专利名称：固态图像拾取装置和图像拾取系统的制作方法
技术领域：
实施例的一个公开方面涉及固态图像拾取装置和使用固态图像拾取装置的图像拾取系统，更特别地，涉及在各像素中设置有电荷存储单元的固态图像拾取装置的遮光部件。
背景技术：
在以CMOS图像传感器为代表的有源像素型固态图像拾取装置中，已提出了提供全局电子快门(global electronic shutter)功能。全局电子快门功能指的是如下功能在以矩阵布置的多个像素中执行光电荷的积累，使得对于所有的像素同时开始和结束光电荷的积累。在具有全局电子快门功能的固态图像拾取装置中，各像素包含光电转换单元和被配置为对于特定时段存储经由光电转换产
生的电荷的电荷存储单元。在具有全局电子快门功能的固态图像拾取装置的电荷存储单元中，在从光电荷积累的结束到电荷读取的开始的时段上存储电荷。在该时段期间，如果在光电转换单元以外的别处产生的电荷侵入电荷存储单元中，那么出现可导致图像质量的劣化的噪声。日本专利公开No. 2008-004692公开了如下结构其中，各像素包含光电转换单元和电荷存储单元，并且在电荷存储单元之上设置遮光部件。在日本专利公开No. 2008-004692中公开的结构中，遮光部件被设置在包含布线层的层间绝缘膜上。在该结构中，倾斜光可容易地经由遮光部件的开口侵入电荷存储单元中。在设置用于给元件供给电压的接触的情况下，必须在遮光部件中形成用于接触的插塞(plug)的开口。这使得倾斜光较易于侵入电荷存储单元中。如果通过这种倾斜光产生的电荷与存储于电荷存储单元中的图像电荷混合，那么出现图像质量的劣化。鉴于以上的情况，实施例提供遮光性能得到改善的具有电荷存储单元的固态图像拾取装置、以及使用这种固态图像拾取装置的图像拾取系统。
发明内容
根据实施例的一个方面，固态图像拾取装置包括半导体基板；光电转换单元，被设置在半导体基板中；电荷存储单元，被设置在半导体基板中，并存储在光电转换单元中产生的电荷；浮置扩散单元，被设置在半导体基板中，并且存储于电荷存储单元中的电荷被传送至浮置扩散单元；第一栅电极，被设置在半导体基板上，使得第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间延伸，并使得第一栅电极到达电荷存储单元；第二栅电极，被设置在半导体基板上，使得第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸；以及遮光部件，包含第一部分和第二部分，其中，第一部分被设置在电荷存储单元之上并至少在第一栅电极和第二栅电极之上，并且其中，第二部分被设置在第一栅电极与第二栅电极之间，使得第二部分从第一部分向半导体基板的表面延伸。从参照附图对示例性实施例的以下描述，本公开的进一步的特征将变得明显。
图I是根据第一实施例的固态图像拾取装置的电路图。图2A是根据第一实施例的固态图像拾取装置的示意性平面图。图2B是根据第一实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。图3A是用于示出根据第一实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。图3B是用于示出根据第一实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。图4A是根据第二实施例的固态图像拾取装置的示意性平面图。图4B是根据第二实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。
图5A是根据第三实施例的固态图像拾取装置的示意性平面图。图5B是根据第三实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。图6A是根据第四实施例的固态图像拾取装置的示意性平面图。图6B是根据第四实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。图6C是根据第四实施例的固态图像拾取装置的示意性截面图。
