太阳能电池、其制造方法及其模组的制作方法
【专利摘要】一种太阳能电池、其制造方法及其模组，该电池包含一包括一背面的基板、多个以二维阵列配置于该背面且朝该基板内延伸的第一孔洞、一配置于该背面与每一第一孔洞的一第一表面处的第一导电型层、一配置于该背面且位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层、一配置于该背面的钝化层、一穿过该钝化层而接触该第一导电型层的第一电极、以及一穿过该钝化层而接触该第二导电型层的第二电极。本发明可增加该第一导电型层的表面积，同时可减少载子传输的路径长度，进而提高载子收集效率与开路电压并降低串联电阻，而有助于提升光电转换效率。
【专利说明】太阳能电池、其制造方法及其模组
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种太阳能电池、制造方法与模组，特别涉及一种背接触式太阳能电池、其制造方法及其模组。
【背景技术】
[0002]参阅图1, 一般指叉式背接触(Interdigitated Back Contact,简称IBC)太阳能电池，通常包含:一 η型的基板91、分别位于该基板91的一背面911处之内的一 ρ++型掺杂区92与一 η++型掺杂区93、一位于该背面911上的钝化层94、一电连接该ρ++型掺杂区92的第一电极95、以及一电连接该η++型掺杂区93的第二电极96。
[0003]该背接触式太阳能电池的主要特色在于:该第一电极95与该第二电极96都位于该基板91的背面911的一侧,该基板91的一正面912未设置电极,从而可避免受光的该正面912被遮挡，因此可以提升该正面912的入光量。
[0004]其中，该基板91通过光电效应而产生载子，前述产生于基板91内部的载子往往需要传输至该P++型掺杂区92或该η++型掺杂区93之后，才能被该第一电极95与该第二电极96导出以供使用。为此，如何增加该P++型掺杂区92与该η++型掺杂区93的表面积(Junction Area),以及如何减少载子传输至该ρ++型掺杂区92与该η++型掺杂区93的路径长度(Travelling Length)以避免载子的再结合(Recombination),进而增加载子收集效率与开路电压，并降低串联电阻，是一重要的课题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种可减少载子传输的路径长度、降低载子再结合的机率，从而可增加载子收集效率与开路电压，并降低串联电阻的太阳能电池、其制造方法及其模组。
[0006]本发明太阳能电池，包含:一个基板，该基板包括一个受光的正面、以及一个与该正面相对的背面。该太阳能电池还包含多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延伸并分别具有一个第一表面的第一孔洞、一个配置于该背面以及每一个第一表面处的第一导电型层、一个配置于该背面且位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层、一个配置于该背面且接触该第一导电型层与该第二导电型层的钝化层、一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第一导电型层的第一电极、以及一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第二导电型层的第二电极，该钝化层具有多个对应该第一导电型层而供该第一电极穿过的第一开口、以及多个对应该第二导电型层而供该第二电极穿过的第二开口。
[0007]本发明所述的太阳能电池，该多个第一开口位于该基板的背面或/及位于该多个第一表面中的至少一个第一表面上。
[0008]本发明所述的太阳能电池，该基板还包括多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延伸的第二孔洞，每一个第二孔洞具有一个第二表面，而该第二导电型层配置于该背面以及每一个第二表面处。[0009]本发明所述的太阳能电池，该多个第二开口位于该基板的背面或/及位于该多个第二表面中的至少一个第二表面上。
[0010]本发明所述的太阳能电池，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的孔径为5?200 μ m。
[0011]本发明所述的太阳能电池，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的深度为5?50 μ m。
[0012]本发明所述的太阳能电池，相邻的该多个第一孔洞或/及相邻的该多个第二孔洞彼此间的间距为20?200 μ m。
