成相互邻接的多个光电转换单元(光电转换单元la、光电转换单元lb)。并且，在分离槽P2的部分，邻接的光电转换单元被串联。具体而言，如图I所示那样，该邻接的光电转换单元Ia和光电转换单元Ib通过光电转换单元Ia的窗口层6与光电转换单元Ia及光电转换单元Ib共有的背面电极3电连接而被串联。其次，对在上述的光电转换装置I的集成化中形成的分离槽Pl进行详述。图2(a)表示在背面电极3形成分离槽Pl时的状况。分离槽Pl通过照射激光而形成。通过在背面电极3形成分离槽Pl，背面电极3被分离成相互形成对的一对背面电极3a、3b。需要说明的是，在表示本实施方式的图2(a)的分离槽Pl中，将被配置于一对背面电极3a、3b之间的间隙设为间隙10，将分离槽Pl的端 部(背面电极3a、3b的端部)设为端部11。另外，在图2(a)中，将激光的光斑形状设为激光光斑12,将一对背面电极3a、3b中的向间隙10突出的部分设为第一突出部13a、13b。进而，在图2(a)中，用箭头14表示间隙10的配置方向。需要说明的是，在没有该第一突出部13的部分的间隙10的宽度为30 μ m 70 μ m左右。如上述那样，本实施方式的光电转换装置包括层叠基板、设置于该基板上且相互隔开间隙而配置的一对电极、设置于间隙内及一对电极上的光电转换层而成的层叠体。并且，一对电极的各个电极具有被沿着间隙交替配置的、沿间隙的直线状部及从直线状部朝向间隙突出且前端面为曲面状的第一突出部。即，背面电极3中的朝向分离槽Pl的间隙10突出的第一突出部13的前端面为曲面状。因此，能够减少第一突出部13的光电转换层4的应力的集中，从而减少第一突出部13的裂纹的产生。另外，通过第一突出部13的前端面为曲面状而使应力分散，因此能够减少裂纹沿分割槽Pi的端部11传播。并且，在本实施方式涉及的光电转换装置I中，如图2(b)所示那样，朝向一对背面电极3a、3b的间隙10突出的第一突出部13的前端面为曲面状。即，在本实施方式中，与间隙10对置的第一突出部13的前端面为曲面状。因此，在之后的工序中将光电转换层4成膜于背面电极3a、3b上的情况下，即使由于背面电极3a、3b与光电转换层4的热膨胀系数的不同而产生应力，也能够分散作用于分离槽Pl的第一突出部13的附近的光电转换层4的应力。由此，能够减少特定部位的应力集中，因此能够减少以第一突出部13为起点在被配置于分离槽Pl的间隙10的光电转换层4产生的裂纹。需要说明的是，对上述那样的前端面为曲面状的第一突出部13a、13b的形成方法后述。另外，在第一突出部13中，不仅与分割槽Pl的间隙10对置的前端面为曲面状，除去该前端面的外周面也可以为曲面状。在该情况下，能够更加提闻减少应力集中的效果。进而在本实施方式中，第一突出部可以沿着间隙以恒定的间隔被形成多个。由此如图6(a)及图6(b)所示那样，在第一突出部13中，能够分散释放分割槽Pl的端部11的应力。
进而在本实施方式中，设于一对电极的各个电极的第一突出部可以相互对置。由此，能够在设于一对电极的各个电极的第一突出部13彼此之间以最短距离传播裂纹，因此能够减少产生大规模的漏电流。S卩，如图2(a)所示那样，一对背面电极3a、3b的第一突出部13a、13b在沿间隙10的配置方向14的两侧的分离槽Pl的端部11可以被设置成相互对置。如果为这样的方式，即使在大的应力作用于第一突出部13a、13b的情况下，由于第一突出部13a和第一突出部13b位于较近的位置，因此容易诱导将第一突出部13a和第一突出部13b连接的裂纹。SP，通过诱导这样的形成于间隙10内的裂纹，能够减少将背面电极3和窗口层6连接的裂纹的产生。换言之，在这样的方式中，通过使不易影响光电转换装置I的特性的裂纹产生，从而能够减少容易影响光电转换装置I的特性的裂纹的产生。进而，在本实施方式中，如图4所示，一对电极的各个电极可以具有在相互对置的端部沿间隙的配置方向连续且向层叠体的层叠方向突出的第二突出部。由此，也能够将应力向背面电极3的厚度方向分散，从而进一步减少应力集中。