具体实施例方式根据实施例，固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元和浮置扩散单元。第一栅电极被设置在半导体基板上的光电转换单元和电荷存储单元之间，并且，第二栅电极被设置在半导体基板上的电荷存储单元和浮置扩散单元之间。根据一个实施例的该固态图像拾取装置还包括遮光部件，该遮光部件包含设置在电荷存储单元之上并且至少在第一栅电极和第二栅电极之上的第一部分。遮光部件还包含被设置在第一栅电极与第二栅电极之间并从第一部分延伸到半导体基板的表面的第二部分。该结构使得可以抑制倾斜光入射到电荷存储单元上并由此改善遮光性能。以下，使用术语“接触插塞”来描述用于使一个部件连接到另一部件的由导电材料形成的插塞。并且，在以下的描述中，方向被限定，使得向下方向是从半导体基板的表面向半导体基板的内部的方向，并且，向上方向被定义为相反的方向。第一实施例以下参照图I、图2A、图2B、图3A和图3B描述根据第一实施例的固态图像拾取装置。图I是示出根据本实施例的固态图像拾取装置的四个像素(从像素的总数提取)的电路图。在图I中，以具有两行和两列的阵列布置像素100。各像素100包含光电转换单元101、电荷存储单元102、第一传送晶体管104、第二传送晶体管105、放大晶体管106、选择晶体管107和复位晶体管108。各像素100还包含用作用于排出不必要的电荷的溢出漏(overflow drain, 0FD)的第三传送晶体管109。在像素100中，附图标记103表示包含浮置扩散(floating diffusion, FD)单元的节点。电源线110和电源线111是用于供给电压的布线。电源线110与OFD晶体管109的主电极区域连接。电源线111与复位晶体管108的主电极区域和选择晶体管107的主电极区域连接。RES、TXU TX2、SEL和TX3表示控制线，经由所述控制线从垂直扫描电路(未示出)给各自晶体管的栅电极供给脉冲。更具体而言，控制线RES用于给复位晶体管108的栅电极供给脉冲，控制线TXl用于给第一传送晶体管104的栅电极供给脉冲，控制线TX2用于给第二传送晶体管105的栅电极供给脉冲，控制线SEL用于给选择晶体管107的栅电极供给脉冲，并且，控制线TX3用于给第三传送晶体管109的栅电极供给脉冲。OUT表示信号线。在图I中，n和m是指示特定的行和列的自然数。更具体而言，n指示第n行，(n+1)指示与第n行相邻的第(n+1)行，m指示第m列，(m+1)指示与第m列相邻的第(m+1)列。经由信号线OUT输出的信号被读取电路(未示出)保持，并经受诸如放大、加法等的处理。得到的信号被输出到固态图像拾取装置的外部。在该处理中，控制信号从水平扫描电路(未不出)被供给，以控制对信号的诸如加法的处理和向外部的信号输出。信号线OUT与用作恒流源的源跟随器电路和放大晶体管连接。在图I中，像素100是形成光电转换装置的基本单元，并且，各像素包含一个光电转换单元101。在图I所示的像素100中，如下执行全局电子快门操作。在已经过积累时段之后，在光电转换单元101中产生的电荷经由第一传送晶体管104被传送到电荷存储单元102。在一定的积累时段中所积累的信号电荷被存储于电荷存储单兀102中的时段期间，开始光电转换单元101中的下一信号电荷的积累。电荷存储单元102中的信号电荷经由第二传送晶体管105被传送到包含FD部分的节点103，并且从放大晶体管106作为信号被输出。为了防止在信号电荷被存储于电荷存储单元102中的时段期间在光电转换单元101中产生的电荷侵入电荷存储单元102中，光电转换单元101中的电荷可经由第三传送晶体管109被排 出。在从电荷存储单元102传送信号电荷之前，复位晶体管108将包含FD部分的节点103设为特定的电势(该操作被称为复位操作)。在该时间点的包含FD部分的节点103处的电势经由放大晶体管106作为噪声信号被输出到信号线OUT。基于该信号和基于后面输出的信号电荷的信号之间的差异，可以去除噪声信号。图2A是示出与图I所示的电路图对应的固态图像拾取装置的平面图。图2B是沿图2A的线IIB-IIB获取的固态图像拾取装置的示意性截面图。在图2A和图2B中，没有示出设置在比栅电极的层级(level)高的层级处的诸如布线层、绝缘膜等的一些元件。在图2A中，像素200与图I所示的像素100对应，并且以具有两行和两行的阵列被布置。在该图中，像素200被虚拟地分成矩形区域。以四个像素中的一个为例，以下描述像素的结构。像素200包含相互接近地设置的光电转换单元201和电荷存储单元202。用于传送电荷的第一传送晶体管的栅电极204被设置在光电转换单元201与电荷存储单元202之间。在本实施例中，当在平面图中观看时，栅电极204延伸，使得电荷存储单元202完全被栅电极204覆盖。