Led及led制作方法
【专利摘要】一种LED，其包括发光芯片和载体，所述发光芯片设置于载体上，该载体上设置有覆盖所述发光芯片的第一胶层以及覆盖第一胶层的第二胶层，所述第二胶层内含荧光材料，该第二胶层的折射率低于第一胶层的折射率。
【专利说明】LED及LED制作方法
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及一种LED，特别涉及一种具有良好发光性能之LED及其制作方法。【【背景技术】】
[0002]发光二极管(LIGHT EMITING DIODE,简称LED)，是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的少数截流子和多数截流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红，橙，黄，绿，青，蓝，紫色的光。LED光源由于具有高节能，寿命长，利于环保等优点，使LED的应用面越来越广泛，其环保节能之优点使得LED被视为21世纪之主要照明光源之一。
[0003]为了在照明市场上占得一席之地，不同封装类型的白光LED在市场上不断出现。随着技术的进步，发光二极管的应用日益广泛，尤其是LED的功率不断改进提高，LED逐渐由信号显示向照明光源的领域延伸发展。传统的LED封装结构包括支架及设置于支架上的发光芯片，支架开设有杯体，发光芯片收容于杯体中并覆盖有荧光胶层，在这种传统的LED封装结构中，荧光胶层直接和发光芯片接触，而发光二极管所散发的热使荧光粉温度上升，从而降低了荧光粉的激发效率，影响发光芯片的发光效率和发旋光性能。然而，随着大功率LED的推广，面临最大的问题是发光总亮度低。为提高发光总亮度，一般采取提高单颗LED亮度，及将多颗封装好的LED灯珠，采取串并联集合在一起的办法。无论提高单颗芯片的亮度，还是串并联集合在一起的方法，都要加大功率，都会急剧加大热的产生，进一步影响发光芯片的发光效率和发旋光性能。
[0004]另外一种提高单颗芯片出光率方法就是使用折射率高的透明材料，因芯片出光层的折射率在2.3-3.5，空气折射率1，直接发射到空气，其全反射角只有17-25度，故大部分光被反射回去而吸收了。为提高光的萃取率，需要使用高折射率的透明材料，但高折射率的透明材料价格很贵，极大增加生产成本，影响LED的推广应用。
[0005]请参阅图1及图2所示，图1为现有LED整体外观结构图，图2为目前白光LED芯片部位详细结构图，其结构为:将发光芯片4固定承载于阴极金属支架I上，在发光芯片4和正、负极金属支架I之间打上正极金线3和负极金线2，并在发光芯片4上涂上荧光粉6或者涂上掺杂有荧光粉6的硅胶，然后用环氧树脂5对金属支架1，芯片4和荧光粉6进行封固，待硬化后取出，即做成白光LED成品。
[0006]但是，此结构中芯片4发出的光线直接经由荧光粉发射出来，由于荧光粉的厚度不均匀，导致发出来的光线也不均匀从而产生光斑，另一方面，环氧化树脂在固化过程中，由于冷却收缩产生的应力作用会导致电极金线拉断，其成品的良品率也受到影响。同时，温度的提高，使荧光粉的寿命缩短，激发效率下降。
【
【发明内容】
】
[0007]为克服现有技术之发光性能不佳之问题，本发明提供一种具有良好发光性能之LED及其制作方法。[0008]本发明解决技术问题的技术方案是:提供一种LED，其包括发光芯片和载体，所述发光芯片设置于载体上，该载体上设置有覆盖所述发光芯片的第一胶层以及覆盖第一胶层的第二胶层，所述第二胶层内含荧光材料，该第二胶层的折射率低于第一胶层的折射率。
[0009]优选地，该第一胶层包括至少二胶体，该第二胶层包括至少二胶体。
[0010]优选地，该第一胶层包括第一胶体与第二胶体，其中该第一胶体覆盖该发光芯片，该第二胶体覆盖该第一胶体，该第二胶体的折射率低于该第一胶体的折射率。
