电子器件绝缘层材料及电子器件的制作方法
【专利摘要】本发明的课题在于提供一种可于低温下形成绝缘层的电子器件绝缘层材料。用于解决课题的方法为一种电子器件绝缘层材料，其包含高分子化合物(A)和烷氧基钨(V)(B)，所述高分子化合物(A)包含具有环状醚结构的重复单元和式(1)所示的重复单元。[式中，R5表示氢原子或甲基。Rbb表示将高分子化合物的主链与侧链连结、且可以具有氟原子的连结部分。R表示能够借助酸而发生脱离的有机基团。R’表示氢原子、或可以具有氟原子的碳原子数l～20的一价有机基团。下角标b表示0或1的整数，下角标n表示1～5的整数。在具有多个R时，它们可以相同或不同。在具有多个R’时，它们可以相同或不同]。
【专利说明】电子器件绝缘层材料及电子器件
【技术领域】
[0001 ] 本发涉及适于形成电子器件所具有的绝缘层的电子器件绝缘层材料。
【背景技术】
[0002]近年来，有机薄膜晶体管等电子器件的研究受到关注，进行了用于电子器件的各种材料的研究。其中，为了抑制电子器件的经时劣化，大量地进行了用于形成电子器件中所含的绝缘层的材料的开发。
[0003]作为电子器件的一种形式的有机薄膜晶体管能够在比无机半导体更低的温度下进行制造，因此，作为其基板，可使用塑料基板或膜，通过使用这样的基板，能够获得挠性、轻质且不易受损的元件。
[0004]另外，有时可通过涂布包含有机材料的溶液或利用印刷法进行成膜来制作元件，有时能够在大面积的基板上以低成本制造多个元件。
[0005]此外，可用于晶体管的研究的材料的种类丰富，因此，如果将分子结构不同的材料用于研究，则能够制造出具有宽广范围的特性变化的元件。
[0006]就用于作为有机薄膜晶体管的一种形式的场效应型有机薄膜晶体管的有机半导体化合物而言，容易受到湿度、氧等环境的影响，晶体管特性容易发生因湿度、氧等所致的经时劣化。
[0007]因此，对于作为有机半导体化合物剥露的场效应型有机薄膜晶体管的I种的底栅型有机薄膜晶体管的元件结构而言，需要形成覆盖元件整体的外敷(才一〃一-一卜)绝缘层来保护有机半导体化合物以防止其与外界气体接触。另一方面，对于作为场效应型有机薄膜晶体管的I种的顶栅型有机薄膜晶体管的元件结构而言，有机半导体化合物被栅绝缘层包覆而受到保护。这样，对于有机薄膜晶体管来说，为了形成覆盖有机半导体层的外敷绝缘层及栅绝缘层等，要使用绝缘层材料。
[0008]对于有机薄膜晶体管绝缘层材料，要求具有绝缘性以及在制成薄膜时绝缘破坏强度优异的特性。另外，尤其是对于底栅型的场效应型有机薄膜晶体管而言，有机半导体层可叠合形成于栅绝缘层。因此，对于有机薄膜晶体管栅绝缘层材料，要求具有用于形成与有机半导体层密合的界面的与有机半导体化合物的亲和性，并且要求由该有机薄膜晶体管栅绝缘层材料形成的膜在有机半导体层一侧的表面平坦。
[0009]作为应对上述要求的技术，专利文献I中记载了:组合使用环氧树脂和硅烷偶联剂作为有机薄膜晶体管栅绝缘层材料。该技术中，将包含环氧树脂和硅烷偶联剂的组合物加热至150°C，使在环氧树脂的固化反应时生成的羟基与硅烷偶联剂反应。这是基于下述理由:上述羟基会提高栅绝缘层材料的吸湿性，而损害晶体管性能的稳定性。
[0010]非专利文献I中记载了:将使聚乙烯基苯酚与三聚氰胺化合物于175°C热交联而得的树脂用于栅绝缘层。该技术中，通过利用三聚氰胺化合物进行交联，从而将聚乙烯基苯酚中所含的羟基除去，同时提高膜强度。具有该栅绝缘层的并五苯TFT的磁滞小，对于栅偏压显示出耐久性。[0011]在非专利文献2中记载了:于150°C对使聚乙烯基苯酚以及由乙烯基苯酚和甲基丙烯酸甲酯共聚而得的共聚物进行加热，并将其用于栅绝缘层。该技术中，使乙烯基苯酚的羟基与甲基丙烯酸甲酯的羰基相互作用，从而使膜整体的极性降低。具有该栅绝缘层的并五苯TFT的磁滞小，显示出稳定的电气特性。
[0012]现有技术文献
[0013]专利文献
[0014]专利文献1:日本特开2007-305950号公报
[0015]非专利文献
[0016]非专利文献1:Appl.Phys.Lett.89,093507 (2006)
[0017]非专利文献2:Appl.Phys.Lett.92，183306 (2008)
【发明内容】
[0018]发明所要解决的课题
[0019]但是，对于在塑料基板上形成有有机场致发光元件(有机EL元件)等发光元件和有机薄膜晶体管的显示器而言，用于由上述现有的电子器件绝缘层材料形成有机薄膜晶体管的绝缘层的温度高，并不实用。
[0020]本发明的目的在于提供一种能够在低温下形成绝缘层的电子器件绝缘层材料。
[0021]用于解决课题的手段
[0022]即，本发明涉及一种电子器件绝缘层材料，其包含高分子化合物(A)和烷氧基钨(V) (B)，所述高分子化合物(A)包含具有环状醚结构的重复单元和式(I)所示的重复单元，
[0023][化学式I]
[0024]
【权利要求】
1.一种电子器件绝缘层材料，其包含高分子化合物(A)和烷氧基钨(V) (B)，所述高分子化合物(A)包含具有环状醚结构的重复单元、和式(I)所示的重复单元，
2.根据权利要求1所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述具有环状醚结构的重复单元为选自式(2)所示的重复单元及式(3)所示的重复单元中的至少I种重复单元，
3.根据权利要求1或2所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述高分子化合物(A)是进一步包含含有下述第一官能团的重复单元的高分子化合物， 所述第一官能团是能够在电磁波或热的作用下生成可与活性氢反应的第二官能团的官能团。
4.根据权利要求3所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述第一官能团为选自经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基中的至少一种基团。
5.根据权利要求4所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基为式(5)所示的基团，
6.根据权利要求4所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述经封端剂封端了的异氰酸根合基及经封端剂封端了的异硫氰酸根合基为式(6)所示的基团，
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电子器件绝缘层材料，其中，所述高分子化合物(A)是进一步包含式(4)所示的重复单元的高分子化合物，
8.根据权利要求1~7中任一项所述的电子器件绝缘层材料，其为有机薄膜晶体管绝缘层材料。
9.一种电子器件绝缘层的形成方法，其包括: 将包含权利要求1~8中任一项所述的电子器件绝缘层材料的液体涂布于基材，从而在该基材上形成涂布层的工序；以及 对该涂布层施加热的工序。
10.一种电子器件，其具有电子器件绝缘层，该电子器件绝缘层是使用权利要求1~8中任一项所述的电子器件绝缘层材料而形成的。
11.根据权利要求10所述的电子器件，其中，所述电子器件绝缘层是有机薄膜晶体管栅绝缘层。
12.—种显示器用构件，其包含权利要求10或11所述的电子器件。
13.—种显示器，其包含权利要求12所述的显示器用构件。
【文档编号】H01L29/786GK104040700SQ201280063670
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2012年12月12日 优先权日:2011年12月21日
【发明者】矢作公 申请人:住友化学株式会社