半导体器件的形成方法与流程

技术总结
本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：在衬底之上提供第一掩模图案；形成与第一掩模图案的侧壁邻接的第一隔离物；去除第一掩模图案；形成与第一隔离物的侧壁邻接的第二隔离物；在衬底之上和第二隔离物之间形成填充层；以及在衬底之上形成第二掩模图案。

技术研发人员：林志翰;张铭庆;陈嘉仁;林益安;林志忠
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201210251905
技术研发日：2012.07.19
技术公布日：2016.12.21