通过设置栅电极204使得电荷存储单元202完全被栅电极204覆盖，变得可以抑制电荷存储单元202上的光入射。此外，通过控制施加给在电荷存储单元202之上延伸的栅电极204的电压，可以减小电荷存储单元202中的暗电流。注意，第一传送晶体管的主电极区域包含光电转换单元201和电荷存储单元202。像素200还包含用于从电荷存储单元202传送电荷的第二传送晶体管的栅电极205、FD部分203、第三传送晶体管的栅电极209。主电极区域207被设置为与栅电极209相邻。主电极区域207是在光电转换单元中产生的电荷的不必要部分被排出的区域。栅电极204用作第一栅电极，并且栅电极205用作第二栅电极。在图2A中，接触插塞206被设置在FD部分203中，以提供FD部分203与放大晶体管的栅电极之间的连接、以及FD部分203与复位晶体管的主电极区域之间的连接。接触插塞208被设置在主电极区域207中，以提供主电极区域207与电源线之间的连接。接触插塞213被设置在第二栅电极205上，以提供第二栅电极205与控制线之间的连接。图I所示的像素100包含设置在图2A或图2B所示的区域211中的其它元件。在以下描述的其它元件和本实施例中，假定信号电荷是电子，并且图I所示的像素100中的晶体管是N型金属氧化物半导体(MOS)晶体管。光电转换单元201至少包含用作电荷积累单元的N型半导体区域。电荷存储单元包含能够积累电荷的N型半导体区域。FD部分包含N型半导体区域。第三传送晶体管的主电极区域207包含N型半导体区域。各元件被设置在有源区域中，并且，元件隔离区域210被设置，使得有源区域被元件隔离区域210围绕。元件隔离区域210具有诸如STI (浅沟槽隔离)、LOCOS (局部硅氧化)或PN结隔离的隔离结构。在图2A中，遮光部件212在多个像素200之上延伸。遮光部件212覆盖电荷存储单元202、以及第二栅电极205的至少一部分。在本实施例中，遮光部件212覆盖电荷存储单元202、第一栅电极204、第二栅电极205、以及元件隔离区域210的一部分。如图2A所示的例子中那样，遮光部件212可进一步在光电转换单元的第一栅电极204侧的一部分之上延伸。遮光部件212包含用于各自接触插塞的多个开口 214。在FD部分203的一部分之上 和在第二栅电极205的一部分之上不存在遮光部件212。遮光部件212可被设置，使得遮光部件212覆盖除光电转换单元201和设置接触插塞的区域以外的像素中的其它元件。在上述的结构中，可使用诸如多晶硅的材料形成栅电极204和205，并且，可使用诸如钨、铝等的材料形成遮光部件。图2B是沿图2A的线IIB-IIB获取的固态图像拾取装置的示意性截面图。在图2B中，在具有表面221的P型半导体基板220中，形成图2A所示的光电转换单元201的N型半导体区域222和P型半导体区域223，使得P型半导体区域223的位置比N型半导体区域222的位置更接近半导体基板220的表面221。在半导体基板220中，还形成图2A所示的电荷存储单元202的N型半导体区域224。在半导体基板220上设置第一栅电极204和第二栅电极205。在第二栅电极205上设置用于与第二栅电极205连接的接触插塞213。在图2B中，图2A所示的遮光部件212包含覆盖第一栅电极204和第二栅电极205的第一部分225,并且还包含设置在第一栅电极204和第二栅电极205之间的第二部分226。形成第一部分225和第二部分226，使得第二部分226的底表面228的位置比第一部分225的底表面227的位置更接近半导体基板220的表面221。该结构允许减少经由用于设置接触插塞213的开口 214侵入的光的量，以及减少通过侵入光产生的电荷侵入电荷存储单元202或光电转换单元201中。以下更详细地描述第一部分225和第二部分226的位置。第一部分225覆盖第一栅电极204和第二栅电极205，并且在第一栅电极204与第二栅电极205之间延伸。第二部分226被设置为使得当从半导体基板220的表面221之上向表面221观看时以及当各自部分的形状被投影到表面221上时，第二部分226位于第一栅电极204和第二栅电极205之间。并且，在与半导体基板220的表面221垂直地获取的截面中，第二部分226的底表面228距半导体基板220的表面221的距离与第一栅电极204和第二栅电极205的底表面229距半导体基板220的表面221的距离相同。