即，如图4所示，可以在一对背面电极3相互对置的端部11形成沿间隙10的配置方向连续且向层叠方向Y突出的第二突出部15。该第二突出部15被形成为伸入光电转换层4的内部。根据这样的方式，作为背面电极3的一部分的第二突出部15伸入光电转换层4的内部，因此能够提高背面电极3与光电转换层4的密接强度。其结果是，能够减少背面电极3与光电转换层4的剥离。能够将该第二突出部15的从背面电极3的上表面的高度f设为O. 2μπι以上1.4μπι以下。即通过将第二突出部15的从背面电极3的上表面的高度f设为O. 2μπι以上，能够充分得到减少构成背面电极3的金属薄膜的剥离的效果。另外，若第二突出部15的从背面电极3的上表面的高度f为I. 4μ m以下，则能够减少如下的状况背面电极3与窗口层6的距离变小而导致完成的光电转换装置I的漏电流变大。需要说明的是，第二突出部15被设置成在层叠方向Y上第二突出部15的高度f小于光电转换层4的厚度。进而在本实施方式中，第一突出部13的突出长度a与前端面的曲率b的关系可以为 a/b = O. 33 I。由此能够减少前端面的曲率b相对于第一突出部13的突出长度a过小而容易产生裂纹的状况，另外，能够减少前端面的曲率b过大而应力的分散变得不充分的状况。进而在本实施方式中，第一突出部13的突出宽度c与直线状部的长度d的关系可以为 c/d = O. 23 O. 8。由此能够充分确保能够使应力分散的第一突出部13，并且能够减少增加多余的应力集中部位的状况。进而在本实施方式中，间隙10的宽度e与第一突出部13的突出长度a的关系可以为e/a = 15 50。由此能够形成与分离槽Pl的间隙10的宽度e对应的适宜的第一突出部13的突出长度a。即，将在第一突出部13之间的裂纹的传播形成为最短距离变得容易，并且也能够减少在第一突出部13彼此电气短路的状况。进而在本实施方式中，间隙10的宽度e与直线状部的长度d的关系可以为e/d =L 4 5。、
由此能够形成与分离槽Pl的间隙10的宽度e对应的适宜的直线状部的长度d。即，将在第一突出部13之间的裂纹的传播形成为最短距离变得容易，并且也能够减少在第一突出部13彼此电气短路的状况。进而在本实施方式中，第二突出部15的突出长度f与电极的厚度g的关系可以为f/g = O. 3 3. 5。由此能够使第二突出部15的突出长度f与背面电极3的厚度g适宜地对应。即，能够将由于背面电极层3的膨胀收缩而产生的应力向层叠方向分散，并且能够减少第二突出部15达到缓冲层5而产生漏电流的状况。其次，对本发明的实施方式涉及的光电转换装置的制造方法进行说明。本实施方式包括在基板上形成电极层的工序、用激光分割所述电极层而隔开间隙形成一对电极的激光分割工序、在所述间隙内及所述一对电极上形成光电转换层的工序， 在所述激光分割工序中，将具有大致矩形的光斑的激光以该光斑的一部分相互重叠的方式一边移动一边反复照射所述电极层。以下，对各工序进行具体的说明。首先，作为背面电极3，将用钥形成的电极层使用溅射法等成膜于用纯水等进行了超声波清洗的基板2的大致整个面。接着，使用激光在电极层形成分离槽而对背面电极3进行构图。在该激光分割工序中，将具有大致矩形状的光斑的激光以光斑的一部分相互重叠的方式一边移动一边反复照射所述电极层3。在该激光分割工序中，使用于背面电极3的构图的激光能够使用如图2(a)所示那样与从激光振荡器射出的激光光路垂直的截面的激光光斑12的形状为大致矩形状的激光。接着，在本实施方式中，在将具有该大致矩形状的激光光斑12的激光以该激光光斑12相互重叠的方式一边移动一边反复照射电极层3的同时，在电极层上扫描而形成分离槽的间隙10。与激光光斑12的形状为圆形的情况相比，通过上述那样的激光分割工序形成的分离槽Pl的端部11的形状成为平滑的形状。进而，在位于与激光光斑12邻接的光斑的交点的第一突出部13中，基于激光照射的热影响而导致其前端部为曲面状。