[0013]本发明太阳能电池模组，包含:一个第一板材、一个第二板材、以及一个位于该第一板材与该第二板材间的封装材。该太阳能电池模组还包含至少一个如上述的太阳能电池，该太阳能电池设置于该第一板材与该第二板材间，该封装材接触该太阳能电池。
[0014]本发明太阳能电池的制造方法，包含:
[0015]提供一个基板，该基板包括一个受光的正面、以及一个与该正面相对的背面；
[0016]在该基板的背面形成多个以二维阵列形式排列且朝该基板内延伸的第一孔洞，而
每一个第一孔洞具有一个第一表面；
[0017]在该基板的背面以及该多个第一表面处形成一个第一导电型层；
[0018]在该基板的背面形成一个位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层；
[0019]在该基板的背面且位于该第一导电型层与该第二导电型层上形成一个钝化层，且于该钝化层上形成多个对应该第一导电型层的第一开口、以及多个对应该第二导电型层的
第二开口 ；
[0020]形成一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层的第一开口而接触该第一导电型层的第一电极；及
[0021]形成一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层的第二开口而接触该第二导电型层的第二电极。
[0022]本发明所述的太阳能电池的制造方法，在形成该第二导电型层之前，先在该基板的背面形成多个以二维阵列形式排列且朝该基板内延伸的第二孔洞，每一个第二孔洞具有一个第二表面，而该第二导电型层形成于该背面以及该多个第二表面处。
[0023]本发明所述的太阳能电池的制造方法，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的孔径为5?200 μ m,该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的深度为5?50 μ m，相邻的该多个第一孔洞或/及相邻的该多个第二孔洞彼此间的间距为 20 ?200 μ m。
[0024]本发明的有益效果在于:在该背面形成内凹的该多个第一孔洞，使得该第一导电型层除了沿着该背面处配置之外，还可沿着该多个第一孔洞的第一表面处设置，前述创新的结构设计，不仅可增加该第一导电型层的表面积，还可减少载子传输的路径长度，如此可降低载子再结合的机率，进而增加收集载子的能力与开路电压并降低串联电阻，而有助于提升光电转换效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1是一般指叉式背接触太阳能电池的局部剖视示意图。[0026]图2是本发明太阳能电池模组的一较佳实施例的一局部剖视示意图。
[0027]图3是该较佳实施例的一太阳能电池的一局部剖视示意图。
[0028]图4是该太阳能电池的一局部背面示意图。
[0029]图5是图3的一局部放大图。
[0030]图6是一类似图4的放大图，说明该较佳实施例的一钝化层、一第一电极与一第二电极之间不同的变化设计态样。
[0031]图7是本发明太阳能电池的制造方法的一较佳实施例的步骤流程方块图。
[0032]图8是该制造方法的前段步骤进行时的示意图。
[0033]图9是该制造方法的后段步骤进行时的示意图。
【具体实施方式】
[0034]下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
[0035]参阅图2、图3，本发明太阳能电池模组的较佳实施例包含:上下相对设置的一第一板材I与一第二板材2、多个阵列式地排列设置于该第一板材I与该第二板材2间且彼此电连接的太阳能电池3、以及一位于该第一板材I与该第二板材2间且包覆地接触该多个太阳能电池3的封装材4。当然在实施上，该太阳能电池模组可以仅包含一太阳能电池3。
[0036]在本实施例中，该第一板材I又称为背板(Back Sheet)，该第二板材2位于光线入射的一侧，其可由透光材料制成，例如玻璃或塑胶材质等板材，不需特别限制。该多个太阳能电池3彼此间可通过图未示出的焊带导线(Ribbon)电连接。而该封装材4的材料为乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)或其他可用以封装太阳能电池模组的相关材料，并不限于本实施例的举例。由于该太阳能电池模组的结构非本发明改良的重点，不再说明，于图2中也仅为简单示意。此外，由于该多个太阳能电池3的结构都相同，以下仅以其中一个为例进行说明。
[0037]本实施例的太阳能电池3包含:一基板30、多个第一孔洞31、多个第二孔洞32、一第一导电型层33、一第二导电型层34、一钝化层35、一第一电极36、以及一第二电极37。本实施例的第一导电型层33与第二导电型层34分别为ρ型半导体与η型半导体，但实施时也可以相反。