第二部分226可被设置为至少满足如下条件相对于半导体基板220的表面221，第二部分226的底表面228的位置比第一部分225的底表面227的位置更接近半导体基板220的表面221。在该结构中，第一部分225和第二部分226以一体化的形式被设置，使得遮光部件212从第一栅电极204延伸到第二栅电极205，由此覆盖第一栅电极204与第二栅电极205之间的区域，并使得遮光部件212向半导体基板220的表面并且在第一栅电极204与第二栅电极205之间延伸。注意，在本实施例中，第一部分225的上表面和第二部分226的上表面基本上是平坦的。如果其上表面不平坦，那么在上表面处反射的光可变为杂散光(straylight)，这可影响一些区域中的遮光性能。关于这一点，上表面平坦是有利的。当遮光部件的厚度由Dl表示并且第一栅电极204与第二栅电极205之间的距离由D2表示时，希望设定Dl和D2，使得3 XDl ^ D2 ^ I. 5 XDl，以实现第一栅电极204与第二栅电极205之间的良好电绝缘以及遮光部件212的良好遮光性能。如果距离D2太小，那么存在所形成的遮光部件不向下延伸足够距离的可能性，这就电场而言可导致遮光部件的效果的降低。相反，如果距离D2太大，那么存在如下可能性，即存在从第一栅电极204或第二栅电极205延伸的电场达不到的区域，这可导致暗电流的增加和/或传送效率的降低。在图2B中，遮光部件212被设置，使得它位于与设置在FD部分203中的接触插塞206 (未示出)的高度相同的高度处，并使得遮光部件212位于金属布线层(未示出)之下。通过相对于半导体基板220的表面221将遮光部件212设置在比布线层的位置更接近半导体基板220的表面221的位置处，可以改善遮光性能。·可以以下面描述的方式形成图2B所示的第二部分226。在形成第一栅电极204和第二栅电极205之后，形成诸如二氧化硅膜的绝缘膜，使得绝缘膜覆盖第一栅电极204和第二栅电极205，并使得绝缘膜具有与第一栅电极204和第二栅电极205的形状对应的形状。由于绝缘膜被形成为具有与第一栅电极204和第二栅电极205的形状对应的形状，因此，绝缘膜的表面具有凹陷。之后，在绝缘膜上形成要用作遮光部件的金属膜，使得绝缘膜的凹陷填充有金属膜。金属膜然后被蚀刻，使得除了要用作遮光部件212的特定部分以外去除金属膜。接下来，参照图3A和图3B，下面进一步描述根据本实施例的结构。图3A是示出根据本实施例的图2B所示的固态图像拾取装置的示意性截面图，并且，图3B是示出出于比较的目的而提供的、具有没有第二部分226的结构的固态图像拾取装置的示意性截面图。在图3A和图3B两者中，对于光以一角度入射在遮光部件212的开口 214上的情况示出光的行为。在图3B所示的结构中，光302易于入射在诸如电荷存储单元202的元件上。即使当光302不入射在元件上时，半导体基板220上的光302的入射也可产生可侵入电荷存储单元202或光电转换单元201中的电荷。电荷侵入电荷存储单元202或光电转换单元201中导致图像信号中的噪声。另一方面，在图3A所示的结构中，第二部分226的存在导致到半导体基板220上的光301的量的减少。在本实施例中，遮光部件212覆盖电荷存储单元202、第一栅电极204和第二栅电极205。更具体而言，遮光部件212在上述元件的除其接触插塞以外的整个区域之上延伸。注意，遮光部件212可被形成，使得第一栅电极204或第二栅电极205的电荷存储单元202侧的至少一部分被遮光部件212覆盖。如果遮光部件212被设置为使得它仅在电荷存储单元202之上延伸,那么电荷存储单元202不被遮光部件212完全覆盖,更具体而言,其面向第一栅电极的边缘或其面向第二栅电极205的边缘不被遮光部件212覆盖。通过设置遮光部件212使得栅电极至少部分地被遮光部件212覆盖，可以由遮光部件212完全覆盖电荷存储单元202。但是，即使在该结构中，也如图3B所示的结构中那样存在可出现光的侵入的可能性。可通过如图3A所示的那样设置第二部分226来减小这种可能性。在根据本实施例的固态图像拾取装置中，如上所述，电荷存储单元上的光的斜入射被抑制，并因此实现遮光性能的改善。虽然在本实施例中不存在用于连接第一栅电极与控制线的接触插塞，但是，可以在遮光部件212中形成与开口 214类似的开口，并且，可在开口中设置用于此目的的接触插塞。作为替代方案，第一栅电极可延伸到相邻像素中的区域中，并且，可以在该区域中设置接触插塞。第二实施例以下参照图4A和图4B描述根据第二实施例的固态图像拾取装置。图4A是固态图像拾取装置的示意性平面图，图4B是沿图4A的线IVB-IVB获取的固态图像拾取装置的示意性截面图。图4A和图4B分别与图2A和图2B对应，并且，与图2A或图2B中的元件类似的元件由类似的附图标记表示，并且省略其进一步的描述。