[0011]优选地，该第二胶层包括第三胶体与第四胶体，其中该第三胶体覆盖该第二胶体，该第四胶体覆盖该第三胶体，该第四胶体的折射率低于该第三胶体的折射率，该第四胶体内含荧光材料。
[0012]优选地，该第三胶体与该第四胶体通过一折射率介于其间之粘接材料粘接，或者通过其本身的粘性相互粘接。
[0013]优选地，该第四胶体的内外表面，与该第三胶体的外表面均为同心球面，其球心与芯片的发光位置或第一胶层的出光位置重叠，且该第四胶体为等厚结构。
[0014]优选地，该第四胶体之外部可加折射率低于该第四胶体的透明层，该透明层可以
为一层或多层。
[0015]优选地，在该第四胶体的内外设置增透膜或减反膜。
[0016]优选地，该LED芯片形成于一热沉或一散热器上，该热沉或该散热器之中部界定一杯体，或一平面，或一突起或一凹陷，该芯片设置于该杯体中或该平面上或该突起上，或该凹陷中。
[0017]优选地，该杯体的杯缘面为一斜面，该斜面以及杯体的底面分别形成有反射镜面层，该反射镜面层为亮化层，以提高光的反射率。
[0018]优选地，该第三胶体与该第二胶体为同一折射率。
[0019]优选地，该杯体的顶部设有一台阶面，该台阶面可以为一下沉或一突起。
[0020]本发明解决技术问题的又一技术方案是:提供一种LED制作方法，包括步骤A:制作第一胶层，形成于设置在一载体上的LED芯片上；步骤B:预生成第二胶层，该第二胶层内含荧光材料，该第二胶层的折射率低于第一胶层的折射率；步骤C:定位预生成之第二胶层于第一胶层上。
[0021]优选地，在步骤A中包括定位芯片于一载体；点第一胶体于该芯片上，该第一胶体包覆该芯片或包覆芯片主要出光部分，并使胶体形成突起的半球曲面；点第二胶体于该第一胶体，并包覆该第一胶体，形成第一胶层。
[0022]优选地，在步骤B中包括预生成第四胶体，该第四胶体内含荧光材料。
[0023]优选地，预生成第三胶体，并结合该第三胶体于该第四胶体形成第二胶层，或者在形成第四胶体后点胶成形该第三胶体。
[0024]与现有技术相比，本发明LED封装结构由于采用第一胶层上覆盖有第二胶层，第二胶层内含荧光材料，该第一胶层将第二胶层与该LED芯片隔开，以达到使发光芯片和含荧光材料的第二胶层不能接触的目的，从而使芯片产生的热量不能直接作用于第二胶层，使第二胶层中荧光材料温度会比直接覆盖发光芯片胶体层中的荧光材料温度要低，以提高荧光材料转换效率，最终达到改善LED发光性能的目的，且由于该第二胶层的折射率低于该第一胶层的折射率，故当光束依次经过该第一胶层与第二胶层时其光学有较佳之汇聚功能，同时可避免反射。另外，由于只在第四胶体内含荧光材料，不需要所有的胶层都含荧光材料，由此可以减少荧光材料的使用量，从而降低成本。再，该第一胶体，第二胶体，第三胶体，第四胶体与空气层组成折射率梯级递减结构，从而实现降低光的反射的效果，保证了LED芯片的光学利用率。芯片出光的萃取，与第一胶体的折射率紧密相关。可以用极少价格高、折射率高的材料，覆盖芯片主要出光面，即可近似达到全部使用高折射率材料的效果，可以大大降低胶体材料的综合成本。又，该芯片直接与热沉接触，从而可将芯片产生的热量通过热沉迅速及时的散发出去。且，该杯体的顶部通过一台阶面加强该第二胶层的定位，以实现预制成形之该第二胶层可以稳固的设置于杯体中。
【【专利附图】
【附图说明】】
[0025]图1为现有LED整体外观结构图。
[0026]图2为现有白光LED芯片部位详细结构图。
[0027]图3是本发明第一实施方式LED之LED芯片部位详细结构图。
[0028]图4是本发明第二实施方式LED之LED芯片部位详细结构图。
[0029]图5是本发明第三实施方式LED之LED芯片部位详细结构图。