[0038]本实施例的基板30为η型的晶娃基板,并且可以为单晶娃基板或多晶娃基板。该基板30包括彼此相对的一正面301与一背面302，而该背面302具有多个间隔的背面段305。该正面301为受光面并朝向该第二板材2,而该背面302朝向该第一板材I。本实施例将该正面301制作成粗糙面以提高光入射量，但实施上不以此为限制。
[0039]此外，在该基板30的正面301处之内还可设置一导电型掺杂层303，其为η+型半导体，且载子浓度大于该基板30的载子浓度,从而形成正面电场结构(Front-Side Field,简称FSF)以提升载子收集效率及光电转换效率。而该导电型掺杂层303上还可设置一抗反射层304，其材料例如氮化硅(SiNx)等，用以提升光线入射量以及降低载子表面复合速率(Surface Recombination Velocity,简称SRV)。由于本发明的改良不在于此，因此不再详述。
[0040]参阅图3、图4、图5，本实施例的该多个第一孔洞31分别以二维阵列形式排列配置于该背面302且朝该基板30内延伸。具体而言，该多个第一孔洞31皆为圆柱形，并且由该背面302直立地朝该正面301方向延伸，而每一第一孔洞31具有一将其圈围且连接该背面302的背面段305的第一表面310。在实施上，该多个第一孔洞31中的至少一个孔洞的孔径dl为5?200 μ m,较佳的是30?200 μ m,且深度d2为5?50 μ m，并且相邻的该多个第一孔洞31的间距d3为20?200 μ m。
[0041]本实施例的该多个第二孔洞32与该多个第一孔洞31的尺寸、结构大致相同，该多个第二孔洞32也为圆柱形，并分别以二维阵列形式排列配置于该背面302，且分别由该背面302朝该正面301方向直立地延伸入该基板30内，而每一第二孔洞32同样也具有一将其圈围且连接该背面302的背面段305的第二表面320。在实施上，该多个第二孔洞32的孔径d4皆为5?200 μ m,较佳的是30?200 μ m,且深度d5皆为5?50 μ m,而相邻的该多个第二孔洞32的间距d6为20?200 μ m。
[0042]进一步说明的是，该多个第一孔洞31与该多个第二孔洞32的形状不限于本实施例所公开的圆柱形，在实施上也可为方形或其他多边形的形状。而本实施例所述的该多个第一孔洞31与该多个第二孔洞32的二维阵列形式的排列方式，对应图4中的一第一方向71与一第二方向72,其中该第一方向与该第二方向彼此可为垂直或非垂直,不需特别限制。而该多个第一孔洞31或/及该多个第二孔洞32分别可依该第一方向与该第二方向而为阵列配置。也就是说，该多个第一孔洞31或该多个第二孔洞32并非以单一排的一维方式来排列，而是以二维阵列形式地分布排列。
[0043]本实施例的第一导电型层33配置于该背面302处之内以及每一第一表面310处之内，该第一导电型层33为ρ++型半导体，其载子浓度大于该基板30的载子浓度。该第一导电型层33在制作上，是通过扩散制程(例如硼扩散)或其他的掺杂方式使该基板30局部形成高载子浓度的区域。
[0044]本实施例的第二导电型层34配置于该背面302处之内以及每一第二表面320处之内，且间隔地位于该第一导电型层33的旁边。该第二导电型层34是通过扩散制程(例如磷扩散)或其他的掺杂方式使该基板30局部形成重掺杂的η++型半导体。
[0045]本实施例的钝化层35配置于该背面302、各该第一孔洞31的第一表面310与各该第二孔洞32的第二表面320上，且位于该第一导电型层33与该第二导电型层34上并接触该第一导电型层33与该第二导电型层34。在本实施例中，该钝化层35的上下表面皆顺着该背面302、该多个第一表面310与该多个第二表面320而呈高低起伏地延伸。
[0046]该钝化层35的材料可以为氧化物、氮化物或上述材料的组合，并可用以填补、降低表面或该基板30内部缺陷，进而降低载子的表面复合速率，提升电池的转换效率。而该钝化层35具有多个贯穿且对应该第一导电型层33地位于该基板30的背面302上的第一开口 351、以及多个贯穿且对应该第二导电型层34地位于该基板30的背面302上的第二开Π 352。
[0047]本实施例的第一电极36配置于该钝化层35上，且穿过该钝化层35的第一开口351而接触该第一导电型层33。该第二电极37配置于该钝化层35上，且穿过该钝化层35的第二开口 352而接触该第二导电型层34。
[0048]然而，本发明的钝化层35、第一电极36与第二电极37的结构不限于图5所公开的形态，以下通过图6更进一步地详细说明。
