专利名称：晶体硅太阳能电池选择性印刷系统的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统。
背景技术：
现有技术中的硅片上进行P型和N型掺杂，在两种掺杂的交界面区域里会有电势差，形成内建电场，即PN结。当光照射到硅片正表面时，产生电子一空穴对，电子一空穴从正面穿过硅片到达背结，受背结内建电场的作用，电子流入N区，空穴流入P区，结果使N区储存了过剩的电子，P区有过剩的空穴。它们在PN结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使P区带正电，N区带负电，在N区和P区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。此时,如果将背电极和正电极接通外电路,则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过，此时电池片即可发电。中国专利20101055 0829. O，公开一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法。该发明针对镭射掺杂选择性发射极晶体硅电池，提出的一种精准对位方法，其工序包括，减反射膜的制备，镭射掺杂及印刷对位基准点的制备，精准对位印刷。此对位方法，操作相对复杂，而且精准度相对不高。
发明内容本实用新型主要是解决现有技术中存在的不足，结构紧凑，提升聚光电站的光电转换率，提升设备利用效率的晶体硅太阳能电池选择性印刷系统。本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，包括硅体，所述的硅体的背面设有呈间隔状连续分布的硼扩散区和磷扩散区，所述的硼扩散区中设有背电极栅线，所述的磷扩散区中设有正电极栅线，所述的硼扩散区与磷扩散区的左侧为背电极，所述的硼扩散区与磷扩散区的右侧为正电极。作为优选，所述的背电极与硼扩散区和磷扩散区相间隔分布，所述的正电极与硼扩散区和磷扩散区相间隔分布。作为优选，所述的硅体的折角为倒角。因此，本实用新型提供的晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，提升产品性能，提升光电转换率，节约能源。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
[0012]下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。实施例如图1所示，一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，包括硅体1，所述的硅体I的背面设有呈间隔状连续分布的硼扩散区2和磷扩散区3，所述的硼扩散区2中设有背电极栅线4，所述的磷扩散区3中设有正电极栅线5，所述的硼扩散区2与磷扩散区3的左侧为背电极6，所述的硼扩散区2与磷扩散区3的右侧为正电极7。所述的背电极6与硼扩散区2和磷扩散区3相间隔分布，所述的正电极7与硼扩散区2和磷扩散区3相间隔分布。所述的硅体I的折角为 倒角。
权利要求1.一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，其特征在于包括硅体(1)，所述的硅体(O的背面设有呈间隔状连续分布的硼扩散区(2)和磷扩散区(3)，所述的硼扩散区(2)中设有背电极栅线(4)，所述的磷扩散区(3)中设有正电极栅线(5)，所述的硼扩散区(2)与磷扩散区(3)的左侧为背电极(6)，所述的硼扩散区(2)与磷扩散区(3)的右侧为正电极(7)。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，其特征在于所述的背电极(6)与硼扩散区(2)和磷扩散区(3)相间隔分布，所述的正电极(7)与硼扩散区(2)和磷扩散区(3)相间隔分布。
3.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，其特征在于所述的硅体(I)的折角为倒角。
专利摘要本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统。包括硅体，所述的硅体的背面设有呈间隔状连续分布的硼扩散区和磷扩散区，所述的硼扩散区中设有背电极栅线，所述的磷扩散区中设有正电极栅线，所述的硼扩散区与磷扩散区的左侧为背电极，所述的硼扩散区与磷扩散区的右侧为正电极。晶体硅太阳能电池选择性印刷系统提升产品性能，提升光电转换率，节约能源。
文档编号H01L31/18GK202905766SQ201220582300
公开日2013年4月24日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者金友康, 冯志强 申请人:浙江舒奇蒙光伏科技有限公司