[0030]图6是本发明第四实施方式LED之LED芯片部位详细结构图。
[0031]图7是本发明之LED制作方法流程图。
[0032]图8是本发明之LED制作方法之详细流程图。
【【具体实施方式】】
`[0033]为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0034]请参阅图3，为本发明实施例提供的LED100包括LED芯片13和载体101。载体101具有一杯体103，LED芯片13收容于杯体103中，杯体103内填充有覆盖LED芯片13的第一胶层12。第一胶层12上覆盖有第二胶层11,第二胶层11内含突光材料,该第一胶层12将第二胶层11与该LED芯片13隔开，以达到使LED芯片13和含荧光材料的第二胶层11不能接触的目的，从而使芯片13产生的热量不能直接作用于第二胶层11，使第二胶层11中荧光材料温度会比直接覆盖LED芯片13胶体层中的荧光材料温度要低，以提高荧光材料转换效率，最终达到改善LED发光性能的目的。该第二胶层11为一预制半成品，在制作过程中，将预制好的第二胶层11定位于该第一胶层12上。
[0035]本实施例中，载体101可以由热塑性材料制成。杯体103设于载体101的中部。该杯体103的顶部设有一台阶面107，该台阶面107可以为一下沉或一突起。该杯体103的底部设有开孔104，在开孔104中设有一个热沉23，LED芯片13设置于热沉23上。开孔104包括紧邻杯体103底部的第一通孔105以及与第一通孔105相接相通的第二通孔106，第一通孔105的孔径小于第二通孔106的孔径。热沉23包括支撑LED芯片13的顶部232以及与底部234分别收容于第一通孔105和第二通孔106中，并且底部234可进一步延伸出第二通孔106，底部234设置有用于与二次散热装置焊接的散热焊盘236。底部234的面积要大于顶部232的面积，而顶部232的面积小于杯体103底部的面积。因而，可通过更大面积的热沉23的底部234，将LED芯片13产生的热量及时散发出去。
[0036]热沉23的顶部232和底部234为一体结构，其材质可为铜或铝，或其它导热性佳的金属或它们的合金。热沉23的上表面，也就是设置有芯片13的顶部232的顶面，其经过亮化处理，以增加出光效率。
[0037]载体101在杯体103的底部设有一对开槽(图未不)，该对开槽分别延伸出载体101相应两侧面，每个开槽内设有与LED芯片13电连接的引脚18。每个引脚18延伸出载体101相应的侧面并进一步延伸到载体101的外部，以与外接焊盘19电连接,通过外接焊盘19将芯片13电连接到线路板上。每个引脚18通过导线14电连接到LED芯片13，一对引脚18分别位于LED芯片13的两侧。
[0038]第一胶层12包括第一胶体121与第二胶体122，该第一胶体121的折射率高于第二胶体122，该第一胶体121为高折射率透明材料，用于包住芯片13以提高芯片13的出光率。该第二胶体122形成于第一胶体121上，填满杯体103的下半部，包覆该第一胶体121。
[0039]该第二胶层11包括一第三胶体111，一第四胶体112，该第三胶体111与该第四胶体112预制成形，在被制成半成品后放置于该第二胶体122上。也可以仅预制成形该第四胶体112，该第三胶体111可与第二胶体122安放时同时形成。其中，该第四胶体112为掺杂有荧光粉的透明材料，其外周轮廓与该杯体103的上半部相对应，填满杯体103的下半部，并包覆该第三胶体111。该第四胶体112的内外表面，与该第三胶体111的外表面均为同心球面，其球心与芯片13发光位置或第一胶层12的出光位置重叠，以消除反射，故该第四胶体112各处厚度一致，以保证发光光色一致。该第四胶体112的折射率小于该第三胶体111，二者之间可通过一折射率介于其间的粘接材料进行粘结。该第三胶体111与该第二胶体122可以为同一种材料，或者为同一折射率材料，在尺寸匹配时可连为一体，在尺寸略微不匹配时形成一空气层。同时，该第三胶体111靠近该芯片13的面为凸起球弧面，以利于安放该第一胶层12于杯体103时排放气体离开。