[0049]参阅图6，在该钝化层35配置于各该第一孔洞31的第一表面310与各该第二孔洞32的第二表面320上之后，该钝化层35可以完全填满其中至少一个第一孔洞31’，因而使得该第一电极36的局部部位不会填入前述的第一孔洞31’中，同样地该钝化层35也可以完全填满其中至少一个第二孔洞32’，因而使得该第二电极37的局部部位不会填入前述第二孔洞32’中。
[0050]此外，在实施上该多个第一开口 351也可以位于该多个第一表面310上，而该多个第二开口 352也可以位于该多个第二表面320上。并且若该多个第一开口 351位于该多个第一表面310时,该多个第一开口 351可位于该多个第一表面310的平行该背面302的部分，此外当然也可位于该多个第一表面310的垂直该背面302的部分。同样地，该多个第二开口 352位于该多个第二表面320的部位，也不需特别限定。
[0051]当然，图6仅是为了示意该钝化层35、该第一电极36与该第二电极37的变化设计，实施上不以图5所公开的态样为限制。另外，该多个第一开口 351还可以同时位于该背面302及至少一个该多个第一表面310上，而该多个第二开口 352也可以同时位于该背面302及至少一个该多个第二表面320，一样能达成本发明改良的目的。
[0052]参阅图3、图4、图6，由以上说明可知，通过在该基板30的背面302形成内凹的该多个第一孔洞31与该多个第二孔洞32，使得该第一导电型层33除了沿着该背面302处之内配置之外，还可沿着该多个第一孔洞31的第一表面310处之内设置，同样地该第二导电型层34也可以同时沿着该背面302处之内与该多个第二孔洞32的第二表面320处之内配置。前述创新的结构设计，分别增加了该第一导电型层33与该第二导电型层34的表面积(Junction Area)，进而能提升载子收集效率，如此也有助于提升光电转换效率。
[0053]在此同时，顺应该多个第一孔洞31与该多个第二孔洞32朝该基板30内延伸的结构，该第一导电型层33与该第二导电型层34也跟着延伸入该基板30的内部。因此，产生于该基板30的内部的载子,能传输较短的路径长度(Travelling Length)就进入该第一导电型层33与该第二导电型层34，因而更进一步地增加收集载子的能力，从而增加该太阳能电池3的开路电压并降低串联电阻。
[0054]更重要的是，该钝化层35的第一开口 351除了位于该基板30的背面302之外，若该钝化层35的其中几个第一开口 351位于该多个第一表面310时,该第一电极36可以深入该基板30内部而连接该第一导电型层33内凹的部位，从而更快速地将该基板30内部所产生的载子导出，同样有助于增加载子收集效率。该钝化层35的其中几个第二开口 352位于该多个第二表面320时,该第二电极36也具有同样的效果。
[0055]参阅图5、图7、图8，本发明太阳能电池的制造方法的较佳实施例，包含以下步骤:
[0056]步骤SOl:提供该基板30，并对该基板30的正面301进行粗糙化处理而使该正面301成为具有凹凸状结构的粗糙面，又对该基板30的背面302进行抛光而使该背面302成为光滑的平面。
[0057]步骤S02:在该基板30的背面302形成以二维阵列形式排列且朝该基板30内延伸的该多个第一孔洞31。先分别在该基板30的正面301与背面302配置一第一遮罩81与一第二遮罩82，并通过激光使该第二遮罩82形成多个开孔820。接着使用KOH溶液进行蚀亥IJ，并于该背面302对应该多个开孔820的位置形成该多个第一孔洞31，且每一第一孔洞31分别由每一第一表面310圈围所界定。
[0058]步骤S03:在该基板30的背面302处之内以及该多个第一表面310处之内形成该第一导电型层33。先使用激光除去该第二遮罩82的形成有该多个开孔820的部位，接着利用扩散制程在该背面302处与该多个第一表面310处进行掺杂，进而在该背面302处之内以及该多个第一表面310处之内形成ρ++型的该第一导电型层33。
[0059]步骤S04:在该基板30的背面302形成以二维阵列形式排列且朝该基板30内延伸的该多个第二孔洞32。先于该基板30的形成有该第一导电型层33的背面302处设置一第三遮罩83。接着再次通过激光使剩余的该第二遮罩82形成多个开孔820’之后，使用KOH溶液进行蚀刻，并于该基板30之背面302对应该多个开孔820’的位置形成该多个第二孔洞32。
[0060]值得一提的是,本实施例是使用光微影技术(Photolithography)形成该多个第一孔洞31与该多个第二孔洞32。此外，在步骤S02与步骤S04中还可使用喷墨印刷(InkjetPrinting)或网版印刷(Screen Printing)等方式,将蚀刻胶(Etching Paste)喷涂或涂布于该背面302上。接着对该基板30加温而使蚀刻胶侵蚀该基板30，进而在该背面302上形成该多个第一孔洞31与该多个第二孔洞32。最后再清洗该基板30以除去蚀刻胶，便完成步骤S02与步骤S04的作业，至于蚀刻胶的具体材料可依需求做选择，在此不需设限。
