专利名称：一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种扩散发射极构化工艺，主要应用于晶体硅常规扩散工艺，具体地说是一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺。
背景技术：
随着太阳能电池企业数量大幅度的增长，太阳能电池的转化效率只是客户最重要的一项指标之一，客户对电池片内在的质量、寿命也有严格的要求。常规太阳能电池内部的扩散结由于一味追求高效率，表面浓度较低，对产线烧结工艺的匹配性十分挑剔，设备或浆料一旦出现偏差即会导致电池片烧结后在部分区域形成烧结不良，增大了电池片的串联电阻，该现象可以使用EL电致发光设备检查出。由于此类现象将导致电池片电性能降低以及电池寿命的降低。为维持电池拥有较大的工艺窗口，能够以稳定的质量进行批量生产，电池片扩散工艺的更新是一个有效的方法。
发明内容
本发明的目的是针对目前普通扩散工艺易于产生电池片烧结接触差的问题提出了一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺。本发明的目的可以通过以下技术方案实现一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于它包括以下步骤(I)将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管，炉管温度在IOmin内加热至750-810°C，同时通入氮气流量5-8slm，持续3min ；(2)通入氮气流量3_7slm,氧气流量400-600sccm,氮气携带三氯氧磷气体流量1300-1700sccm,持续 10_16min ；(3)以5°C每分钟的速率升高炉管温度至840_850°C，同时通入氮气流量为10_15slm ；(4)保持温度在820-850°C，通入氧气流量为3_5slm，持续10_16min ；(5)通入氮气流量为15-20slm，降温至780°C，即制得扩散结。本发明步骤⑴中炉管内温度加热至800°C。本发明步骤(2)中通入氮气流量为5slm,氧气流量600sccm,氮气携带的三氯氧磷气体流量为1400sccm。本发明步骤(5)中温度恒定在840°C。通入氧气流量为4slm，持续时间为15min。本发明的有益效果本发明所用的新型发射极构化方法增加了硅片表面扩散浓度，降低了硅片与浆料的接触电阻，减少电池片烧结不良比例。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。实施例I
一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，包括下面的步骤将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管，炉管温度在IOmin内加热至800°C，同时通入氮气流量5. 2slm，持续3min ;通入氮气流量4slm,氧气流量500sccm,氮气携带三氯氧磷气体流量1500sccm,持续15min ;以5°C每分钟的速率升高炉管温度至840°C，同时通入氮气流量为IOslm ； (4)保持温度在838°C，通入氧气流量为4slm，持续12min ;通入氮气流量为16slm，降温至780°C，即制得扩散结。实施例2一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，包括下面的步骤将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管，炉管温度在IOmin内加热至790°C，同时通入氮气流量6. 5slm，持续3min ;通入氮气流量7slm,氧气流量400sccm,氮气携带三氯氧磷气体流量1350sccm,持续Ilmin ;以5°C每分钟的速率升高炉管温度至850°C，同时通入氮气流量为12slm ;保持温度在842°C，通入氧气流量为3. lslm，持续IOmin ;通入氮气流量为15slm，降温至780°C，即制得扩散结。实施例3·一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，包括下面的步骤将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管，炉管温度在IOmin内加热至800°C，同时通入氮气流量7. Sslm，持续3min ;通入氮气流量5slm,氧气流量600sccm,氮气携带三氯氧磷气体流量1760sccm,持续13min ;以5°C每分钟的速率升高炉管温度至845°C，同时通入氮气流量为15slm ； (4)保持温度在850°C，通入氧气流量为5slm，持续15min ;通入氮气流量为20slm，降温至780°C，SP制得扩散结。
权利要求
1.一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于它包括以下步骤 (1)将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管，炉管温度在IOmin内加热至750-810°C，同时通入氮气流量5-8slm,持续3min ； (2)通入氮气流量3-7slm,氧气流量400-600sccm,氮气携带三氯氧磷气体流量1300-1700sccm,持续 10_16min ； (3)以5°C每分钟的速率升高炉管温度至840-850°C，同时通入氮气流量为10-15slm； (4)保持温度在820-850°C，通入氧气流量为3-5slm，持续10_16min； (5)通入氮气流量为15-20slm，降温至780°C，即制得扩散结。
2.根据权利要求I所述的晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于步骤 (I)中炉管内温度加热至800°C。
3.根据权利要求I所述的晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于步骤(2)中通入氮气流量为5slm,氧气流量600sccm,氮气携带的三氯氧磷气体流量为1400sccmo
4.根据权利要求I所述的晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于步骤(5)中温度恒定在840°C。通入氧气流量为4slm，持续时间为15min。
全文摘要
本发明公开一种晶体硅太阳能电池扩散发射极构化工艺，其特征在于包括以下步骤将已经制绒的硅片送入扩散反应炉管；通入氮气、氧气、氮气携带三氯氧磷气体；升高炉管温度；保持一定的温度，通入氧气；通入氮气，降温，即制得扩散结。本发明方法增加了硅片扩散层表面扩散浓度，降低了硅片与浆料的接触电阻，减少电池片烧结不良比例。
文档编号H01L31/18GK102931280SQ201210454858
公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月14日 优先权日2012年11月14日
发明者黄仑, 侯泽荣, 卢春晖, 王金伟, 蒋志强 申请人:东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司