[0040]此外,在杯体103的杯缘面为一斜面,该斜面以及杯体103的底面经过亮化表面处理。该亮化层可用抛光法、涂层法、液体法、溅射法、真空镀层法(蒸化真空沉积法)、电镀、氧化方式等制成。镀层材料可为银或是其它高反射率材料。当用铝材氧化方法形成反光层时，氧化后再对氧化层中的微孔进行离子封孔处理，提高反光效率。封成与芯片发光色相同的颜色，反光效果更好。可封成任意所需的颜色(即染色)，美化产品。
[0041]相较于现有技术，本发明LED100通过第一胶体121，第二胶体122，与第三胶体111将LED芯片13和第四胶体112隔开，以达到使LED芯片13和含荧光材料的第四胶体112不能直接接触的目的，从而使芯片13产生的热量不能直接作用于第四胶体112，使第四胶体112中的荧光材料温度会比直接覆盖LED芯片13胶体中的荧光材料温度要低，以提高荧光材料转换效率，增强LED发光的稳定性可靠性，最终达到改善LED发光性能的目的。另夕卜，由于只在第四胶体112内含荧光材料，不需要所有的胶层都含荧光材料，由此可以减少荧光材料的使用量，从而降低成本。再，该第一胶体121，第二胶体122，第三胶体111，第四胶体112与空气层组成折射率梯级递减结构，从而实现降低光的反射的效果，保证了 LED芯片13的光学利用率。又，该芯片13直接与热沉23接触，从而可将芯片13产生的热量通过热沉23迅速及时的散发出去。且，该杯体103的顶部通过一台阶面107加强该第二胶层11的定位，以实现预制成形之该第二胶层可以稳固的设置于杯体103中。该第一胶体121使用极少量高折射率材料，即可近似达到全部高折射率材料的效果，可以大大降低制作成本。
[0042]本发明LED并不限于上述实施方式所述，如:该第四胶体112之外部可加低于该第四胶体折射率的透明层，该透明层可以为一层或多层，以增加折射率梯级递减的梯级，进一步降低光的反射。亦可以在该第四胶体112的内外设置增透膜或减反膜等光学薄膜，以增加透过率，减少反射率。
[0043]本发明不仅适用于需要荧光粉激发形成白光的情况，需要荧光粉激发形成其他出光颜色的led也适用。同时也适用于不需荧光粉，为提高光的萃取率，减少高折射率透明材料的使用量，降低封装成本的情况。
[0044]请参阅图4，本发明LED的第二实施方式，该LED300包括一 LED芯片33及一散热器35。该散热器35具有一杯体303，发光芯片33直接定位于该散热器35的杯体303的底部，其定位的方式可以是直接共晶焊或通过粘结层直接粘接定位，杯体303内填充有覆盖发光芯片33的第一胶层32。第一胶层32上覆盖有第二胶层31,第二胶层31内含突光材料，该第一胶层32将第二胶层31与该LED芯片13隔开，以达到使发光芯片33和含荧光材料的第二胶层31不能接触的目的，从而使芯片33产生的热量不能直接作用于第二胶层31，使第二胶层31中荧光材料温度会比直接覆盖发光芯片33胶体层中的荧光材料温度要低，以提高荧光材料转换效率，最终达到改善LED发光性能的目的。最终达到改善LED发光性能，减少高折射率材料用量，降低成本的目的。该第二胶层31为一预制半成品，在制作过程中，将制成好的第二胶层31定位于该第一胶层32上。
[0045]第一胶层32包括第一胶体321与第二胶体322，该第一胶体321的折射率高于第二胶体322，该第一胶体321为高折射率透明材料，用于包住芯片33以加大光的全反射角，降低芯片33的反射率。该第二胶体322形成于第一胶体321上，填满杯体303的下半部，包覆该第一胶体321。
