半导体器件的形成方法与流程

技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成包括至少三个第一掩模图案的第一掩模层，其中，不同的邻接第一掩模图案对之间的距离不同；形成与所述第一掩模图案的侧壁邻接的第一隔离物；去除所述第一掩模图案；形成与所述第一隔离物的侧壁邻接的第二隔离物；在所述衬底之上以及在所述第二隔离物之间形成填充层；以及去除所述第一隔离物和所述第二隔离物而留下所述填充层，以形成第二掩模图案。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二隔离物包括：形成上覆所述第一隔离物和所述衬底的密封层；以及去除所述密封层中位于所述第一隔离物的顶部区域和所述衬底之上的部分而留下所述密封层中与所述第一隔离物的侧壁邻接的其它部分，以限定所述第二隔离物。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：去除所述填充层的一部分，以露出所述第一隔离物和所述第二隔离物的顶部区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过化学机械抛光(CMP)工艺执行去除所述填充层的一部分的步骤。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在提供所述第一掩模图案之前，在所述衬底之上形成目标层。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：使用所述第二掩模图案来对所述目标层进行图案化。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一隔离物的材料不同于所述第二隔离物的材料。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述填充层的材料不同于所述第一隔离物或所述第二隔离物的材料。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述填充层包括从由氧化硅、氮化硅、SiON、旋涂玻璃(SOG)、抗反射涂层(ARC)、光刻胶、有机材料和它们的组合所组成的组中选择的材料。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二掩模图案包括至少两条具有不同线宽的线。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一隔离物或所述第二隔离物具有范围在2nm到30nm之间的宽度。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二掩模图案包括从由氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅和它们的组合所组成的组中选择的材料。13.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成目标层；在所述衬底之上形成包括至少三个掩模图案的第一掩模层，不同的邻接掩模图案对之间的距离不同；形成与所述至少三个掩模图案中的每一个的侧壁邻接的第一隔离物；去除所述至少三个掩模图案而留下所述第一隔离物；在所述第一隔离物和所述衬底之上形成共形的密封层；去除所述密封层中位于所述第一隔离物的顶部区域和所述衬底之上的部分而留下所述密封层中与所述第一隔离物的侧壁邻接的其它部分，以形成第二隔离物；在所述第二隔离物之间和所述第二隔离物之上形成第二掩模层；去除所述第二掩模层的一部分以露出所述第一隔离物和所述第二隔离物的顶部区域；以及去除所述第一隔离物和所述第二隔离物而留下所述第二掩模层，以形成第二掩模图案。14.根据权利要求13所述的方法，其中，至少两个第二掩模图案具有不同的宽度。15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一掩模层包括从由氧化硅所组成的组中选择的材料，而所述第一隔离物包括氮化硅、氮氧化硅、 金属、TiN和它们的组合所组成的组中选择的材料。16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一掩模层包括氮化硅，而所述第一隔离物包括氮氧化物或氧化硅中的至少一种。17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一掩模层是光刻胶或有机材料，而所述第一隔离物包括氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。18.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用所述第二掩模图案对所述目标层进行图案化。19.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成目标层；在所述衬底之上形成包括至少三个硬掩模图案的第一硬掩模层，其中，不同的邻接硬掩模图案对之间的距离不同；形成与所述至少三个硬掩模图案中的每一个的侧壁邻接的第一隔离物；去除所述至少三个硬掩模图案而留下所述第一隔离物；在所述第一隔离物和所述衬底之上形成共形的密封层；去除所述密封层中位于所述第一隔离物的顶部区域和所述衬底之上的部分而留下所述密封层中与所述第一隔离物的侧壁邻接的其它部分，以形成第二隔离物；在所述第二隔离物之间和之上形成第二硬掩模层；去除所述第二硬掩模层的一部分，以露出所述第一隔离物和所述第二隔离物的顶部区域；以及去除所述第一隔离物和所述第二隔离物而留下所述第二硬掩模层，以形成第二硬掩模图案；其中，至少两个硬掩模图案具有不同的宽度。