另外，通过将具有大致矩形状的激光光斑12的激光以该激光光斑12相互重叠的方式一边移动一边反复照射电极层3, —对背面电极3a、3b的第一突出部13a、13b被设置成相互对置。并且，基于激光照射的热影响而也能够将第二突出部15沿着间隙10的配置方向连续设置。需要说明的是，在本实施方式中，激光可以具有平顶型的能量分布。这样，只要激光为具有平顶型的能量分布的激光，则能够将赋予基板及电极层的热能形成为大致均匀。因此，能够减少随着热能的不均匀性而产生的基板的裂纹或电极层的变质等。进而，在本实施方式中，激光光斑的一部分相互重叠的重叠率可以为5 15%。由此，如图5所示那样，能够减少重叠率h/i过低而第一突出部13的突出长度a过大，或前端面的曲率b过大，或第一突出部13的宽度c过大，或直线状部16的长度过长的状况。
另外，能够减少重叠率h/i过高而第一突出部13的突出长度a过小，或前端面的曲率b过小，或第一突出部13的宽度c过小，或直线状部16的长度过短的状况。进而能够减少重叠率过高而对背面电极13产生的损伤所导致的剥离。需要说明的是，在此，重叠率是指如图3(a)及图3(b)所示那样，在将激光光斑12彼此重合(重叠)的宽度设为h，将激光光斑直径设为i时，用h/i表示的比率。接着，在背面电极3上用溅射法或蒸镀法、印刷法等形成由黄铜矿系化合物构成的光电转换层4。在本实施方式的制造方法中，尤其，在形成光电转换层4的工序中，可以在 涂敷含有黄铜矿系的光电转换层4的原料的膏剂后，通过进行热处理而形成光电转换层4。即，在本实施方式中，在形成光电转换层4的工序中，在所述间隙内及所述一对电极上涂敷含有黄铜矿系的光电转换层4的原料的膏剂，在形成成为所述光电转换层的皮膜后对该皮膜进行热处理。这样在光电转换层4的形成伴随热处理的情况下，在黄铜矿系的光电转换层4容易产生基于热的收缩等，有在光电转换层4容易产生裂纹的倾向。然而，在本实施方式中，如上所述形成于背面电极3的第一突出部13a、13b的前端面为曲面状，因此即使产生上述的热收缩，也能够减少上述的裂纹的产生。需要说明的是，作为伴随上述的热处理的光电转换层4的形成方法，例如有用旋涂法或网板印刷法涂敷含有黄铜矿系的光电转换层4的原料的膏剂，且在450°C 600°C左右的温度烧成40分钟 90分钟左右的方法。该含有黄铜矿系的光电转换层4的原料的膏剂能够通过在溶解有单一前体的甲苯或丙酮等有机溶剂中添加、溶化或混合铟及锗中的至少一种的硒化合物的粉末或硫化物的粉末而调制。作为在此的单一前体，能够举出含有铜(Cu)和硫(S)及硒(Se)中的至少一种及铟(In)及锗(Ge)中的至少一种的物质。接着，使用溶液生长法(CBD法)等在光电转换层4上形成缓冲层5。通过用机械划线形成分离槽P2，对在该背面电极3的大致整个面成膜的由黄铜矿系化合物构成的光电转换层4和缓冲层5进行构图。接着，使用溅射法或有机金属化学气相生长法(M0CVD法)等在缓冲层5的大致整个面形成窗口层6，通过用机械划线形成分离槽P3，对窗口层6进行构图。由此，能够形成光电转换装置I。实施例(制作试料)作为基板2使用厚度Imm的青板玻璃(钠钙玻璃)，作为背面电极3使用用溅射形成的厚度I μ m的钥的金属薄膜。关于相对于该背面电极3的分割槽Pl的形成，在实施例中，使用平顶光束。作为具体的平顶光束的条件，使光斑直径i在10 70 μ m变化，使重叠宽度h在I 70 μ m变化。此时，以3 20%控制重叠率h/i。需要说明的是，在比较例中，用高斯光束形成分割槽P1。需要说明的是，虽没有在表I表示，但以激光频率成为25 IOOKHz、脉冲宽度成为15 200ns、功率密度成为IO4 105W/cm2的方式进行随时调整，制作具有表I所示的尺寸a g的值的试料I 36。试料1 35为用各种条件的平顶光束制作的试料，其中试料3、8、13、18、23、28、33为同一条件的标准试料。另外，试料36为用高斯光束制作的比较例。对各试料，在形成分离槽Pl后，形成光电转换层4。