[0046]该第二胶层31包括一第三胶体311，一第四胶体312，该第三胶体311与该第四胶体312预制成形，在被制成半成品后放置于该第二胶体322上。其中，该第四胶体312为掺杂有荧光粉的透明材料，其外周轮廓与该杯体303的上半部相对应，填满杯体303的下半部，并包覆该第三胶体311。该第四胶体312的内外表面，与该第三胶体311的外表面均为同心球面，其球心与芯片33发光位置或第一胶层32的出光位置重叠，以消除全反射，故该第四胶体312各处厚度一致，以保证发光光色一致。该第四胶体312的折射率小于该第三胶体311，二者之间可通过一折射率介于其间的粘接材料进行粘结。该第三胶体311与该第二胶体322可以为同一种材料，也可以是同一种折射率材料，在尺寸匹配时可连为一体，在尺寸略微不匹配时形成一空气层。同时，该第三胶体311靠近该芯片33的面为球面，以利于安放该第一胶层于杯体303时排放气体离开。
[0047]此外，该散热器35的散热鳍片分布于该杯体303的外围与底部。在杯体303的杯缘面为一斜面，该斜面以及杯体303的底面经过亮化表面处理。该亮化层可用抛光法、涂层法，液体法，溅射法、真空镀层法(蒸化真空沉积法)、电镀、氧化方式等制成。镀层材料可为银或是其它高反射率材料。当用铝材氧化方法形成反光层时，氧化后再对氧化层中的微孔进行离子封孔处理，提高反光效率。封成与芯片发光色相同的颜色，反光效果更好。可封成任意所需的颜色(即染色)，美化产品。
[0048]请参阅图5，本发明LED的第三实施方式，该LED400包括一 LED芯片43及一散热器45。该发光芯片43直接定位于该散热器45的平面上，其定位的方式可以是直接共晶焊或通过粘结层直接粘接定位。该发光芯片43上形成有第一胶层42，该第一胶层42的外表面为凸起球弧面，形成于该发光芯片43上。第一胶层42上覆盖有第二胶层41，第二胶层41内含荧光材料，该第一胶层42将第二胶层41与该LED芯片43隔开，以达到使发光芯片43和含荧光材料的第二胶层41不能接触的目的，从而使芯片43产生的热量不能直接作用于第二胶层41，使第二胶层41中荧光材料温度会比直接覆盖发光芯片43胶体层中的荧光材料温度要低，以提高荧光材料转换效率，最终达到改善LED发光性能的目的。该第二胶层41为一预制半成品，在制作过程中，将制成好的第二胶层41定位于该第一胶层42上。
[0049]该第二胶层41包括一第三胶体411，一第四胶体412，该第三胶体411与该第四胶体412预制成形，在被制成半成品后放置于该第一胶层41上。其中，该第四胶体412为掺杂有荧光粉的透明材料，并包覆该第三胶体411。该第四胶体412的内外表面，与该第三胶体411的外表面均为同心球面，其球心与芯片43发光位置或第一胶层42的出光位置重叠，以消除反射，故该第四胶体412各处厚度一致，以保证发光光色一致。
[0050]请参阅图6，本发明LED的第三实施方式，该LED500包括一 LED芯片53及一散热器55。该发光芯片53直接定位于该散热器55的突起上，其定位的方式可以是直接共晶焊或通过粘结层直接粘接定位。该发光芯片53上形成有第一胶层52，该第一胶层52的外表面为球面，形成于该发光芯片53上。第一胶层52上覆盖有第二胶层51,第二胶层51内含荧光材料，该第一胶层52将第二胶层51与该LED芯片53隔开，以达到使发光芯片53和含荧光材料的第二胶层51不能接触的目的，从而使芯片53产生的热量不能直接作用于第二胶层51，使第二胶层51中荧光材料温度会比直接覆盖发光芯片53胶体层中的荧光材料温度要低，以提高荧光材料转换效率，最终达到改善LED发光性能的目的。该第二胶层51为一预制半成品，在制作过程中，将制成好的第二胶层51定位于该第一胶层52上。