图4A所示的结构与根据第一实施例的结构的不同在于，它具有接触插塞401。接触插塞401被设置为用于电连接遮光部件212与第一栅电极204。在该结构中，不必在遮光部件212中制备用于接触插塞的开口，并因此可以实现高的遮光性能。并且，在该结构中，遮光部件212也可用作用于给第一栅电极204供给电压的控制线，这允许减少布线的数量。如图4B所示，接触插塞401被设置在第一栅电极204与遮光部件212的第一部分225之间。由例如二氧化娃制成的绝缘膜被设置在第一栅电极204和第一部分225之间。在该绝缘膜中形成接触孔，并且，接触孔填充有导电材料，由此形成接触插塞401。作为替代方案，在绝缘膜中形成接触孔之后，可形成要用作遮光部件212的金属膜，由此同时形成接触插塞401与遮光部件212。使用普通的半导体制造技术来实现形成这些元件的处理，并因此省略其进一步的详细描述。如图4B所示，遮光部件212还包含带来遮光性能改善的第二部分226。注意，图4B所示的N型半导体区域402形成图4A所示的FD部分203。在根据本实施例的固态图像拾取装置中，如上所述，电荷存储单元上的光的斜入射被抑制，并因此实现遮光性能的改善。此外，遮光部件与第一栅电极之间的连接允许减少遮光部件中的用于第一栅电极上的接触插塞的开口的数量，这带来遮光性能的改善。第三实施例以下参照图5A和图5B描述根据第三实施例的固态图像拾取装置。图5A是固态图像拾取装置的示意性平面图，图5B是沿图5A的线VB-VB获取的固态图像拾取装置的示意性截面图。图5A和图5B分别与图2A和图2B对应，并还与图4A和图4B对应，并且，与图2A或图2B或者图4A或图4B中的元件类似的元件由类似的附图标记表示，并省略其进一步的描述。图5A所示的结构与根据第二实施例的结构的不同在于，它不具有图4A所示的接触插塞401，而具有接触插塞501。接触插塞501被设置用于电连接遮光部件212与第二栅电极205。在该结构中，不必在遮光部件212中制备用于接触插塞的开口，并由此可以实现高的遮光性能。此外，在该结构中，遮光部件212还可用作用于给第二栅电极205供给电压的控制线，这允许减少布线的数量。如图5B所示，与根据第二实施例的接触插塞401同样，接触插塞501被形成在设置在第二栅电极205与遮光部件212的第一部分225之间的绝缘膜中。该结构类似于与根据第二实施例的接触插塞401相关的结构，并由此省略其进一步的详细描述。如图5B所示，遮光部件212还包含带来遮光性能改善的第二部分226。在根据本实施例的固态图像拾取装置中，如上所述，电荷存储单元上的光的斜入射被抑制，并因此实现遮光性能的改善。此外，遮光部件与第二栅电极之间的连接允许减少遮光部件中的用于接触插塞的开口的数量，这带来遮光性能的改善。第四实施例以下参照图6A至6C描述根据第四实施例的固态图像拾取装置。图6A是固态图像拾取装置的示意性平面图，图6B是沿图6A的线VIB-VIB获取的固态图像拾取装置的示意性截面图，图6C是沿图6A的线VIC-VIC获取的固态图像拾取装置的示意性截面图。图6A与图2A对应。图6B和图6C与图2B对应。在图6A至6C中，与图2A或图2B中的元件类似的元件由类似的附图标记表示，并且省略其进一步的描述。如图6A和图6C所不，本实施例与第一实施例的不同在于，第一栅电极204不在电荷存储单元202的整个区域之上完全覆盖。即，第一栅电极204在N型半导体区域222的 一部分和N型半导体区域224的一部分之上延伸。在该结构中，遮光部件212被设置在电荷存储单元202之上以及第二栅电极205的至少一部分之上。遮光部件212进一步在第一栅电极204之上以及元件隔离区域210的一部分之上延伸。遮光部件212覆盖第一栅电极204、以及光电转换单元201的第一栅电极204侧的一部分。并且，在该结构中，如图6B所示，遮光部件212进一步包含设置在第一栅电极204与第二栅电极205之间的第二部分226。第二部分226的存在导致电荷存储单元上的光的斜入射的抑制，并因此实现遮光性能的改善。