专利名称：无引脚的功率mosfet器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，具体涉及一种无引脚的功率MOSFET器件。
背景技术：
随着电子产品的发展，例如笔记本电脑、手机、迷你CD、掌上电脑、CPU、数码照相机等消费类电子产品越来越向小型化方向发展。随着产品的做小做薄，工IC中的数百万个晶体管所产生的热量如何散发出去就变为一个不得不考虑的问题。现有技术中，虽然可以通过提升工IC制程能力来降低电压等方式来减小发热量，但是仍然不能避免发热密度增加的趋势。散热问题不解决，会使得工器件因过热而影响到产品的可靠性，严重地会缩短产品寿命甚至造成产品损毁。 现有技术，如附图I所示是一种典型的QFN封装结构的剖面示意图，包括芯片900，散热片920、引线框架930、多个导线940，以及包裹上述结构的绝缘胶950。芯片900粘附在散热片920上，引线框架930具有多个相互绝缘的管脚，芯片900表面的焊盘通过导线940连接在引线框架93。相应的管脚上。绝缘胶950将上述结构全部包裹起来，以将其同外界隔离，仅将引线框架930的各个管脚和散热片920与芯片900相对的表面暴露在空气中。引线框架930暴露出来的管脚用于实现被封装的芯片900同外界的电学连接，而散热片920暴露出来的作用在于将芯片900工作时产生的热量通过暴露的表面散发到环境中去。
发明内容本实用新型目的是提供一种无引脚的功率MOSFET器件，此功率MOSFET器件有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种无引脚的功率MOSFET器件，包括MOSFET芯片、环氧树脂层，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，还包括导电基盘、第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，此漏极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料导电层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。上述技术方案中进一步改进的方案如下I、上述方案中，所述铝导体带宽厚比为I :10 15。2、上述方案中，所述第一导电焊盘的引脚区由至少四根源极引脚组成。3、上述方案中，所述第二导电焊盘的引脚区由一根栅极引脚组成。4、上述方案中，所述漏极引脚的数目为四根。由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果[0012]I、本实用新型功率MOSFET器件中导电基盘，其同时兼备了现有技术中导电焊盘、散热片和基岛三个部件功能，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和基盘引脚区为一个整体，提高了电性能的稳定性。2、本实用新型功率MOSFET器件中所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间跨接有铝导体带，且所述铝导体带与MOSFET芯片的源极的焊接条至少为2条且相间排列，这种结构设计从而有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。
图I为现有技术结构示意图；图2为本实用新型功率MOSFET芯片的封装体结构示意图；图3为附图2中沿A-A线的剖视图。以上附图中I、MOSFET芯片；2、环氧树脂层；3、导电基盘；31、散热区；32、基盘引脚区；321、漏极引脚；4、第一导电焊盘；5、第二导电焊盘；6、软焊料导电层；7、焊接区；8、引脚区；9、金属线；10、铝导体带。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述实施例一种无引脚的功率MOSFET器件，包括MOSFET芯片I、环氧树脂层2，所述MOSFET芯片上表面I设有源极和栅极，下表面设有漏极，还包括导电基盘3、第一导电焊盘4和第二导电焊盘5，所述导电基盘3由散热区31和基盘引脚区32组成，此基盘引脚区32由若干个相间排列的漏极引脚321组成，此漏极引脚321 —端与散热区31端面电连接，所述散热区31位于MOSFET芯片I正下方且与MOSFET芯片I下表面之间通过软焊料导电层6电连接；所述第一导电焊盘4和第二导电焊盘5位于MOSFET芯片I另一侧，第一导电焊盘4和第二导电焊盘5均包括焊接区7和引脚区8 ;—铝导体带10跨接于所述MOSFET芯片I的源极与第一导电焊盘4的焊接区7之间；一金属线9跨接于所述MOSFET芯片I的栅极与第二导电焊盘5的焊接区7之间。上述铝导体带10宽厚比为I :10 15。上述第一导电焊盘4的引脚区由至少四根源极引脚组成。上述第二导电焊盘5的引脚区由一根栅极引脚组成。上述漏极引脚321的数目为四根。上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种无引脚的功率MOSFET器件，包括MOSFET芯片(I)、环氧树脂层(2)，所述MOSFET芯片上表面(I)设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于还包括导电基盘(3)、第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)，所述导电基盘(3)由散热区(31)和基盘引脚区(32)组成，此基盘引脚区(32)由若干个相间排列的漏极引脚(321)组成，此漏极引脚(321)一端与散热区(31)端面电连接，所述散热区(31)位于MOSFET芯片(I)正下方且与MOSFET芯片(I)下表面之间通过软焊料导电层(6)电连接；所述第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)位于MOSFET芯片(I)另一侧，第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)均包括焊接区(7)和引脚区(8);—铝导体带(10)跨接于所述MOSFET芯片(I)的源极与第一导电焊盘(4)的焊接区(7)之间；一金属线(9)跨接于所述MOSFET芯片(I)的栅极与第二导电焊盘(5)的焊接区(7)之间。
2.根据权利要求I所述的无引脚的功率MOSFET器件，其特征在于所述铝导体带(10)宽厚比为1:10 15。
3.根据权利要求I所述的无引脚的功率MOSFET器件，其特征在于所述第一导电焊盘(4)的引脚区由至少四根源极引脚组成。
4.根据权利要求I所述的无引脚的功率MOSFET器件，其特征在于所述第二导电焊盘(5)的引脚区由一根栅极引脚组成。
5.根据权利要求I所述的无引脚的功率MOSFET器件，其特征在于所述漏极引脚(321)的数目为四根。
专利摘要本实用新型公开一种无引脚的功率MOSFET器件，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，此漏极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料导电层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本实用新型功率MOSFET器件有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。
文档编号H01L23/488GK202796917SQ201220421179
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月23日 优先权日2012年8月23日
发明者胡乃仁, 杨小平, 李国发, 钟利强 申请人:苏州固锝电子股份有限公司