[0051]该第二胶层51包括一第三胶体511，一第四胶体512，该第三胶体511与该第四胶体512预制成形，在被制成半成品后放置于该第一胶层51上。其中，该第四胶体512为掺杂有荧光粉的透明材料，并包覆该第三胶体511。该第四胶体512的内外表面，与该第三胶体511的外表面均为同心球面，其球心与芯片53的发光位置或第一胶层52的出光位置重叠，以消除反射，故该第四胶体512各处厚度一致，以保证发光光色一致。
[0052]请参阅图7与图8，为本发明LED100的制作流程图。本发明LED100的制作流程包括以下步骤:
[0053]步骤A:制作第一胶层12，包覆设置于一载体101上的LED芯片33 ；
[0054]步骤B:预生成第二胶层11，该第二胶层内含荧光材料，该第二胶层11的折射率低于第一胶层12的折射率；
[0055]步骤C:定位预生成之第二胶层11于第一胶层12上。
[0056]在步骤A中包括:步骤Al:定位芯片13于一载体101 ;步骤A2:点第一胶体121于该芯片13，在芯片13上形成一凸起球弧面，或者包覆该芯片13形成一凸起球弧面；与步骤A3:点第二胶体122于该第一胶体121，并包覆该第一胶体121，形成第一胶层11 ；
[0057]在步骤Al中，通过共晶焊或通过粘结层直接粘接LED芯片13于一载体，该载体可以为一散热器，也可以是一热塑性材料制成，其中部具有一杯体103。
[0058]在步骤A2中，点胶第一胶体121于该芯片13上，其可包覆该芯片13亦可不包覆；该第一胶体121为高折射率透明材料，用于包住芯片13以加大光的全反射角，降低芯片33的反射率。
[0059]在步骤A3中，点胶第二胶体122形成于第一胶体121上，填满杯体103的下半部，包覆该第一胶体121。该第二胶体122的折射率低于该第一胶体121。
[0060]在步骤B中包括步骤B1:预生成第四胶体112，该第四胶体112内含荧光材料；步骤B2:预生成第三胶体111，并结合该第三胶体111于该第四胶体112以形成第二胶层12 ；
[0061]在步骤BI中，掺杂荧光粉于透明材料中形成该第四胶体112之材料，并于一模具中成形第四胶体112，其内外表面为同心球面，各处厚度一致，以保证发光光色彩一致。
[0062]在步骤B2中，选择一折射率材料高于该第四胶体112的透明材料于模具中成形第三胶体111，其外表面与第四胶体112的内外表面为同心球面，并与该第四胶体112的内表面匹配，并通过一折射率介于其间的粘接材料将第三胶体111粘结于该第四胶体112，或者通过二者的粘性自行粘合；或者是在形成第二胶体后点胶成形该第三胶体，也可以直接在第四胶体112空心处，点胶成形该第三胶体111。
[0063]在步骤C中，放置预成形之第四胶体112与第三胶体111于该第二胶体122上。该第三胶体111与该第二胶体122可以是同一种材料，也可以是折射率一致的不同种材料，或者该第三胶体111的折射率低于该第二胶体122的折射率，其二者的外部轮廓彼此匹配。
[0064]相较于现有技术，本实施例LED制作方法由于通过第一胶体121，第二胶体122，与第三胶体111将LED芯片13和第四胶体112隔开，以达到使LED芯片13和含荧光材料的第四胶体112不能直接接触的目的，从而使芯片13产生的热量不能直接作用于第四胶体112，使第四胶体112中的荧光材料温度会比直接覆盖LED芯片13胶体中的荧光材料温度要低，以提高荧光材料转换效率，增强LED发光的稳定性可靠性，最终达到改善LED发光性能的目的。另外，由于只在第四胶体112内含荧光材料，不需要所有的胶层都含荧光材料，由此可以减少荧光材料的使用量，从而降低成本。再，该第一胶体121，第二胶体122，第三胶体111，第四胶体112与空气层组成折射率梯级递减结构，从而实现降低光的反射的效果，保证了 LED芯片13的光学利用率。采用模块化制作含有荧光材料之第二胶层11，实现批量生产，故可提高生产效率，并可根据不同产品的需求进行第二胶层11更换，以达到不同种预设色温的要求，另第二胶层11通过批量生产可进一步保证产品之稳定性。再，高折射率材料成本高，本发明将大大降低高折射率材料的用量，降低生产成本。
