专利名称：薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管。
背景技术：
随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极及活性层等组成部分，活性层包括漏极、源极以及沟道层，薄膜晶体管通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。一般地，薄膜晶体管的活性层通常为一层结构，并采用IGZO作为其制作材料。然而，IGZO材料会受制程条件的影响而改变其特性,尤其是氧原子的空穴(Oxygen vacancy)对导电性的影响，从而影响活性层的导电性
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种具有较好导电性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板上的活性层及栅极，所述活性层包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧并与该沟道层电连接的源极、漏极，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，所述活性层由至少两层氧化物半导体层堆叠而成，且每相邻的两层氧化物半导体层采用不同的材料制成。在本发明提供的薄膜晶体管中，该活性层由至少两层氧化物半导体层堆叠而成，且每相邻的两层两层氧化物半导体层采用不同的材料制成，在同一温度下，可以均衡各氧化物半导体层之间因制程条件的影响程度，从而保证活性层具有较好的导电性能。
图1是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管的截面示意图。图2是本发明第二实施例提供的薄膜晶体管的截面示意图。图3是本发明第三实施例提供的薄膜晶体管的截面示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板上的活性层及栅极，所述活性层包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧并与该沟道层电连接的源极、漏极，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，其特征在于:所述活性层由至少两层氧化物半导体层堆叠而成，且每相邻的两层氧化物半导体层采用不同的材料制成。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述活性层的每一层的材料选自IGZO、IZO、AZO、GZO、ITO、GTO、ATO、TiOx 及 ZnO 其中之一。
3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于:还包括分别与源极及漏极电连接的源极电极及漏极电极，所述源极电极及漏极电极分别与活性层中禁带宽度最小的氧化物半导体层电性连接。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述活性层由第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层交替堆叠而成。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述第二氧化物半导体层的禁带宽度小于第一氧化物半导体层的禁带宽度。
6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述第二氧化物半导体层的载流子浓度大于第一氧化物半导体层的载流子浓度。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于:还包括分别与源极及漏极电连接的源极电极及漏极电极，所述源极电极及漏极电极分别与第二氧化物半导体层电性连接。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述活性层由多种互不相同材料的氧化物半导体层堆叠而成。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述沟道层上设有蚀刻阻挡层，所述源极电极 和漏极电极覆盖在蚀刻阻挡层的部分表面上。
全文摘要
一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板上的活性层及栅极，所述活性层包括沟道层及分别位于该沟道层相对两侧并与该沟道层电连接的源极、漏极，该栅极位于沟道层的上方或者下方，栅极与沟道层之间设置有栅绝缘层，所述活性层由至少两层氧化物半导体层堆叠而成，且每相邻的两层氧化物半导体层采用不同的材料制成，在同一温度下，可以均衡各氧化物半导体层之间因制程条件的影响程度，从而保证活性层具有较好的导电性能。
文档编号H01L29/786GK103247668SQ20121002511
公开日2013年8月14日 申请日期2012年2月6日 优先权日2012年2月6日
发明者曾坚信 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司