在图6A中，附图标记601表示被设置在第一栅电极204上使得它与第一栅电极204接触并且用于给第一栅电极204供给电压的接触插塞。根据上述实施例中的任一个的固态图像拾取装置可被应用于例如如下所述的包括固态图像拾取装置的图像拾取系统。注意，使用术语“图像拾取系统”来描述各种各样的系统，所述各种各样的系统包括诸如静态照相机、视频照相机等的其主要目的是拍摄图像的装置，以及诸如个人计算机、便携式终端等的以图像拍摄功能作为辅助功能的装置。图像拾取系统包括根据上述实施例之一的固态图像拾取装置和处理从固态图像拾取装置输出的信号的处理单元。处理单元可包含例如数字数据处理器。在根据本实施例的固态图像拾取装置中，如上所述，光的斜入射被抑制，并因此实现遮光性能的改善。因此，实现噪声到图像信号中的侵入的减少，并因此可获得高质量图像。固态图像拾取装置不限于上述的实施例，而是各种修改是可能的。例如，晶体管和半导体区域的导电类型可以反转，并且/或者，可以组合不同导电类型的晶体管。注意，可以组合在上述实施例中公开的技术。虽然已参照示例性实施例描述了本公开，但要理解，实施例不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围要被赋予最宽的解释，以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。
权利要求
1.一种固态图像拾取装置，包括 半导体基板； 光电转换单元，被设置在半导体基板中； 电荷存储单元，被设置在半导体基板中，并存储在光电转换单元中产生的电荷； 浮置扩散单元，被设置在半导体基板中，并且存储于电荷存储单元中的电荷被传送至浮置扩散单元； 第一栅电极，被设置在半导体基板上，使得第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间延伸，并使得第一栅电极到达电荷存储单元； 第二栅电极，被设置在半导体基板上，使得第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸；以及 遮光部件，包含第一部分和第二部分，其中，第一部分被设置在电荷存储单元之上并至少在第一栅电极和第二栅电极之上，并且其中，第二部分被设置在第一栅电极与第二栅电极之间，使得第二部分从第一部分向半导体基板的表面延伸。
2.根据权利要求I的固态图像拾取装置，还包括被设置在第二栅电极上并被配置为给第二栅电极供给电压的插塞， 其中，遮光部件包含围绕插塞的开口。
3.根据权利要求I的固态图像拾取装置，其中，当遮光部件的厚度由Dl表示并且第一栅电极与第二栅电极之间的距离由D2表示时，D2和Dl满足下述条件3XD1 彡 D2 彡 I. 5XD1。
4.根据权利要求I的固态图像拾取装置，其中，遮光部件在光电转换单元的第一栅电极侧的一部分之上延伸。
5.根据权利要求I的固态图像拾取装置，还包括用作连接第一栅电极与遮光部件的接触的插塞。
6.根据权利要求I的固态图像拾取装置，还包括用作连接第二栅电极与遮光部件的接触的插塞。
7.根据权利要求I的固态图像拾取装置，还包括多个布线层， 其中，相对于半导体基板，遮光部件的位置比布线层的位置更接近半导体基板。
8.根据权利要求I的固态图像拾取装置，其中，第一部分的上表面和第二部分的上表面基本上是平坦的。
9.一种图像拾取系统,包括 根据权利要求I至8之一的固态图像拾取装置；以及 处理单元，处理从固态图像拾取装置输出的信号。
全文摘要
本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元和浮置扩散单元。固态图像拾取装置还包括被设置在半导体基板上并在光电转换单元与电荷存储单元之间延伸的第一栅电极、以及被设置在半导体基板上并在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸的第二栅电极。固态图像拾取装置还包括包含第一部分和第二部分的遮光部件，其中，第一部分被设置在电荷存储单元之上并至少在第一栅电极和第二栅电极之上，并且，第二部分被设置在第一栅电极与第二栅电极之间，使得第二部分从第一部分向半导体基板的表面延伸。
文档编号H01L27/146GK102800685SQ201210159799
公开日2012年11月28日 申请日期2012年5月22日 优先权日2011年5月27日
发明者小林昌弘, 山下雄一郎, 大贯裕介 申请人:佳能株式会社