[0061]进一步说明的是，若使用光微影方式，则该多个第一孔洞31的孔径dl与该多个第二孔洞32的孔径d4最小可达到5 μ m,且相邻的该多个第一孔洞31的间距d3或相邻的该多个第二孔洞32的间距d6最小可达20 μ m。若使用喷墨印刷方式,则前述孔径dl、d4最小可达到ΙΟμπι，且前述间距d3、d6最小可达40μπι。若使用网版印刷的方式，则前述孔径dl、d4最小可达到50 μ m,且前述间距d3、d6最小可达80 μ m。
[0062]需要注意的是，当前述孔径dl、d4越大，则可在该背面302形成该多个第一孔洞31或该多个第二孔洞32的数量则越少，然而前述孔径dl、d4与前述数量之间如何取得平衡可依需求作搭配调整，在此不需限制也不再说明。
[0063]参阅图5、7、9，步骤S05:在该基板30的背面302处之内以及该多个第二表面320处之内形成该第二导电型层34，且该第二导电型层34位于该第一导电型层33的旁边。先使用激光除去剩余的该第二遮罩82，接着利用扩散制程在该背面302处与该多个第二表面320处进行掺杂，进而在该背面302处之内以及该多个第二表面320处之内形成重掺杂的η++型的该第二导电型层34。需要注意的是，本发明的制作方法并不以形成该第二孔洞32为必要。
[0064]步骤S06:在该基板30的正面301处形成该导电型掺杂层303。先使用激光除去分别位于该基板30的正面301与背面302的该第一遮罩81与该第三遮罩83，接着利用扩散制程在该正面301处进行掺杂，进而在该正面301处之内形成该导电型掺杂层303。当然在实施上，也可先以蚀刻液移除分别位于该基板30的正面301与背面302的该第一遮罩81与该第三遮罩83后，先于该背面302形成一图中未示的保护层，再于该正面301处进行掺杂以形成该导电型掺杂层303。
[0065]步骤S07:在该基板30的背面302且位于该第一导电型层33与该第二导电型层34上形成该钝化层35，并在该基板30的正面301且位于该导电型掺杂层303上形成该抗反射层304。具体而言，本实施例是利用例如PECVD的真空镀膜方式形成连续的该钝化层35与该抗反射层304，其中，所述的真空镀膜方式可包含物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等方式。此外，实施上不以形成该抗反射层304的步骤为必要。[0066]步骤S08:在该钝化层35上形成对应该第一导电型层33的该多个第一开口 351、以及对应该第二导电型层34的该多个第二开口 352。具体而言，本实施例是利用干蚀刻例如激光蚀刻、湿蚀刻或使用蚀刻胶等方式，于该钝化层35上形成该多个第一开口 351与该多个第二开口 352。
[0067]步骤S09:形成配置于该钝化层35上且穿过该钝化层35的第一开口 351而接触该第一导电型层33的该第一电极36。实施上,可利用网印(Screen Printing)、喷印(InkjetPrinting)或真空镀膜方式,于该钝化层35上形成该第一电极36,使该第一电极36的局部部位填充该钝化层35的该多个第一开口 351而连接该第一导电型层33,同时该第一电极36的局部部位也会填充于该多个第一孔洞31中。
[0068]步骤SlO:形成配置于该钝化层35上且穿过该钝化层35的第二开口 352而接触该第二导电型层34的该第二电极37。实施上，可使用与步骤S09相同的制作方式，于该钝化层35上形成该第二电极37，使该第二电极37的局部部位填充该钝化层35的该多个第二开口 352而连接该第二导电型层34，同时该第二电极37的局部部位也会填充于该多个第二孔洞32中。
[0069]需要说明的是，本发明不须限定该第一电极36与该第二电极37的制作顺序，而且实际上两者可以通过一次的网印、喷印或镀膜方式同时制作完成。
[0070]由以上说明可知，本发明通过增加该第一导电型层33与该第二导电型层34的延伸面积，且该第一导电型层33与该第二导电型层34皆具有朝该基板30的内部延伸的结构，不仅可增加该第一导电型层33与该第二导电型层34的表面积，还可减少载子传输的路径长度，如此可降低载子再结合(Recombination)的机率,进而使本发明太阳能电池具有较高的载子收集效率、较低的串联电阻与较高的开路电压等优点，并有助于提升光电转换效率。
[0071]以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
【权利要求】