[0065]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种LED，其包括发光芯片和载体，所述发光芯片设置于载体上，该载体上设置有覆盖所述发光芯片的第一胶层以及覆盖第一胶层的第二胶层，所述第二胶层内含荧光材料，其特征在于该第二胶层的折射率低于第一胶层的折射率。
2.如权利要求1所述的LED，其特征在于:该第一胶层包括至少二胶体，该第二胶层包括至少二胶体。
3.如权利要求1所述的LED，其特征在于:该第一胶层包括第一胶体与第二胶体，其中该第一胶体覆盖该发光芯片，该第二胶体覆盖该第一胶体，该第二胶体的折射率低于该第一胶体的折射率。
4.如权利要求3所述的LED，其特征在于:该第二胶层包括第三胶体与第四胶体，其中该第三胶体覆盖该第二胶体，该第四胶体覆盖该第三胶体，该第四胶体的折射率低于该第三胶体的折射率，该第四胶体内含荧光材料。
5.如权利要求4所述的LED，其特征在于:该第三胶体与该第四胶体通过一折射率介于其间之粘接材料粘接，或者通过其本身的粘性相互粘接。
6.如权利要求4所述的LED，其特征在于:该第四胶体的内外表面，与该第三胶体的外表面均为同心球面，其球心与芯片的发光位置或第一胶层的出光位置重叠，且该第四胶体为等厚结构。
7.如权利要求4所述的LED，其特征在于:该第四胶体之外部可加折射率低于该第四胶体的透明层，该透明层可以为一层或多层。
8.如权利要求4所述的LED，其特征在于:在该第四胶体的内外设置增透膜或减反膜。
9.如权利要求1所述的LED,其特征在于:该LED芯片形成于一热沉或一散热器上,该热沉或该散热器之中部界定一杯体，或一平面，或一突起或一凹陷，该芯片设置于该杯体中或该平面上或该突起上，或该凹陷中。
10.如权利要求9所述的LED，其特征在于:该杯体的杯缘面为一斜面，该斜面以及杯体的底面分别形成有反射镜面层，该反射镜面层为亮化层，以提高光的反射率。
11.如权利要求4所述的LED，其特征在于:该第三胶体与该第二胶体为同一折射率。
12.如权利要求9所述的LED，其特征在于:该杯体的顶部设有一台阶面，该台阶面可以为一下沉或一突起。
13.—种LED制作方法，其特征在于:包括 步骤A:制作第一胶层，形成于设置在一载体上的LED芯片上； 步骤B:预生成第二胶层，该第二胶层内含荧光材料，该第二胶层的折射率低于第一胶层的折射率； 步骤C:定位预生成之第二胶层于第一胶层上。
14.如权利要求13所述之LED制作方法，其特征在于:在步骤A中包括定位芯片于一载体；点第一胶体于该芯片上；该第一胶体包覆该芯片或包覆芯片主要出光部分，并使胶体形成突起的半球曲面；点第二胶体于该第一胶体，并包覆该第一胶体，形成第一胶层。
15.如权利要求13所述之LED制作方法，其特征在于:在步骤B中包括预生成第四胶体，该第四胶体内含荧光材料。
16.如权利要求13所述之LED制作方法，其特征在于:预生成第三胶体，并结合该第三胶体于该第四胶体形成第二胶层，或者在形成第四胶体后点胶成形该第三胶体。
【文档编号】H01L33/50GK103489997SQ201210202262
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年6月9日 优先权日:2012年6月9日
【发明者】王树生 申请人:王树生