作为此时的光电转换层4的形成方法，使用用旋涂法涂敷含有黄铜矿系的光电转换层4的原料的膏剂，且在450°C左右的温度烧成40分钟左右的方法。需要说明的是，在此使用的含有黄铜矿系的光电转换层4的原料的膏剂通过在溶解有含有铜(Cu)、硫(S)、硒(Se)、铟(In)及锗(Ge)的前体的甲苯中添加、溶解铟、锗的硒化合物的粉末和硫化物的粉末而制作。接着，使用溶液生长法(CBD法)形成缓冲层5。然后，通过用机械划线形成分离 槽P2而对在背面电极3的大致整个面成膜的由黄铜矿系化合物构成的光电转换层4和缓冲层5进行构图。接着，使用溅射法在缓冲层5的大致整个面形成窗口层6，通过用机械划线形成分离槽P3而对窗口层6进行构图。由此，形成光电转换装置I。(评价试料)使用这些试料的光电转换装置1，制作图I所示的光电转换单元la、lb，评价光电转换效率。将其结果表示于表I。表Is为同一条件
权利要求
1.一种光电转换装置， 包括层叠体，所述层叠体通过层叠基板、设置于该基板上且相互空开间隙配置的一对电极、设置于所述间隙内及所述一对电极上的光电转换层而成， 所述一对电极的各个电极具有被沿着所述间隙交替配置的、沿所述间隙的直线状部及从该直线状部朝向所述间隙突出且前端面为曲面状的第一突出部。
2.根据权利要求I所述的光电转换装置，其中， 所述第一突出部沿着所述间隙以恒定的间隔形成多个。
3.根据权利要求I或2所述的光电转换装置，其中， 所述一对电极的各自的所述第一突出部相互对置。
4.根据权利要求I 3的任一项所述的光电转换装置，其中， 所述一对电极的各个电极在相互对置的端部具有沿着所述间隙的配置方向连续且向所述层叠体的层叠方向突出的第二突出部。
5.根据权利要求I 4的任一项所述的光电转换装置，其中， 所述第一突出部的突出长度a与所述前端面的曲率b的关系为a/b = O. 33 I。
6.根据权利要求I 5的任一项所述的光电转换装置，其中， 所述第一突出部的宽度c与所述直线状部的长度d的关系为c/d = O. 23 O. 8。
7.根据权利要求I 6的任一项所述的光电转换装置，其中， 所述间隙的宽度e与所述第一突出部的突出长度a的关系为e/a = 15 50。
8.根据权利要求I 7的任一项所述的光电转换装置，其中， 所述间隙的宽度e与所述直线状部的长度d的关系为e/d = I. 4 5。
9.根据权利要求4所述的光电转换装置，其中， 所述第二突出部的突出长度f与所述电极的厚度g的关系为f/g = O. 3 3. 5。
10.一种光电转换装置的制造方法，包括 在基板上形成电极层的工序；用激光将所述电极层分割而空开间隙形成一对电极的激光分割工序；在所述间隙内及一对电极上形成光电转换层的工序， 在所述激光分割工序中，将具有大致矩形状的光斑的激光以使所述光斑的一部分相互重叠的方式一边移动一边反复照射所述电极层。
11.根据权利要求10所述的光电转换装置的制造方法，其中， 所述激光具有平顶型的能量分布。
12.根据权利要求10或11所述的光电转换装置的制造方法，其中， 所述光斑的一部分相互重叠的重叠率为5 15%。
13.根据权利要求10 12的任一项所述的光电转换装置的制造方法，其中， 在形成所述光电转换层的工序中，在所述间隙内及所述一对电极上涂敷含有黄铜矿系的光电转换层的原料的膏剂而形成成为所述光电转换层的皮膜，然后对该皮膜进行热处理。
全文摘要
本发明提供一种减少在光电转换层产生的裂纹而可靠性高的光电转换装置。光电转换装置包括层叠基板、设置于该基板上且相互空开间隙配置的一对电极、设置于所述间隙内及所述一对电极上的光电转换层而成的层叠体，所述一对电极的各个电极具有被沿着所述间隙交替配置的、沿所述间隙的直线状部及从该直线状部朝向所述间隙突出且前端面为曲面状的第一突出部。
文档编号H01L31/04GK102725855SQ201180006516
公开日2012年10月10日 申请日期2011年1月28日 优先权日2010年1月29日
发明者桥本由佳理 申请人:京瓷株式会社