1.一种太阳能电池，包含:一个基板，该基板包括一个受光的正面、以及一个与该正面相对的背面；其特征在于，该太阳能电池还包含多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延伸并分别具有一个第一表面的第一孔洞、一个配置于该背面以及每一个第一表面处的第一导电型层、一个配置于该背面且位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层、一个配置于该背面且接触该第一导电型层与该第二导电型层的钝化层、一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第一导电型层的第一电极、以及一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第二导电型层的第二电极，该钝化层具有多个对应该第一导电型层而供该第一电极穿过的第一开口、以及多个对应该第二导电型层而供该第二电极穿过的第二开口。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该多个第一开口位于该基板的背面或/及位于该多个第一表面中的至少一个第一表面上。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该基板还包括多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延伸的第二孔洞，每一个第二孔洞具有一个第二表面，而该第二导电型层配置于该背面以及每一个第二表面处。
4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该多个第二开口位于该基板的背面或/及位于该多个第二表面中的至少一个第二表面上。
5.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的孔径为5~200 μ m。
6.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的 深度为5~50 μ m。
7.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，相邻的该多个第一孔洞或/及相邻的该多个第二孔洞彼此间的间距为20~200 μ m。
8.一种太阳能电池模组，包含:一个第一板材、一个第二板材、以及一个位于该第一板材与该第二板材间的封装材；其特征在于，该太阳能电池模组还包含至少一个如权利要求1至7中任一权利要求所述的太阳能电池，该太阳能电池设置于该第一板材与该第二板材间，该封装材接触该太阳能电池。
9.一种太阳能电池的制造方法，包含: 提供一个基板，该基板包括一个受光的正面、以及一个与该正面相对的背面；其特征在于，该太阳能电池的制造方法还包含: 在该基板的背面形成多个以二维阵列形式排列且朝该基板内延伸的第一孔洞，而每一个第一孔洞具有一个第一表面； 在该基板的背面以及该多个第一表面处形成一个第一导电型层； 在该基板的背面形成一个位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层； 在该基板的背面且位于该第一导电型层与该第二导电型层上形成一个钝化层，且于该钝化层上形成多个对应该第一导电型层的第一开口、以及多个对应该第二导电型层的第二开口 ； 形成一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层的第一开口而接触该第一导电型层的第一电极；及 形成一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层的第二开口而接触该第二导电型层的第二电极。
10.如权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在形成该第二导电型层之前，先在该基板的背面形成多个以二维阵列形式排列且朝该基板内延伸的第二孔洞，每一个第二孔洞具有一个第二表面，而该第二导电型层形成于该背面以及该多个第二表面处。
11.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的孔径为5~200 μ m,该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的深度为5~50 μ m，相邻的该多个第一孔洞或/及相邻的该多个第二孔洞彼此间的间距为20~200 μ m。
【文档编号】H01L31/18GK103943701SQ201310098765
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2013年3月26日 优先权日:2013年1月22日
【发明者】赖光杰, 黄世贤 申请人:茂迪股份有限公司